JPH01214017A - 分子線エピタキシアル成長方法及び装置 - Google Patents
分子線エピタキシアル成長方法及び装置Info
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- JPH01214017A JPH01214017A JP3899588A JP3899588A JPH01214017A JP H01214017 A JPH01214017 A JP H01214017A JP 3899588 A JP3899588 A JP 3899588A JP 3899588 A JP3899588 A JP 3899588A JP H01214017 A JPH01214017 A JP H01214017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化合物半導体基板上に半導体のエピタキシアル層を成長
させる分子線エピタキシアル成長方法及び装置に圓し、 化合物ｙｎｎ体板板表面破壊層の除去及びその後化合物
半導体基板の表面に残留する不純物の除去を確実に、か
つ、化合物半導体基板の表面モホロジーを劣化さゼるこ
となく行なってから分子線エピタキシアル成長により良
質の半導体のエピタキシアル層を化合物ｉｆｆ体基根基
板上長可能とすることを目的とし、 化合物￥−導体基板の表面波１！！１ｌｆｆｌを反応性
ガスエツチングにより除去し、化合物半導体基板の表面
に残留している不純物を反応性ガスエツチングにより除
去し、化合物半導体基板基板上にエピタキシアル層を分
子線エピタキシアル成長により成長させるように構成す
る。
させる分子線エピタキシアル成長方法及び装置に圓し、 化合物ｙｎｎ体板板表面破壊層の除去及びその後化合物
半導体基板の表面に残留する不純物の除去を確実に、か
つ、化合物半導体基板の表面モホロジーを劣化さゼるこ
となく行なってから分子線エピタキシアル成長により良
質の半導体のエピタキシアル層を化合物ｉｆｆ体基根基
板上長可能とすることを目的とし、 化合物￥−導体基板の表面波１！！１ｌｆｆｌを反応性
ガスエツチングにより除去し、化合物半導体基板の表面
に残留している不純物を反応性ガスエツチングにより除
去し、化合物半導体基板基板上にエピタキシアル層を分
子線エピタキシアル成長により成長させるように構成す
る。
本発明は分子線１ピタ４シアル成長方法及び装置、特に
化合物事導体基板上に半導体のエピタキシアル層を成長
さける分子線エピタキシアル成長方法及び装置に関する
。
化合物事導体基板上に半導体のエピタキシアル層を成長
さける分子線エピタキシアル成長方法及び装置に関する
。
真空中で化合物半導体基板を所定の温度に加熱して、そ
の基板上に半導体元素を分子線状にして照射することに
より基板上にエピタキシアル層を成長させる分子線エピ
タキシアル成長法（以下ＭＢＥと言う）は、超薄膜が制
御性良く成長でき、ヘテロエピタキシアル構造における
ヘテロ界面が急峻であることから、エピタキシアル層の
成長方法としては非常に有効である。
の基板上に半導体元素を分子線状にして照射することに
より基板上にエピタキシアル層を成長させる分子線エピ
タキシアル成長法（以下ＭＢＥと言う）は、超薄膜が制
御性良く成長でき、ヘテロエピタキシアル構造における
ヘテロ界面が急峻であることから、エピタキシアル層の
成長方法としては非常に有効である。
従来、化合物半導体上に半導体のエピタキシアル層をＭ
ＢＥで成長する際、先ず基板に化学洗浄及びサーマルク
リーニングからなるｆｔＪＬＬ理を施す。
ＢＥで成長する際、先ず基板に化学洗浄及びサーマルク
リーニングからなるｆｔＪＬＬ理を施す。
化学洗浄は基板（ウェハ）の製造時の切断や研磨によっ
て基板上に形成されてしまう数百ｎｌの膜厚を有する表
面破壊層を除去する硫酸系のエツチング液によるウエッ
トエッチングニ［程である。又、サーマルクリーニング
では、大気中で化学洗ｌ′７１後の基板上に形成されて
しまう１０人程度のｗｉ厚を有する自然酸化膜をＭＢＥ
の直前に真空中で基板を加熱することにより除去するｒ
程である。
て基板上に形成されてしまう数百ｎｌの膜厚を有する表
面破壊層を除去する硫酸系のエツチング液によるウエッ
トエッチングニ［程である。又、サーマルクリーニング
では、大気中で化学洗ｌ′７１後の基板上に形成されて
しまう１０人程度のｗｉ厚を有する自然酸化膜をＭＢＥ
の直前に真空中で基板を加熱することにより除去するｒ
程である。
しかし、従来の前処理を施した基板上にエピタキシアル
層をＭＢＥにより成長すると、エピタキシアル層と基板
との界面付近でキャリアの空乏が起こることが知られて
いる。この４１リアの空乏は、前処理後に基板上に残留
している不純物である残留炭素が７クセプタとなるため
に起こると考えられている。界面付近にキャリア空乏層
が存在すると、良質のエピタキシアル層を成長すること
は困難である。
層をＭＢＥにより成長すると、エピタキシアル層と基板
との界面付近でキャリアの空乏が起こることが知られて
いる。この４１リアの空乏は、前処理後に基板上に残留
している不純物である残留炭素が７クセプタとなるため
に起こると考えられている。界面付近にキャリア空乏層
