JPH02288223A - 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 - Google Patents
化合物半導体のエピタキシャル成長方法Info
- Publication number
- JPH02288223A JPH02288223A JP11002389A JP11002389A JPH02288223A JP H02288223 A JPH02288223 A JP H02288223A JP 11002389 A JP11002389 A JP 11002389A JP 11002389 A JP11002389 A JP 11002389A JP H02288223 A JPH02288223 A JP H02288223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gaas
- epitaxial layer
- compound semiconductor
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 28
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 abstract description 6
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 abstract description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェーハ」二へのエピタキシャル成長
技術、更にはＭＢＥ（分子線エピタキシー）法によるエ
ピタキシャル成長技術に関し、例えばＧａＡｓウェーハ
上にＧａＡｓやＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓエピタキシャル
層を成長させる場合に利用して効果的な技術に関する。
技術、更にはＭＢＥ（分子線エピタキシー）法によるエ
ピタキシャル成長技術に関し、例えばＧａＡｓウェーハ
上にＧａＡｓやＡ Ｑ Ｇ ａ Ａ ｓエピタキシャル
層を成長させる場合に利用して効果的な技術に関する。
［従来の技術］
ペテロ接合を利用したＨＥＭＴ （高電子移動度トラン
ジスタ）用のウェーハは、ＭＢＥ法でＧａＡｓ基板上に
ＡｆｌＧａＡｓエピタキシャル層を成長させることで得
られる。
ジスタ）用のウェーハは、ＭＢＥ法でＧａＡｓ基板上に
ＡｆｌＧａＡｓエピタキシャル層を成長させることで得
られる。
従来、ＭＢＥ法により成長させたエピタキシャル層の表
面には、いわゆるオーバルディフェクトと呼ばれる第１
図に示すようなマクロスコーピックな欠陥が存在し、Ｉ
Ｃの歩留りを低下させるという問題があることが知られ
ている（■培風館、昭和６１年１１月３０日発行、「超
高速化合物半導体デバイス」第１６３頁〜第１６４頁参
照）。
面には、いわゆるオーバルディフェクトと呼ばれる第１
図に示すようなマクロスコーピックな欠陥が存在し、Ｉ
Ｃの歩留りを低下させるという問題があることが知られ
ている（■培風館、昭和６１年１１月３０日発行、「超
高速化合物半導体デバイス」第１６３頁〜第１６４頁参
照）。
一方、ＭＢＥ法によるエピタキシャル層表面の欠陥は上
記オーバルディフェクトのみならず、第２図に示すよう
にミクロスコーピックな欠陥（以下、米粒状微小欠陥と
称する）が存在する。この欠陥は短径が２〜３μｍで長
径が４〜７μｍの楕円形をなし、比較的大きさが揃って
いる。この米粒状微小欠陥は、昭和６２年、秋、第４８
回応用物理学会予稿集１分冊第２２３頁で述べられてい
るところの微小欠陥に相当するもので、基板の転位に起
因していることが知られている。
記オーバルディフェクトのみならず、第２図に示すよう
にミクロスコーピックな欠陥（以下、米粒状微小欠陥と
称する）が存在する。この欠陥は短径が２〜３μｍで長
径が４〜７μｍの楕円形をなし、比較的大きさが揃って
いる。この米粒状微小欠陥は、昭和６２年、秋、第４８
回応用物理学会予稿集１分冊第２２３頁で述べられてい
るところの微小欠陥に相当するもので、基板の転位に起
因していることが知られている。
しかしながら、本発明者らが実験により調べたところに
よると、上記米粒状微小欠陥の密度は。
よると、上記米粒状微小欠陥の密度は。
基板の転位密度と必ずしも同じではなく、エピタキシャ
ル層の成長条件によって異なり、基板の転位密度が（１
〜４） Ｘ Ｉ ＱＣ！Ｉ−”の場合、ｌＸｌ０国−２
〜５ｘ１０■−２程度のばらつきがある。つまり、成長
条件によっては、ｌＸｌ０（！１１−”程度にまで少な
くすることが可能であることが分かった。
ル層の成長条件によって異なり、基板の転位密度が（１
〜４） Ｘ Ｉ ＱＣ！Ｉ−”の場合、ｌＸｌ０国−２
〜５ｘ１０■−２程度のばらつきがある。つまり、成長
条件によっては、ｌＸｌ０（！１１−”程度にまで少な
くすることが可能であることが分かった。
しかしながら、そのような成長条件が上記米粒状微小欠
陥以外の他の欠陥の低減に対して最適であるとは限らず
、従来は、この米粒状微小欠陥のデバイス特性に及ぼす
影響が十分に解明されていないために、オーバルディフ
ェクト等地の欠陥を滅らすような成長条件が選ばれ、こ
