JP2939495B2

JP2939495B2 - 半導体表面処理方法

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Publication number: JP2939495B2
Application number: JP25299390A
Authority: JP
Inventors: 嘉記和田; 一実和田; 洋一間田
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1990-09-21
Filing date: 1990-09-21
Publication date: 1999-08-25
Anticipated expiration: 2014-08-25
Also published as: JPH04130721A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、III−Ｖ族化合物半導体を用いたデバイス
の表面改質技術に関し、該半導体の表面上に金属、半導
体、あるいは絶縁体の膜を形成する前の表面改質処理に
関するものである。

（従来の技術） GaAs等のIII−Ｖ族化合物半導体では、良好なMOSやMI
S形構造は得られていない。この理由は、半導体上の酸
化膜や絶縁膜との界面、即ちこれらの膜と半導体表面の
間に、半導体の自然酸化膜や汚染、あるいは半導体表面
にダングリングボンドが存在するので、低い界面準位密
度を実現できないことにある。

この界面での振舞いが、III−Ｖ族化合物半導体を用
いたLSI等の半導体デバイスの性能向上や製造時の歩留
まり向上を阻害する大きな原因となっている。

以下、この阻害要因を取り除くための、従来技術につ
いて述べる。

従来技術の内で注目されているものとしては、（N
H₄）₂Sx水溶液へのGaAsウエハの浸漬がある。この従来
技術は、半導体表面のＣ原子の汚染や自然酸化を抑える
効果があることが、南日、他によって、文献（J.J.A.
P.,vol.28,p.L340（1989），等）に報告されている。更
に、効果としては、この（NH₄）₂Sx水溶液で処理したGa
As表面のフォトルミネッセンス強度（PL強度と以下では
記す。）は、処理を行っていないGaAs表面のおよそ数倍
のバンド端発光を呈する事を挙げられる。このPL強度の
増加現象は、GaAsの表面にダングリングボンドをＳ原子
が終端して、この結果、表面準位密度が減じ、また、表
面の再結合速度を低減するためであると解釈されてい
る。事実、この処理を行った表面に蒸着法でSiO₂膜を堆
積して作ったMOSダイオードの界面準位密度は、最小値
で、およそ１×10¹¹cm^-2eV^-1の、非常に低い値を示した
と報じられている。また、この処理の効果は、GaAsだけ
に有効ではなく、III−Ｖ族化合物半導体に類似の効果
をもたらすことが、上記の文献等で明らかにされてい
る。これらの従来技術に関するレビューには、日本学術
振興会，結晶加工と評価技術第145委員会，第50回研究
会資料,p.1（1990）等がある。

なお、（NH₄）₂Sx水溶液での処理ほどの効果をもたら
さないが、これに近い効果が、Na_zS水溶液への浸漬によ
っても得られることが知られている。

以下では、特に断らない限り、上記の（NH₄）₂Sx水溶
液による処理を湿式処理あるいは湿式法と呼ぶ。

ところで、このような湿式法では微細部への溶液の循
環性困難による微細化プロセスの不適合，不均一性、溶
液による汚染等の問題点がある。これを克服できると考
えられる従来の技術としては、処理室のバッグプレッシ
ャーを超高真空にしたMBE装置を用いた乾式法の検討が
ある。この技術の基本は、文献（古くは、L.Massies,e
t.al.,j.Vac.Scl.Technol.,vol.17,p.1134（1980））に
よって報告されており、彼らは、１×10^-8torr.以下の
超真空装置中にGaAsアエハを置き、これを加熱し、表面
の自然酸化物を蒸発させ、その後にこの超真空装置中に
H₂Sガスを圧力にして１×10^-6torrだけ導入し、GaAsの
表面にＳの付着が起こることを確認している。彼らは、
付着は室温から700Kまでの温度範囲で起こり、800K（52
7℃）以上では付着したＳ原子が離脱すると述べてい
る。彼らは、このMBE技術を用いたＳ処理表面にショッ
トキー接合を形成し、障壁高さが未処理に較べて低くな
ることを、文献（Appl.Phys.Lett.,vol.38,p.693（198
1））で明らかにし、この乾式法がなんらかの表面処理
効果を持っていることを明らかにしている。

他のVI_B族原子でるSeについても、やはり、MBE装置を
用いた同様の実験がある。これは、高谷、他により、平
成２年３月に応用物理学会春季講演会で報告されてお
り、詳細は、日本学術振興会，結晶加工と評価技術第14
5委員会，第50回研究会資料,p.7（1990）に記されてい
る。彼らは、GaAsの再構成表面上に、120℃に加熱した
Ｋセルを用いてSeを５×10¹⁴cm^-2sec^-1のフラックスで
蒸発することによって、Seの付着が起こることを、そし
て、この結果Ga−Seの結合が形成されることを確認し、
更にSOR光を用いたXPSの実験からGaAsの表面のバンドピ
ンニングが緩まりフラットバンド化していると判断し
た。彼らの実験によると、Seの付着は150℃以上で起こ
ること、また、500℃の熱処理でも付着は保たれるが、6
00℃では離脱することが述べられている。この熱処理に
よるＳ離脱は、湿式Ｓ処理で付着したＳの離脱温度500
℃よりも高い。しかし、彼らの乾式処理では、最も基本
的な特性である半導体表面のフォトルミネッセンス強度
が未処理に比較して向上したという報告はない。このこ
とは、上記のフラットバンド化が実現できておらず、XP
Sでは別の現象を観測している可能性が強い。即ち、従
来の乾式法では、湿式法のような界面準位低減の効果、
あるいは表面再結合速度の減少に対応する改善効果が得
られていない。

（発明が解決しようとする課題）従来技術である湿式処理はIII−Ｖ族化合物半導体の
表面処理に有効であることが明かになったが、これらの
処理では、Ｓを含む水溶液を用いており、細部への液
の侵入が困難であり、微細化用のプロセスには適さな
い、処理表面にＳを主とする凹凸の形状をもつ固体残
留が存在し、面内の均一性を確保しにくい、更に、溶
液の原材料に含まれる不純物による製造プロセスへの汚
染が懸念される、等の問題点があった。

また、従来の乾式法では、デバイスにとって重要な、
PL強度が増さない、即ち表面再接合速度や界面準位密
度の低減効果を示さない、超高真空の維持や保守が量
産性になじまない等の問題点があった。

本発明は、これらの問題点を解決するために提案され
たもので、その目的は、量産性・製造性に優れ、かつ、
表面再結合速度の低減に対して良好な効果をもたらすII
I−Ｖ族化合物半導体用の表面改質技術を提供すること
にある。

（課題を解決するための手段）上記の目的を達成するため本発明は、常圧ないし減圧
ガス雰囲気中におけるGaとAsを含むIII−Ｖ族化合物半
導体の半導体表面処理方法において、AsH₃ガスを供給し
半導体表面をAsにする工程と、（CH₃）₃Gaまたは（C
₂H₅）₃Gaを供給し該半導体表面をGaにする工程と、H₂S
又はH₂Seを供給し該半導体表面のGaをＳまたはSeと結合
させる工程を有することを特徴とする半導体表面処理方
法を発明の要旨とするものである換言すれば、本発明はIII−Ｖ族化合物半導体の構成
原子を表面に露出させた後、この半導体の表面に表面改
質原子を含んだガスを供給することによって、半導体表
面にある構成原子と表面改質原子を化学的に結合させる
工程を、粘性流状態あるいはこれに近い中間流状態の常
圧ないし減圧ガス雰囲気中で行うことを主な特徴とす
る。

（作用）本発明によれば、III−Ｖ族化合物半導体に表面改質
原子を含んだガスを供給することによってIII−Ｖ族化
合物半導体表面にある原子と前記表面改質原子を結合さ
せることによって、PL強度が強くなり、従来よりも低い
表面再結合強度あるいは低い表面欠陥密度を実現するこ
とができる。

（実施例）次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例
は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲
で、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまで
もない。

第１図は本発明の第１の実施例に用いた、表面処理装
置の概略図を示す。

図において、１は試料交換室、２は試料交換用バル
ブ、3,3′,3″は気密バルブ、４は処理室、5,5a,5b,5c
は処理室圧力制御装置、６は試料加熱用試料台、７は試
料温度制御装置、８は試料、９は試料交換装置、10はガ
ス制御バルブ、11は流量制御装置、12は恒温槽、13は原
料ボンベを示す。

次の実施例においては、III−Ｖ族化合物半導体とし
てはGaAsを、表面改質原子としてはＳを、そしてこれを
含んだガスにはH₂Sを用いた第１の実施例を述べる。

また、この実施例では、メカノケミカル法で鏡面を仕
上げたｎ形およびｐ形のGaAsウエハを試料とした実施例
を述べる。各ウエハのキャリア濃度は10¹⁷〜10¹⁸cm^-3で
ある。

第１の実施例：まず、本発明の処理を行う前に、試料の前処理を行
う。

（前−１）GaAsウエハ試料の表面層を、厚さ３μｍだ
け、アンモニア系エッチング溶液を用いて除去する。こ
の工程は、表面に残っている機械的損傷層を取り除くた
めである。

（前−２）試料を希釈HF溶液に数分間浸す。この工程
は、表面に存在する酸化物を可能な限り除去するために
行う。

以上でバルクウエハを試料とした場合の前処理を完了
する。なお、既に製造プロセス中にあり、本発明の表面
処理を行おうとする面が既に露出している製造中のウエ
ハの場合には、前処理を行わずに直ちに以下の処理に入
る。

（１−１）試料８を表面処理装置の試料交換室１内に入
れて、１×10^-5torr.以下まで真空排気した後、処理室
４内に移す。その後、処理室４内には、純化した水素を
数リットル／分の割合で流し、かつ、以下の本発明の処
理中は処理室内の圧力を約60torr.の減圧状態に保つ。
ここで、処理室４内のガス流量および圧力は、酸素等の
悪影響をもたらす残留ガス分子が容易に試料表面に衝突
しないようにする為に必要な条件である。

即ち、以下の工程で、試料表面近傍が層流で囲まれて
いる状態をつくる必要がある。言い換えると処理室４内
が粘性流あるいは、粘性流より僅かに分子流に近づいた
中間流の状態を実現できる、処理室の形状やガス圧力や
ガス種で決まる、条件に設定する。例えば、この実施例
で用いた装置では、粘性流は10^-1torr.程度以上で実現
できるので、およそ10^-2torr.が下限である。なお、数
気圧以上でも粘性流になるので、この程度の圧力を上限
にできるが、安全性の観点から通常は大気圧以下で行
う。

（１−２）50〜400sccmのAsH₃ガスを処理室に流しなが
ら、５〜15分の間、試料の温度を650〜700℃に保持す
る。この工程は、試料表面に残っている自然酸化膜等を
分解・蒸発させるクリーニング工程である。AsH₃ガス
は、GaAs表面からのAs抜けを防ぐために流している。な
お、処理時間は試料表面の清浄度合によって短くした
り、場合によっては０分にすることもできる。

（１−３）AsH₃ガスを切り、試料温度T1を500〜700℃に
設定し、50〜500sccmのH₂Sガスを流した状態を10分保持
する。なお、この例では、H₂ガスで約1000ppmに希釈し
たH₂Sガスを使用した。

（１−４）試料温度を下げ、温度がGaAsからのAsの解離
温度以下になったらH₂Sガスを切り、室温近傍になって
から試料を取り出す。

上記の（前−１）から（１−４）に述べた本実施例の
処理を行った試料と、上記の（前−１）と（前−２）の
前処理のみを行った標準試料の、AES分析とXPS分析の結
果を、それぞれ第２図と第３図に示す。

第２図においては、横軸に電子エネルギー、縦軸に相
対強度をとり、（イ）標準試料と（ロ）本発明の処理を
施した試料について示してある。

また第３図においては、横軸に結合エネルギー、縦軸
に信号強度をとり、（イ）標準試料と（ロ）本発明の処
理を施した試料について示してある。

第２図，第３図とも測定は処理後５日目に実施した。

本発明の処理では、処理後、試料を大気に曝している
にも拘らず、表面に存在するＣやＯは微量であり、ま
た、Asの酸化物も検出されていない。更に、本発明の処
理を施した試料のPL発光強度は、標準試料に対して、最
大値で約８倍に達している。この値は、従来の湿式処理
で作製した試料の最大値、約５倍を上回った。以上、述
べた本乾式処理の効果は、H₂Sガスの供給量と供給時間
に比例した。

以上をまとめると、従来の乾式法ではPL強度が１倍に
ならなかったのに比較すると、本発明の実施例では、顕
著な表面改質が実現できること、更に、湿式処理に比例
しても、同等以上の改質（PL強度の増加、言い換える
と、表面再結合速度の低減効果）が実現できた。

次に、本発明の処理をした試料を乾燥雰囲気中に保存
した場合の、ｎ形GaAsウエハについてPL発光強度の経時
変化の例を第４図に、従来の湿式（NH₄）₂Sx水溶液処理
した試料と対比して示す。第４図は横軸に保存時間、縦
軸にPL強度をとってある。両者のPL強度の経時変化特性
は互いに類似しており、およそ、数日で半減し、次第に
未処理の値に近づく。このPL強度の寿命は、特願平２−
159485号「保護膜形成方法」に示したように、この実施
例の処理をした表面にＳを構成元素とする化合物膜を形
成することによって、半無限に引き延ばすことができ
る。

これらの特性に加え、通常の湿式処理では、処理直前
では鏡面にならないが、本発明の処理では常に鏡面が得
られる。従って、半導体の製造に要求される面内均一性
については、本発明の方法が明らかに優れている。

この乾式法の示す上述の優れた特性は、第１として
は、上記処理の期間中に試料が純粋な水素を主とするガ
ス雰囲気に包まれるために、即ち、本発明の圧力領域よ
りも低い従来の乾式雰囲気でおこる試料への残留ガスの
付着が抑制されることに由来し、第２としては、この反
応が熱平衡状態に近いために、即ち、従来の乾式や湿式
で起こるＳの機械的等による付着堆積が抑制されること
に由来している。

上記の（１−３）の処理では試料温度T1を500〜700℃
に設定した。AES分析によると、Ｓの付着は試料温度が5
00℃未満でも認められる。しかし、500℃未満ではPL強
度の増加が殆ど起こらない。試料温度T1が500℃ではPL
強度の増加の兆しが認められるが、明瞭な、数倍以上の
PL強度の増加は試料温度を550℃以上にしなければ観測
されない。従って、Ｓはかなり低温から分解してGaAsに
付着するが、PL強度の上昇をもたらすために必要なGaAs
との結合を形成するには、500℃以上のエネルギーを外
部から与える必要がある。なお、試料温度の上限は、半
導体結晶の品質が変わらない程度の温度であればよく、
700℃以上でも可能である。

ところで、本発明の主要工程である上記の（１−３）
の工程での反応を考える。この工程は、次の３つの反応
過程が並列して、あるいは、連続的に進行していると考
えられる。

反応過程1:（１−２）の工程、すなわち要約すればAsH₃
ガスを処理室に流しながら、試料の温度を650〜700℃に
保つ工程後のGaAs表面にはAsが露出しており、このAsに
Ｓが結合し、その後、これからAsが抜けて下のGaとＳの
結合ができる反応。

反応過程2:（１−２）の工程、すなわち要約すればAsH₃
ガスを処理室に流しながら、試料の温度を650〜700℃に
保つ工程後のGaAs表面にはAsが露出しており、このAsに
Ｓが結合し、その後、このＳとAsの化合物が蒸発するの
で、Gaが露出し、このGaに別のＳが結合を作る反応。

反応過程3:GaAsからのAsの離脱によって表面にGaが露出
し、そこにＳが結合を作る反応。

これらの反応によって、試料表面全体にＳが結合した
状態が形成される。融点と熱化学的な考察から、PL強度
の増加がえられた条件では、最終的にはGaとＳの結合を
主とした表面構造が出来ていると言える。

さて以上の考察から、これらの個々の反応過程を選択
的に強調した処理が存在することがわかる。この一例を
第２の実施例に示す。

この第２の実施例では、第１の実施例の（１−３）の
操作を、試料表面をGaにする処理（処理１）と、その直
後にこのGaとＳを結合させる処理（処理２）に置き換え
たものである。次にこれを説明する。

第２の実施例：試料の前処理を行う。

（前−１）GaAsウエハ試料の表面層を、厚さ３μｍだ
け、アンモニア系エッチング溶液を用いて除去する。

（前−２）試料を希釈HF溶液に数分間浸す。

（２−１）試料８を表面処理装置の試料交換室１内に入
れて、１×10^-5torr.以下まで真空排気した後、処理室
４内に移す。その後、処理室４内には、純化した水素を
数リットル／分の割合で流し、かつ、以下の本発明の処
理中は処理室内の圧力を約60torr.の減圧状態に保つ。

（２−２）50〜400sccmのAsH₃ガスを処理室に流しなが
ら、５〜15分の間、試料の温度を650〜700℃で保持す
る。

（２−３）試料温度を400〜500℃に設定し、AsH₃ガスを
切り、水素ガスでバルブした（CH₃）₃Ga（以下、TMGと
記す）を10sccmだけ5sec間供給する。この工程は、表面
の原子を一層だけGaにするための、周知の単原子層成長
技術を適用した操作である。この工程は、試料表面をGa
で覆う工程（処理１）となる。なお、TMGの替わりに、
（C₂H₅）₃Gaを用いた場合は、低温で反応するので、処
理時の試料温度を更に50〜100℃だけ低く設定する。

（２−４）50〜500sccmのH₂Sガスを流しながら、試料温
度を550〜700℃に上げ、この温度に到達後、10分保持す
る。この操作が、GaとＳが結合を形成する工程（処理
２）となる。なお、試料温度が高い場合には、試料から
のAsの離脱が加速されるので、この場合には、（２−
３）による工程で着いたGa以外に、As抜けにより露出し
たGa等も反応に加わる。

（２−５）試料温度を下げ、温度がGaAsからのAsの解離
温度以下になったらH₂Sガスを切り、室温近傍になって
から試料を取り出す。

第３の実施例として、上記の実施例を低温化した方法
を述べる。

第３の実施例：（前−１）GaAsウエハ試料の表面層を、厚さ３μｍだ
け、アンモニア系エッチング溶液を用いて除去する。

（前−２）試料を希釈HF溶液に数分間浸す。

（３−１）試料８を表面処理装置の試料交換室１内に入
れて、１×10^-5torr.以下まで真空排気した後、処理室
４内に移す。この後、処理室４内には、純化した水素を
数リットル／分の割合で流し、かつ、以下の本発明の処
理中は処理室内の圧力を約60torr.の減圧状態に保つ。

（３−２）処理室にCL₂を50〜300sccmだけ流しながら、
０〜15分の間、試料の温度を約400℃に保持する。この
工程では、試料表面に残っている自然酸化膜等をエッチ
ングガスを用いて化学的にクリーニング除去する。

（３−３）試料温度を400〜500℃に設定し、AsH₃ガスを
切り、水素ガスでバルブした（CH₃）₃Ga（以下、TMGと
記す）を10sccmだけ5sec間供給する。

（３−４）H₂Sガスを50〜500sccm流し、このガスが試料
に触れる直前に、予め加熱し、ＳがGaと結合する直前の
状態にガスを励起する。一方、試料温度は400℃程度に
保ち、上記と同程度の時間だけ保持する。なお、試料直
前での予備加熱温度には、上記の反応が起こる温度、即
ち、550〜700℃を適用できる。この工程が、GaとＳが結
合を形成する反応過程（処理２）をもたらす。

（３−５）試料温度を下げ、温度がGaAsからのAsの解離
温度以下になったらH₂Sガスを切り、室温近傍になって
から試料を取り出す。

以上の方法で、550℃以下の試料温度を実現できる。

この第３の実施例の（３−４）では、表面改質原子を
含むガスを予め反応しやすい状態に加熱によって励起す
る手法を応用して低温化を図った。

H₂S分子は270nmの光吸収端を持っており、また、200n
mに吸収が極大になるので、低圧水銀灯などからの紫外
線による励起も可能である。また、高出力のレーザ光を
用いれば強度が高いので、この吸収が起こる波長でなく
とも、多フォトン吸収による反応が起こり、低温化が可
能である。更に、試料表面に光を照射すると、一般に反
応が促進するので、本発明にもこの技術を応用できる。

第４図の実施例としては、反応過程２を強調した方法
がある。この実施例では、第３の実施例から（３−３）
に相当する強制的なGa付の工程を省く。このGa付を省い
た場合でも、処理時の試料温度が約400℃以上に設定し
ておけば、表面で結合したAsとＳが共に蒸発する結果、
表面にGaが現れ、このGaにＳが結合し、処理が完了す
る。