が存在すると、良質のエピタキシアル層を成長すること
は困難である。
イこで、従来の前処理では除去できなかった基板上の残
留戻入を除去する方法として、サーマルエツチング法が
ジ１？−ナル・オプ・アプライド・フィッジックス、第
２５巻、 １９８６年、第１２１６〜１２２０頁（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ Ｏｒ Δｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
、 Ｖｏｌ。
留戻入を除去する方法として、サーマルエツチング法が
ジ１？−ナル・オプ・アプライド・フィッジックス、第
２５巻、 １９８６年、第１２１６〜１２２０頁（Ｊ
ｏｕｒｎａｌ Ｏｒ Δｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
、 Ｖｏｌ。
２５．１９８６．１）ｌ）、１２１６〜１２２０）の１
ザーマルエツチングによるＭＢＥ−ＧａＡｓ基板前処理
効！ｌ！１にて提案され、熱酸化膜法がジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィッジ、ツクス、第６３巻、１９８
８年、第４０４頁（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Δｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ。
ザーマルエツチングによるＭＢＥ−ＧａＡｓ基板前処理
効！ｌ！１にて提案され、熱酸化膜法がジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィッジ、ツクス、第６３巻、１９８
８年、第４０４頁（Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Δｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ。
ＶＯｌ、６３．１９８８．１１１） ４０４） ｆ７）
ｒ熱酸（ｔ、 ｌｉ 形成＆？、 ムによるＭＢＥ−
ＧａＡｓ基板の清浄化Ｊにて提案された。
ｒ熱酸（ｔ、 ｌｉ 形成＆？、 ムによるＭＢＥ−
ＧａＡｓ基板の清浄化Ｊにて提案された。
サーマルエツチング法とは、例えばＧａＡｓ１板の場合
、ＭＢＥの直前に真空中ＡＳ照射下でＧａＡｓ基板を７
５０℃以上に加熱して表面を約２００人〜３００人熱的
なエツチングにより除去する方法である。
、ＭＢＥの直前に真空中ＡＳ照射下でＧａＡｓ基板を７
５０℃以上に加熱して表面を約２００人〜３００人熱的
なエツチングにより除去する方法である。
他方、熱酸化膜法とは、例えばＧａＡｓ基板の場合、大
気中でＧａＡＳ基板を３５０℃〜４５０℃に加熱して約
１００人〜２００人の熱酸化膜を形成し、ＭＢＥの直前
に真空中ＡｓＰ！ｉ射下でＧａＡＳ基板を６４０℃以上
加熱して熱酸化膜を除去する方法である。
気中でＧａＡＳ基板を３５０℃〜４５０℃に加熱して約
１００人〜２００人の熱酸化膜を形成し、ＭＢＥの直前
に真空中ＡｓＰ！ｉ射下でＧａＡＳ基板を６４０℃以上
加熱して熱酸化膜を除去する方法である。
しかし、勺−マルＬツチング法及び熱酸化膜法によって
基板の表面部分を数百人の深さまで除去しても、基板上
の残留炭素を完全に除去することはできないことがわか
った。そこで、残留炭素を完全に除去するために基板の
表面部分を数百Å以上の深さまで除去すると、サーマル
エツチング法及び熱酸化膜法はいずれも熱的に基板の表
面部分を除去する方法であるため、基板の表面（ホロジ
ーが著しく劣化してしまう。このため、サーマルエツチ
ング法又は熱酸化膜法により基板の表面部分を除去する
深さは、基板の表面モホロジーを著しく劣化させない程
度とせざるを得ず、従来の前処理と比べれば改善される
ものの基板上にはある程度の残留炭素が存在する。
基板の表面部分を数百人の深さまで除去しても、基板上
の残留炭素を完全に除去することはできないことがわか
った。そこで、残留炭素を完全に除去するために基板の
表面部分を数百Å以上の深さまで除去すると、サーマル
エツチング法及び熱酸化膜法はいずれも熱的に基板の表
面部分を除去する方法であるため、基板の表面（ホロジ
ーが著しく劣化してしまう。このため、サーマルエツチ
ング法又は熱酸化膜法により基板の表面部分を除去する
深さは、基板の表面モホロジーを著しく劣化させない程
度とせざるを得ず、従来の前処理と比べれば改善される
ものの基板上にはある程度の残留炭素が存在する。
上記の理由から、サーマルエツチング法又は熱酸化膜法
により除去可能な基板の表面部分の深さは数百へが限度
であるため、基板の表面破壊層を除去することはできく
、従来の前処理の化学洗浄及びサーマルクリーニングの
両方に代わるものではなく、化学洗浄を行なった基板に
対して行なう必要がある。このため、サーマルエツチン
グ法又は熱酸化膜法を用いる場合でも従来の前処理の場
合と同様に先ず基板に化学洗浄を施すため、化学洗浄の
工程で不純物が基板表面に付着する可能性も人である。
により除去可能な基板の表面部分の深さは数百へが限度
