JPH0529211B2 - - Google Patents
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- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
この発明は、たとえば香料、熱媒体、難燃剤な
どの中間体として用いられるジフエニルエーテル
類の製造方法に関し、さらに詳しく言うと、フエ
ノールおよび/または低級アルキル基で置換され
たフエノールを特定の触媒の存在下に反応させる
ことにより、ジフエニルエーテル類を高い選択率
で得ることができるジフエニルエーテル類の製造
方法に関する。 [従来の技術およびその問題点] 従来、ジフエニルエーテル類の製造方法として
は触媒としてシリカ−アルミナを用いる方法や酸
化チタンまたは酸化ジルコニウムを用いる方法
(特開昭59−196835号公報)などが知られている。 しかしながら、触媒としてシリカ−アルミナを
用いる方法においては、副生物としてメチル化フ
エノールが生成し、ジフエニルエーテル類の選択
率が低いという問題があつた。 また、触媒として酸化チタンまたは酸化ジルコ
ニウムを用いる方法においては副生物としてジベ
ンゾフランが生成し、ジフエニルエーテル類の選
択率が低いという問題の他に、ジベンゾフランの
分離が困難であるので、得られるジフエニルエー
テル類の純度が低いという問題があつた。 [前記問題点を解決するための手段] この発明は前記事情に基いてなされたものであ
る。 すなわち、この発明の目的はジフエニルエーテ
ル類の従来の製造方法が有していた前記問題点を
解消し、高い選択率でジフエニルエーテル類を得
ることができるジフエニルエーテル類の製造方法
を提供することである。 この発明者らは、触媒として特定の結晶性金属
シリケートを用い、かつ、該結晶性金属シリケー
スとフエノールおよび/または低級アルキル基で
置換されたフエノール(以下、これらをフエノー
ル類と総称することがある。)とを液相反応系で
接触させることにより前記目的が達成できること
を見い出してこの発明に到達した。 前記目的を達成するためのこの発明の要旨は、
ケイ素酸化物(SiO2)とAl、Ga、B、Fe、Crよ
りなる群から選択される三価金属の酸化物
(M2O3)とのモル比(SiO2/M2O3)が12以上で
ある結晶性金属シリケートを含む触媒と、フエノ
ールおよび/または低級アルキル基で置換された
フエノールとを液相反応系で接触させることを特
徴とするジフエニルエーテル類の製造方法であ
る。 前記結晶性金属シリケートとしては、たとえば
式[1]; M2O3・XSiO2・mH2O [1] (ただし、式[1]中、mH2Oは結晶の構
造水を示し、mはMの種類、Xの価などに
よつて変化する。) で表わされるケイ素酸化物と三価の金属酸化物と
から構成され、Mが、Al、Ga、B、Fe、Crより
なる群から選択される一種もしくは二種以上の金
属元素であり、かつ、Xすなわち、モル比
(SiO2/M2O3)が12以上、好ましくは40〜3000
であり、結晶性の空洞構造を有する結晶性金属シ
リケートを挙げることができる。ここで、上記モ
ル比(SiO2/M2O3)が12未満であると、ジフエ
ニルエーテル類の選択率が低い場合や触媒活性の
低下が著しい場合があるので好ましくない。 なお、H型ゼオライトもこれに含まれる。これ
らのうち、酸素10員環の主空洞を有するZSM−
5型構造のゼオライトすなわちペンタシル型構造
の金属シリケート属する結晶性金属シリケートが
好ましい。このような結晶性金属シリケートとし
て、たとえば、MがAlである場合について特公
昭46−10064号公報、米国特許第3790471号明細書
などに記載されているZSM−5、特開昭47−
25097号公報に記載されているZSM−8、特公昭
53−23280号公報に記載されているZSM−11、特
開昭52−139029号公報などに記載されている
