JPH11135474A - 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法 - Google Patents
半導体鏡面ウェハおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11135474A JPH11135474A JP9298043A JP29804397A JPH11135474A JP H11135474 A JPH11135474 A JP H11135474A JP 9298043 A JP9298043 A JP 9298043A JP 29804397 A JP29804397 A JP 29804397A JP H11135474 A JPH11135474 A JP H11135474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- wafer
- acid
- etching
- polished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
Abstract
(57)【要約】
【課題】 裏面が略鏡面でしかも表裏面を識別できる半
導体鏡面ウェハであって、パーティクルの残存や金属汚
染が防止された半導体鏡面ウェハ、およびその半導体鏡
面ウェハを生産性よく製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体インゴットを切断してウェハを得
る。スライスされたウェハの外周部を面取りする。面取
りされたウェハの表裏面をラッピングにより平坦化す
る。ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれスピン
エッチングする。このスピンエッチングにより得られる
裏面の光沢度を１３０〜３００％とする。表裏面をスピ
ンエッチングされたウェハのおもて面を研磨して鏡面を
得る。
導体鏡面ウェハであって、パーティクルの残存や金属汚
染が防止された半導体鏡面ウェハ、およびその半導体鏡
面ウェハを生産性よく製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体インゴットを切断してウェハを得
る。スライスされたウェハの外周部を面取りする。面取
りされたウェハの表裏面をラッピングにより平坦化す
る。ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれスピン
エッチングする。このスピンエッチングにより得られる
裏面の光沢度を１３０〜３００％とする。表裏面をスピ
ンエッチングされたウェハのおもて面を研磨して鏡面を
得る。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、表裏面を識別できる半
導体鏡面ウェハであって、その裏面が酸エッチ面である
半導体鏡面ウェハおよびその製造方法に関するものであ
る。
導体鏡面ウェハであって、その裏面が酸エッチ面である
半導体鏡面ウェハおよびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】おもて面のみが鏡面に加工された半導体
鏡面ウェハであって、その裏面に凹凸が残存する半導体
ウェハについて、デバイス工程においてその裏面を吸着
して回路を形成すると、その凹凸がおもて面に裏写りす
る形で悪影響を与え、デバイス工程における歩留りを低
下させる場合がある。そこで、これを改善するために両
面を同時または片面ずつ研磨して、表裏両面を鏡面にす
ることによりこの歩留りの低下を防止できる。ところ
が、この両鏡面ウェハの弊害として、表裏面を区別でき
ないことが上げられる。特に、センサーにより表裏面を
識別する製造装置においては、センサーが裏面を感知で
きないためにエラーが発生する場合がある。したがっ
て、裏面が略鏡面で、しかもその裏面にセンサーが感知
できる凹凸を有する半導体鏡面ウェハが要求される。
鏡面ウェハであって、その裏面に凹凸が残存する半導体
ウェハについて、デバイス工程においてその裏面を吸着
して回路を形成すると、その凹凸がおもて面に裏写りす
る形で悪影響を与え、デバイス工程における歩留りを低
下させる場合がある。そこで、これを改善するために両
面を同時または片面ずつ研磨して、表裏両面を鏡面にす
ることによりこの歩留りの低下を防止できる。ところ
が、この両鏡面ウェハの弊害として、表裏面を区別でき
ないことが上げられる。特に、センサーにより表裏面を
識別する製造装置においては、センサーが裏面を感知で
きないためにエラーが発生する場合がある。したがっ
て、裏面が略鏡面で、しかもその裏面にセンサーが感知
できる凹凸を有する半導体鏡面ウェハが要求される。
【０００３】このような半導体鏡面ウェハの製造方法と
しては、例えば「特開平６−３４９７９５号」公開公報
に示されたものがある。これは、半導体ウェハをアルカ
リエッチングした後に、裏面を研磨してからおもて面を
研磨するもので、この裏面研磨においてその前工程で生
じた裏面の凹凸を研磨するにあたり、表裏面を識別でき
るようにこの凹凸を僅かに残すように研磨するものであ
る。この製造方法においてはその平坦度を確保する目的
から、エッチングがアルカリエッチングに限定されてい
る。
しては、例えば「特開平６−３４９７９５号」公開公報
に示されたものがある。これは、半導体ウェハをアルカ
リエッチングした後に、裏面を研磨してからおもて面を
研磨するもので、この裏面研磨においてその前工程で生
じた裏面の凹凸を研磨するにあたり、表裏面を識別でき
るようにこの凹凸を僅かに残すように研磨するものであ
る。この製造方法においてはその平坦度を確保する目的
から、エッチングがアルカリエッチングに限定されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た製造方法では、アルカリエッチングの特性からパーテ
ィクルの残存、発塵、金属汚染といった平坦度以外の問
題が残ることになる。また、ピット除去や光沢度制御の
ために裏面を研磨する必要があり、この裏面研磨に要す
る加工時間の分だけ生産性がわるいという問題点があっ