であるため、基板の表面破壊層を除去することはできく
、従来の前処理の化学洗浄及びサーマルクリーニングの
両方に代わるものではなく、化学洗浄を行なった基板に
対して行なう必要がある。このため、サーマルエツチン
グ法又は熱酸化膜法を用いる場合でも従来の前処理の場
合と同様に先ず基板に化学洗浄を施すため、化学洗浄の
工程で不純物が基板表面に付着する可能性も人である。
又、サーマルエツチング又は熱酸化膜法を用いると、基
板の表面モホロジーの劣化はさけられない。
板の表面モホロジーの劣化はさけられない。
従って、化合物半導体基板上に分子線エピタキシアル成
長により半導体のエピタキシアル層を成長させる直前に
、化合物半導体基板の表面破壊Ｃの除去及びその後の化
合物半導体基板の表面に残留する不純物の除去を行なう
際、残留する不純物を完全に除去しようとすると化合物
半導体基板の表面モホロジーが著しく劣化してしまい、
他方、表面モホロジーの暑しい劣化を防止しようとする
と残留する不純物の除去程度が満足できるものではない
という問題を生じていた。このため良質なエピタキシア
ル層の成長はできないという問題を生じていた。
長により半導体のエピタキシアル層を成長させる直前に
、化合物半導体基板の表面破壊Ｃの除去及びその後の化
合物半導体基板の表面に残留する不純物の除去を行なう
際、残留する不純物を完全に除去しようとすると化合物
半導体基板の表面モホロジーが著しく劣化してしまい、
他方、表面モホロジーの暑しい劣化を防止しようとする
と残留する不純物の除去程度が満足できるものではない
という問題を生じていた。このため良質なエピタキシア
ル層の成長はできないという問題を生じていた。
そこで、本発明は、化合物半導体基板の表面破壊層の除
去及びその後化合物半導体基板の表面に残留する不純物
の除去を確実に、かつ、化合物半導体基板の表面モホロ
ジーを劣化させることなく行なってから分子線エピタキ
シアル層長により良質の半導体のエピタキシアル層を化
合物半導体基板上に成長可能とすることのできる分子線
エビタ４°シアル成長方法及び装置を提供することを目
的とする。
去及びその後化合物半導体基板の表面に残留する不純物
の除去を確実に、かつ、化合物半導体基板の表面モホロ
ジーを劣化させることなく行なってから分子線エピタキ
シアル層長により良質の半導体のエピタキシアル層を化
合物半導体基板上に成長可能とすることのできる分子線
エビタ４°シアル成長方法及び装置を提供することを目
的とする。
上記目的を達成するために、本発明の分子線エピタキシ
アル成長方法は、化合物半導体基板上に半導体のエピタ
キシアル層を成長させる分子線１ピタキシアル成長方法
であって、化合物半導体基板の表面破壊層を反応性ガス
エツチングにより除去する第１の工程と、第１の工程後
に化合物半導体基板の表面に残留している不純物を反応
性ガスエツチングにより除去する第２の工程と、第２の
工程後に化合物半導体装置基板上にエピタキシアル層を
分子線エピタキシアル成長により成長させる第３の工程
とを含む。
アル成長方法は、化合物半導体基板上に半導体のエピタ
キシアル層を成長させる分子線１ピタキシアル成長方法
であって、化合物半導体基板の表面破壊層を反応性ガス
エツチングにより除去する第１の工程と、第１の工程後
に化合物半導体基板の表面に残留している不純物を反応
性ガスエツチングにより除去する第２の工程と、第２の
工程後に化合物半導体装置基板上にエピタキシアル層を
分子線エピタキシアル成長により成長させる第３の工程
とを含む。
更に、本発明の分子線１ピタキシアル成長装置は、化合
物半導体基板上に半導体のエピタキシアル層を成長させ
る分子線エピタキシアル成長装置であって、化合物半導
体基板の表面破壊層を反応性ガスエツチングにより除去
すると共に化合物半導体基板の表面に残留している不純
物を反応性ガスエツヂングにより除去するドライエツヂ
ング室と、ドライエツチング蛮から真空中で搬入される
化合物半導体基板上にエピタキシアル層を分子線エピタ
キシアル成艮により成長させる分子線エピタキシアル成
長室とを備える。
物半導体基板上に半導体のエピタキシアル層を成長させ
る分子線エピタキシアル成長装置であって、化合物半導
体基板の表面破壊層を反応性ガスエツチングにより除去
すると共に化合物半導体基板の表面に残留している不純
物を反応性ガスエツヂングにより除去するドライエツヂ
ング室と、ドライエツチング蛮から真空中で搬入される
化合物半導体基板上にエピタキシアル層を分子線エピタ
キシアル成艮により成長させる分子線エピタキシアル成
長室とを備える。
即ち、本発明は、大気中又は液中での化合物半導体基板
の洗浄を行なうことなく、真空中での反応性ガスエツチ
ングによって化合物半導体基板の表面破壊層を除去する
と共に、化合物半導体基板の表面に残留する不純物を除
去する。
の洗浄を行なうことなく、真空中での反応性ガスエツチ
ングによって化合物半導体基板の表面破壊層を除去する
と共に、化合物半導体基板の表面に残留する不純物を除
去する。
従って、化合物半導体基板の表面Ｖｉ！！［）の除去及
び化合物半導体基板の表面に残留する不純物の除去を確
実に、かつ、化合物半導体基板の表面モホロジーを劣化
さゼることなく行なってから分子んエピタキシアル成長
により半導体の１ビタギシアル層を化合物半導体基板上
に成長することができる。
び化合物半導体基板の表面に残留する不純物の除去を確
実に、かつ、化合物半導体基板の表面モホロジーを劣化
さゼることなく行なってから分子んエピタキシアル成長
により半導体の１ビタギシアル層を化合物半導体基板上
に成長することができる。
先ｆ、本発明方法の一実施例について説明する。
本実施例では、化合物半導体基板としてＧａＡｓ基板を
用い、反応性ガスとして１−Ｉｃｅを用し１て反応性ガ
スエツチングを行なう。
用い、反応性ガスとして１−Ｉｃｅを用し１て反応性ガ
スエツチングを行なう。
第１図は本実施例におけるＧａＡｓ基板の温度（以下、
基板温度と古う）の変化を示す。第１の工程では、基板
温度を４５０℃に設定し、ＨＣ之ガスによる反応性ガス
エツチングをｌ−１０ｆｌガスの流迅をＩＯＣＣＭに設
定して６０分間行なうことにより、ＧａＡｓ基板の表面
部分が約３０００人エツチングされ、ＧａＡｓ基板の表
面破壊層が除去される。第２の工程では、基板温度を６
００℃に設定し、ＨＣｚガスによる反応性ガスエツチン
グをＨＣｌ１ガスの流昂をＩＯＣＣＭに保ち１分間行な
うことにより、ＧａＡｓ基板の表面部分が更に約１５０
０人エツチングされ、第１の［捏後にＧａＡｓ基板の表
面に残留する不純物が除去される。その後、基板温度を
自然冷却によって３００℃以下に下げ、第３の工程でＭ
ＢＥにより３ｉでドープされたｎ型ＧａＡｓエピタキシ
アル層をＧａＡｓ基板上に成長する。Ｍ［３Ｅは、基板
温度を６００℃に設定して３０分間行なわれ、約０．５
μｍのｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層が成長される。
基板温度と古う）の変化を示す。第１の工程では、基板
温度を４５０℃に設定し、ＨＣ之ガスによる反応性ガス
エツチングをｌ−１０ｆｌガスの流迅をＩＯＣＣＭに設
定して６０分間行なうことにより、ＧａＡｓ基板の表面
部分が約３０００人エツチングされ、ＧａＡｓ基板の表
面破壊層が除去される。第２の工程では、基板温度を６
００℃に設定し、ＨＣｚガスによる反応性ガスエツチン
グをＨＣｌ１ガスの流昂をＩＯＣＣＭに保ち１分間行な
うことにより、ＧａＡｓ基板の表面部分が更に約１５０
０人エツチングされ、第１の［捏後にＧａＡｓ基板の表
面に残留する不純物が除去される。その後、基板温度を
自然冷却によって３００℃以下に下げ、第３の工程でＭ
ＢＥにより３ｉでドープされたｎ型ＧａＡｓエピタキシ
アル層をＧａＡｓ基板上に成長する。Ｍ［３Ｅは、基板
温度を６００℃に設定して３０分間行なわれ、約０．５
μｍのｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層が成長される。
第２図は、本発明方法の他の実施例における基板温度の
変化を示す。本実施例においても、化合物半導体基板と
してＧａＡｓ基板を用い、反応性ガスとしてＨＣ之ガス
を用いて反応性ガスエツヂングを行なう。第１の工程で
は、基板温度を５００℃に設定し、ＨＣ［ガスによる反
応性ガスエッヂングを１］Ｃ２ガスの流８をＩＯＣＣＭ
に設定して２０分間行なうことにより、ＧａＡｓ基板の
表面部分が約３４００人エツチングされ、ＧａＡｓ基板
の表面破壊層が除去される。第２の、Ｌ程では、基板温
度を５００℃に保ち、ＨＣｅガスにる反応性ガスエツチ
ングをＨＣ之ガスの流固を２０ＣＭに設定して５分間行
なうことにより、ＧａＡｓ基板の表面部分が更に約２０
０人エツチングされ、第１の工程後にＧａＡｓ基板の表
面に残留する不純物が除去される。その後、基板温度を
自然冷却によって３００℃以１・に下げ、第３の工程で
ＭＢＥにより３ｉでドープされたｎ型ＧａＡｓエピタキ
シアル層をＧａＡｓ基板上に成長する。ＭＢＥは、基板
温度を６００℃に設定して３０分間行なわれ、約０．５
μａのｎ型ＧａＡｓ１Ｌビタキシアル層が成長される。
変化を示す。本実施例においても、化合物半導体基板と
してＧａＡｓ基板を用い、反応性ガスとしてＨＣ之ガス
を用いて反応性ガスエツヂングを行なう。第１の工程で
は、基板温度を５００℃に設定し、ＨＣ［ガスによる反
応性ガスエッヂングを１］Ｃ２ガスの流８をＩＯＣＣＭ
に設定して２０分間行なうことにより、ＧａＡｓ基板の
表面部分が約３４００人エツチングされ、ＧａＡｓ基板
の表面破壊層が除去される。第２の、Ｌ程では、基板温
度を５００℃に保ち、ＨＣｅガスにる反応性ガスエツチ
ングをＨＣ之ガスの流固を２０ＣＭに設定して５分間行
なうことにより、ＧａＡｓ基板の表面部分が更に約２０
０人エツチングされ、第１の工程後にＧａＡｓ基板の表
面に残留する不純物が除去される。その後、基板温度を
自然冷却によって３００℃以１・に下げ、第３の工程で
ＭＢＥにより３ｉでドープされたｎ型ＧａＡｓエピタキ
シアル層をＧａＡｓ基板上に成長する。ＭＢＥは、基板
温度を６００℃に設定して３０分間行なわれ、約０．５
μａのｎ型ＧａＡｓ１Ｌビタキシアル層が成長される。
化合物半導体基板としてＧａＡｓ基板を用い、反応性ガ
スとしてＨＣｅガスを用いて各種基板温度及びＨＣ［ガ
スの流］で実験を行なって１ワられたエツチング速度を
第３図に丞す、同図中、参考用として、サーマルエツチ
ングを行なった場合のエツチング速度を一点１１ａで丞
す。第３図より、基板温度か４００℃以上であるとＧａ
Ａｓ基板と）−１ｃＩｌガスとの化学反応が生じ、Ｇａ
Ａｓ基板のエツチングが始まることがわかる。又、基板
温度が上がると、エツチング速度は指数関数的に著しく
増加することがわかる。
スとしてＨＣｅガスを用いて各種基板温度及びＨＣ［ガ
スの流］で実験を行なって１ワられたエツチング速度を
第３図に丞す、同図中、参考用として、サーマルエツチ
ングを行なった場合のエツチング速度を一点１１ａで丞
す。第３図より、基板温度か４００℃以上であるとＧａ
Ａｓ基板と）−１ｃＩｌガスとの化学反応が生じ、Ｇａ
Ａｓ基板のエツチングが始まることがわかる。又、基板
温度が上がると、エツチング速度は指数関数的に著しく
増加することがわかる。
ＧａＡｓ基板の表面液１ｍ層の除去後にＧａＡｓ基板上
に残留する不純物である残留炭素は、ＮｕがＧａＡｓと
の反応によって分解して発生する水素（Ｈ）により除去
される。上記各実施例においてＭＢＥにより成長された
ｎ型ＧａＡＳ１とタキシフル層の表面モホロジーを微分
干渉顕微鏡で観察したところ、従来の化学洗浄及びサー
マルクリーニングを施したＧａＡｓ基板に成長したｎ型
ＱａΔＳ Ｔ−ビタキシアル層の表面モホロジーと同程
度であることが確認された。従って、上記各実施例によ
れば、第１及び第２の′ｒ程での反応性ガス１ツブング
によるＧａＡＳＷ板の表面モホロジーの著しい劣化はな
く、サーマルエツチング又は熱酸化膜法を用いた場合の
ＧａＡｓ基板の表面モホロジーの劣化と比べると極めて
小さい。
に残留する不純物である残留炭素は、ＮｕがＧａＡｓと
の反応によって分解して発生する水素（Ｈ）により除去
される。上記各実施例においてＭＢＥにより成長された
ｎ型ＧａＡＳ１とタキシフル層の表面モホロジーを微分
干渉顕微鏡で観察したところ、従来の化学洗浄及びサー
マルクリーニングを施したＧａＡｓ基板に成長したｎ型
ＱａΔＳ Ｔ−ビタキシアル層の表面モホロジーと同程
度であることが確認された。従って、上記各実施例によ
れば、第１及び第２の′ｒ程での反応性ガス１ツブング
によるＧａＡＳＷ板の表面モホロジーの著しい劣化はな
く、サーマルエツチング又は熱酸化膜法を用いた場合の
ＧａＡｓ基板の表面モホロジーの劣化と比べると極めて
小さい。
更に、第２図の実施例において成長されたｎ型ＧａＡｓ
エピタキシアル層とＧａＡｓ基板どの界面付近でのキャ
リア濃度を例にとってＣ−Ｖ法により測定したところ、
第４図中実線Ａで示す結果が得られた。同図中、破線Ｂ
は従来の化学洗浄及びサーマルクリーニングを施したＧ
ａＡｓ、Ｉ板とｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層との界面
付近でのキャリア濃度を示し、−点鎖線Ｃは化学洗浄及
びサーマルエツチング（又は熱酸化膜法）を施したＧａ
Ａｓ１ａ板とｎ型ＧａＡＳエビタ゛１シフル層との界面
付近でのキャリア濃度を示す。第４図より、上記実施例
において界面付近の４ヤリア空乏層の厚さが非常に小さ
く、Ａｔ、１Ｂに比べてキャリア空乏層の広がりが著し
く低減され、Ｃに比べても大幅に低減されていることが
わかる。つまり、上記実施例におけるＧａＡＳ基板上の
残留炭素の除去が従来に比べて著しく向上されているこ
とがわかる。
エピタキシアル層とＧａＡｓ基板どの界面付近でのキャ
リア濃度を例にとってＣ−Ｖ法により測定したところ、
第４図中実線Ａで示す結果が得られた。同図中、破線Ｂ
は従来の化学洗浄及びサーマルクリーニングを施したＧ
ａＡｓ、Ｉ板とｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層との界面
付近でのキャリア濃度を示し、−点鎖線Ｃは化学洗浄及
びサーマルエツチング（又は熱酸化膜法）を施したＧａ
Ａｓ１ａ板とｎ型ＧａＡＳエビタ゛１シフル層との界面
付近でのキャリア濃度を示す。第４図より、上記実施例
において界面付近の４ヤリア空乏層の厚さが非常に小さ
く、Ａｔ、１Ｂに比べてキャリア空乏層の広がりが著し
く低減され、Ｃに比べても大幅に低減されていることが
わかる。つまり、上記実施例におけるＧａＡＳ基板上の
残留炭素の除去が従来に比べて著しく向上されているこ
とがわかる。
次に、本発明装置の一実施例を第５図と共に説明する。
第５図中、１は基板交換室、２は基板搬送室、３．４は
トランスフ２０ツド、５は基板ドライエツチング室、６
は基板加熱オーブン、７は流量調整用バルブ、８は塩化
水素（ＨＣＩボンベ、９はＭＢＥ成長室である。
トランスフ２０ツド、５は基板ドライエツチング室、６
は基板加熱オーブン、７は流量調整用バルブ、８は塩化
水素（ＨＣＩボンベ、９はＭＢＥ成長室である。
先ず、基板交換室１内で基板搬送部１１上に化合物半導
体基板としてのＧａＡｓ基板１３を装着し、基板搬送部
１１を案内レール（図示せ！ｒ）に沿って図中矢印Ｘｌ
７Ｊ向に移動することにより、ＧａＡｓ基板１３を真空
の基板搬送室２を介して基板ドライエツチング室５内に
搬入する。ここで、第１図と共に説明した実施例の場合
を例に取って説明すると、トランス７７０ツド４により
基板搬送部１１を矢印Ｙ＋Ｍ向に移動せしめることによ
りＧａＡｓ基板１３を基板加熱オーブン６によって４５
０℃まで加熱し、ボンベ８からのＨＣ２ガスをバルブ７
を介して１１００Ｃの流聞で基板ドライエツチング室５
に供給する。この時の基板ドライエツチング室５の真空
度は９Ｘ１０４Ｔｏｒｒであり、基板エツチング室５か
らの活気はターボ分子ポンプ（図示せず）で行なう。
体基板としてのＧａＡｓ基板１３を装着し、基板搬送部
１１を案内レール（図示せ！ｒ）に沿って図中矢印Ｘｌ
７Ｊ向に移動することにより、ＧａＡｓ基板１３を真空
の基板搬送室２を介して基板ドライエツチング室５内に
搬入する。ここで、第１図と共に説明した実施例の場合
を例に取って説明すると、トランス７７０ツド４により
基板搬送部１１を矢印Ｙ＋Ｍ向に移動せしめることによ
りＧａＡｓ基板１３を基板加熱オーブン６によって４５
０℃まで加熱し、ボンベ８からのＨＣ２ガスをバルブ７
を介して１１００Ｃの流聞で基板ドライエツチング室５
に供給する。この時の基板ドライエツチング室５の真空
度は９Ｘ１０４Ｔｏｒｒであり、基板エツチング室５か
らの活気はターボ分子ポンプ（図示せず）で行なう。
基板温度を４５０℃で６０分間保持してＨＣｅガスによ
る反応性ガスエツチングを行なうことにより、ＧａＡｓ
基板１３の表面部分が約３０００人エツチングされ、表
面破壊層が除去される。その後、基板加熱オーブン６に
よってＧａＡｓ基板１３を６００℃まで加熱し、１分間
保持することにより、ＨＣ之ガスによる反応性ガスエツ
チングが更に行なわれ、ＧａＡｓ基板１３の表面部分が
更に約１５００人エツチングされ、残留炭素が除去され
る。
る反応性ガスエツチングを行なうことにより、ＧａＡｓ
基板１３の表面部分が約３０００人エツチングされ、表
面破壊層が除去される。その後、基板加熱オーブン６に
よってＧａＡｓ基板１３を６００℃まで加熱し、１分間
保持することにより、ＨＣ之ガスによる反応性ガスエツ
チングが更に行なわれ、ＧａＡｓ基板１３の表面部分が
更に約１５００人エツチングされ、残留炭素が除去され
る。
次に、トランス７７０ツド４を矢印Ｙ２方向へ戻し、Ｇ
ａＡｓ基板１３を自然冷却により３００℃以下に下げて
から、基板搬送部１１を矢印Ｘ２方向に移動して真空の
基板搬送室２に入れ、トランスファ０ツド３を矢印Ｙ＋
方向に移動することによりＧａＡｓ基板１３をＭＢＥ成
艮成長内に搬入する。ＭＢＥ成艮成長内では、６００℃
の基板温度でＭＢＥを３０分間行なうことにより３ｉで
ドープされたｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層を０．５μ
Ｉ成長する。最俊には、トランス７７０ツド３を矢印Ｙ
２方向へ戻し、基板搬送部１１を矢印×２方内に移動す
ることによりｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層を成長され
たＧａＡｓ基板１３が基板交換室１内に戻される。
ａＡｓ基板１３を自然冷却により３００℃以下に下げて
から、基板搬送部１１を矢印Ｘ２方向に移動して真空の
基板搬送室２に入れ、トランスファ０ツド３を矢印Ｙ＋
方向に移動することによりＧａＡｓ基板１３をＭＢＥ成
艮成長内に搬入する。ＭＢＥ成艮成長内では、６００℃
の基板温度でＭＢＥを３０分間行なうことにより３ｉで
ドープされたｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層を０．５μ
Ｉ成長する。最俊には、トランス７７０ツド３を矢印Ｙ
２方向へ戻し、基板搬送部１１を矢印×２方内に移動す
ることによりｎ型ＧａＡｓエピタキシアル層を成長され
たＧａＡｓ基板１３が基板交換室１内に戻される。
本実施例によれば、ＧａＡｓ基板１３の洗浄は基板ドラ
イエツチング室５内の真空中でのドライエツチングによ
って行なわれ、大気中又は液中での洗浄は行なわれない
。更に、洗浄済のＧａＡｓ基板１３は、基板搬送り２を
介して真空中でＭＢＥ成長室９内に搬入される。このた
め、洗浄済のＧａＡｓ基板１３がＭＢＥ成長室９内に搬
入されるまでに大気にさらされて基板表面にＣＯ２やＨ
２Ｏが付着するといった不都合は生じない。
イエツチング室５内の真空中でのドライエツチングによ
って行なわれ、大気中又は液中での洗浄は行なわれない
。更に、洗浄済のＧａＡｓ基板１３は、基板搬送り２を
介して真空中でＭＢＥ成長室９内に搬入される。このた
め、洗浄済のＧａＡｓ基板１３がＭＢＥ成長室９内に搬
入されるまでに大気にさらされて基板表面にＣＯ２やＨ
２Ｏが付着するといった不都合は生じない。
従来は、エピタキシアル層と基板との界面イ」近でのキ
ャリア空乏層の低減、即ち、洗浄後の基板上の残留炭素
の除去が不十分であるため、ＭＢＥにより極めて薄いエ
ピタキシアル層を成長しても良質なエピタキシアル層は
得られない。そこで、ＭＢＥにより比較的厚いエピタキ
シフル層を成長して残留炭素による影響を軽減しようと
してし、一般に、ＭＢＥにより比較的厚いエピタキシア
ル層を成長するとエピタキシアル層に大なる表面欠陥を
生じてしまう。しかし、本発明方法及び装置によれば、
極めて薄く、かつ、良質なエピタキシアル層を成長する
ことが可能である。
ャリア空乏層の低減、即ち、洗浄後の基板上の残留炭素
の除去が不十分であるため、ＭＢＥにより極めて薄いエ
ピタキシアル層を成長しても良質なエピタキシアル層は
得られない。そこで、ＭＢＥにより比較的厚いエピタキ
シフル層を成長して残留炭素による影響を軽減しようと
してし、一般に、ＭＢＥにより比較的厚いエピタキシア
ル層を成長するとエピタキシアル層に大なる表面欠陥を
生じてしまう。しかし、本発明方法及び装置によれば、
極めて薄く、かつ、良質なエピタキシアル層を成長する
ことが可能である。
なお、反応性ガスエツチングに用いられる反応性ガスは
ＨＣ之ガスに限られるものではなく、例えばＣ２２ガス
を使用することもできる。
ＨＣ之ガスに限られるものではなく、例えばＣ２２ガス
を使用することもできる。
以上本発明を実施例により説明したが、本発明は本発明
の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこれ
らを廃除するものではない。
の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこれ
らを廃除するものではない。
本発明によれば、化合物半導体基板の表面破壊層を反応
性ガスエツチングにより除去し、化合物半導体基板の表
面に残留している不純物を反応性ガスエツチングにより
除去してから分子線エピタキシアル成長により半導体の
エピタキシアル層を成長するので、化合物半導体基板の
表面破壊層の除去及びその後化合物半導体基板の表面に
残留する不純物の除去を確実に、かつ、化合物半導体基
板の表面モホロジーを劣化させることなく行なってから
分子線エピタキシアル成長により良質の半導体のエピタ
キシアル層を化合物事導体基板上に成長することができ
、実用的には極めて有用である。
性ガスエツチングにより除去し、化合物半導体基板の表
面に残留している不純物を反応性ガスエツチングにより
除去してから分子線エピタキシアル成長により半導体の
エピタキシアル層を成長するので、化合物半導体基板の
表面破壊層の除去及びその後化合物半導体基板の表面に
残留する不純物の除去を確実に、かつ、化合物半導体基
板の表面モホロジーを劣化させることなく行なってから
分子線エピタキシアル成長により良質の半導体のエピタ
キシアル層を化合物事導体基板上に成長することができ
、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明方法の一実施例を説明するための図、
第２図は本発明方法の他の実施例を説明するための図、
第３図はエツチング速度と基板温度との関係を示す図、
第４図は界面付近でのキャリア濃度を示す図、第５図は
本発明装置の一実施例を示す平面図である。 図において、 １は基板交換室、 ２は基板搬送室、 ３．４はトランス７７０ツド、 ５は基板ドライエツチング室、 ６は基板加熱オーブン、 ７はパルプ、 ８はボンベ、 ９はＭＢＥ成長室、 １１は基板搬送部、 １３はＧａＡｓＷ板 を示す。 杢、全相方法の一＊＃ＪＩＩ ｆ教プ耳オ台たｈｎｌ困
第１図 第２図 、を占）目す社τ′のキイリア助１建玄ホオひ員第４図
本発明装置の一実施例を示す平面図である。 図において、 １は基板交換室、 ２は基板搬送室、 ３．４はトランス７７０ツド、 ５は基板ドライエツチング室、 ６は基板加熱オーブン、 ７はパルプ、 ８はボンベ、 ９はＭＢＥ成長室、 １１は基板搬送部、 １３はＧａＡｓＷ板 を示す。 杢、全相方法の一＊＃ＪＩＩ ｆ教プ耳オ台たｈｎｌ困
第１図 第２図 、を占）目す社τ′のキイリア助１建玄ホオひ員第４図
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上に半導体のエピタキシアル層
を成長させる分子線エピタキシアル成長方法において、 該化合物半導体基板の表面破壊層を反応性ガスエッチン
グにより除去する第１の工程と、 該第１の工程後に該化合物半導体基板の表面に残留して
いる不純物を反応性ガスエッチングにより除去する第２
の工程と、 該第２の工程後に該化合物半導体装置基板上に該エピタ
キシアル層を分子線エピタキシアル成長により成長させ
る第３の工程とを含むことを特徴とする分子線エピタキ
シアル成長方法。 - （２）化合物半導体基板上に半導体のエピタキシアル層
を成長させる分子線エピタキシアル成長装置において、 該化合物半導体基板の表面破壊層を反応性ガスエッチン
グにより除去すると共に該化合物半導体基板の表面に残
留している不純物を反応性ガスエッチングにより除去す
るドライエッチング室と、該ドライエッチング室から真
空中で搬入される該化合物半導体基板上に該エピタキシ
アル層を分子線エピタキシアル成長により成長させる分
子線エピタキシアル成長室とを備えたことを特徴とする
分子線エピタキシアル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3899588A JPH01214017A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 分子線エピタキシアル成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3899588A JPH01214017A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 分子線エピタキシアル成長方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214017A true JPH01214017A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12540714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3899588A Pending JPH01214017A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 分子線エピタキシアル成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214017A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897193A (ja) * | 1994-02-15 | 1996-04-12 | At & T Corp | 半導体素子の製造方法 |
| US6528395B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-03-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of fabricating compound semiconductor device and apparatus for fabricating compound semiconductor device |
| US7550304B2 (en) | 2006-08-28 | 2009-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor laser element |
| CN110828300A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-02-21 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 外延工艺方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101490A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線結晶成長方法と装置 |
| JPH01158720A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Nec Corp | 化合物半導体結晶成長方法及び結晶成長装置 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3899588A patent/JPH01214017A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101490A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線結晶成長方法と装置 |
| JPH01158720A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Nec Corp | 化合物半導体結晶成長方法及び結晶成長装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6815316B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-11-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for fabricating compound semiconductor device |
| US7550304B2 (en) | 2006-08-28 | 2009-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor laser element |
| CN110828300A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-02-21 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 外延工艺方法 |
| CN110828300B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-03-18 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 外延工艺方法 |
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