の米粒状微小欠陥密度は無視されていた。しかし、デバ
イス構造が今後さらに微細かつ複雑になっていけば、当
然、この米粒状微小欠陥がデバイス特性に悪影響を及ぼ
すと考えられる。
陥以外の他の欠陥の低減に対して最適であるとは限らず
、従来は、この米粒状微小欠陥のデバイス特性に及ぼす
影響が十分に解明されていないために、オーバルディフ
ェクト等地の欠陥を滅らすような成長条件が選ばれ、こ
の米粒状微小欠陥密度は無視されていた。しかし、デバ
イス構造が今後さらに微細かつ複雑になっていけば、当
然、この米粒状微小欠陥がデバイス特性に悪影響を及ぼ
すと考えられる。
本発明は上記のような背景の下になされたもので、その
目的とするところは、ＭＢＥ法によるエピタキシャル成
長における成長層表面の米粒状微小欠陥の密度を低減し
、デバイス特性を向上させ得るような成長条件を提供す
ることにある。
目的とするところは、ＭＢＥ法によるエピタキシャル成
長における成長層表面の米粒状微小欠陥の密度を低減し
、デバイス特性を向上させ得るような成長条件を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
ＭＢＥ法でエピタキシャル成長を行なう際には、通常、
面方位が（１００）ジャストの基板が使用される。しか
し、（１００）ジャストといっても実際には角度で０．
５度程度ずれている。本発明者らは基板の面方位のずれ
の程度によって米粒状微小欠陥の発生状況が異なるので
はないかと考え、基板の（１００）方向からのずれ角度
（傾き）と米粒状微小欠陥密度との関係を調べた。その
結果、第３図に示すように両者は相関があり、ずれ角度
が小さいほど、米粒状微小欠陥の密度は小さくなる。ま
た、米粒状微小欠陥の密度がＩ Ｘ １０’ａｘ２以上
と大きい場合には、欠陥は第２図に示したように基板の
転位の分布と同様に、セル状またはリネージ状に集団的
に発生するが、欠陥密度がｌＸｌ０３（１）″２程度の
場合には、欠陥はまとまって発生せずに１個１個が散在
していることが分かった。そこでこの発明は、基板の（
１００）方向からのずれ角度を０．１５度以内、より好
ましくは０．０５度以内に抑えるようにした。
面方位が（１００）ジャストの基板が使用される。しか
し、（１００）ジャストといっても実際には角度で０．
５度程度ずれている。本発明者らは基板の面方位のずれ
の程度によって米粒状微小欠陥の発生状況が異なるので
はないかと考え、基板の（１００）方向からのずれ角度
（傾き）と米粒状微小欠陥密度との関係を調べた。その
結果、第３図に示すように両者は相関があり、ずれ角度
が小さいほど、米粒状微小欠陥の密度は小さくなる。ま
た、米粒状微小欠陥の密度がＩ Ｘ １０’ａｘ２以上
と大きい場合には、欠陥は第２図に示したように基板の
転位の分布と同様に、セル状またはリネージ状に集団的
に発生するが、欠陥密度がｌＸｌ０３（１）″２程度の
場合には、欠陥はまとまって発生せずに１個１個が散在
していることが分かった。そこでこの発明は、基板の（
１００）方向からのずれ角度を０．１５度以内、より好
ましくは０．０５度以内に抑えるようにした。
また、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓもしくはＧａＡｓ系エ
ピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合には、成長
時の基板温度を５００〜６２０℃としかつ蒸発源からの
ＡｓとＧａの供給量の比Ｐｐ、 ｓ ／ Ｐ Ｇａを１
５〜２５とする。半絶縁性化のためＳｉをＩ Ｘ １０
”ａｍ−”程度ドープしたＧａＡＳ基板では補償比が０
．２以下であることが望まれるが、基板温度が５００℃
未満であったり６２０℃を超えると補償比が０．２を超
えてしまい半絶縁性が劣化するとともに、６２０℃以上
ではフォトルミネッセンスによるカーボン強度が大きく
なってしまうからである。
ピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合には、成長
時の基板温度を５００〜６２０℃としかつ蒸発源からの
ＡｓとＧａの供給量の比Ｐｐ、 ｓ ／ Ｐ Ｇａを１
５〜２５とする。半絶縁性化のためＳｉをＩ Ｘ １０
”ａｍ−”程度ドープしたＧａＡＳ基板では補償比が０
．２以下であることが望まれるが、基板温度が５００℃
未満であったり６２０℃を超えると補償比が０．２を超
えてしまい半絶縁性が劣化するとともに、６２０℃以上
ではフォトルミネッセンスによるカーボン強度が大きく
なってしまうからである。
一方、ＡｓとＧａの供給比が２５を超えると原料のＡｓ
中のＳやＣがエピタキシャル層中に入って不純物濃度が
高くなるとともに、供給比が１５未満ではエピタキシャ
ル層がＡｓ不足となって表面粗さが悪くなるためである
。
中のＳやＣがエピタキシャル層中に入って不純物濃度が
高くなるとともに、供給比が１５未満ではエピタキシャ
ル層がＡｓ不足となって表面粗さが悪くなるためである
。
さらに、Ｑ ａ Ａ ｓ基板上にＧａＡｓもしくはＧａ
Ａｓ系エピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合、
層の成長速度を０．８〜１．７μｍ／時とする。成長速
