DE4136566C1 - - Google Patents

Info

Publication number
DE4136566C1
DE4136566C1 DE4136566A DE4136566A DE4136566C1 DE 4136566 C1 DE4136566 C1 DE 4136566C1 DE 4136566 A DE4136566 A DE 4136566A DE 4136566 A DE4136566 A DE 4136566A DE 4136566 C1 DE4136566 C1 DE 4136566C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grinding
tool
dresser
wheel
finishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4136566A
Other languages
English (en)
Inventor
Hubert Dr. 8551 Igensdorf De Hinzen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KOENNEMANN, GERHARD, DIPL.-ING., 63814 MAINASCHAFF
Original Assignee
GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG 8500 NUERNBERG DE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG 8500 NUERNBERG DE filed Critical GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG 8500 NUERNBERG DE
Priority to DE4136566A priority Critical patent/DE4136566C1/de
Priority to KR1019920020001A priority patent/KR930011100A/ko
Priority to JP4297463A priority patent/JPH05309645A/ja
Priority to US07/973,060 priority patent/US5285597A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE4136566C1 publication Critical patent/DE4136566C1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/001Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces involving the use of electric current
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/003Multipurpose machines; Equipment therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft das Zerteilen von zylindrischen, sprödharten, nichtmetallischen Werkstoffen in scheibenförmige Zwischenprodukte. Die für dieses Verfahren in Frage kommenden Materialien mit einer Vickers-Härte von bis zu HV 15000 N/mm2 stellen aufgrund ihrer besonderen Werk­ stoffeigenschaften extreme Anforderungen an den Zerspanungsprozeß. Ganz besondere Bedeu­ tung kommen dabei den Substratwerkstoffen für Elektronikbauteile wie beispielsweise Silizium, Germanium oder Galliumarsenid zu.
Das aus der Schmelze entstehende Halbzeugmaterial liegt in Zylinderform, sogenannten "Barren" oder "Ingots" vor. Die weitere Verarbeitung erfordert ein Zerteilen dieses Barrens in dünne Scheiben, die auch als "Ronden" oder "Wafer" bezeichnet werden. Der Trennprozeß stellt in zunehmendem Maße immer höhere Forderungen bezüglich Maßhaltigkeit und Oberflächen­ beschaffenheit der so gewonnenen Scheiben: Sie sollen möglichst planparallel sein, wobei es von besonderer Wichtigkeit ist, daß eine der beiden Flächen so plan wie möglich ist, damit sie für die weitere Bearbeitung als Referenzfläche dienen kann.
Aus den Patentschriften DE 36 13 132 C2 und DE 37 37 540 C1 sind bereits Erfindungen bekannt, die eine Lösung zu der Forderung nach einer ebenen Referenzfläche vorschlagen: Die Lösung besteht in einer Integration von Abtrenn- und Einebnungsprozeß: Die durch den vorangegangenen Abtrennprozeß unebene Stirnfläche des Barren wird, bevor eine weitere Scheibe abgetrennt wird, durch einen spanabhebenden Abtragsprozeß eingeebnet. Diese eingeebnete Fläche dient dann nach einem weiteren Abtrennvorgang bei dem dadurch entstehenden Wafer als plane Referenzfläche für die weitere Bearbeitung.
Wie in den beiden vorgenannten Schriften ausgeführt ist, wird der Einebnungsprozeß der Barren­ stirnseite vorzugsweise durch Schleifen und der Abtrennprozeß vorzugsweise durch eine Innen­ lochsäge ausgeführt. Wie weiterhin aus diesen beiden Schriften hervorgeht, besteht unter dem Gesichtspunkt der Produktivität eine besonders vorteilhafte Anwendung darin, Schleif- und Sägevorgang gleichzeitig bzw. nur geringfügig zeitlich versetzt durchzuführen, wobei Schleif- und Sägevorgang unter Ausnutzung derselben Vorschubbewegung vollzogen werden.