ZSM−35、米国特許第4001346号明細書などに記
載されているZSM−21などの結晶性アルミノシ
リケートであつて、SiO2/M2O3が12以上のもの
を好適に使用することができる。 また、MがFeの例として、ジヤーナル・オ
ブ・キヤタリシス(Journal of Catalysis)第35
巻、第256頁〜272頁(1974年)、特開昭50−
127898号公報あるいは特開昭55−85415号公報な
どに記載されているフエリエライトなどの結晶性
鉄シリケートがある。MがGaの例としては、
ZSM−5型構造を有するガロシリケートなどの
結晶性ガロシリケートがある。Mが、B、Crで
ある例としては、前記結晶性アルミノシリケート
中のAlが三価のB、Crで置き換わつた構造を有
する結晶性金属シリケートがある。 この発明の方法において用いられる前記結晶性
金属シリケートは、公知の方法によつて調製する
ことができる。 たとえば、前記ZSM−5型ゼオライトもしく
はペンタシル型の結晶性金属シリケートを合成す
る方法としては、炭素数が2〜5であるテトラア
ルキルアンモニウムハライド、その他のアミン類
の存在下もしくは不存在下において、シリカ源と
してコロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ
酸またはその縮合物、あるいはケイ酸塩、金属酸
化物(M2O3)源として、たとえば、硫酸アルミ
ニウム、硝酸ガリウム、ホウ酸、硫酸第二鉄、硫
酸クロム、アルミン酸ナトリウムなどの金属元素
Mの硫酸塩、硝酸塩ななどの塩あるいは酸素酸塩
などを主成分とする混合物を用いて水熱合成によ
つて調製できることが知られている。 また、前記の水熱合成の際に、ナトリウムなど
のアルカリ金属水酸化物、ハライドなどのアルカ
リ金属化合物またはアルカリ土類金属の水酸化物
およびその塩を共存させて調製する方法も知られ
ている。 これらの方法によつて得られる結晶性金属シリ
ケートは一般にH+型ではなく、H+の代わりに4
級アンモニウムイオンおよび/またはNa+などの
アルカリ金属イオンが置換されているので、これ
をH+型に変えるのが好ましい。この変換は公知
の方法によつて容易に達成できる。 たとえば4級アンモニウムイオンをH+に変え
るには、空気中約500〜600℃の温度で焼成するこ
とによつて達成できることが知られており、一
方、Na+などのアルカリ金属塩型結晶性金属シリ
ケートを、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム
ななどのアンモニウム塩の水溶液で処理してアン
モニウム塩型金属シリケートを得る方法がよく用
いられる。 これらのほか、直接、希塩酸などの稀薄な酸で
処理する方法を用いることもできる。 前記結晶性金属シリケートの合成方法として
は、これら以外にも種々の方法が知られている。 この発明の方法において触媒として用いる前記
結晶性金属シリケートはこれらのいずれの方法に
よつても合成することができ、この発明は、特定
の調製法による触媒の使用に限定されるものでは
ない。 なお、この発明では、結晶性金属シリケートは
H+型であることが好ましいが、この発明の目的
の達成を阻害しない限り、触媒中のH+の一部も
しくは全部が他の陽イオン、たとえばアンモニウ
ムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、
カルシウムイオン、マグネシウムイオン、バリウ
ムイオン等で置き代わつていてもよい。 この発明における固体触媒の形状は、粉末状、
粒状、細片状、球状、ペレツト状などのいずれの
形状であつても良い。また、この発明における触
媒は、バインダーとして、たとえばシリカ、アル
ミナ、シリカ−アルミナ、マグネシア、粘土鉱物
などを含んでいてもよい。 この発明においては、触媒の活性を高めるため
に反応前に空気および/または窒素などの不活性
ガス気流中で、前記結晶性金属シリケートを焼成
することが好ましい。 焼成条件は前記結晶性金属シリケートの種類、
4級アンモニウムイオンおよび構造水の残存の度
合などにより異なるが、通常、400〜600℃、好ま
しくは450〜550℃の温度で1時間以上、好ましく
は3時間以上加熱することによつて十分な活性が
得られる。 この発明においては前記結晶性金属シリケート
のうち、少なくとも一種または二種以上からなる
混合物を触媒として使用することができる。 前記フエノール類としては、フエノールおよ
び/または低級アルキル基で置換されたフエノー
ルを用いる。 低級アルキル基で置換されたフエノールとして
は、たとえばo−クレゾール、m−クレゾール、
p−クレゾール、2,4−ジメチルフエノール、
2,4−ジエチルフエノールなどを挙げることが
できる。 前記低級アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブ
チル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−
ブチル基、n−アミル基、n−ヘキシル基などを
挙げることができる。 前記フエノール類は充分に精製されたものを用
いるのが好ましいが、この発明の目的を阻害しな
い限り、たとえば微量の水を含んでいてもよい。
この場合、反応系に含まれる水は、フエノール類
と水との総量に対して4重量%以下であるのが好
ましい。反応系に含まれる水の量が4重量%を超
えると、この発明の方法において得られるジフエ
ニルエーテル類の選択率が低下することがある。 この発明の方法で重要な点の一つは、前記結晶
性金属シリケートと前記フエノール類とを液相反
応系で接触させて反応を進行させることである。 また、この発明の方法では、溶媒として炭化水
素を用い、反応系に含まれる上記水と共沸させる
ことにより反応系から水を除去することもでき
る。前記溶媒としてはフエノール類と反応しない
ものであれば特に制限はないが、水と共沸できる
ものが好ましい。このような溶媒としては、炭化
水素が挙げられ、たとえばn−ペンタン、イソペ
ンタン、n−ヘキサン、メチルジエチルメタン、
ジメチルプロピルメタン、ジメチルイソプロピル
メタン、トリエチルメタン、n−ヘプタン、2−
メチルヘキサン、3−メチルヘキサン、3−エチ
ルペンタン、2,2−ジメチルペンタン、2,3
−ジメチルペンタン、2,4−ジメチルペンタ
ン、3,3−ジメチルペンタン、2,2,3−ト
リメチルブタン等のパラフイン類などを挙げるこ
とができる。 この発明の方法の重要な点の一つは前記結晶性
金属シリケートと前記フエノール類とを液相で接
触させて反応を進行させることである。 前記結晶性金属シリケートと前記フエノール類
との仕込み比はフエノール類/結晶性金属シリケ
ートの重量比が1/1〜100/1の範囲内である
のが好ましい。前記結晶性金属シリケートの量が
前記範囲よりも少ない場合にはジフエニルエーテ
ル類の収率が低下することがあり、一方、前記範
囲よりも多く用いても、そのことによる効果は生
じないため経済的ではない。 この発明の方法にしておいて液相反応系で反応
を進行させるための反応圧力は、液相を保ち得る
圧力であれば特に制限は無いが、通常、5〜100
Kg/cm2である。なお、この発明では高圧下で反応
を進行させることによりジフエニルエーテル類の
選択率を高めることができる。 反応温度は、通常、200〜380℃、好ましくは
250〜330℃である。前記反応温度が200℃より低
いと充分に反応が進行しないことがあり、380℃
より高いと副反応が起こつてジフエニルエーテル
類の選択率が低下することがある。 反応時間は、通常、2〜50時間である。前記反
応時間が2時間未満の場合には、反応が充分に進
行しないことがある。また、50時間以上、反応さ
せた場合には、もはや反応が進行しないことがあ
るため効率的ではない。 この発明の方法においては、比較的低い温度で
長時間、反応させることがジフエニルエーテルの
選択率を高める上で好ましい。 [発明の効果] この発明のジフエニルエーテル類の製造方法
は、触媒として特定の結晶性金属シリケートを用
い、かつ、フエノール類と該触媒とを液相で接触
させるため、次のような効果を有する。 (1) 触媒としてシリカ−アルミナを用いる方法の
ようにメチル化フエノールが副生し、ジフエニ
ルエーテル類の選択率が低いという問題がな
い。 (2) 触媒として酸化チタンまたは酸化ジルコニウ
ムを用いる従来の方法のように分離が困難なジ
ベンゾフランが副生してジフエニルエーテルの
選択率が低いという問題や得られるジフエニル
エーテルの純度が低いという問題がない。 すなわち、この発明のジフエニルエーテル類の
製造方法によれば、従来の方法が有していた問題
を解消し、高い選択率で効率よくジフエニルエー
テル類を得ることができるジフエニルエーテル類
の製造方法を提供することができる。 [実施例] この発明のジフエニルエーテル類の製造方法に
つき、触媒調製例、実施例および比較例に基い
て、さらに具体的に説明する。 触媒調製例 1 硫酸アルミニウム7.5gを水250mlに溶解し、さ
らにこれに濃硫酸17.6gおよびテトラ−n−プロ
ピルアンモニウムブロマイド26.3gを溶解してA
液を調製した。また、水ガラス[商品名「Jケイ
酸ソーダ3号」;日本化学工業(株)製]211.0gを水
250mlに溶解してB液を調製した。さらに、塩化
ナトリウム79.0gを水122mlに溶解してC液を調
製した。 次いで、A液とB液とを室温下に10分間にわた
つて同時にC液に滴下した。得られた混合液をオ
ートクレーブに入れ、170℃で20時間、加熱処理
した。冷却後、内容物を濾過水洗し、120℃で12
時間、乾燥させた。生成物をX線回折により分析
したところZSM−5であることが確認された。 得られたZSM−5を550℃で6時間、焼成する
ことによりナトリウム型ZSM−5を56.5g得た。
このナトリウム型ZSM−5を5倍重量の1規定
硝酸アンモニウム水溶液を加えて8時間、還流し
た。その後、冷却して静置し、上澄みをデカンテ
ーシヨンにより除去した。さらに、この還流およ
びデカンテーシヨンの操作を3回繰り返した後、
内容物を濾過、水洗し、120℃で12時間、乾燥し、
アンモニウム型ZSM−5を得た。 得られたアンモニウム型ZSM−5のSiO2/
Al2O3(モル比)は90であつた。このアンモニウ
ム型ZSM−5を空気中550℃で4時間、焼成して
H型ZSM−5、すなわち結晶性アルミノシリケ
ートを得た。 触媒調製例 2 硝酸ガリウム2.34g、濃硫酸4.42gおよびテト
ラ−n−プロピルアンモニウムブロマイド6.58g
を水62mlに溶解して溶液Aを調製した。また、水
ガラス[商品名「Jケイ酸ソーダ3号」;日本化
学工業(株)製]52.78gを水62mlに溶解して溶液B
を調製した。さらに、塩化ナトリウム19.75gを
水30mlに溶解しして溶液Cを調製した。 次いで、A液とB液とを同時にC液に滴下し
た。得られた混合液をオートクレーブに入れ、
170℃で24時間、反応させた。冷却後、オートク
レーブの内容物を濾過水洗し、120℃で12時間、
乾燥させた後、さらに600℃で6時間、焼成して
ナトリウム型結晶性ガロシリケート9.6gを得た。 得られたこのガロシリケートを5倍重量の1規
定硝酸アンモニウム溶液に加え、80℃で8時間、
加熱処理してから冷却し、濾過により固形物を得
た。 さらに、得られた固形物に加熱、濾過の操作を
3回繰り返した後、水洗し、120℃で16時間、乾
燥させてアンモニウム型結晶性ガロシリケートを
得た。このアンモニウム型結晶性ガロシリケート
のSiO2/Ga2O3(モル比)は75であつた。また、
このガロシリケートをX線回析により分析したと
ころZSM−5構造を有するものであることが確
認された。このアンモニウム型結晶性ガロシリケ
ートを空気中550℃で4時間、焼成してH型結晶
性ガロシリケートを得た。 触媒調製例 3 酸化ホウ素1.34gを水250mlに溶解し、さらに、