た。本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、裏面
が略鏡面でしかも表裏面を識別できる半導体鏡面ウェハ
であって、パーティクルの残存や金属汚染が防止された
半導体鏡面ウェハ、およびその半導体鏡面ウェハを生産
性よく製造できる製造方法を提供することを目的とする
ものである。
た製造方法では、アルカリエッチングの特性からパーテ
ィクルの残存、発塵、金属汚染といった平坦度以外の問
題が残ることになる。また、ピット除去や光沢度制御の
ために裏面を研磨する必要があり、この裏面研磨に要す
る加工時間の分だけ生産性がわるいという問題点があっ
た。本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、裏面
が略鏡面でしかも表裏面を識別できる半導体鏡面ウェハ
であって、パーティクルの残存や金属汚染が防止された
半導体鏡面ウェハ、およびその半導体鏡面ウェハを生産
性よく製造できる製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、お
もて面が鏡面であって、裏面が酸エッチにより光沢度が
１３０〜３００％に調整された面であることを第１の特
徴とするものである。
もて面が鏡面であって、裏面が酸エッチにより光沢度が
１３０〜３００％に調整された面であることを第１の特
徴とするものである。
【０００６】また、第１の特徴に加え、平坦度が、ＳＦ
ＱＲ値で 0.2μｍ以下であることを第２の特徴とするも
のである。
ＱＲ値で 0.2μｍ以下であることを第２の特徴とするも
のである。
【０００７】さらに、おもて面を鏡面とする半導体鏡面
ウェハの製造方法において、鏡面加工する前に少なくと
も裏面に対しては、酸によるスピンエッチングを施すこ
とを第３の特徴とするものである。
ウェハの製造方法において、鏡面加工する前に少なくと
も裏面に対しては、酸によるスピンエッチングを施すこ
とを第３の特徴とするものである。
【０００８】また、第３の特徴に加え、酸スピンエッチ
ングにより裏面光沢度を１３０〜３００％に調整するこ
とを第４の特徴とし、さらにこれに加え、酸スピンエッ
チングにより平坦度をＳＦＱＲ値で 0.2μｍ以下に調整
することを第５の特徴とするものである。
ングにより裏面光沢度を１３０〜３００％に調整するこ
とを第４の特徴とし、さらにこれに加え、酸スピンエッ
チングにより平坦度をＳＦＱＲ値で 0.2μｍ以下に調整
することを第５の特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明においては、表面が鏡面加
工されており、裏面が略鏡面でしかも表裏面を識別でき
る半導体ウェハであって、少なくとも裏面を酸エッチン
グ液によりスピンエッチングしてこの半導体ウェハを製
造するものである。この酸スピンエッチングを用いる
と、後述するように従来のアルカリエッチングや浸漬式
酸エッチングを採用したものに較べ、エッチング面の平
坦度、光沢度をともに向上させることができるため、仕
上げのための後工程の負荷を軽減させ、その結果として
生産効率が上がることになる。
工されており、裏面が略鏡面でしかも表裏面を識別でき
る半導体ウェハであって、少なくとも裏面を酸エッチン
グ液によりスピンエッチングしてこの半導体ウェハを製
造するものである。この酸スピンエッチングを用いる
と、後述するように従来のアルカリエッチングや浸漬式
酸エッチングを採用したものに較べ、エッチング面の平
坦度、光沢度をともに向上させることができるため、仕
上げのための後工程の負荷を軽減させ、その結果として
生産効率が上がることになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は本発明の一実施例を採用して半導体鏡面
ウェハを製造する方法の工程図、図２は本発明の一実施
例に採用された酸スピンエッチングによる半導体鏡面ウ
ェハの光沢度の変化を示すグラフ、図３は本発明の一実
施例に採用された酸スピンエッチングによる半導体鏡面
ウェハの平坦度の変化と浸漬式酸エッチングによるそれ
とを比較したグラフである。図１に示すように、本実施
例の製造方法は、次の工程からなる。 （１）半導体インゴットを切断してウェハを得るスライ
ス工程。 （２）スライスされたウェハの外周部を面取りする面取
り工程。 （３）面取りされたウェハの表裏面をラッピングにより
平坦化するラッピング工程。 （４）ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれ酸ス
ピンエッチングして、ラッピングにより生じた加工歪層
を除去する酸スピンエッチング工程。尚、この酸スピン
エッチングにより得られる裏面の光沢度を１３０〜３０
０％とする（完全な鏡面を３３０％として）。 （５）表裏面を酸スピンエッチングされたウェハのおも
て面を研磨して鏡面を得る。
明する。図１は本発明の一実施例を採用して半導体鏡面
ウェハを製造する方法の工程図、図２は本発明の一実施
例に採用された酸スピンエッチングによる半導体鏡面ウ
ェハの光沢度の変化を示すグラフ、図３は本発明の一実
施例に採用された酸スピンエッチングによる半導体鏡面
ウェハの平坦度の変化と浸漬式酸エッチングによるそれ
とを比較したグラフである。図１に示すように、本実施
例の製造方法は、次の工程からなる。 （１）半導体インゴットを切断してウェハを得るスライ
ス工程。 （２）スライスされたウェハの外周部を面取りする面取
り工程。 （３）面取りされたウェハの表裏面をラッピングにより
平坦化するラッピング工程。 （４）ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれ酸ス
ピンエッチングして、ラッピングにより生じた加工歪層
を除去する酸スピンエッチング工程。尚、この酸スピン
エッチングにより得られる裏面の光沢度を１３０〜３０
０％とする（完全な鏡面を３３０％として）。 （５）表裏面を酸スピンエッチングされたウェハのおも
て面を研磨して鏡面を得る。
【００１１】ここで、酸スピンエッチングにおける取代
の増加に対する光沢度および平坦度の変化について説明
