JPH05301795A - エピタキシャル成長用基板およびエピタキシャル成長方法 - Google Patents
エピタキシャル成長用基板およびエピタキシャル成長方法Info
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Abstract
タキシャル層を成長させるに際して、エピタキシャル成
長させるときの成長速度をV、成長温度をTとしたとき
に、表面の有効利用領域の〈100〉方向からの傾きθ
が、 0.011√V3+6.21×1020/√T15≦θ≦
0.20 ただし、0.1≦V≦10(μm/Hr),853≦T
≦1023(K)である基板を用いるようにした。 【効果】 エピタキシャル層膜の表面に生じる涙状欠陥
を大幅に低減するとともに、成長膜表面の平滑性を向上
させることができる。
Description
キシャル成長技術に関し、特に化合物半導体単結晶ウェ
ーハ上にMOCVD(有機金属気相エピタキシャル成長
法)によりエピタキシャル層を形成する場合に利用して
効果的な技術に関する。
体単結晶ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させた場
合、一定の方向を向いた微小な楕円状の凹凸がウェーハ
上に点在した表面欠陥(以下、涙状欠陥と称する)が生
じるという欠点があった。上記欠点を解決するため、本
出願人は先にMOCVD法によるエピタキシャル成長法
用基板として、面方位を〈100〉方向から角度で0.
1〜0.5°傾けたウェーハを用い、かつ基板温度を6
00℃以上700℃以下の条件でエピタキシャル成長さ
せるという方法の発明を出願した(特開平2−2391
88号)。
を用いてエピタキシャル成長させるという上記先願発明
方法にあっては、上述した涙状欠陥を著しく低減させる
ことができるという利点を有している。しかしながら、
本発明者等のその後の研究により、上記先願発明は涙状
欠陥の低減には有効であるものの、面方位がある程度大
きくなるとウェーハ表面にしわ状の欠陥が生じるという
問題があることを見出した。また、上記先願発明におけ
る最小側の条件(0.1°)以下の傾きを持つウェーハ
を用いてエピタキシャル層の成長を行なった場合にも、
涙状欠陥の出ないものがあることを見出した。
な背景の下になされたもので、その目的とするところ
は、ウェーハ表面にエピタキシャル層を気相成長させる
場合において、成長膜の表面に生じる涙状欠陥を大幅に
低減するとともに、成長膜表面の平滑性を向上させるこ
とができるようなエピタキシャル成長方法を提供するこ
とにある。
相成長法においてウェーハの表面にしわ状欠陥が現われ
たり現われなかったりする原因および局部的に涙状欠陥
が現われる原因を究明すべく、表面の面方位を〈10
0〉方向から0.3°以内で種々の角度に傾けたInP
ウェーハを用いて、エピタキシャル成長させる実験を繰
り返した。そして、ウェーハ表面の面方位の面内バラツ
キをも考慮して、ウェーハ間および表面各部の面方位と
涙状欠陥との関係を調べた。その結果、成長速度Vと成
長温度Tをパラメータとしたときの涙状欠陥の現われる
ウェーハ表面の面方位の臨界の傾きは表1のようになる
ことを見出した。
成長用基板の面方位の傾きθ(°)と、成長速度V(μ
m/Hr)と、成長温度T(K)との関係を調べた。そ
の結果、次の実験式を得た。 θ=0.011√V3+6.21×1020/√T15 ただし、0.1≦V≦10(μm/Hr),853≦T
≦1023(K) また、ウェーハ表面の面方位が〈100〉方向から0.