濃硫酸17.6gおよびテトラ−n−プロピルアンモ
ニウムブロマイド26.3gを加えてA液を調製し
た。また、水ガラス[商品名「Jケイ酸ソーダ3
号」;日本化学工業(株)製]211.0gを水250mlに溶
解して溶液Bを調製した。さらに、塩化ナトリウ
ム79.0gを水122mlに溶解して溶液Cを調製した。 次いで、A液とB液とを室温下に10分間にわた
つて同時にC液に滴下した。得られた混合液をオ
ートクレーブに入れ、170℃で20時間、加熱処理
した。冷却後、内容物を濾過水洗し、120℃で12
時間、乾燥させた。その後、さらに550℃で6時
間、焼成してナトリウム型ボロシリケート45.3g
を得た。 得られたボロシリケートを5倍重量の1規定硝
酸アンモニウム水溶液に加えて8時間、還流し
た。その後、冷却して静置し、上澄みをデカンテ
ーシヨンにより除去した。さらに、還流およびデ
カンテーシヨンの操作を3回繰り返した後、内容
物を濾過、水洗し、120℃で12時間、乾燥し、ア
ンモニウム型ボロシリケートを得た。得られたア
ンモニウム型ボロシリケートのSiO2/B2O3(モル
比)は100であつた。このアンモニウム型ボロシ
リケートを空気中550℃で4時間、焼成してH型
結晶性ボロシリケートを得た。 触媒調製例 4 酸化ホウ素1.34gの代りに硝酸鉄()8.24g
を使用して前記触媒調製例3と同様にして、ナト
リウム型鉄シリケート48.2gを得、SiO2/Fe2O3
(モル比)が100であるアンモニウム型シリケート
を得、これからH型結晶性鉄シリケートを得た。 触媒調製例 5 酸化ホウ素1.34gの代りに硝酸クロム8.16gを
使用して前記触媒調製例3と同様にして、ナトリ
ウム型鉄シリケート48.2gを得、SiO2/Cr2O3(モ
ル比)が100であるアンモニウム型クロムシリケ
ートを得、これからH型結晶性クロムシリケート
を得た。 実施例 1 内容積50c.c.の耐圧オートクレーブに、フエノー
ル10gおよび前記触媒調製例1で得た結晶性アル
ミノシリケート2gを充填してから、窒素ガスを
用いて初期充填圧を30Kg/cm2とし、反応温度200
℃で20時間、反応を行なつた。次いで、反応混合
物を取出し、触媒を濾別、洗浄してから生成物を
ガスクロマトグラフイーにより分析した。 結果を第1表に示す。 実施例 2〜4 前記実施例1において、反応温度を第1表に示
した温度にしたほかは前記実施例1と同様に実施
した。 結果を第1表に示す。 実施例 5 前記実施例1において、結晶性アルミノシリケ
ートの代わりに、前記触媒調製例2で得た結晶性
ガロシリケートを用い、反応温度を300℃にした
ほかは前記実施例1と同様に実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 6 前記実施例5において、結晶性ガロシリケート
の代わりに、前記触媒調製例3で得た結晶性ボロ
シリケートを用いたほかは前記実施例5と同様に
実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 7 前記実施例5において、結晶性ガロシリケート
の代わりに、結晶性鉄シリケートを用いたほかは
前記実施例5と同様に実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 8 前記実施例5において、結晶性ガロシリケート
の代わりに、結晶性クロムシリケートを用いたほ
かは前記実施例5と同様に実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 9 内容積50c.c.の耐圧オートクレーブに、p−クレ
ゾール10gおよび前記触媒調製例1で得た結晶性
アルミノシリケート2gを充填してから、窒素ガ
スを用いて初期充填圧を30Kg/cm2とし、反応温度
300℃で20時間、反応を行なつた。次いで、反応
混合物を取出し、触媒を濾別、洗浄してから生成
物をガスクロマトグラフイーにより分析した。 その結果、p−クレゾールの転化率は35%であ
り、4,4′−ジメチルジフエニルエーテルが86%
の選択率で得られた。 実施例 10 前記実施例9において、p−クレゾールの代わ
りに2,4−ジメチルフエノールを用いたほか
は、前記実施例9と同様に実施した。 その結果、2,4−ジメチルフエノールの転化
率は23%であり、テトラメチルジフエニルエーテ
ルが89%の選択率で得られた。 実施例 11 内容積200c.c.の撹拌槽型耐圧反応容器にフエノ
ール20g、n−ヘプタン80gおよび前記触媒調製
例1で得られた結晶性アルミノシリケート8gを
充填してから、窒素ガスを用いて初期充填圧を30
Kg/cm2とし、反応温度290℃で10時間、反応を行
なつた。この反応により生成した水をn−ヘプタ
ンで共沸させ、冷却分離してから、n−ヘプタン
を反応容器に戻した。 生成物をガスクロマトグラフイーにより分析し
たところ、フエノールの転化率は46%であり、ジ
フエニルエーテルが91%の選択率で得られた。 実施例 12 前記実施例11において、フエノールの代わりに
p−クレゾールを用いたほかは、前記実施例11と
同様に実施した。 その結果、p−クレゾールの転化率は31%であ
り、4,4′−ジメチル−ジフエニルエーテルが91
%の選択率で得られた。 比較例 1 前記実施例1において結晶性アルミノシリケー
トの代わりに、シリカ−アルミナ[商品名
「N632−HN」;日揮化学(株)製]を粉砕し、微粉
化して用いたほかは前記実施例1と同様に実施し
た。 結果を第1表に示す。
どの中間体として用いられるジフエニルエーテル
類の製造方法に関し、さらに詳しく言うと、フエ
ノールおよび/または低級アルキル基で置換され
たフエノールを特定の触媒の存在下に反応させる
ことにより、ジフエニルエーテル類を高い選択率
で得ることができるジフエニルエーテル類の製造
方法に関する。 [従来の技術およびその問題点] 従来、ジフエニルエーテル類の製造方法として
は触媒としてシリカ−アルミナを用いる方法や酸
化チタンまたは酸化ジルコニウムを用いる方法
(特開昭59−196835号公報)などが知られている。 しかしながら、触媒としてシリカ−アルミナを
用いる方法においては、副生物としてメチル化フ
エノールが生成し、ジフエニルエーテル類の選択
率が低いという問題があつた。 また、触媒として酸化チタンまたは酸化ジルコ
ニウムを用いる方法においては副生物としてジベ
ンゾフランが生成し、ジフエニルエーテル類の選
択率が低いという問題の他に、ジベンゾフランの
分離が困難であるので、得られるジフエニルエー
テル類の純度が低いという問題があつた。 [前記問題点を解決するための手段] この発明は前記事情に基いてなされたものであ
る。 すなわち、この発明の目的はジフエニルエーテ
ル類の従来の製造方法が有していた前記問題点を
解消し、高い選択率でジフエニルエーテル類を得
ることができるジフエニルエーテル類の製造方法
を提供することである。 この発明者らは、触媒として特定の結晶性金属
シリケートを用い、かつ、該結晶性金属シリケー
スとフエノールおよび/または低級アルキル基で
置換されたフエノール(以下、これらをフエノー
ル類と総称することがある。)とを液相反応系で
接触させることにより前記目的が達成できること
を見い出してこの発明に到達した。 前記目的を達成するためのこの発明の要旨は、
ケイ素酸化物(SiO2)とAl、Ga、B、Fe、Crよ
りなる群から選択される三価金属の酸化物
(M2O3)とのモル比(SiO2/M2O3)が12以上で
ある結晶性金属シリケートを含む触媒と、フエノ
ールおよび/または低級アルキル基で置換された
フエノールとを液相反応系で接触させることを特
徴とするジフエニルエーテル類の製造方法であ
る。 前記結晶性金属シリケートとしては、たとえば
式[1]; M2O3・XSiO2・mH2O [1] (ただし、式[1]中、mH2Oは結晶の構