度が０．８μｍ／時未満であったり１．７μｍ／時を超
えるような場合には補償比が０．２を超えて半絶縁性が
悪くなるとともに。
Ａｓ系エピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合、
層の成長速度を０．８〜１．７μｍ／時とする。成長速
度が０．８μｍ／時未満であったり１．７μｍ／時を超
えるような場合には補償比が０．２を超えて半絶縁性が
悪くなるとともに。
成長速度が６．８μｍ／時未満のときは成長炉内のガス
の取込みによりエピタキシャル層中の不純物濃度が高く
なり、また成長速度が１．７μｍ／時を超えるときはＧ
ａセル（蒸発源）の温度が高いためＧａ中の不純物（炭
素等）がエピタキシャル層中に多く入ってしまうからで
ある。
の取込みによりエピタキシャル層中の不純物濃度が高く
なり、また成長速度が１．７μｍ／時を超えるときはＧ
ａセル（蒸発源）の温度が高いためＧａ中の不純物（炭
素等）がエピタキシャル層中に多く入ってしまうからで
ある。
［実施例］
直径２インチのアンドープ半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ単結
晶インゴットから（１００）が表面に現われるようにウ
ェーハを切り出して、表面の面方位が（１００）面から
の角度のずれを０．１５度以内となるようにラッピング
およびエツチングを行ない、このウェーハ上へＭＢＥ法
によりエピタキシャル成長を行なった。エピタキシャル
層は標準的なＨＥＭＴ構造であり、全体で１μｍの厚み
とした。また、成長時のウェーハ温度は６００℃、蒸発
源からのＡｓとＧａの供給比は２０、成長速度は１μｍ
／時とした。上記条件によりエピタキシャル成長したウ
ェーハの表面の米粒状微小欠陥をｗｉ察した結果を第４
図に示す。比較のため１面方位を（１００）面から０．
１５〜０．７５度傾けたウェーハに同一条件でエピタキ
シャル成長を行なったものについても表面の米粒状微小
欠陥を測定し、その結果も第４図に併せて示した。
晶インゴットから（１００）が表面に現われるようにウ
ェーハを切り出して、表面の面方位が（１００）面から
の角度のずれを０．１５度以内となるようにラッピング
およびエツチングを行ない、このウェーハ上へＭＢＥ法
によりエピタキシャル成長を行なった。エピタキシャル
層は標準的なＨＥＭＴ構造であり、全体で１μｍの厚み
とした。また、成長時のウェーハ温度は６００℃、蒸発
源からのＡｓとＧａの供給比は２０、成長速度は１μｍ
／時とした。上記条件によりエピタキシャル成長したウ
ェーハの表面の米粒状微小欠陥をｗｉ察した結果を第４
図に示す。比較のため１面方位を（１００）面から０．
１５〜０．７５度傾けたウェーハに同一条件でエピタキ
シャル成長を行なったものについても表面の米粒状微小
欠陥を測定し、その結果も第４図に併せて示した。
第４図において、■印で示されているのが本発明方法を
適用したウェーハについての測定結果、０印で示されて
いるのが比較例の方法を適用したウェーハについての測
定結果である。
適用したウェーハについての測定結果、０印で示されて
いるのが比較例の方法を適用したウェーハについての測
定結果である。
第４図より、本発明方法を適用しない場合にはＧ ａ
Ａ ｓウェーハ表面の米粒状微小欠陥密度はほとんどが
Ｉ Ｘ １０３ｃｍ−”以上であるが、本発明を適用す
ると、すべてＩ Ｘ １０’ｃｘｎ−”以下になり、さ
らに（Ｚｏｏ）面からの角度のずれを０．０５度以内に
すると、２ Ｘ １０’ａｎ−”以下になることがわか
る。
Ａ ｓウェーハ表面の米粒状微小欠陥密度はほとんどが
Ｉ Ｘ １０３ｃｍ−”以上であるが、本発明を適用す
ると、すべてＩ Ｘ １０’ｃｘｎ−”以下になり、さ
らに（Ｚｏｏ）面からの角度のずれを０．０５度以内に
すると、２ Ｘ １０’ａｎ−”以下になることがわか
る。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明は、化合物半導体基板上に
分子線エピタキシー法によりエピタキシャル層を成長さ
せるにあたり、上記基板の面方位を（１００）面もしく
は結晶学的にそれと等価な面からの角度のずれを０．１
５度以内としたので。
分子線エピタキシー法によりエピタキシャル層を成長さ
せるにあたり、上記基板の面方位を（１００）面もしく
は結晶学的にそれと等価な面からの角度のずれを０．１
５度以内としたので。
エピタキシャル層表面の米粒状微小欠陥密度を低減させ
、デバイス特性を向上させることができるという効果が
ある。
、デバイス特性を向上させることができるという効果が
ある。
また、上記化合物半導体基板がＧａＡｓである場合にお
いて、エピタキシャル成長時の基板温度を５００〜６２
０℃とし、かつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給比Ｐ Ａ
Ｓ ／ Ｐ ａ ａを１５〜２５とするとともに、成
長速度を０．８〜１．７μｍ／時としたので、補償比を
悪化させることなく米粒状微小欠陥以外の他の欠陥や不
純物濃度をも低減させて、さらにデバイス特性を向上さ
せることができる。
いて、エピタキシャル成長時の基板温度を５００〜６２
０℃とし、かつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給比Ｐ Ａ