20°以上傾くと、表面にしわ状欠陥が出現し表面モホ
ロジーが劣化することを見出した。
もので、半導体単結晶基板上に気相成長法によりエピタ
キシャル層を成長させるに際し、エピタキシャル成長さ
せるときの成長速度をV、成長温度をTとしたときに、
表面の有効利用領域の〈100〉方向からの傾きθが、 0.011√V3+6.21×1020/√T15≦θ≦0.20………(1) である基板を用いることを提案するものである。ただ
し、0.1≦V≦10(μm/Hr),853≦T≦1
023(K)、好ましくは0.5≦V≦1.5(μm/
Hr),873≦T≦973(K)とする。なお、ここ
で基板表面の有効利用領域とは、デバイスとして利用さ
れない鏡面加工の際に基板周縁に生じる縁だれ部分(外
周から約5mm内側まで)を除いた中央部分を指す。
(例えば中央部)での傾きをもってウェーハ全体の傾き
とみなしていたためそれ以外の部位での傾きが小さいと
局部的に涙状欠陥が出現することがあり、エピタキシャ
ル層の成長面の面方位を0.1°〜0.5°傾けること
を条件としていた。そのため、本発明における条件のう
ち最小側の条件(InPの場合、成長温度650℃で
0.055°以上)を満たしているので涙状欠陥を低減
させることができていたが、本発明によれば、ウェーハ
の表面の有効利用領域全域に亘って〈100〉方向から
の角度が、上記不等式(1)の左項(0.011√V3
+6.21×1020/√T15)で決定される角度以上傾
くように加工されたエピタキシャル成長用基板を用いて
いるので、より低い条件であっても成長膜の表面に生じ
る涙状欠陥を大幅に低減することができる。これととも
に、前述した先願発明においては本発明における最大側
の条件(0.20°以下)を満たしていないため成長膜
の表面にしわ状欠陥が現われることがあったが、本発明
によれば成長膜の表面にしわ状欠陥が現われるのを防止
し、これによって成長膜の表面平滑性を向上させること
ができる。
温度T(K)を、それぞれ0.1≦V≦10(μm/H
r),853≦T≦1023(K)の範囲としたのは、
成長速度Vが0.1μm/Hr未満であると、成長時間
が長くなりすぎ原料消費量も多くなるためコストが嵩み
量産性に劣るためである。また、成長速度Vが10μm
/Hrを超えると、涙状欠陥以外の表面欠陥(突起等)
が増加して表面モホロジーが劣化するためである。さら
に、成長温度Tが853K未満である場合も涙状欠陥以
外の表面欠陥(突起等)が増加して表面モホロジーが劣
化する。また、成長温度Tが1023Kを超えると、基
板の揮発性元素(リン)が抜けて基板表面が荒れてしま
うためである。
法によりInP単結晶膜をエピタキシャル成長させる場
合を例にとって説明する。先ず、InP基板の表面を通
常の方法により鏡面加工し、〈100〉方向から種々の
傾き(オフアングル)を有する基板を準備した。次に、
各InP基板の表面に、MOCVD法により種々の成長
条件でInPエピタキシャル層を3μmの厚みに成長さ
せた。それから、ウェーハ表面の涙状欠陥の現われてい
る部分と現われていない部分との境界近傍のオフアング
ルを測定した。
ャル成長ではIII族原料としてトリメチルインジウムを
用い、これを1.2×10-6mol/分の流量で流すとと
もに、V族原料にはホスフィン(PH3)を用い、これ
を1.2×10-3mol/分の流量で流し、成長室内圧力
76Torrの条件で減圧成長を行なった。このとき、エピ
タキシャル層の成長速度は1μm/時間で、成長温度は
625℃であった。
板の表面を微分干渉顕微鏡で観察して、表面欠陥(涙状
欠陥)の密度を測定した結果を図1に示す。図1は表面
欠陥密度を縦軸に、また基板表面の面方位の傾き(オフ
アングル)を横軸にとって示してある。ただし、図1に
は面方位の面内バラツキが±0.005°以内であった
もののみを示してある。図1より、オフアングルが0.
055°以内の基板の表面に形成されたエピタキシャル
成長層の涙状欠陥密度は5×103〜4×104cm-2であ
るが、0.055°〜0.20°のオフアングルの基板
では、涙状欠陥は発生していないことが分かる。また、
成長速度Vと成長温度Tをパラメータとしたときの涙状
欠陥の現われるウェーハ表面の面方位の臨界のオフアン
グルは表1のごとくであった。
キシャル層について顕微鏡観察を行なったところ、ウェ
ーハ表面の面方位が〈100〉方向から0.20°を超
えて傾いていた基板では、表面にしわ状欠陥が出現し表
面モホロジーが劣化していたが、オフアングルが0.0
8°以内の基板では、しわ状欠陥が出現せず、表面モホ
ロジーが良好であることを確認した。一方、面方位の面
内バラツキが±0.005°以上の基板を用いたエピタ
キシャル成長では、オフアングルが小さい部位で成長膜
表面に局部的に涙状欠陥が出現していた。
℃,650℃,700℃、また成長速度を0.3μm/
Hr,1.0μm/Hr,2.0μm/Hrとしてエピ
タキシャル成長させたときの結果を示したが、成長条件
はこれに限定されず、成長温度Tは853≦T≦102
3(K)好ましくは873≦T≦973(K)の範囲、
成長速度Vは0.1≦V≦10(μm/Hr)好ましく
は0.5≦V≦1.5(μm/Hr)の範囲でよい。ま
た、上記実施例ではInP基板上にInP層をエピタキ
シャル成長させる場合を例にとって説明したが、この発
明はInP基板のみでなく、GaAs等他の化合物半導
体基板におけるエピタキシャル層の気相成長に適用でき
る。さらに、エピタキシャル層の成長方法はMOCVD
法に限定されず、クロライドCVD、ハイドライドCV
Dその他の気相成長方法にも適用することができる。
体単結晶基板上に気相成長法によりエピタキシャル層を
成長させるに際し、エピタキシャル成長させるときの成
長速度をV、成長温度をTとしたときに、表面の有効利
用領域の〈100〉方向からの傾きθが、 0.011√V3+6.21×1020/√T15≦θ≦0.20 ただし、0.1≦V≦10(μm/Hr),853≦T
≦1023(K)である基板を用いるようにしたので、
成長膜の表面に生じる涙状欠陥を大幅に低減することが
できるとともに、しわ状欠陥の発生を防止し、成長膜表
面の平滑性を向上させることができるという効果があ
る。
の傾きとエピタキシャル成長層の表面の涙状欠陥密度と
の関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 化合物半導体単結晶ウェーハの表面の
〈100〉方向からの傾きをθ、またエピタキシャル成
長させるときの成長速度をV、成長温度をTとしたとき
に、ウェーハ表面の有効利用領域全域に亘って、 0.011√V3+6.21×1020/√T15≦θ≦0.20 ただし、0.1≦V≦10(μm/Hr),853≦T
≦1023(K)なる条件を満たすことを特徴とするエ
ピタキシャル成長用基板。 - 【請求項2】 半導体単結晶基板上に気相成長法により
エピタキシャル層を成長させるに際し、エピタキシャル
成長させるときの成長速度をV、成長温度をTとしたと
きに、表面の有効利用領域の〈100〉方向からの傾き
θが、 0.011√V3+6.21×1020/√T15≦θ≦0.20 ただし、0.1≦V≦10(μm/Hr),853≦T
≦1023(K)である基板を用いることを特徴とする
エピタキシャル成長方法。
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EP93303132A EP0567329B1 (en) | 1992-04-23 | 1993-04-22 | Epitaxy on a substrate |
DE69315114T DE69315114T2 (de) | 1992-04-23 | 1993-04-22 | Epitaxie auf einem Substrat |
US08/051,335 US5434100A (en) | 1992-04-23 | 1993-04-23 | Substrate for epitaxy and epitaxy using the substrate |
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---|---|---|---|
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DE (1) | DE69315114T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0701008A2 (en) | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth |
US5714006A (en) * | 1994-12-20 | 1998-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of growing compound semiconductor layer |
WO2005029560A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikko Materials Co., Ltd. | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用基板 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6752976B2 (en) | 2000-09-29 | 2004-06-22 | Showa Denko K.K. | Inp single crystal substrate |
JP3882141B2 (ja) * | 2002-06-13 | 2007-02-14 | 日鉱金属株式会社 | 気相成長装置および気相成長方法 |
KR100952650B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2010-04-13 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 에피택셜 성장 방법 및 에피택셜 성장용 기판 |
EP3045174A1 (en) * | 2003-01-31 | 2016-07-20 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Medicine for prevention of and treatment for arteriosclerosis and hypertension |
KR20060130206A (ko) * | 2004-03-19 | 2006-12-18 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 화합물 반도체 기판 |
US7465353B2 (en) | 2004-09-17 | 2008-12-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for growing epitaxial crystal |
TW200720499A (en) * | 2005-11-24 | 2007-06-01 | Univ Nat Tsing Hua | Manufacturing method of substrate used for forming MOSFET device and products thereof |
TWI402896B (zh) | 2006-02-02 | 2013-07-21 | Nippon Mining Co | Substrate semiconductor growth substrate and epitaxial growth method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL171309C (nl) * | 1970-03-02 | 1983-03-01 | Hitachi Ltd | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. |
JPS6142910A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61274313A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5279701A (en) * | 1988-05-11 | 1994-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the growth of silicon carbide single crystals |
JPH0692278B2 (ja) * | 1989-03-09 | 1994-11-16 | 株式会社ジャパンエナジー | エピタキシャル成長方法 |
JP2784364B2 (ja) * | 1989-04-27 | 1998-08-06 | 株式会社 ジャパンエナジー | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
US5230768A (en) * | 1990-03-26 | 1993-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for the production of SiC single crystals by using a specific substrate crystal orientation |
US5248385A (en) * | 1991-06-12 | 1993-09-28 | The United States Of America, As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Process for the homoepitaxial growth of single-crystal silicon carbide films on silicon carbide wafers |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4131811A patent/JP2750331B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-22 DE DE69315114T patent/DE69315114T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 EP EP93303132A patent/EP0567329B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-23 US US08/051,335 patent/US5434100A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0701008A2 (en) | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth |
US5647917A (en) * | 1994-09-08 | 1997-07-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth |
US5714006A (en) * | 1994-12-20 | 1998-02-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of growing compound semiconductor layer |
WO2005029560A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikko Materials Co., Ltd. | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69315114D1 (de) | 1997-12-18 |
EP0567329A3 (ja) | 1994-02-09 |
EP0567329A2 (en) | 1993-10-27 |
US5434100A (en) | 1995-07-18 |
DE69315114T2 (de) | 1998-04-02 |
EP0567329B1 (en) | 1997-11-12 |
JP2750331B2 (ja) | 1998-05-13 |
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