JPH05301862A - 新規なピリミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分とする除草剤 - Google Patents
新規なピリミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分とする除草剤Info
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- JPH05301862A JPH05301862A JP12794492A JP12794492A JPH05301862A JP H05301862 A JPH05301862 A JP H05301862A JP 12794492 A JP12794492 A JP 12794492A JP 12794492 A JP12794492 A JP 12794492A JP H05301862 A JPH05301862 A JP H05301862A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 一般式
〔式中Xはハロゲン原子、低級アルキル、低級アルコキ
シを;Yはヒドロキシ、低級アルコキシ、アシド、低級
アルキルスルホニルオキシ、低級アルキルカルボニルオ
キシ等を;Rは低級(ハロ)アルキルを示す。n=0,
1である〕で表わされる新規なピリミジンエーテル誘導
体及びそれを有効成分とする除草剤。 【効果】 前記ピリミジンエーテル誘導体は、除草スペ
クトルが広く、且つ優れた除草活性を有しており、また
作物に対して高い安全性を有している。
シを;Yはヒドロキシ、低級アルコキシ、アシド、低級
アルキルスルホニルオキシ、低級アルキルカルボニルオ
キシ等を;Rは低級(ハロ)アルキルを示す。n=0,
1である〕で表わされる新規なピリミジンエーテル誘導
体及びそれを有効成分とする除草剤。 【効果】 前記ピリミジンエーテル誘導体は、除草スペ
クトルが広く、且つ優れた除草活性を有しており、また
作物に対して高い安全性を有している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、文献未記載の新規なピ
リミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分として含有
する除草剤に関する。
リミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分として含有
する除草剤に関する。
【0002】
【従来の技術】特開平3−12836号公報には、シク
ロアルカンカルボン酸部と4位と6位に特定の置換基が
結合しているピリミジン環部が酸素原子又は硫黄原子を
介して結合した構造を有するシクロアルカンカルボン酸
誘導体及びそれを含む除草剤が記載されている。
ロアルカンカルボン酸部と4位と6位に特定の置換基が
結合しているピリミジン環部が酸素原子又は硫黄原子を
介して結合した構造を有するシクロアルカンカルボン酸
誘導体及びそれを含む除草剤が記載されている。
【0003】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
文献中記載の化合物は除草スペクトラム、投下薬量、選
択性等の面で改善すべき点が多い。
文献中記載の化合物は除草スペクトラム、投下薬量、選
択性等の面で改善すべき点が多い。
【0004】本発明者らは除草スペクトラムが広く、除
草効果が高く、作物に対する安全性の優れた化合物を開
発すべく鋭意研究した結果、下記一般式(I)で表わせ
られるピリミジンエーテル誘導体は新規であり、この化
合物は一年生はもとより多年生雑草に対して強い除草活
性を示すと共に作物に対して高い安全性を有することを
見出し本発明を完成するに至った。
草効果が高く、作物に対する安全性の優れた化合物を開
発すべく鋭意研究した結果、下記一般式(I)で表わせ
られるピリミジンエーテル誘導体は新規であり、この化
合物は一年生はもとより多年生雑草に対して強い除草活
性を示すと共に作物に対して高い安全性を有することを
見出し本発明を完成するに至った。
【0005】即ち、本発明は一般式(I)、
【0006】
【化3】
【0007】[式中、Xはハロゲン原子、低級アルキル
基、または低級アルコキシ基を示す。Yはヒドロキシ、
低級アルコキシ、低級アルケニルオキシ、アジド、低級
アルキルスルホニルオキシ、低級アルキルアミノカルボ
ニルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アル
ケニルカルボニルオキシ基、またはそれぞれの場合、ハ
ロゲン、低級アルキル、低級アルコキシ、ニトロ基、ア
ミノ基、シアノ基、或いはトリフルオロメチル基で随時
置換されていてもよいフェニルアミノカルボニルオキ
シ、フェニル低級アルキルオキシ、フェニルスルホニル
オキシ、或いはフェニルカルボニルオキシ、フェノキシ
低級アルキルカルボニルオキシ基を示す。Rは低級アル
キル基または低級ハロアルキル基を示す。nは0または
1をしめす。]で表わされる新規なピリミジンエーテル
誘導体およびそれを有効成分として含有する除草剤を提
供するものである。
基、または低級アルコキシ基を示す。Yはヒドロキシ、
低級アルコキシ、低級アルケニルオキシ、アジド、低級
アルキルスルホニルオキシ、低級アルキルアミノカルボ
ニルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アル
ケニルカルボニルオキシ基、またはそれぞれの場合、ハ
ロゲン、低級アルキル、低級アルコキシ、ニトロ基、ア
ミノ基、シアノ基、或いはトリフルオロメチル基で随時
置換されていてもよいフェニルアミノカルボニルオキ
シ、フェニル低級アルキルオキシ、フェニルスルホニル
オキシ、或いはフェニルカルボニルオキシ、フェノキシ
低級アルキルカルボニルオキシ基を示す。Rは低級アル
キル基または低級ハロアルキル基を示す。nは0または
1をしめす。]で表わされる新規なピリミジンエーテル
誘導体およびそれを有効成分として含有する除草剤を提
供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物は、下記
一般式(I)
一般式(I)
【0009】
【化4】
【0010】[式中、Xはハロゲン原子、低級アルキル
基、または低級アルコキシ基を示す。Yはヒドロキシ、
低級アルコキシ、低級アルケニルオキシ、アジド、低級
アルキルスルホニルオキシ、低級アルキルアミノカルボ
ニルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アル
ケニルカルボニルオキシ基、またはそれぞれの場合、ハ
ロゲン、低級アルキル、低級アルコキシ、ニトロ基、ア
ミノ基、シアノ基、或いはトリフルオロメチル基で随時
置換されていてもよいフェニルアミノカルボニルオキ
シ、フェニル低級アルキルオキシ、フェニルスルホニル
オキシ、或いはフェニルカルボニルオキシ、フェノキシ
低級アルキルカルボニルオキシ基を示す。Rは低級アル
キル基または低級ハロアルキル基を示す。nは0または
1をしめす。]で表わされる新規なピリミジンエーテル
誘導体である。
基、または低級アルコキシ基を示す。Yはヒドロキシ、
低級アルコキシ、低級アルケニルオキシ、アジド、低級
アルキルスルホニルオキシ、低級アルキルアミノカルボ
ニルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アル
ケニルカルボニルオキシ基、またはそれぞれの場合、ハ
ロゲン、低級アルキル、低級アルコキシ、ニトロ基、ア
ミノ基、シアノ基、或いはトリフルオロメチル基で随時
置換されていてもよいフェニルアミノカルボニルオキ
シ、フェニル低級アルキルオキシ、フェニルスルホニル
オキシ、或いはフェニルカルボニルオキシ、フェノキシ
低級アルキルカルボニルオキシ基を示す。Rは低級アル
キル基または低級ハロアルキル基を示す。nは0または
1をしめす。]で表わされる新規なピリミジンエーテル
誘導体である。
【0011】前記一般式(I)におけるそれぞれの具体
例を下記に示す。
例を下記に示す。
【0012】ハロゲン原子;フッ素、塩素、臭素、また
はヨウ素、低級アルコキシ基 ;たとえば、メトキシ、エトキシ、n
−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブ
トキシ、第二ブトキシ、または第三ブトキシ基の炭素数
4以下のアルコキシ基、低級アルキル基 ;たとえば、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、第二ブチル、または第三ブチル基などの炭素数4
以下のアルキル基、低級アルケニルオキシ基 ;たとえば、アリルオキシ基、
2−メチル−2−プロペニルオキシ基、2−ブテニルオ
キシ基、3−ブテニルオキシ基、または3−メチル−2
−ブテニルオキシ基などの、炭素数5以下のアルケニル
オキシ基、低級アルキルスルホニルオキシ基 ;たとえば、メタンス
ルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、プロパ
ンスルホニルオキシ基、またはブタンスルホニルオキシ
基などの炭素数4以下のアルキルスルホニルオキシ基、低級アルキルカルボニルオキシ基 ;たとえば、メチルカ
ルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ、n−プロピ
ルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、
n−ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオ
キシ、第2ブチルカルボニルオキシ、または第3ブチル
カルボニルオキシ基などの、アルキル部分の炭素数5以
下のアルキル基が結合するカルボニルオキシ基、低級アルケニルカルボニルオキシ基 ;たとえば、アリル
カルボニルオキシ、2−メチル−2−プロペニルカルボ
ニルオキシ、2−ブテニルカルボニルオキシ、3−ブテ
ニルカルボニルオキシ、または3−メチル−2−ブテニ
ルカルボニルオキシ基などの、炭素数5以下のアルケニ
ル基が結合するカルボニルオキシ基、低級アルキルアミノカルボニルオキシ基 ;たとえば、メ
チルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニ
ルオキシ基、n−プロピルアミノカルボニルオキシ基、
イソプロピルアミノカルボニルオキシ基、n−ブチルア
ミノカルボニルオキシ基、または第2ブチルアミノカル
ボニルオキシ基などの、アルキル部分が炭素数5以下の
アルキルアミノカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニル低級アルキルオキシ基 ;
たとえば、2−クロロ−ベンジルオキシ基、3−メチル
−ベンジルオキシ基、4−ニトロ−ベンジルオキシ基、
2−クロロ−4−シアノ−ベンジルオキシ基、3,5−
ジクロロ−ベンジルオキシ基、4−トリフルオロメチル
−ベンジルオキシ基、2−メチル−4−クロロ−ベンジ
ルオキシ基、2−フェニルエチルオキシ基、α−メチル
ベンジルオキシ基、2−フェニル−n−プロピルオキシ
基、または3−(4−ブロモフェニル)−1−メチル−
n−プロピルオキシ基などの、アルキル部分が炭素数4
以下の置換されていてもよいフェニルアルキルオキシ
基、 置換されていてもよいフェノキシ低級アルキルカルボニ
ルオキシ基 ;たとえば、フェノキシメチルカルボニルオ
キシ、2−クロロ−4−トリフルオロメチルフェノキシ
メチルカルボニルオキシ、4−クロロ−2−メチルフェ
ノキシメチルカルボニルオキシ、3,4−ジクロロフェ
ノキシメチルカルボニルオキシ、2−トリフルオロメチ
ルフェノキシメチルカルボニルオキシ、1−(2,4−
ジクロロフェノキシ)メチルカルボニルオキシ、1−
(フェノキシ)エチルカルボニルオキシ、またはフェノ
キシ−n−プロピルカルボニルオキシ基などの、アルキ
ル部分が炭素数3以下の置換されていてもよいフェノキ
シアルキルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ基 ;た
とえば、2−メトキシフェニルカルボニルオキシ、3,
6−ジクロロ−2−メトキシフェニルカルボニルオキ
シ、2,5−ジクロロ−3−ニトロフェニルカルボニル
オキシ、3−アミノフェニルカルボニルオキシ、3−フ
ルオロフェニルカルボニルオキシ、4−ニトロフェニル
カルボニルオキシ、2−クロロ−4−シアノ−フェニル
カルボニルオキシ、または2,5−ジクロロフェニルカ
ルボニルオキシ基などの、置換されていてもよいフェニ
ルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニルアミノカルボニルオキシ
基 ;たとえば、フェニルカルボニルオキシ、2,4−ジ
フルオロフェニルアミノカルボニルオキシ、2,6−ジ
メチルフェニルアミノカルボニルオキシ、4−シアノフ
ェニルアミノカルボニルオキシ、2−エチルフェニルア
ミノカルボニルオキシ、2,6−ジニトロフェニルアミ
ノカルボニルオキシ、2,3,6−トリクロロフェニル
アミノカルボニルオキシ、または2,4−ジクロロフェ
ニルアミノカルボニルオキシなどの、置換されていても
よいフェニルアミノカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニルスルホニルオキシ基 ;た
とえば、フェニルスルホニルオキシ、4−トリフルオロ
メチルフェニルスルホニルオキシ、3−シアノフェニル
スルホニルオキシ、2,4−ジクロロフェニルスルホニ
ルオキシ、4−メチルフェニルスルホニルオキシ、2−
フルオロフェニルスルホニルオキシ、または3−ニトロ
フェニルスルホニルオキシ基などの、置換されていても
よいフェニルスルホニルオキシ基、nは、0または1を
示す。0のときは、結合の手をあらわすものとする。
はヨウ素、低級アルコキシ基 ;たとえば、メトキシ、エトキシ、n
−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブ
トキシ、第二ブトキシ、または第三ブトキシ基の炭素数
4以下のアルコキシ基、低級アルキル基 ;たとえば、メチル基、エチル基、n−
プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、第二ブチル、または第三ブチル基などの炭素数4
以下のアルキル基、低級アルケニルオキシ基 ;たとえば、アリルオキシ基、
2−メチル−2−プロペニルオキシ基、2−ブテニルオ
キシ基、3−ブテニルオキシ基、または3−メチル−2
−ブテニルオキシ基などの、炭素数5以下のアルケニル
オキシ基、低級アルキルスルホニルオキシ基 ;たとえば、メタンス
ルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、プロパ
ンスルホニルオキシ基、またはブタンスルホニルオキシ
基などの炭素数4以下のアルキルスルホニルオキシ基、低級アルキルカルボニルオキシ基 ;たとえば、メチルカ
ルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ、n−プロピ
ルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、
n−ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオ
キシ、第2ブチルカルボニルオキシ、または第3ブチル
カルボニルオキシ基などの、アルキル部分の炭素数5以
下のアルキル基が結合するカルボニルオキシ基、低級アルケニルカルボニルオキシ基 ;たとえば、アリル
カルボニルオキシ、2−メチル−2−プロペニルカルボ
ニルオキシ、2−ブテニルカルボニルオキシ、3−ブテ
ニルカルボニルオキシ、または3−メチル−2−ブテニ
ルカルボニルオキシ基などの、炭素数5以下のアルケニ
ル基が結合するカルボニルオキシ基、低級アルキルアミノカルボニルオキシ基 ;たとえば、メ
チルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニ
ルオキシ基、n−プロピルアミノカルボニルオキシ基、
イソプロピルアミノカルボニルオキシ基、n−ブチルア
ミノカルボニルオキシ基、または第2ブチルアミノカル
ボニルオキシ基などの、アルキル部分が炭素数5以下の
アルキルアミノカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニル低級アルキルオキシ基 ;
たとえば、2−クロロ−ベンジルオキシ基、3−メチル
−ベンジルオキシ基、4−ニトロ−ベンジルオキシ基、
2−クロロ−4−シアノ−ベンジルオキシ基、3,5−
ジクロロ−ベンジルオキシ基、4−トリフルオロメチル
−ベンジルオキシ基、2−メチル−4−クロロ−ベンジ
ルオキシ基、2−フェニルエチルオキシ基、α−メチル
ベンジルオキシ基、2−フェニル−n−プロピルオキシ
基、または3−(4−ブロモフェニル)−1−メチル−
n−プロピルオキシ基などの、アルキル部分が炭素数4
以下の置換されていてもよいフェニルアルキルオキシ
基、 置換されていてもよいフェノキシ低級アルキルカルボニ
ルオキシ基 ;たとえば、フェノキシメチルカルボニルオ
キシ、2−クロロ−4−トリフルオロメチルフェノキシ
メチルカルボニルオキシ、4−クロロ−2−メチルフェ
ノキシメチルカルボニルオキシ、3,4−ジクロロフェ
ノキシメチルカルボニルオキシ、2−トリフルオロメチ
ルフェノキシメチルカルボニルオキシ、1−(2,4−
ジクロロフェノキシ)メチルカルボニルオキシ、1−
(フェノキシ)エチルカルボニルオキシ、またはフェノ
キシ−n−プロピルカルボニルオキシ基などの、アルキ
ル部分が炭素数3以下の置換されていてもよいフェノキ
シアルキルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニルカルボニルオキシ基 ;た
とえば、2−メトキシフェニルカルボニルオキシ、3,
6−ジクロロ−2−メトキシフェニルカルボニルオキ
シ、2,5−ジクロロ−3−ニトロフェニルカルボニル
オキシ、3−アミノフェニルカルボニルオキシ、3−フ
ルオロフェニルカルボニルオキシ、4−ニトロフェニル
カルボニルオキシ、2−クロロ−4−シアノ−フェニル
カルボニルオキシ、または2,5−ジクロロフェニルカ
ルボニルオキシ基などの、置換されていてもよいフェニ
ルカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニルアミノカルボニルオキシ
基 ;たとえば、フェニルカルボニルオキシ、2,4−ジ
フルオロフェニルアミノカルボニルオキシ、2,6−ジ
メチルフェニルアミノカルボニルオキシ、4−シアノフ
ェニルアミノカルボニルオキシ、2−エチルフェニルア
ミノカルボニルオキシ、2,6−ジニトロフェニルアミ
ノカルボニルオキシ、2,3,6−トリクロロフェニル
アミノカルボニルオキシ、または2,4−ジクロロフェ
ニルアミノカルボニルオキシなどの、置換されていても
よいフェニルアミノカルボニルオキシ基、置換されていてもよいフェニルスルホニルオキシ基 ;た
とえば、フェニルスルホニルオキシ、4−トリフルオロ
メチルフェニルスルホニルオキシ、3−シアノフェニル
スルホニルオキシ、2,4−ジクロロフェニルスルホニ
ルオキシ、4−メチルフェニルスルホニルオキシ、2−
フルオロフェニルスルホニルオキシ、または3−ニトロ
フェニルスルホニルオキシ基などの、置換されていても
よいフェニルスルホニルオキシ基、nは、0または1を
示す。0のときは、結合の手をあらわすものとする。
【0013】前記一般式(I)で表される本発明化合物
を第1表に例示する。なお、第1表においてPhはフェ
ニル基を示す。
を第1表に例示する。なお、第1表においてPhはフェ
ニル基を示す。
【0014】上記一般式(I)で表わされる化合物の1
位CH2Y基を基準とした時に2位置換基がシス配置を
とる化合物をシス体、また1位CH2Y基を基準とした
時に2位置換基がトランス配置をとる化合物をトランス
体と称す。また、上記一般式(I)で表わされた化合物
の光学活性体は本発明の範囲内にあることを理解すべき
である。
位CH2Y基を基準とした時に2位置換基がシス配置を
とる化合物をシス体、また1位CH2Y基を基準とした
時に2位置換基がトランス配置をとる化合物をトランス
体と称す。また、上記一般式(I)で表わされた化合物
の光学活性体は本発明の範囲内にあることを理解すべき
である。
【0015】
【表1】
【0016】
【表2】
【0017】
【表3】
【0018】本発明化合物はたとえば下記に示す方法に
より製造することができる。
より製造することができる。
【0019】方法(A):
【0020】
【化5】
【0021】[式中、X、Rおよびnは前記定義と同じ
である。R1は水素原子、低級アルキル基を示す。]上
記の反応式において、カルボン酸誘導体(II)を、還
元剤と反応させて目的とするアルコール(III)を製
造することができる。還元剤としては、ナトリウムなど
の金属、水素化リチウムアルミニウムなどの金属水素錯
化合物、ジボラン、ジメチルスルフィド−ボラン錯体等
があげられる。反応は一般式(II)で表される化合物
に対し還元剤を適当量用い、氷冷ないし溶媒の沸点の温
度範囲において、数時間反応させることにより行われ
る。反応に用いられる好ましい溶媒の例としては、エー
テル、テトラハイドロフラン等のエーテル系溶媒、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられ
る。反応終了後は、粗生成物を、再結晶やカラムクロマ
ト等の手段に従って処理することにより一般式(II
I)で表される化合物を単離することができる。
である。R1は水素原子、低級アルキル基を示す。]上
記の反応式において、カルボン酸誘導体(II)を、還
元剤と反応させて目的とするアルコール(III)を製
造することができる。還元剤としては、ナトリウムなど
の金属、水素化リチウムアルミニウムなどの金属水素錯
化合物、ジボラン、ジメチルスルフィド−ボラン錯体等
があげられる。反応は一般式(II)で表される化合物
に対し還元剤を適当量用い、氷冷ないし溶媒の沸点の温
度範囲において、数時間反応させることにより行われ
る。反応に用いられる好ましい溶媒の例としては、エー
テル、テトラハイドロフラン等のエーテル系溶媒、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられ
る。反応終了後は、粗生成物を、再結晶やカラムクロマ
ト等の手段に従って処理することにより一般式(II
I)で表される化合物を単離することができる。
【0022】方法(B):
【0023】