Ｓ ／ Ｐ ａ ａを１５〜２５とするとともに、成
長速度を０．８〜１．７μｍ／時としたので、補償比を
悪化させることなく米粒状微小欠陥以外の他の欠陥や不
純物濃度をも低減させて、さらにデバイス特性を向上さ
せることができる。
第１図は従来のＭＢＥ法によるＧａＡｓエピタキシャル
層の表面のマクロスコーピックな欠陥を有する結晶構造
の顕微鏡写真。 第２図は同じ〈従来方法によるＧａＡｓエピタキシャル
層の表面の米粒状微小欠陥を有する結晶構造の顕微鏡写
真。 第３図は従来ＭＢＥ法によりエピタキシャル成長した基
板の面方位のずれ角度と米粒状微小欠陥密度との関係を
示す図、
層の表面のマクロスコーピックな欠陥を有する結晶構造
の顕微鏡写真。 第２図は同じ〈従来方法によるＧａＡｓエピタキシャル
層の表面の米粒状微小欠陥を有する結晶構造の顕微鏡写
真。 第３図は従来ＭＢＥ法によりエピタキシャル成長した基
板の面方位のずれ角度と米粒状微小欠陥密度との関係を
示す図、
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上に分子線エピタキシー法によ
りエピタキシャル層を成長させるにあたり、上記基板の
面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な
面からの角度のずれを０．１５度以内としたことを特徴
とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。 - （２）上記化合物半導体基板がＧａＡｓである場合にお
いて、エピタキシャル成長時の基板温度を５００〜６２
０℃とし、かつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給比Ｐ＿Ａ
＿ｓ／Ｐ＿Ｇ＿ａを１５〜２５とするとともに、成長速
度を０．８〜１．７μｍ／時としたことを特徴とする請
求項１記載の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002389A JP2784364B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11002389A JP2784364B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288223A true JPH02288223A (ja) | 1990-11-28 |
| JP2784364B2 JP2784364B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=14525155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11002389A Expired - Lifetime JP2784364B2 (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2784364B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0567329A2 (en) * | 1992-04-23 | 1993-10-27 | Japan Energy Corporation | Substrate for epitaxy and epitaxy using the substrate |
| EP0701008A2 (en) | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP11002389A patent/JP2784364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0567329A2 (en) * | 1992-04-23 | 1993-10-27 | Japan Energy Corporation | Substrate for epitaxy and epitaxy using the substrate |
| EP0567329A3 (ja) * | 1992-04-23 | 1994-02-09 | Nippon Mining Co | |
| US5434100A (en) * | 1992-04-23 | 1995-07-18 | Japan Energy Corporation | Substrate for epitaxy and epitaxy using the substrate |
| EP0701008A2 (en) | 1994-09-08 | 1996-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth |
| US5647917A (en) * | 1994-09-08 | 1997-07-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxy for growing compound semiconductors and an InP substrate for epitaxial growth |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2784364B2 (ja) | 1998-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9915011B2 (en) | Low resistivity single crystal silicon carbide wafer | |