する。デバイス工程で裏面からのパーティクルの発塵が
表面に影響を与えないようにするためには、通常、裏面
の光沢度として１３０％以上を要求される。この光沢度
は図２に示すように、ラッピングされたウェハの裏面を
酸スピンエッチングして、約１２μｍ以上エッチオフす
ることにより得られる。
の増加に対する光沢度および平坦度の変化について説明
する。デバイス工程で裏面からのパーティクルの発塵が
表面に影響を与えないようにするためには、通常、裏面
の光沢度として１３０％以上を要求される。この光沢度
は図２に示すように、ラッピングされたウェハの裏面を
酸スピンエッチングして、約１２μｍ以上エッチオフす
ることにより得られる。
【００１２】尚、この酸スピンエッチングでは、エッチ
ング液としてフッ酸、硝酸、硫酸、リン酸からなる混酸
が使用されている。
ング液としてフッ酸、硝酸、硫酸、リン酸からなる混酸
が使用されている。
【００１３】また、酸スピンエッチングによる平坦度の
変化をみると、図３中符号a に示すように取代が約１５
μｍではやや悪化するが、ＳＦＱＲ(Site Front Least
Square Range) の目標値である 0.2μｍは取代にかかわ
らず得られることから、上記した光沢度も同時に条件を
満たすことがわかる。一方、従来の浸漬式酸エッチング
による平坦度の変化をみると、図３中符号ｂに示すよう
に取代が増加するに従って悪化する一方である。したが
って、要求される高平坦度を有し裏面が酸エッチ面であ
る半導体鏡面ウェハを、従来の酸エッチングによりその
裏面をエッチングすることのみにより製造することはで
きない。
変化をみると、図３中符号a に示すように取代が約１５
μｍではやや悪化するが、ＳＦＱＲ(Site Front Least
Square Range) の目標値である 0.2μｍは取代にかかわ
らず得られることから、上記した光沢度も同時に条件を
満たすことがわかる。一方、従来の浸漬式酸エッチング
による平坦度の変化をみると、図３中符号ｂに示すよう
に取代が増加するに従って悪化する一方である。したが
って、要求される高平坦度を有し裏面が酸エッチ面であ
る半導体鏡面ウェハを、従来の酸エッチングによりその
裏面をエッチングすることのみにより製造することはで
きない。
【００１４】また、本実施例と上記した特開平６−３４
９７９５号に示された製造方法とを、製造効率について
比較すると下記の表１のようになる。
９７９５号に示された製造方法とを、製造効率について
比較すると下記の表１のようになる。
【００１５】
【表１】
【００１６】本実施例では表裏面ともに酸スピンエッチ
ングを適用したことにより、従来技術であるアルカリエ
ッチングを採用したものに比べると、最終的に鏡面ウェ
ハに仕上げるまでのトータルの加工時間が４０％弱も短
縮している。もちろん、裏面だけの酸スピンエッチング
であっても、従来の方法より加工時間が縮まることは言
うまでもない。また、従来技術では裏面を研磨すること
によりアルカリエッチング工程で得られていた平坦度が
劣化する。特に、片面研磨では片減りが生じやすい。こ
の点、スピンエッチングにおいては上記したように平坦
度が向上するため、従来技術によるものより高品質なウ
ェハを製造できる。さらに、スピンエッチングと裏面研
磨を比較した場合、使用される加工資材等を考慮すると
その加工単価はスピンエッチングの方が安価に製造でき
る。尚、本実施例では酸として、フッ酸、硝酸、硫酸、
リン酸を用いているが、もちろんこれら各種の酸の内か
ら２以上を適当に配合してもよい。また通常は水溶液に
して用いる。
ングを適用したことにより、従来技術であるアルカリエ
ッチングを採用したものに比べると、最終的に鏡面ウェ
ハに仕上げるまでのトータルの加工時間が４０％弱も短
縮している。もちろん、裏面だけの酸スピンエッチング
であっても、従来の方法より加工時間が縮まることは言
うまでもない。また、従来技術では裏面を研磨すること
によりアルカリエッチング工程で得られていた平坦度が
劣化する。特に、片面研磨では片減りが生じやすい。こ
の点、スピンエッチングにおいては上記したように平坦
度が向上するため、従来技術によるものより高品質なウ
ェハを製造できる。さらに、スピンエッチングと裏面研
磨を比較した場合、使用される加工資材等を考慮すると
その加工単価はスピンエッチングの方が安価に製造でき
る。尚、本実施例では酸として、フッ酸、硝酸、硫酸、
リン酸を用いているが、もちろんこれら各種の酸の内か
ら２以上を適当に配合してもよい。また通常は水溶液に
して用いる。
【００１７】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
表裏面を識別できる半導体ウエハを製造するにあたっ
て、次に示すような優れた効果がある。 （１）裏面を研磨した半導体ウェハに比べ高平坦度であ
る。 （２）アルカリエッチングにおいて生じていたパーティ
クルの残存や発塵および金属汚染を防止できる。 （３）表裏面を識別できる半導体ウェハを製造する従来
技術の製造方法に比べ、取代が少なくて済む上に、加工
時間が短いことから、生産性がよい。 （４）酸エッチング液によるスピンエッチングはエッチ
ングレートの制御が、従来の他のエッチングに比して容
易であるため、裏面の光沢度を任意に選択できる。
表裏面を識別できる半導体ウエハを製造するにあたっ
て、次に示すような優れた効果がある。 （１）裏面を研磨した半導体ウェハに比べ高平坦度であ
る。 （２）アルカリエッチングにおいて生じていたパーティ
クルの残存や発塵および金属汚染を防止できる。 （３）表裏面を識別できる半導体ウェハを製造する従来
技術の製造方法に比べ、取代が少なくて済む上に、加工
時間が短いことから、生産性がよい。 （４）酸エッチング液によるスピンエッチングはエッチ
ングレートの制御が、従来の他のエッチングに比して容
易であるため、裏面の光沢度を任意に選択できる。
【図１】本発明の一実施例を採用して半導体鏡面ウェハ
を製造する方法の工程図である。
を製造する方法の工程図である。
【図２】本発明の一実施例に採用された酸スピンエッチ
ングによる半導体鏡面ウェハの光沢度の変化を示すグラ
フである。
ングによる半導体鏡面ウェハの光沢度の変化を示すグラ
フである。
【図３】本発明の一実施例に採用された酸スピンエッチ
ングによる半導体鏡面ウェハの平坦度の変化と浸漬式酸
エッチングによるそれとを比較したグラフである。
ングによる半導体鏡面ウェハの平坦度の変化と浸漬式酸
エッチングによるそれとを比較したグラフである。
a ・・・・酸スピンエッチングによる平坦度変化 b ・・・・浸漬式酸スピンエッチングによる平坦度変化
Claims (5)
- 【請求項１】 おもて面が鏡面であって、裏面の光沢度
が酸エッチにより１３０〜３００％に調整された面であ
ることを特徴とする半導体鏡面ウェハ。 - 【請求項２】 平坦度がＳＦＱＲ値で 0.2μｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体鏡面ウェハ。 - 【請求項３】 おもて面を鏡面とする半導体鏡面ウェハ
の製造方法において、該おもて面を鏡面加工する前に、
少なくとも裏面に対して酸によるスピンエッチングを施
すことを特徴とする半導体鏡面ウェハの製造方法。 - 【請求項４】 スピンエッチングにより裏面光沢度を１
３０〜３００％に調整することを特徴とする請求項３記
載の半導体鏡面ウェハの製造方法。 - 【請求項５】 スピンエッチングにより平坦度をＳＦＱ
Ｒ値で 0.2μｍ以下に調整することを特徴とする請求項
４記載の半導体鏡面ウェハの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298043A JPH11135474A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法 |
| TW087113360A TW412800B (en) | 1997-10-30 | 1998-08-13 | Mirror-polished semiconductor wafer and its manufacturing method |
| US09/179,934 US6234873B1 (en) | 1997-10-30 | 1998-10-28 | Semiconductor mirror-polished surface wafers and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9298043A JPH11135474A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135474A true JPH11135474A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17854394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9298043A Pending JPH11135474A (ja) | 1997-10-30 | 1997-10-30 | 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6234873B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11135474A (ja) |
| TW (1) | TW412800B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028583A1 (fr) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette de semi-conducteur et procede de production correspondant |
| WO2000063467A1 (fr) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | Naoetsudenshikogyo-Kabushikigaisha | Plaquette epitaxiale de silicium et procede de fabrication associe |
| WO2001035450A1 (fr) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur |
| KR20020034475A (ko) * | 2000-11-02 | 2002-05-09 | 이 창 세 | 반도체급 웨이퍼 제조방법 |
| WO2005057645A1 (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-23 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハの加工方法 |
| WO2006028017A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Sumco Corporation | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2006120991A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャル基板の製造方法 |
| KR100864347B1 (ko) * | 2004-09-06 | 2008-10-17 | 가부시키가이샤 섬코 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
| CN100435288C (zh) * | 2005-08-17 | 2008-11-19 | 株式会社上睦可 | 硅晶片的制造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6239033B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-05-29 | Sony Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP3664605B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2005-06-29 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法、洗浄方法及び処理方法 |