上記の実施例では、H₂Sを用いたが、この代わりに、C
H₃SHや（CH₃）₂S等の有機系ガスを用いても上記と同様
の反応を期待でき、かつ、H₂Sより低温で反応しやすい
ので、試料温度の低温化にはこれらの構造を持つ表面改
質用ガスを用いることができる。

以上、Ｓを表面改質原子に選んだ場合を述べたが、Se
を表面改質原子に選び、H₂Seを表面改質用ガスに用いた
場合についても、第１の実施例と同様の実験を行った。
このH₂Seの場合にも、H₂Sと同様に、400℃近傍の基板温
度からSeの分解と付着が始まり、更に、高温ではＳと同
様の効果が認められた。

以上、GaAsについてまとめると、表面改質原子として
は、III_B族原子と強い化学結合をつくり、かつ界面に準
位を作らずに固体となる、S,Se,Cl、及びＦ等が有効で
ある。

これまでは、III−Ｖ族化合物半導体がGaAsの場合に
ついて述べたが、湿式Ｓ処理の効果は、Inp,AlGaAs,GaP
についても効果あることが確認されているので、基本的
には上記の実施例と同様の手法をこれらの化合物半導体
にも適用できると類推できる。

第１の実施例でふれたが、本発明において試料はバル
クウエハに限ったものではない。

実際の半導体デバイスの製造プロセスへの応用例で
は、まず、（１）半絶縁性GaAs基板に既存のイオン注入と熱処理技
術を用いて、FET用ウエハを準備し、（２）耐熱性金属のスパッタ堆積とホトリソグラフ法に
よって、約700℃以上の耐性を持つゲート電極を形成し
た後に、改質する表面を出し、（３）この改質する半導体表面に本発明の方法により表
面改質を行い、（４）この改質表面にパッシベーション膜を形成し、（５）以下、500℃未満の温度条件下で必要な配線や層
間膜等のプロセスを施して、GaAsICを完成する。なお、
本発明の表面処理は、500℃以下の熱処理に対してはPL
強度は劣化しないので、表面改質後は、500℃以下の温
度条件で製造する。この方法をとれば、半導体とパッシ
ベーション膜の界面でのリークの低減やFETの電極間の
シリーズ抵抗の低減に有効である。

（発明の効果）叙上のように本発明によれば、III−Ｖ族化合物半導
体に表面改質原子を含んだガスを供給することによって
III−Ｖ族化合物半導体表面にある原子と前記表面改質
原子を結合させることにより、III−Ｖ族化合物半導体
の表面あるいは界面に対して、従来法の湿式法や乾式法
では実現できなかった、次の利点をする。

（１）PL強度が未処理に較べて強くなり、従来よりも低
い表面再結合速度、あるいは低い表面欠陥密度を実現で
きる。これは、従来の乾式法では実現できない。更に、
この効果は、従来の湿式処理を上回る。（２）試料を層
流で包むために、汚染に強く、（３）MBEに比べると量
産性に富んでいる。また、（４）幾何学的に構造物の影
になる領域にも付着するので微細化に適し、（５）従来
の湿式に比べると、均一性に富む。（６）湿式に比較す
ると、ウエハを気密搬送する系を作り易く、クリーン化
に有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の処理に用いた表面処理装置の概略図、
第２図は標準試料と本発明の処理を施した試料のAES分
析結果、第３図は標準試料と本発明の処理を施した試料
のXPS分析結果、第４図はPL発光強度の経時変化例を示
す。１……試料交換室２……試料交換用バルブ 3,3′,3″……気密バルブ４……処理室 5,5a,5b,5c……処理室圧力制御装置６……試料加熱用試料台７……試料温度制御装置８……試料９……試料交換装置 10……ガス制御バルブ 11……流量制御装置 12……（CH₃）₃Ga用恒温槽 13……原料ボンベ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/51 H01L 29/872

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】常圧ないし減圧ガス雰囲気中におけるGaと
Asを含むIII−Ｖ族化合物半導体の半導体表面処理方法
において、 AsH₃ガスを供給し半導体表面をAsにする工程と、（CH₃）₃Gaまたは（C₂H₅）₃Gaを供給し該半導体表面をG
aにする工程と、 H₂S又はH₂Seを供給し該半導体表面のGaをＳまたはSeと
結合させる工程を有することを特徴とする半導体表面処
理方法。