| US7211337B2 (en) | Compound crystal and method of manufacturing same | |
| US7972704B2 (en) | Single-crystal silicon carbide ingot, and substrate and epitaxial wafer obtained therefrom | |
| KR101151933B1 (ko) | 화합물 반도체 에피택셜 기판 및 그 제조 방법 | |
| EP2896725B1 (en) | Aluminum nitride substrate and group-iii nitride laminate | |
| WO2012144614A1 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
| US20090108297A1 (en) | Semi-insulating nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same, nitride semiconductor epitaxial substrate, and field-effect transistor | |
| CN102842490B (zh) | 一种化合物半导体薄膜的自组装生长方法 | |
| US20200056302A1 (en) | Elimination of Basal Plane Dislocation and Pinning the Conversion Point Below the Epilayer Interface for SiC Power Device Applications | |
| US20240183063A1 (en) | Method for sic step flow growth by regulating growth monmoers using chemical potential under non-equilibrium condition | |
| CN112242459A (zh) | 一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 | |
| JPH08310900A (ja) | 窒化物薄膜単結晶及びその製造方法 | |
| JPH02288223A (ja) | 化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPH0952798A (ja) | 炭化珪素薄膜製造方法並びに炭化珪素薄膜および積層基板 | |
| EP4442868A1 (en) | Nitride semiconductor substrate and method for producing same | |
| JP2023096845A (ja) | 窒化物半導体膜を作製するためのテンプレート及びその製造方法 | |
| US9536955B2 (en) | Nitride semiconductor substrate | |
| CN109166788B (zh) | 一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 | |
| Young et al. | Latest developments in vertical gradient freeze (VGF) technology: GaAs, InP, and GaP | |
| EP3940123A1 (en) | Nitride semiconductor substrate | |
| JP4770130B2 (ja) | 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハ | |
| CN1300826C (zh) | 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法 | |
| CN216389379U (zh) | 一种氮化镓外延片及半导体器件 | |
| WO2023248702A1 (ja) | 窒化物半導体ウェーハ、及びその製造方法 | |
| CN117766558A (zh) | 一种高均一性3C-SiC外延片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080529 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080529 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090529 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |