JP2784364B2 - 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 - Google Patents
化合物半導体のエピタキシャル成長方法Info
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Description
法によりGaAsやAlGaAsエピタキシャル層を成長させる技
術に関する。
タ)用のウェーハは、MBE法でGaAs基板上にGaAs層とAlG
aAs層をエピタキシャル成長させることで得られる。
面には、いわゆるオーバルディフェクトと呼ばれる第1
図に示すようなマクロスコーピックな欠陥が存在し、IC
の歩留りを低下させるという問題があることが知られて
いる(培風館、昭和61年11月30日発行、「超高速化学物
半導体デバイス」第163頁〜第164頁参照)。
記オーバルディフェクトのみならず、第2図に示すよう
にミクロスコーピックな欠陥(以下、米粒状微小欠陥と
称する)が存在する。この欠陥は短径が2〜3μmで長
径が4〜7μmの楕円形をなし、比較的大きさが揃って
いる。この米粒状微小欠陥は、昭和62年、秋季、第48回
応用物理学会予稿集2分冊第223頁で述べられていると
ころの微小欠陥に相当するもので、基板の転位に起因し
ていることが知られている。
によると、上記米粒状微小欠陥の密度は、基板の転位密
度と必ずしも同じではなく、エピタキシャル層の成長条
件によって異なり、基板の転位密度が(1〜4)×104c
m-2の場合、1×103cm-2〜5×105cm-2程度のばらつき
がある。つまり、成長条件によっては、1×103cm-2程
度にまで少なくすることが可能であることが分かった。
しかしながら、そのような成長条件が上記米粒状微小欠
陥以外の他の欠陥の低減に対して最適であるとは限ら
ず、従来は、この米粒状微小欠陥のデバイス特性に及ぼ
す影響が十分に解明されていないために、オーバルディ
フェクト等他の欠陥を減らすような成長条件が選ばれ、
この米粒状微小欠陥密度は無視されていた。しかし、デ
バイス構造が今後さらに微細かつ複雑になっていけば、
当然、この米粒状微小欠陥がデバイス特性に悪影響を及
ぼすと考えられる。
キシー法)によりGaAs層またはAlGaAs層をエピタキシャ
ル成長させる際における成長層表面の米粒状微小欠陥の
密度を低減し、デバイス特性を向上させ得るような成長
方法を提供することである。
面方位が(100)ジャストの基板が使用される。しか
し、(100)ジャストといっても実際には角度で0.5度程
度ずれている。
状微小欠陥の発生状況が異なるのではないかと考え、Ga
As基板上に分子線エピタキシー法によりGaAs層をエピタ
キシャル成長させた場合の基板の(100)方向からのず
れ角度(傾き)と米粒状微小欠陥密度との関係を調べ
た。その結果、第3図(縦軸はGaAsエピタキシャル成長
層の米粒状微小欠陥の密度)に示すように両者は相関が
あり、ずれ角度が小さいほど、米粒状微小欠陥の密度は
小さくなる。また、米粒状微小欠陥の密度が1×104cm
-2以上と大きい場合には、欠陥は第2図に示したように
基板の転位の分布と同様に、セル状またはリネージ状に
集団的に発生するが、欠陥密度が1×103cm-2程度の場
合には、欠陥はまとまって発生せずに1個1個が散在し
ていることが分かった。
基板上に分子線エピタキシー法によりGaAs層またはAlGa
As層をエピタキシャル成長させる際に基板の面方位を
(100)方向からのずれ角度で0.15度以内、より好まし
くは0.05度以内に抑えるという手段を講じたものであ
る。
せる場合に、面方位が(100)面からのずれ角度で0.15
度以内の基板を使用するとともに、成長時の基板温度を
500〜620℃としかつ蒸発源からのAsとGaの供給量の比P
As/PGaを15〜25とする。また、上記GaAs成長層の上にAl
xGa1-xAsエピタキシャル層をMBE法で成長させる場合
に、成長時の基板温度を500×620℃としかつ蒸発源から
のAlとGaの供給量の比PAl/PGaを約0.3、AsとAl,Gaの供
給量の比PAs/(PGa+PAl)を15〜25とする(x≒0.