【化6】
【0024】[式中、X、Rおよびnは前記定義と同じ
である。R2は、低級アルキル、低級アルケニル、低級
アルキルスルホニル、置換されていてもよいフェニル低
級アルキル、置換されていてもよいフェニルスルホニ
ル、置換されていてもよいフェニルカルボニル、低級ア
ルキルカルボニル、低級アルケニルカルボニル、または
置換されていてもよいフェノキシ低級アルキルカルボニ
ルを示す。Qはハロゲン原子を示す。]上記の反応は、
通常有機溶媒中、塩基又は縮合剤の存在下、アルコール
(III)とR2QまたはR2OHを反応させることによ
り行われる。塩基としては水素化ナトリウム等の無機塩
基あるいは、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基
が使用できる。縮合剤としては、ジシクロヘキシルカル
ボジイミドなどが使用できる。その際、ジメチルアミノ
ピリジンを少量添加することにより反応を加速すること
ができる。反応に用いられる好ましい溶媒の例として
は、エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル系の溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミドなどのアミド類、アセトンやアセトニトリル、
またはクロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭
化水素類、などである。反応終了後は方法(A)と同様
の操作をすることで化合物(IV)を単離できる。
である。R2は、低級アルキル、低級アルケニル、低級
アルキルスルホニル、置換されていてもよいフェニル低
級アルキル、置換されていてもよいフェニルスルホニ
ル、置換されていてもよいフェニルカルボニル、低級ア
ルキルカルボニル、低級アルケニルカルボニル、または
置換されていてもよいフェノキシ低級アルキルカルボニ
ルを示す。Qはハロゲン原子を示す。]上記の反応は、
通常有機溶媒中、塩基又は縮合剤の存在下、アルコール
(III)とR2QまたはR2OHを反応させることによ
り行われる。塩基としては水素化ナトリウム等の無機塩
基あるいは、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基
が使用できる。縮合剤としては、ジシクロヘキシルカル
ボジイミドなどが使用できる。その際、ジメチルアミノ
ピリジンを少量添加することにより反応を加速すること
ができる。反応に用いられる好ましい溶媒の例として
は、エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ
ーテル系の溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミドなどのアミド類、アセトンやアセトニトリル、
またはクロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭
化水素類、などである。反応終了後は方法(A)と同様
の操作をすることで化合物(IV)を単離できる。
【0025】方法(C):
【0026】
【化7】
【0027】[式中、X、Rおよびnは前記定義と同じ
である。R3は低級アルキル基、または置換されていて
もよいフェニル基を示す。]、上記反応は方法(B)で
例示した溶媒中、トリエチルアミン、ピリジンなどの第
3級アミンを用い、アルコール(III)とイソシアネ
ート誘導体を反応させ、反応終了後は方法(A)と同様
の操作をする事により化合物(V)を単離することがで
きる。
である。R3は低級アルキル基、または置換されていて
もよいフェニル基を示す。]、上記反応は方法(B)で
例示した溶媒中、トリエチルアミン、ピリジンなどの第
3級アミンを用い、アルコール(III)とイソシアネ
ート誘導体を反応させ、反応終了後は方法(A)と同様
の操作をする事により化合物(V)を単離することがで
きる。
【0028】方法(D):
【0029】
【化8】
【0030】[式中、X、Rおよびnは前記定義と同じ
である。R4は低級アルキルスルホニル基、または置換
されていてもよいフェニルスルホニル基を示す。)、上
記反応は、方法(B)で例示した溶媒中、アジ化ナトリ
ウムと一般式(VI)で表される化合物を氷冷から溶媒
の沸点温度で撹拌する事により行われる。反応終了後は
方法(A)と同様の操作をすることで化合物(VII)
を単離できる。
である。R4は低級アルキルスルホニル基、または置換
されていてもよいフェニルスルホニル基を示す。)、上
記反応は、方法(B)で例示した溶媒中、アジ化ナトリ
ウムと一般式(VI)で表される化合物を氷冷から溶媒
の沸点温度で撹拌する事により行われる。反応終了後は
方法(A)と同様の操作をすることで化合物(VII)
を単離できる。
【0031】
実施例1; 1−フルオロ−2−(4,6−ジメトキシ
ピリミジニル−2−オキシ)シクロヘキシルメタノール
(化合物番号44a)の合成
ピリミジニル−2−オキシ)シクロヘキシルメタノール
(化合物番号44a)の合成
【0032】
【化9】
【0033】ヨーロッパ特許公開第0468766号の
方法に従って合成した1−フルオロ−2−(4,6−ジ
メトキシピリミジニル−2−オキシ)−1−シクロヘキ
サンカルボン酸エチルエステル(トランス体)1.70
g(5.2mmol)の無水テトラヒドロフラン溶液2
0mlに、氷冷下、水素化アルミニウムリチウム160
mg(4.2mmol)を加え、室温まで温度を上昇さ
せた後1時間撹拌し、反応終了を確かめた後、氷冷下水
を加え、析出した塩を溶解させるために、20%硫酸を
滴下し、ジエチルエーテル、水を加え抽出した。有機層
を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を減圧下留去
し、粗生成物を得、それをシリカゲルクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=4/1)で精製
して目的の、1−フルオロ−2−(4,6−ジメトキシ
ピリミジニル−2−オキシ)シクロヘキシルメタノール
のトランス体1.29g(収率87%)を得た。
方法に従って合成した1−フルオロ−2−(4,6−ジ
メトキシピリミジニル−2−オキシ)−1−シクロヘキ
サンカルボン酸エチルエステル(トランス体)1.70
g(5.2mmol)の無水テトラヒドロフラン溶液2
0mlに、氷冷下、水素化アルミニウムリチウム160
mg(4.2mmol)を加え、室温まで温度を上昇さ
せた後1時間撹拌し、反応終了を確かめた後、氷冷下水
を加え、析出した塩を溶解させるために、20%硫酸を
滴下し、ジエチルエーテル、水を加え抽出した。有機層
を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を減圧下留去
し、粗生成物を得、それをシリカゲルクロマトグラフィ
ー(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=4/1)で精製
して目的の、1−フルオロ−2−(4,6−ジメトキシ
ピリミジニル−2−オキシ)シクロヘキシルメタノール
のトランス体1.29g(収率87%)を得た。
【0034】実施例2; 2−(2−エトキシメチル−
2−フルオロシクロヘキシロキシ)−4,6−ジメトキ
シピリミジン(トランス体)(化合物番号46a)の合
成
2−フルオロシクロヘキシロキシ)−4,6−ジメトキ
シピリミジン(トランス体)(化合物番号46a)の合
成
【0035】
【化10】
【0036】氷冷下、水素化ナトリウム90mg(2.
1mmol)の無水ジメチルホルムアミド溶液に、実施
例1により合成された1−フルオロ−2−(4,6−ジ
メトキシピリミジニル−2−オキシ)シクロヘキシルメ
タノール(トランス体)0.5g(1.75mmol)
の無水ジメチルホルムアミド溶液、その後、ヨウ化エチ
ル0.33g(2.1mmol)を滴下する。室温まで
温度を上昇させた後、水、ジエチルエーテルを加え、抽
出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶
媒を減圧下留去し、粗生成物を、中圧下、シリカゲルク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=
4/1)で精製して目的の2−(2−エトキシメチル−
2−フルオロシクロヘキシロキシ)−4,6−ジメトキ
シピリミジン(トランス体)(収率20%)を得た。
1mmol)の無水ジメチルホルムアミド溶液に、実施
例1により合成された1−フルオロ−2−(4,6−ジ
メトキシピリミジニル−2−オキシ)シクロヘキシルメ
タノール(トランス体)0.5g(1.75mmol)
の無水ジメチルホルムアミド溶液、その後、ヨウ化エチ
ル0.33g(2.1mmol)を滴下する。室温まで
温度を上昇させた後、水、ジエチルエーテルを加え、抽
出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶
媒を減圧下留去し、粗生成物を、中圧下、シリカゲルク
ロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=
4/1)で精製して目的の2−(2−エトキシメチル−
2−フルオロシクロヘキシロキシ)−4,6−ジメトキ
シピリミジン(トランス体)(収率20%)を得た。
【0037】実施例3; 2−(2−メタンスルホニル
オキシメチル−2−フルオロシクロヘキシロキシ)−
4,6−ジメトキシピリミジン(トランス体)(化合物
番号50a)の合成
オキシメチル−2−フルオロシクロヘキシロキシ)−
4,6−ジメトキシピリミジン(トランス体)(化合物
番号50a)の合成
【0038】
【化11】
【0039】実施例1により合成された1−フルオロ−
2−(4,6−ジメトキシピリミジニル−2−オキシ)
シクロヘキシルメタノール(トランス体)1.5g
(5.2mmol)とトリエチルアミン0.69g
(6.76mmol)のアセトン溶液に、氷冷下メタン
スルフォニルクロライド0.72g(6.24mmo
l)滴下した。室温まで温度を上昇させた後、水、ジエ
チルエーテルを加え抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食
塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧
下、溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルクロマトグラ
フィー(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=7/3)で
精製し、目的の2−(2−メタンスルホニルオキシメチ
ル−2−フルオロシクロヘキシロキシ)−4,6−ジメ
トキシピリミジン(トランス体)(収率90%)を得
た。
2−(4,6−ジメトキシピリミジニル−2−オキシ)
シクロヘキシルメタノール(トランス体)1.5g
(5.2mmol)とトリエチルアミン0.69g
(6.76mmol)のアセトン溶液に、氷冷下メタン
スルフォニルクロライド0.72g(6.24mmo
l)滴下した。室温まで温度を上昇させた後、水、ジエ
チルエーテルを加え抽出し、有機層を希塩酸水、飽和食
塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧
下、溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルクロマトグラ
フィー(展開溶媒;ヘキサン/酢酸エチル=7/3)で
精製し、目的の2−(2−メタンスルホニルオキシメチ
ル−2−フルオロシクロヘキシロキシ)−4,6−ジメ
トキシピリミジン(トランス体)(収率90%)を得
た。
【0040】実施例4; 2−(2−アジドメチル−2
−フルオロ−シクロヘキシロキシ)−4,6−ジメトキ
シピリミジン(トランス体)(化合物番号52a)の合
成
−フルオロ−シクロヘキシロキシ)−4,6−ジメトキ
シピリミジン(トランス体)(化合物番号52a)の合
成
【0041】
【化12】
【0042】実施例3により合成された2−(2−メタ
ンスルホニルオキシメチル−2−フルオロシクロヘキシ
ロキシ)−4,6−ジメトキシピリミジン(トランス
体)1.5g(4.12mmol)のジメチルホルムア
ミド溶液にアジ化ナトリウム0.32g(4.94mm
ol)を加え、100℃で4時間加熱した。室温まで反
応液を冷却した後、水、ジエチルエーテルを加え、抽出
し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。粗生成物
を、シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサ
ン/酢酸エチル=6/1)で精製し、目的の2−(2−
アジドメチル−2−フルオロシクロヘキシロキシ)−
4,6−ジメトキシピリミジン(トランス体)80mg
(収率6%)を得た。
ンスルホニルオキシメチル−2−フルオロシクロヘキシ
ロキシ)−4,6−ジメトキシピリミジン(トランス
体)1.5g(4.12mmol)のジメチルホルムア
ミド溶液にアジ化ナトリウム0.32g(4.94mm
ol)を加え、100℃で4時間加熱した。室温まで反
応液を冷却した後、水、ジエチルエーテルを加え、抽出
し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。粗生成物
を、シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;ヘキサ
ン/酢酸エチル=6/1)で精製し、目的の2−(2−
アジドメチル−2−フルオロシクロヘキシロキシ)−
4,6−ジメトキシピリミジン(トランス体)80mg
(収率6%)を得た。
【0043】上記実施例によって製造された化合物、お
よび同様の方法を用いて製造された化合物の融点および
1H−NMRピーク値を第2表に示す。
よび同様の方法を用いて製造された化合物の融点および
1H−NMRピーク値を第2表に示す。
【0044】
【表4】
【0045】
【表5】
【0046】一般式(1)の化合物を有効成分とする本
発明の除草剤組成物は雑草の生育期に茎葉処理、あるい
は雑草発芽前に土壌処理することにより優れた除草効果
が得られる。
発明の除草剤組成物は雑草の生育期に茎葉処理、あるい
は雑草発芽前に土壌処理することにより優れた除草効果
が得られる。
【0047】本発明の除草剤は、前記一般式(I)の化
合物を有効成分として含有している。
合物を有効成分として含有している。
【0048】本発明の前記化合物を除草剤として用いる
場合には、担体もしくは希釈剤、添加剤、及び補助剤等
と公知の手法で混合して、通常農薬として用いられる製
剤形態、例えば粉剤、粒剤、水和剤、乳剤、水溶剤、フ
ロアブル剤等に調製して使用される。また他の農薬、例
えば殺菌剤、殺虫剤、殺ダニ剤、除草剤、植物生長調節
剤、肥料及び土壌改良剤等と混合又は併用して使用する
ことができる。
場合には、担体もしくは希釈剤、添加剤、及び補助剤等
と公知の手法で混合して、通常農薬として用いられる製
剤形態、例えば粉剤、粒剤、水和剤、乳剤、水溶剤、フ
ロアブル剤等に調製して使用される。また他の農薬、例
えば殺菌剤、殺虫剤、殺ダニ剤、除草剤、植物生長調節
剤、肥料及び土壌改良剤等と混合又は併用して使用する
ことができる。
【0049】特に他の除草剤と混合使用することによ
り、使用薬量を減少させ、また省力化をもたらすのみな
らず、両薬剤の共力作用による殺草スペクトラムの拡大
及び相乗作用による一層高い効果も期待できる。
り、使用薬量を減少させ、また省力化をもたらすのみな
らず、両薬剤の共力作用による殺草スペクトラムの拡大
及び相乗作用による一層高い効果も期待できる。
【0050】製剤に際して用いられる担体もしくは希釈
剤としては、一般に使用される固体ないしは液体の担体
が挙げられる。
剤としては、一般に使用される固体ないしは液体の担体
が挙げられる。
【0051】固体担体としては、例えば、カオリナイト
群、モンモリロナイト群、イライト群あるいはポリグロ
スカイト群等で代表されるクレー類、詳しくはパイロフ
イライト、アタパルジャイト、セピオライト、カオリナ
イト、ベントナイト、バーミキュライト、雲母、タルク
等;石膏、炭酸カルシウム、ドロマイト、けいそう土、
マグネシウム石灰、りん灰石、ゼオライト、無水ケイ
酸、合成ケイ酸カルシウム等のその他無機物質;大豆
粉、タバコ粉、クルミ粉、小麦粉、木粉、でんぷん、結
晶セルロース等の植物性有機物質;クマロン樹脂、石油
樹脂、アルキッド樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアルキレ
ングリコール、ケトン樹脂、エステルガム、コーバルガ
ム、ダンマルガム等の合成又は天然の高分子化合物;カ
ルナウバロウ、蜜ロウ等のワックス類あるいは尿素等が
例示できる。適当な液体担体としては、例えば、ケロシ
ン、鉱油、スピンドル油、ホワイトオイル等のパラフィ
ン系又はナフテン系炭化水素;キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、メチルナフタリン等の芳香族炭化水素;ト
リクロルエチレン、モノクロルベンゼン、オルトクロル
トルエン等の塩素化炭化水素;ジオキサン、テトラヒド
ロフランのようなエーテル類;アセトン、メチルエチル
ケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセ
トフェノン、イソホロン等のケトン類;酢酸エチル、酢
酸アミル、エチレングリコールアセテート、ジエチレン
グリコールアセテート、マレイン酸ジブチル、コハク酸
ジエチル等のエステル類;メタノール、n−ヘキサノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、シク
ロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール
類;エチレングリコールエチルエーテル、ジエチレング
リコールブチルエーテル等のエーテルアルコール類;ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶
媒あるいは水等が挙げられる。
群、モンモリロナイト群、イライト群あるいはポリグロ
スカイト群等で代表されるクレー類、詳しくはパイロフ
イライト、アタパルジャイト、セピオライト、カオリナ
イト、ベントナイト、バーミキュライト、雲母、タルク
等;石膏、炭酸カルシウム、ドロマイト、けいそう土、
マグネシウム石灰、りん灰石、ゼオライト、無水ケイ
酸、合成ケイ酸カルシウム等のその他無機物質;大豆
粉、タバコ粉、クルミ粉、小麦粉、木粉、でんぷん、結
晶セルロース等の植物性有機物質;クマロン樹脂、石油
樹脂、アルキッド樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアルキレ
ングリコール、ケトン樹脂、エステルガム、コーバルガ
ム、ダンマルガム等の合成又は天然の高分子化合物;カ
ルナウバロウ、蜜ロウ等のワックス類あるいは尿素等が
例示できる。適当な液体担体としては、例えば、ケロシ
ン、鉱油、スピンドル油、ホワイトオイル等のパラフィ
ン系又はナフテン系炭化水素;キシレン、エチルベンゼ
ン、クメン、メチルナフタリン等の芳香族炭化水素;ト
リクロルエチレン、モノクロルベンゼン、オルトクロル
トルエン等の塩素化炭化水素;ジオキサン、テトラヒド
ロフランのようなエーテル類;アセトン、メチルエチル
ケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセ
トフェノン、イソホロン等のケトン類;酢酸エチル、酢
酸アミル、エチレングリコールアセテート、ジエチレン
グリコールアセテート、マレイン酸ジブチル、コハク酸
ジエチル等のエステル類;メタノール、n−ヘキサノー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール、シク
ロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール
類;エチレングリコールエチルエーテル、ジエチレング
リコールブチルエーテル等のエーテルアルコール類;ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶
媒あるいは水等が挙げられる。
【0052】その他に本発明の化合物の乳化、分散、湿
潤、展着、拡展、結合、崩壊性調節、有効成分安定化、
流動性改良、防錆、凍結防止等の目的で界面活性剤その
他の補助剤を使用することもできる。
潤、展着、拡展、結合、崩壊性調節、有効成分安定化、
流動性改良、防錆、凍結防止等の目的で界面活性剤その
他の補助剤を使用することもできる。
【0053】使用される界面活性剤の例としては、非イ
オン性、陰イオン性、陽イオン性及び両性イオン性のい
ずれも使用しうるが、通常は非イオン性及び(又は)陰
イオン性のものが使用される。適当な非イオン性界面活
性剤としては、例えば、ラウリルアルコール、ステアリ
ルアルコール、オレイルアルコール、等の高級アルコー
ルにエチレンオキシドを重合付加させた化合物;ブチル
ナフトール、オクチルナフトール等のアルキルナフトー
ルにエチレンオキシドを重合付加させた化合物;パルミ
チン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸にエ
チレンオキシドを重合付加させた化合物;ソルビタン等
の多価アルコールの高級脂肪酸エステル及びそれにエチ
レンオキシドを重合付加させた化合物等が挙げられる。
オン性、陰イオン性、陽イオン性及び両性イオン性のい
ずれも使用しうるが、通常は非イオン性及び(又は)陰
イオン性のものが使用される。適当な非イオン性界面活
性剤としては、例えば、ラウリルアルコール、ステアリ
ルアルコール、オレイルアルコール、等の高級アルコー
ルにエチレンオキシドを重合付加させた化合物;ブチル
ナフトール、オクチルナフトール等のアルキルナフトー
ルにエチレンオキシドを重合付加させた化合物;パルミ
チン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸にエ
チレンオキシドを重合付加させた化合物;ソルビタン等
の多価アルコールの高級脂肪酸エステル及びそれにエチ
レンオキシドを重合付加させた化合物等が挙げられる。
【0054】適当な陰イオン性界面活性剤としては、例
えば、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイルアルコール硫
酸エステルアミン塩等のアルキル硫酸エステル塩、スル
ホこはく酸ジオクチルエステルナトリウム、2−エチル
ヘキセンスルホン酸ナトリウム等のアルキルスルホン酸
塩、イソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム、メ
チレンビスナフタレンスルホン酸ナトリウム、リグニン
スルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナ
トリウム等のアリールスルホン酸塩等が挙げられる。
えば、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイルアルコール硫
酸エステルアミン塩等のアルキル硫酸エステル塩、スル
ホこはく酸ジオクチルエステルナトリウム、2−エチル
ヘキセンスルホン酸ナトリウム等のアルキルスルホン酸
塩、イソプロピルナフタレンスルホン酸ナトリウム、メ
チレンビスナフタレンスルホン酸ナトリウム、リグニン
スルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナ
トリウム等のアリールスルホン酸塩等が挙げられる。
【0055】更に、本発明の除草剤には、製剤の性状を
改善し、効果を高める目的で、カゼイン、ゼラチン、ア
ルブミン、ニカワ、アルギン酸ソーダ、カルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルロース、ポリビニルアルコール等の高分子化合物や他
の補助剤を併用することもできる。
改善し、効果を高める目的で、カゼイン、ゼラチン、ア
ルブミン、ニカワ、アルギン酸ソーダ、カルボキシメチ
ルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセ
ルロース、ポリビニルアルコール等の高分子化合物や他
の補助剤を併用することもできる。
【0056】上記の担体及び種々の補助剤は製剤の剤
形、適用場面等を考慮して、目的に応じてそれぞれ単独
あるいは組み合わせて適宜使用される。
形、適用場面等を考慮して、目的に応じてそれぞれ単独
あるいは組み合わせて適宜使用される。
【0057】このようにして得られた各種製剤形態にお
ける本発明化合物有効成分含有率は製剤形により種々変
化するものであるが、通常0.1〜99重量%が適当で
あり、好ましくは1〜80重量%が最も適当である。
ける本発明化合物有効成分含有率は製剤形により種々変
化するものであるが、通常0.1〜99重量%が適当で
あり、好ましくは1〜80重量%が最も適当である。
【0058】水和剤の場合は、例えば有効成分化合物を
通常25〜90重量%含有し、残部は固体担体及び分散
湿潤剤であって、必要に応じて保護コロイド剤、消泡剤
等が加えられる。
通常25〜90重量%含有し、残部は固体担体及び分散
湿潤剤であって、必要に応じて保護コロイド剤、消泡剤
等が加えられる。
【0059】粒剤の場合は、例えば有効成分化合物を通
常1〜35重量%含有し、残部は固体担体及び界面活性
剤等である。有効成分化合物は固体担体と均一に混合さ
れているか、あるいは固体担体の表面に均一に固着又は
吸着されており、粒の径は約0.2ないし1.5mmで
ある。
常1〜35重量%含有し、残部は固体担体及び界面活性
剤等である。有効成分化合物は固体担体と均一に混合さ
れているか、あるいは固体担体の表面に均一に固着又は
吸着されており、粒の径は約0.2ないし1.5mmで
ある。
【0060】乳剤の場合は、例えば有効成分化合物を通
常5〜30重量%含有しており、これに約5ないし20
重量%の乳化剤が含まれ、残部は液体担体であり、必要
に応じて展着剤及び防錆剤等が加えられる。
常5〜30重量%含有しており、これに約5ないし20
重量%の乳化剤が含まれ、残部は液体担体であり、必要
に応じて展着剤及び防錆剤等が加えられる。
【0061】フロアブル剤の場合は、例えば有効成分化
合物を通常5〜50重量%含有しており、これに3ない
し10重量%の分散湿潤剤が含まれ、残部は水であり必
要に応じて保護コロイド剤、防腐剤、消泡剤等が加えら
れる。
合物を通常5〜50重量%含有しており、これに3ない
し10重量%の分散湿潤剤が含まれ、残部は水であり必
要に応じて保護コロイド剤、防腐剤、消泡剤等が加えら
れる。
【0062】本発明の前記一般式(I)の化合物は、化
合物そのまま、あるいは上述した様な任意の製剤形態で
除草剤として使用することができる。
合物そのまま、あるいは上述した様な任意の製剤形態で
除草剤として使用することができる。
【0063】本発明の組成物は、水田及び、畑地等の農
耕地並びに非農耕地に生育する発生前から生育期までの
諸雑草に適用できる。その施用量は有効成分量として1
ha当たり、0.1〜10,000g程度、好ましくは
1〜5,000g程度である。またその施用量は、目的
とする雑草の種類、生育段階、施用場所、天候等によっ
て適宜に選択変更できる。
耕地並びに非農耕地に生育する発生前から生育期までの
諸雑草に適用できる。その施用量は有効成分量として1
ha当たり、0.1〜10,000g程度、好ましくは
1〜5,000g程度である。またその施用量は、目的
とする雑草の種類、生育段階、施用場所、天候等によっ
て適宜に選択変更できる。
【0064】次に、本発明の化合物を用いた製剤例の数
態様を示す。なお、下記製剤例中の「部」は重量基準で
ある。
態様を示す。なお、下記製剤例中の「部」は重量基準で
ある。
【0065】製剤例1(粒剤) 化合物番号44a 5部 ベントナイト 40部 タルク 52部 リグニンスルホン酸ソーダ 2部 ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル 1部 以上を充分に混合した後、適量の水を加えて混練し、造
粒機を用いて造粒して粒剤100部を得た。
粒機を用いて造粒して粒剤100部を得た。
【0066】製剤例2(水和剤) 化合物番号50a 20部 ケイソウ土 60部 ホワイトカーボン 15部 リグニンスルホン酸ソーダ 3部 ジアルキルナフタレンスルホン酸ソーダ 2部 以上を混合し、ジェットミルで均一に混合粉砕して水和
剤100部を得た。
剤100部を得た。
【0067】製剤例3(乳剤) 化合物番号44a 30部 キシレン 55部 シクロヘキサノン 10部 ドデシルベンゼンスルホン酸カルシウム 3部 ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル 2部 以上を均一に混合溶解して乳剤100部を得た。
【0068】製剤例4(フロアブル剤) 化合物番号44a 10部 スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシルエステルナトリウム塩 2部 ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル 2部 消泡剤 0.1部 水 85.9部 以上を湿式ボールミルで均一に粉砕混合し、フロアブル
剤100部を得た。
剤100部を得た。
【0069】上述の製剤例に準じて本発明の化合物を用
いた薬剤がそれぞれ製剤できた。
いた薬剤がそれぞれ製剤できた。
【0070】
【発明の効果】本発明の前記一般式(I)で表される新
規なピリミジンエーテル誘導体は、文献末記載の新規な
化合物である。
規なピリミジンエーテル誘導体は、文献末記載の新規な
化合物である。
【0071】本発明の除草剤は、水田に発生するノビ
エ、コナギ、キカシグサ、タマガヤツリ、アゼナ、アブ
ノメ等の一年生雑草から、ヘラオモダカ、ウリカワ、ミ
ズガヤツリ、シズイ、クログワイ等の多年生雑草の発生
前から生育期にわたる広い範囲で極めて高い除草効果を
発揮すると同時に、水稲に対しては高い安全性を有す
る。また、畑地においても問題となる諸雑草、例えばノ
ビエ、エノコログサ、メヒシバ、スズメノテッポウ、野
生エンバク、ジョンソングラス等の一年生及び多年生イ
ネ科雑草をはじめ、アオビユ、シロザ、イチビ、オナモ
ミ、タデ等の広葉雑草、ハマスゲ、キハマスゲ、ヒメク
グ、コゴメカヤツリ等の一年生及び多年生カヤツリグサ
に対して高い除草効果を示すと同時にトウモロコシ、大
豆、棉、小麦、シュガービート等の畑作物に対し高い安
全性を示す。
エ、コナギ、キカシグサ、タマガヤツリ、アゼナ、アブ
ノメ等の一年生雑草から、ヘラオモダカ、ウリカワ、ミ
ズガヤツリ、シズイ、クログワイ等の多年生雑草の発生
前から生育期にわたる広い範囲で極めて高い除草効果を
発揮すると同時に、水稲に対しては高い安全性を有す
る。また、畑地においても問題となる諸雑草、例えばノ
ビエ、エノコログサ、メヒシバ、スズメノテッポウ、野
生エンバク、ジョンソングラス等の一年生及び多年生イ
ネ科雑草をはじめ、アオビユ、シロザ、イチビ、オナモ
ミ、タデ等の広葉雑草、ハマスゲ、キハマスゲ、ヒメク
グ、コゴメカヤツリ等の一年生及び多年生カヤツリグサ
に対して高い除草効果を示すと同時にトウモロコシ、大
豆、棉、小麦、シュガービート等の畑作物に対し高い安
全性を示す。
【0072】次に除草効果を試験例をあげて説明する。
【0073】試験例1(畑地茎葉処理) 角型ポット(16×20×5cm)に畑土壌を充填し、
第3表に示す各雑草種子を一定量ずつ播種し、各雑草が
1.5〜2葉期になるまで温室内で生育させた。第1表
に示した本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤に調製
し、その水希釈液を有効成分量が100g/10a、散
布水量500L/ha相当で各雑草の茎葉部分にむらな
く噴霧処理した。薬剤散布を行ってから21日後に各種
雑草への除草効果を下記の基準に従って判別した。その
結果を第3表に示す。
第3表に示す各雑草種子を一定量ずつ播種し、各雑草が
1.5〜2葉期になるまで温室内で生育させた。第1表
に示した本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤に調製
し、その水希釈液を有効成分量が100g/10a、散
布水量500L/ha相当で各雑草の茎葉部分にむらな
く噴霧処理した。薬剤散布を行ってから21日後に各種
雑草への除草効果を下記の基準に従って判別した。その
結果を第3表に示す。
【0074】
【表6】
【0075】試験例2(畑発芽前土壌処理) 角型ポット(16×20×5cm)に畑土壌を充填し、
第4表に示す各雑草種子を一定量ずつ播種した。翌日、
第1表に示した本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤
に調製し、その希釈液を有効成分量100g/10a、
散布水量500L/ha相当で土壌表面にむらなく散布
した。薬剤散布を行ってから21日後に各種雑草への除
草効果を試験例1の基準にしたがって判別した。その結
果を第4表に示す。
第4表に示す各雑草種子を一定量ずつ播種した。翌日、
第1表に示した本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤
に調製し、その希釈液を有効成分量100g/10a、
散布水量500L/ha相当で土壌表面にむらなく散布
した。薬剤散布を行ってから21日後に各種雑草への除
草効果を試験例1の基準にしたがって判別した。その結
果を第4表に示す。
【0076】試験例3(水田茎葉処理) 角型ポット(16×20×5cm)に水田土壌を充填
し、代掻後、第5表に示す各種雑草種子を一定量ずつ播
種した後、2葉期のイネを移植した。各植物が1.5〜
2葉期になるまで温室内で生育させた。第1表に示した
本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤に調製し、その
水希釈液を有効成分量が100g/10aとなるように
滴下散布した。薬剤散布を行ってから21日後に各種雑
草への除草効果及びイネの薬害程度を試験例1の基準に
従って判別した。その結果を第5表に示す。
し、代掻後、第5表に示す各種雑草種子を一定量ずつ播
種した後、2葉期のイネを移植した。各植物が1.5〜
2葉期になるまで温室内で生育させた。第1表に示した
本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤に調製し、その
水希釈液を有効成分量が100g/10aとなるように
滴下散布した。薬剤散布を行ってから21日後に各種雑
草への除草効果及びイネの薬害程度を試験例1の基準に
従って判別した。その結果を第5表に示す。
【0077】試験例4(水田発芽前土壌処理) 角型ポット(16×20×5cm)に水田土壌を充填
し、代掻後、第6表に示す各種雑草種子を一定量ずつ播
種した後、2葉期のイネを移植した。翌日、第1表に示
した本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤に調製し、
その希釈液を有効成分量100g/10aとなるように
滴下散布した。薬剤散布を行ってから21日後に各種雑
草への除草効果及びイネの薬害程度を試験例1の基準に
したがって判別した。その結果を第6表に示す。
し、代掻後、第6表に示す各種雑草種子を一定量ずつ播
種した後、2葉期のイネを移植した。翌日、第1表に示
した本発明化合物を製剤例2に準じた水和剤に調製し、
その希釈液を有効成分量100g/10aとなるように
滴下散布した。薬剤散布を行ってから21日後に各種雑
草への除草効果及びイネの薬害程度を試験例1の基準に
したがって判別した。その結果を第6表に示す。
【0078】
【表7】
【0079】
【表8】
【0080】
【表9】
【0081】
【表10】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 孝子 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 引戸 充 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 日暮 理加 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内 (72)発明者 田村 久美子 茨城県稲敷郡阿見町中央8丁目3番1号三 菱油化株式会社筑波総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 [式中、Xはハロゲン原子、低級アルキル基、または低
級アルコキシ基を示す。Yはヒドロキシ、低級アルコキ
シ、低級アルケニルオキシ、アジド、低級アルキルスル
ホニルオキシ、低級アルキルアミノカルボニルオキシ、
低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルケニルカルボ
ニルオキシ基、またはそれぞれの場合、ハロゲン、低級
アルキル、低級アルコキシ、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基、或いはトリフルオロメチル基で随時置換されてい
てもよいフェニルアミノカルボニルオキシ、フェニル低
級アルキルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、或いは
フェニルカルボニルオキシ、フェノキシ低級アルキルカ
ルボニルオキシ基を示す。Rは低級アルキル基または低
級ハロアルキル基を示す。nは0または1をしめす。]
で表わされる新規なピリミジンエーテル誘導体。 - 【請求項2】 一般式(I) 【化2】 [式中、Xはハロゲン原子、低級アルキル基、または低
級アルコキシ基を示す。Yはヒドロキシ、低級アルコキ
シ、低級アルケニルオキシ、アジド、低級アルキルスル
ホニルオキシ、低級アルキルアミノカルボニルオキシ、
低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルケニルカルボ
ニルオキシ基、またはそれぞれの場合、ハロゲン、低級
アルキル、低級アルコキシ、ニトロ基、アミノ基、シア
ノ基、或いはトリフルオロメチル基で随時置換されてい
てもよいフェニルアミノカルボニルオキシ、フェニル低
級アルキルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、或いは
フェニルカルボニルオキシ、フェノキシ低級アルキルカ
ルボニルオキシ基を示す。Rは低級アルキル基または低
級ハロアルキル基を示す。nは0または1をしめす。]
で表わされるピリミジンエーテル誘導体を有効成分とし
て含有する除草剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12794492A JPH05301862A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 新規なピリミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分とする除草剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12794492A JPH05301862A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 新規なピリミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分とする除草剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05301862A true JPH05301862A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14972502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12794492A Pending JPH05301862A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | 新規なピリミジンエーテル誘導体及びそれを有効成分とする除草剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05301862A (ja) |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP12794492A patent/JPH05301862A/ja active Pending
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