Besonders dieser letztgenannte Sachverhalt weist jedoch auf eine wesentliche Einschränkung der durch die beiden o.g. Schriften dokumentierten Stand der Technik hin:
Der Tennvorgang als der kritischere der beiden parallel ablaufenden Arbeitsgänge wird mit einer ihm eigenen optimalen Vorschubbewegung vollzogen, d. h. daß sowohl der Bewegungsablauf als auch die Geschwindigkeit speziell auf den Trennvorgang abgestimmt sind. Im Sinne des oben genannten Produktivitätsaspektes wird der Schleifvorgang unter Ausnutzung derselben Vorschub­ bewegung vollzogen, wobei die Prozeßbedingungen für den Schleifprozeß im allgemeinen Fall nicht optimal sind. Die konstruktiven und kinematischen Randbedingungen erfordern, daß für den Schleifvorgang nur das Plan-Seiten-Längsschleifen in Frage kommt, wobei die Vorschubgeschwindigkeit identisch sein muß mit der des Trennvorgangs.
Diese einschränkenden Randbedingungen beeinträchtigen besonders die Oberflächengüte des Schleifvorgangs in nachhaltiger Weise. Im Hinblick auf ausreichende Abtragsleistung und permanente Schneidfähigkeit muß ein relativ grobes Korn gewählt werden, worauf die dadurch erzielte Oberflächengüte gezwungenermaßen relativ rauh ausfallen muß. Für die weitere Fertigung der Wafer wäre es jedoch besonders vorteilhaft, wenn die durch Schleifen entstandene ebene Fläche bereits eine so gute Oberflächenbeschaffenheit aufweisen würde, daß sie ohne zwischenzeitliche Bearbeitung den Anforderungen der nachfolgenden Prozesse genügen würde.
Man trifft hier auf eine grundsätzliche Problematik der Schleiftechnologie: Entweder schleift man mit grobem Korn und relativ großer Abtragsleistung bei vergleichsweise schlechter Oberflächen­ güte oder aber mit feinem Korn und kleiner Abtragsleistung bei guter Oberflächengüte. Im hier vorliegenden Fall erfordern die übergeordneten Gesichtspunkte des Trennvorganges und die damit verbundene Vorschubgeschwindigkeit eine relativ hohe Abtragsleistung und damit ein grobes Korn, welches zwangsläufig eine relativ rauhe Oberfläche am Werkstück erzeugt. Wie bereits oben erwähnt, wäre jedoch eine feine Oberfläche für die Weiterverarbeitung der Wafer wünschenswert. Der standardmäßige Lösungsansatz der Schleiftechnologie sieht bei solchen Problemfällen eine zweistufige Bearbeitung vor: Vorschleifen mit grobem Korn und abschließende Endbearbeitung mit feinem Korn. Diese standardmäßig praktizierte Vorgehensweise in dieser einfachen Form ist hier jedoch nicht anwendbar, da zwei Schleifwerkzeuge in klassischer Form unter den gegebenen konstruktiven Randbedingungen und unter Ausnutzung derselben Vorschubbewegung nicht auf dasselbe Werkstück einwirken können.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, für den hier vorliegenden Fall des Längs-Seiten-Planschleifens und unter Ausnutzung erfindungsgemäßer Hilfsmittel eine Kombination von grobkörnigem Vorschleifen mit hoher Abtragsleistung und feinkörniger Endbearbeitung mit hoher Oberflächen­ güte bei Ausnutzung einer gemeinsamen Vorschubbewegung zu ermöglichen, wobei die Vorgänge des Vor- und Feinschleifens zeitlich nacheinander, aber überlappend, ausgeführt werden.
Die folgenden Figuren verdeutlichen diese Vorgehensweise prinzipiell:
Fig. 1 gibt die Ausgangsstellung vor der Bearbeitung wieder und dient im wesentlichen zur Beschreibung der Vorrichtung.
Fig. 2 zeigt eine Draufsicht in derselben Stellung.