3の場合)。
化のためSiを1×1014cm-2程度ドープしたGaAs基板では
補償比が0.2以下であることが望まれるが、基板温度が5
00℃未満であったり620℃を超えると補償比が0.2を超え
てしまい電気的特性が劣化するとともに、620℃以上で
はフォトルミネッセンスによるカーボン強度が大きくな
ってしまうからである。
は、AsとGaの供給比が25を超えると原料のAs中のSやC
がGaAsエピタキシャル成長層中に入ってこれらの不純物
濃度が高くなるとともに、供給比が15未満ではGaAsエピ
タキシャル成長層がAs不足となって表面粗さが悪くなる
ためである。
0.3)エピタキシャル層をMBE法で成長させる場合、層の
成長速度を0.8〜1.7μm/時とする。成長速度が0.8μm/
時未満であったり1.7μm/時を超えるような場合には補
償比が0.2を超えて半絶縁性が悪くなるとともに、成長
速度が0.8μm/時未満のときは成長炉内のガスの取込み
によりエピタキシャル層中の不純物濃度が高くなり、ま
た成長速度が1.7μm/時を超えるときはGaセル(蒸発
源)の温度が高いためにGa中の不純物(炭素等)がエピ
タキシャル層中に多く入ってしまうからである。
ットから(100)面が表面に現われるようにウェーハを
切り出して、表面の面方位が(100)面からのずれ角度
で0.15度以内となるようにラッピングおよびエッチング
を行ない、このウェーハ基板上へMBE法によりエピタキ
シャル成長を行なった。エピタキシャル層はGaAs層とそ
の上にAl0.3Ga0.7As層を成長させた標準的なHEMT構造で
あり、全体で1μmの厚みとした。
aの供給比は20、成長速度は1μm/時とした。
の米粒状微小欠陥を観察した結果を、横軸に基板の(10
0)面からのずれ角を、縦軸に欠陥密度をとって第4図
に示す。比較のため、表面の面方位を(100)面から0.1
5〜0.75度傾けた基板に同一条件でGaAs層をエピタキシ
ャル成長させたものについても表面の米粒状微小欠陥を
測定し、その結果も第4図に併せて示した。なお、第4
図の縦軸は対数表示である。
方位を(100)面から0.15度以内の様々の角度にずらし
た場合における、具体例の条件でGaAs層のエピタキシャ
ル成長を行なった基板についての測定結果、□印で示さ
れているのが比較例におけるGaAs層のエピタキシャル成
長を起なった基板についての測定結果である。
ャル成長層表面の米粒状微小欠陥密度はほとんどが1×
103cm-2以上であるが、具体例の方法の場合には、米粒
状微小欠陥がすべて1×103cm-2以下になり、さらに(1
00)面からの角度のずれを0.05度以内にした場合には、
米粒状微小欠陥が2×103cm-2以下になることがわか
る。
層の上にエピタキシャル成長させたが、その際の条件
は、基板温度を600℃、蒸発源からのAlとGaの供給比は
0.3、AsとAl,Gaの供給量の比PAs/(PGa+PAl)20、
成長速度は1.43μm/時とした。
AlxGa1-xAsで表される結晶におけるxの値をHEMTで一般
的な0.3とした場合を説明したが、xが約0.3もしくはそ
れ以下であれば、GaとAsの原子半径の相違に起因するエ
ピタキシャル層の構造、欠陥はGaAsとほとんど異ならな
いので米粒状微小欠陥が低減されると充分に予想され
る。
ピタキシー法によりGaAsまたはAlGaAsエピタキシャル層
を成長させるにあたり、上記基板の面方位を(100)面
もしくは結晶学的にそれと等価な面からの角度のずれを
0.15度以内としたことにより、エピタキシャル層表面の
米粒状微小欠陥密度を低減させ、デバイス特性を向上さ
せることができるという効果がある。
小欠陥密度をさらに低減させ、デバイス特性をさらに向
上させることができる。
る場合において、エピタキシャル成長時の基板温度を50
0〜620℃とし、かつ蒸発源からのAsとGaの供給比PAs/
PGaを15〜25とするとともに、成長速度を0.8〜1.7μm/
時としたことにより、補償比を悪化させることなく米粒
状微小欠陥を低減させてデバイス特性を向上させること
ができる。
面のマクロスコーピックな欠陥を示す顕微鏡写真、 第2図は同じく従来のMBE法によるGaAsエピタキシャル
層の表面の米粒状微小欠陥を示す顕微鏡写真、 第3図は従来法によりGaAs層をエピタキシャル成長させ
た場合における、GaAs基板の(100)面からのずれ角度
と米粒状微小欠陥密度との関係を示す図、 第4図は本発明方法を適用してGaAs層をエピタキシャル
成長させた場合における、GaAs基板の(100)面からの
ずれ角度と米粒状微小欠陥密度との関係を示す図であ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】GaAs基板上に分子線エピタキシー法により
GaAs層またはAlGaAs層をエピタキシャル成長させるにあ
たり、上記GaAs基板として面方位を(100)面もしくは
結晶学的にそれと等価な面から角度で0.15度以内傾けた
基板を用いることにより基板の転位に起因し、かつ短径
が2〜3μmで長径が4〜7μmの大きさの楕円形の欠
陥の密度を1×103cm-2以下に抑えるようにしたことを
特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項2】GaAs基板上に分子線エピタキシー法により
GaAs層またはAlGaAs層をエピタキシャル成長させるにあ
たり、上記GaAs基板として面方位を(100)面もしくは
結晶学的にそれと等価な面から角度で0.05度以内傾けた
基板を用いることにより基板の転位に起因し、かつ短径
が2〜3μmで長径が4〜7μmの大きさの楕円形の欠
陥の密度を2×102cm-2以下に抑えるようにしたことを
特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - 【請求項3】上記GaAs層のエピタキシャル成長時の基板
温度を500〜620℃とし、かつ蒸発源からのAsとGaの供給
比PAs/PGaを15〜25とするとともに、成長速度を0.8〜
1.7μm/時としたことを特徴とする請求項1または2に
記載の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11002389A JP2784364B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11002389A JP2784364B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02288223A JPH02288223A (ja) | 1990-11-28 |
JP2784364B2 true JP2784364B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=14525155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11002389A Expired - Lifetime JP2784364B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2784364B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2750331B2 (ja) * | 1992-04-23 | 1998-05-13 | 株式会社ジャパンエナジー | エピタキシャル成長用基板およびエピタキシャル成長方法 |
JP3129112B2 (ja) | 1994-09-08 | 2001-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル成長方法とそのためのInP基板 |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP11002389A patent/JP2784364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Journol of Eloctrochemical Society 130(1983)P.493−494 |
Journol of Eloctrochemical Society 133(1986)P.601−604 |
第45回応用物理学会学術講演会講演予稿集(1984)P.616(12p−P−7) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02288223A (ja) | 1990-11-28 |
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