| WO2002001616A1 (fr) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de traitement d'une plaquette de semi-conducteur et plaquette de semi-conducteur |
| JP4345357B2 (ja) * | 2003-05-27 | 2009-10-14 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2007204286A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2008166805A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Siltron Inc | 高平坦度シリコンウェハーの製造方法 |
| JP5795461B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2015-10-14 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| EP4047635A1 (de) * | 2021-02-18 | 2022-08-24 | Siltronic AG | Verfahren zur herstellung von scheiben aus einem zylindrischen stab aus halbleitermaterial |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54110783A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor substrate and its manufacture |
| US5189843A (en) * | 1990-08-30 | 1993-03-02 | Silicon Technology Corporation | Wafer slicing and grinding machine and a method of slicing and grinding wafers |
| DE4134110A1 (de) * | 1991-10-15 | 1993-04-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum rotationssaegen sproedharter werkstoffe, insbesondere solcher mit durchmessern ueber 200 mm in duenne scheiben vermittels innenlochsaege und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE4136566C1 (ja) * | 1991-11-07 | 1993-04-22 | Gmn Georg Mueller Nuernberg Ag, 8500 Nuernberg, De | |
| JP2910507B2 (ja) | 1993-06-08 | 1999-06-23 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| JPH09270400A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP3305610B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2002-07-24 | 信越半導体株式会社 | ラッピング後の半導体ウエーハの洗浄方法 |
-
1997
- 1997-10-30 JP JP9298043A patent/JPH11135474A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-13 TW TW087113360A patent/TW412800B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-28 US US09/179,934 patent/US6234873B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6491836B1 (en) | 1998-11-06 | 2002-12-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafer and production method therefor |
| WO2000028583A1 (fr) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette de semi-conducteur et procede de production correspondant |
| KR100701825B1 (ko) * | 1999-04-20 | 2007-03-30 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| WO2000063467A1 (fr) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | Naoetsudenshikogyo-Kabushikigaisha | Plaquette epitaxiale de silicium et procede de fabrication associe |
| WO2001035450A1 (fr) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Nikko Materials Co., Ltd. | Tranche de semi-conducteur |
| KR20020034475A (ko) * | 2000-11-02 | 2002-05-09 | 이 창 세 | 반도체급 웨이퍼 제조방법 |
| WO2005057645A1 (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-23 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハの加工方法 |
| WO2006028017A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Sumco Corporation | シリコンウェーハの製造方法 |
| KR100864347B1 (ko) * | 2004-09-06 | 2008-10-17 | 가부시키가이샤 섬코 | 실리콘 웨이퍼의 제조방법 |
| US7601644B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-10-13 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon wafers |
| JP2006120991A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | エピタキシャル基板の製造方法 |
| JP4528599B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2010-08-18 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャル基板の製造方法 |
| CN100435288C (zh) * | 2005-08-17 | 2008-11-19 | 株式会社上睦可 | 硅晶片的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6234873B1 (en) | 2001-05-22 |
| TW412800B (en) | 2000-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11135474A (ja) | 半導体鏡面ウェハおよびその製造方法 | |
| EP0798405A3 (en) | Method of manufacturing semiconductor wafers | |
| EP0798766A1 (en) | Method of manufacturing a monocrystalline semiconductor wafer with mirror-finished surface including a gas phase etching and a heating step, and wafers manufactured by said method | |
| JP2006222453A (ja) | シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ並びにｓｏｉウエーハ | |
| JP3828176B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| JP2007214256A (ja) | Ｓｏｉウェーハ | |
| US6099748A (en) | Silicon wafer etching method and silicon wafer etchant | |
| JPH10135164A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| JPH11135464A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| US6599760B2 (en) | Epitaxial semiconductor wafer manufacturing method | |
| JPH1092777A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| WO2009150896A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| CN110060959B (zh) | 贴合晶片的制造方法 | |
| JPH10135165A (ja) | 半導体ウェハの製法 | |
| US5849636A (en) | Method for fabricating a semiconductor wafer | |
| US5904568A (en) | Method of manufacturing a semiconductor wafer | |
| JP2001076981A (ja) | 半導体ウェーハおよびその製造方法 | |
| JP3430499B2 (ja) | 半導体ウェ−ハおよびその製造方法 | |
| US6576501B1 (en) | Double side polished wafers having external gettering sites, and method of producing same | |
| JP2001338899A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハ | |
| JPH09251934A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法および半導体ウエハ | |
| JP5515253B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2009027095A (ja) | 半導体ウェハの評価方法、半導体ウェハの研削方法、及び半導体ウェハの加工方法 | |
| JP7131724B1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2000243699A (ja) | 半導体ウェハの製造方法および半導体装置の製造方法 |