Die Fig. 3-6 stellen einige markante Positionen eines Bearbeitungsganges dar.
Wie Fig. 1 verdeutlicht, besteht die Vorrichtung im wesentlichen aus einem Schleifscheibenträger 1, dessen Lagerung in dieser Darstellung der Übersichtlichkeit halber weggelassen ist. Am Außenrand dieses Schleifscheibenträgers 1 sind konzentrisch zu dessen Rotationsachse zwei ringförmige Schleifscheiben 2 und 3 angeordnet, wobei es sich bei Scheibe 2 um die Schruppscheibe und bei Scheibe 3 um die Schlichtscheibe handelt. Der Schleifscheibenträger 1 mit den Schleif­ scheiben 2 und 3 ist relativ zum Sägewerkzeug mit dem Schneidbelag 4 axial beweglich, so daß der axiale Zwischenraum zwischen der Stirnseite der Schleifscheiben und dem Sägeblatt 11 mit Sägebelag 4 variiert werden kann. Beide Schleifscheiben sind mit je einer Abrichtelektrode 5 und 6 ausgestattet, die getrennt voneinander betrieben werden. Dabei ist die Schruppelektrode 5 der Schruppscheibe 2 und die Schlichtelektrode 6 der Schlichtscheibe 3 zugeordnet.
Wie Fig. 2 in der Draufsicht veranschaulicht, wirkt auf die innere Schleifscheibe 2 nicht nur die Abrichtelektrode 5, sondern auch der Abstandssensor 14, der die axiale Lage der Stirnfläche der Schleifscheibe 2 erfaßt. Desgleichen wird die axiale Lage der Stirnfläche der Schleifscheibe 3 durch den Abstandssensor 15 erfaßt. Aus dem Differenzbetrag der durch die beiden Sensoren 14 und 15 aufgezeichneten Wege läßt sich der für den Schleifvorgang überaus wichtige axiale Versatz der Stirnflächen der beiden Schleifscheiben ermitteln.
Des weiteren wird die Vorrichtung durch ein Trennwerkzeug ergänzt, welches hier beispielhaft als Innenlochsäge aufgeführt ist: Das rotierende Sägewerkzeug ist hier nur grob schematisch angedeu­ tet: Der Sägebelag 4 ist radial etwas weiter von der Rotationsachse entfernt angeordnet wie die Schlichtscheibe 3. Der Schneidbelag 4 ist auf einem kreisringförmigen Trägerblech 11 aufgebracht, welches seinerseits zwischen einem unteren Spannkantenring 9 und einem oberen Spannkanten­ ring 10 eingeklemmt ist und durch einen hier nicht dargestellten Mechanismus radial aufgeweitet und dabei gespannt worden ist. Die beiden Spannkantenringe sind mit einem rotationssymmetrischen Grundkörper 8 fest verbunden, der gegenüber dem Maschinengestell drehbar gelagert ist.
Säge- und Schleifwerkzeug sind bezüglich ihrer Drehbewegung gemeinsam oder einzeln für sich gelagert, drehen aber in jedem Fall um eine gemeinsame Achse. Bei gemeinsamer Lagerung ist der Drehsinn und die Drehzahl beider Werkzeuge zwangsläufig gleich, bei getrennter Lagerung sind sie im allgemeinen Fall unterschiedlich.
Die folgende Beschreibung eines einzelnen Schleif-Abtrennvorganges soll das Verständnis dieses Verfahrens erleichtern:
Der Barren 7 wird mittels eine hier nicht näher beschriebenen Vorrichtung zu Beginn des Vorganges etwa zentrisch positioniert und axial so weit nach unten verschoben, bis sich die höchste Stelle seiner durch den vorangegangenen Abtrennvorgang entstandenen Stirnfläche gerade unter­ halb der durch die Stirnfläche der Schruppscheibe 2 aufgespannten Fläche befindet. Diese axiale Lage des Barrens 7 wird dann während der ganzen Dauer dieses einen Bearbeitungsschrittes beibehalten.
Nach der axialen Fixierung wird der Barren 7 in eine horizontale Vorschubbewegung versetzt. Dabei kommt sein unteres Ende zunächst in Berührung mit der relativ grobkörnigen Schruppscheibe 2, die den größten Teil des Materialabtrages beim Einebnen der Stirnfläche bewerkstelligt (Fig. 3). Im weiteren Verlauf der horizontalen Vorschubbewegung kommt der Barren 7 mit der feinkörnigen Schlichtscheibe 3 in Kontakt (Fig. 4), die nur geringfügig über die Schruppscheibe 2 hinausragt. Die Abtragsleistung von Schlichtscheibe 3 ist sehr gering, die am Werkstück erzeugte Oberfläche ist allerdings wegen der Feinkörnigkeit der Schleifscheibe sehr gut.
Im weiteren Verlauf seiner Vorschubbewegung kommt der Barren 7 mit dem Schneidbelag 4 des Innenlochsägeblattes in Kontakt (Fig. 5). Der Abstand zwischen Oberkante Schlichtscheibe 3 und Unterkante von Schneidbelag 4 wird vorab durch die Möglichkeit der relativen axialen Verschiebbarkeit von Schleif- und Abtrennwerkzeug so einjustiert, daß ein Wafer der gewünschten Dicke entsteht.
Fig. 6 zeigt schließlich den Zustand nach dem Ende des Abtrennprozesses. Die Unterseite des abgetrennten Wafers 12 ist durch die sehr steife Führung des Schleifwerkzeuges eben und kann damit bei den weiteren Bearbeitungsgängen als Referenzfläche genutzt werden. Die obere Begrenzungsfläche des Wafer ist hingegen i.a. uneben, da das Trennwerkzeug aufgrund seiner geometrischen Abmessungen in axialer Richtung sehr viel nachgiebiger ist.
Beide Schleifwerkzeuge werden unabhängig voneinander mit je einem elektrolytischen Abrichter betrieben. Dabei sind die Betriebsparameter für den Abrichter 6 der Schlichtscheibe 3 darauf ausgerichtet, im Sinne einer möglichst guten Oberflächengüte mit möglichst feinkörniger Schleif­ scheibe arbeiten zu können. Mit dem elektrolytischen Abrichter wird während des Schleifprozesses kontinuierlich die metallische Bindung an ihrer Oberfläche in Metalloxyd umgesetzt. Dadurch können gezielt die stumpfen Schleifkörner aus der dann geschwächten Bindung herausbrechen, um nachrückenden, schneidfähigen Körnern Platz zu machen.
Die Betriebsweise des Abrichters 5 für die Schruppscheibe 2 vollzieht sich zwar nach dem gleichen Prinzip, hat jedoch eine gänzlich andere Zielvorstellung im Auge: Das Zusammenspiel zwischen Schruppscheibe 2 und Schlichtscheibe 3 bzw. eine definierte Aufteilung der Abtragsleistungen auf beide Scheiben ist nur dann möglich, wenn der axiale Versatz zwischen Oberkante Schruppscheibe 2 und Oberkante Schlichtscheibe 3 exakt unter Kontrolle zu halten ist. Dieser Betrag muß genau eingehalten werden, um das äußerst bescheidene Spankammervolumen der Schlichtscheibe 3 nicht zu überfordern und ein Zusetzen der Schlichtscheibe 3 auf jedem Fall zu vermeiden.
Der spezifische Verschleiß der Schruppscheibe 2 ist geringer als der der Schlichtscheibe 3, so daß sich bei ansonst gleichen Konstruktions- und Betriebsbedingungen die Stirnflächen der Schleif­ werkzeuge langfristig in axialer Richtung angleichen würden, wodurch die Schlichtoperation allmählich außer Funktion gesetzt werden würde. Um in erster grober Näherung den Abstand auch längerfristig aufrecht erhalten zu können, wird die Schruppscheibe 2 schmaler ausgeführt als die Schlichtscheibe 3. Eine Feinanpassung des axialen Abstandes der Stirnflächen beider Schleif­ scheiben kann dann über die elektrischen Betriebsdaten vorgenommen werden.
Bei diesem Zusammenspiel des Abrichtens von Schruppscheibe 2 mit Elektrode 5 einerseits und Schlichtscheibe 3 mit Elektrode 6 andererseits ist zu berücksichtigen, daß die elektrischen Betriebsdaten für Schlichtscheibe 3 vor allem darauf abzielen müssen, den kritischen Schärfezu­ stand der Scheibe aufrecht zu erhalten. Dieser Umstand ist bei der Schruppscheibe 2 unkritisch. Deren elektrische Betriebsdaten werden vor allem darauf optimiert, den axialen Versatz zur Schlichtscheibe auf dem gewünschten Niveau zu halten. Mit den elektrischen Betriebsdaten des elekrolytischen Abrichters 5 für die Schruppscheibe 2 wird also der Bindungsabtrag an der Schruppscheibe 2 kontinuierlich so beschleunigt oder verlangsamt, daß zwischen den beiden Schleifscheiben 2 und 3 genau der gewünschte Axialversatz entsteht bzw. aufrecht erhalten wird. Zur genauen Kontrolle des Axialversatzes zwischen Schrupp- und Schlichtscheibe werden die Sensoren 14 und 15 benötigt, deren Differenzwert als Signal für die elektrischen Betriebsdaten der Schruppscheibe genutzt wird, so daß ein geschlossener Regelkreis entsteht.
Die vorstehenden Erläuterungen beziehen sich auf eine Kombination des Schleifapparates mit einer Innenlochsäge, die beide um eine senkrechte Achse rotieren. Die gleiche Anordnung ist auch mit waagerechter Rotationsachse denkbar.
In Ergänzung zu den obenstehenden Erläuterungen ist auch eine Kombination des oben beschrie­ benen Schleifapparates mit anderen Trennverfahren möglich, wobei hier beispielhaft das Draht- oder Bandsägen angeführt seien. Grundsätzlich kommen alle weiteren Trennverfahren in Frage, die mit Einzelschnitt arbeiten.

Claims (5)

1. Vorrichtung zum Zerteilen von Halbleiterbarren in Halbleiterscheiben, die im wesentlichen aus Trennwerkzeug und Schleifwerkzeug besteht, die so angeordnet sind, daß unter Aus­ nutzung einer gemeinsamen, radial zum Barren gerichteten Vorschubbewegung das untere Ende des Barrens zunächst mit dem topfförmigen Schleifwerkzeug in Eingriff kommt, welches die untere Stirnfläche des Barrens eben schleift und anschließend bzw. zeitlich versetzt mit dem Trennwerkzeug in Eingriff kommt, welches den Wafer vom Barren abtrennt, dadurch gekennzeichnet, daß das topfförmige Schleifwerkzeug aus zwei konzentrisch zueinander angeordneten Topfschleifscheiben besteht, die beide mit metallischer Bindung versehen sind, wobei die äußere, feinkörnige Schlichtscheibe mit elektrolytischem Abrichter zur Erzielung einer feinstmöglichen Werkstückoberfläche und die innere, grobkörnige Schruppscheibe mit elektrolytischem Abrichter zur Erzielung eines definierten axialen Versatzes der Stirnflächen beider Schleifwerkzeuge ausgestattet sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim Trennwerkzeug um eine Innenlochsäge handelt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim Trennwerkzeug um eine Bandsäge handelt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es sich beim Trennwerkzeug um eine Drahtsäge handelt.
5. Verfahren zur Durchführung eines kombinierten Schleif- und Trennprozesses mit einer Vorrichtung nach Anspruch 1-4, wobei der Abrichter (6) für die Schlichtscheibe (3) so betrieben wird, daß eine bestmögliche Werkstückoberfläche entsteht, dadurch gekennzeichnet, daß der Abrichter (5) für die Schruppscheibe (2) so betrieben wird, daß der axiale Versatz der Stirnflächen von Schlichtscheibe (3) und Schruppscheibe (2) auf einem genau definierten Betrag gehalten wird.
DE4136566A 1991-11-07 1991-11-07 Expired - Fee Related DE4136566C1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4136566A DE4136566C1 (de) 1991-11-07 1991-11-07
KR1019920020001A KR930011100A (ko) 1991-11-07 1992-10-29 반도체 바아를 양호한 반도체 원판으로 분할하는 방법 및 장치
JP4297463A JPH05309645A (ja) 1991-11-07 1992-11-06 半導体バーを片面が極端に平坦でありかつ可能な限り良好な表面性状を有する半導体円板に分割するための方法および装置
US07/973,060 US5285597A (en) 1991-11-07 1992-11-06 Method and arrangement for subdividing semiconductor bars into semiconductor wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4136566A DE4136566C1 (de) 1991-11-07 1991-11-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4136566C1 true DE4136566C1 (de) 1993-04-22

Family

ID=6444220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4136566A Expired - Fee Related DE4136566C1 (de) 1991-11-07 1991-11-07

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5285597A (de)
JP (1) JPH05309645A (de)
KR (1) KR930011100A (de)
DE (1) DE4136566C1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120058716A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-08 Tsuyoshi Yagi Grinding device
CN103522168A (zh) * 2013-07-26 2014-01-22 浙江工业大学 基于保持架偏心转摆式双平面研磨的圆柱形零件外圆加工装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5816892A (en) * 1997-02-06 1998-10-06 Cobra Machine Tool Co., Inc. Positioning control for combined milling machine and internally positioned grinding wheel
JPH11135474A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法
US6383056B1 (en) 1999-12-02 2002-05-07 Yin Ming Wang Plane constructed shaft system used in precision polishing and polishing apparatuses
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP5338059B2 (ja) * 2007-10-16 2013-11-13 沖電気工業株式会社 自動取引装置
CN104191328B (zh) * 2014-08-27 2016-09-21 赵水光 自动传输式锅体磨边系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3613132A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
EP0398467A2 (de) * 1989-05-18 1990-11-22 Silicon Technology Corporation Schneid- und Schleifsystem für eine Halbleiterscheibenschneidmaschine
EP0457533A2 (de) * 1990-05-18 1991-11-21 Silicon Technology Corporation Schneid- und Schleifsystem für Halbleiterscheiben

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58184727A (ja) * 1982-04-23 1983-10-28 Disco Abrasive Sys Ltd シリコンウェ−ハの面を研削する方法
US4663890A (en) * 1982-05-18 1987-05-12 Gmn Georg Muller Nurnberg Gmbh Method for machining workpieces of brittle hard material into wafers
JPS61106207A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 株式会社東京精密 ウエハー製造方法並びに装置
EP0313714B1 (de) * 1987-10-29 1993-10-13 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Vorrichtung und Verfahren zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe
DE3737540C1 (de) * 1987-11-05 1989-06-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren und Maschine zum Herstellen von Ronden mit zumindest einer planen Oberflaeche
DE3804873A1 (de) * 1988-02-17 1989-08-31 Mueller Georg Nuernberg Verfahren und vorrichtung zum zerteilen von halbleiter-barren in halbleiter-ronden mit zumindest einer planen oberflaeche
EP0346280B1 (de) * 1988-06-06 1994-11-09 Ciba-Geigy Ag Dicyanobenzanthronverbindungen
JPH0767692B2 (ja) * 1989-09-07 1995-07-26 株式会社東京精密 スライシングマシンの切断方法
JP2708249B2 (ja) * 1989-12-15 1998-02-04 株式会社日立製作所 セラミック部材の研削加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3613132A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
EP0398467A2 (de) * 1989-05-18 1990-11-22 Silicon Technology Corporation Schneid- und Schleifsystem für eine Halbleiterscheibenschneidmaschine
EP0457533A2 (de) * 1990-05-18 1991-11-21 Silicon Technology Corporation Schneid- und Schleifsystem für Halbleiterscheiben

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120058716A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-08 Tsuyoshi Yagi Grinding device
US9108294B2 (en) * 2009-06-15 2015-08-18 Ntn Corporation Grinding device
CN103522168A (zh) * 2013-07-26 2014-01-22 浙江工业大学 基于保持架偏心转摆式双平面研磨的圆柱形零件外圆加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5285597A (en) 1994-02-15
JPH05309645A (ja) 1993-11-22
KR930011100A (ko) 1993-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3613132C2 (de)
WO2015123708A1 (de) Indexierbarer schneideinsatz und fräswerkzeug
EP2046528B1 (de) Verfahren zum schleifen einer wendeschneidplatte und schleifscheibe zur durchführung des schleifverfahrens
DE10308292A1 (de) Verfahren zum Rundschleifen bei der Herstellung von Werkzeugen aus Hartmetall und Rundschleifmaschine zum Schleifen von zylindrischen Ausgangskörpern bei der Herstellung von Werkzeugen aus Hartmetall
DE3045760A1 (de) Verfahren zum planschleifen von flachen platten u.dgl.
DE4136566C1 (de)
DE102017011978A1 (de) Verfahren zur Bearbeituung von Verzahnungen und Verzahnungsmaschine
EP4405132A1 (de) Verfahren zur spanenden bearbeitung von optischen werkstücken, insbesondere brillenlinsen aus kunststoff
DE3415332A1 (de) Verfahren zum herstellen eines raeumwerkzeugs
DE4107462C2 (de) Werkzeugmaschine zur spanabhebenden Bearbeitung von Werkstücken
DE3737540C1 (de) Verfahren und Maschine zum Herstellen von Ronden mit zumindest einer planen Oberflaeche
DE1296548B (de) Schleifscheibe mit an ihrem Umfang V-foermiger Einkerbung
DE3520570A1 (de) Setzverfahren und -vorrichtung zur dichtesortierung im fein- und feinstkornbereich
DE19530641C1 (de) Schneidwerkzeug und Verfahren zum Herstellen desselben
DE4301313A1 (de)
DE2628728A1 (de) Schneidvorrichtung mit rotierenden fluegelmessern zur herstellung von formschnitten in die raender bewegter werkstoffbahnen
EP0432637B1 (de) Vorrichtung zum Nachschärfen der Schneidkante von Trennwerkzeugen beim Abtrennen von Scheiben von stab- oder blockförmigen Werkstücken, insbesondere aus Halbleitermaterial, ihre Verwendung und Sägeverfahren
DE1652220C3 (de) Verfahren zum spanabhebenden Bearbeiten eines Werkstücks
EP1283761B1 (de) Verfahren zum schleifen von insbesondere nickel enthaltenden metallischen werkstücken
DE2336705A1 (de) Innenschleifverfahren
DE8916001U1 (de) Vorrichtung zur materialabhebenden Fein- oder Feinstbearbeitung
EP4025367B1 (de) Verfahren zum wiederherstellen eines kugelbahnfräsers
WO2002058888A1 (de) Dual-schleifverfahren für stabmesser und schleifscheibe zur durchführung des verfahrens
WO1989005711A1 (en) Process for dressing a grinding wheel
DE102016125206B4 (de) Verfahren und Maschine zum Endbearbeiten eines sphärisch gekrümmten Oberflächenabschnitts eines Werkstückes mittels eines Finishwerkzeuges, sowie ein Abrichtwerkzeug für das Finishwerkzeug

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee
8370 Indication related to discontinuation of the patent is to be deleted
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KOENNEMANN, GERHARD, DIPL.-ING., 63814 MAINASCHAFF

8339 Ceased/non-payment of the annual fee