造水を示し、mはMの種類、Xの価などに
よつて変化する。) で表わされるケイ素酸化物と三価の金属酸化物と
から構成され、Mが、Al、Ga、B、Fe、Crより
なる群から選択される一種もしくは二種以上の金
属元素であり、かつ、Xすなわち、モル比
(SiO2/M2O3)が12以上、好ましくは40〜3000
であり、結晶性の空洞構造を有する結晶性金属シ
リケートを挙げることができる。ここで、上記モ
ル比(SiO2/M2O3)が12未満であると、ジフエ
ニルエーテル類の選択率が低い場合や触媒活性の
低下が著しい場合があるので好ましくない。 なお、H型ゼオライトもこれに含まれる。これ
らのうち、酸素10員環の主空洞を有するZSM−
5型構造のゼオライトすなわちペンタシル型構造
の金属シリケート属する結晶性金属シリケートが
好ましい。このような結晶性金属シリケートとし
て、たとえば、MがAlである場合について特公
昭46−10064号公報、米国特許第3790471号明細書
などに記載されているZSM−5、特開昭47−
25097号公報に記載されているZSM−8、特公昭
53−23280号公報に記載されているZSM−11、特
開昭52−139029号公報などに記載されている
ZSM−35、米国特許第4001346号明細書などに記
載されているZSM−21などの結晶性アルミノシ
リケートであつて、SiO2/M2O3が12以上のもの
を好適に使用することができる。 また、MがFeの例として、ジヤーナル・オ
ブ・キヤタリシス(Journal of Catalysis)第35
巻、第256頁〜272頁(1974年)、特開昭50−
127898号公報あるいは特開昭55−85415号公報な
どに記載されているフエリエライトなどの結晶性
鉄シリケートがある。MがGaの例としては、
ZSM−5型構造を有するガロシリケートなどの
結晶性ガロシリケートがある。Mが、B、Crで
ある例としては、前記結晶性アルミノシリケート
中のAlが三価のB、Crで置き換わつた構造を有
する結晶性金属シリケートがある。 この発明の方法において用いられる前記結晶性
金属シリケートは、公知の方法によつて調製する
ことができる。 たとえば、前記ZSM−5型ゼオライトもしく
はペンタシル型の結晶性金属シリケートを合成す
る方法としては、炭素数が2〜5であるテトラア
ルキルアンモニウムハライド、その他のアミン類
の存在下もしくは不存在下において、シリカ源と
してコロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ
酸またはその縮合物、あるいはケイ酸塩、金属酸
化物(M2O3)源として、たとえば、硫酸アルミ
ニウム、硝酸ガリウム、ホウ酸、硫酸第二鉄、硫
酸クロム、アルミン酸ナトリウムなどの金属元素
Mの硫酸塩、硝酸塩ななどの塩あるいは酸素酸塩
などを主成分とする混合物を用いて水熱合成によ
つて調製できることが知られている。 また、前記の水熱合成の際に、ナトリウムなど
のアルカリ金属水酸化物、ハライドなどのアルカ
リ金属化合物またはアルカリ土類金属の水酸化物
およびその塩を共存させて調製する方法も知られ
ている。 これらの方法によつて得られる結晶性金属シリ
ケートは一般にH+型ではなく、H+の代わりに4
級アンモニウムイオンおよび/またはNa+などの
アルカリ金属イオンが置換されているので、これ
をH+型に変えるのが好ましい。この変換は公知
の方法によつて容易に達成できる。 たとえば4級アンモニウムイオンをH+に変え
るには、空気中約500〜600℃の温度で焼成するこ
とによつて達成できることが知られており、一
方、Na+などのアルカリ金属塩型結晶性金属シリ
ケートを、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム
ななどのアンモニウム塩の水溶液で処理してアン
モニウム塩型金属シリケートを得る方法がよく用
いられる。 これらのほか、直接、希塩酸などの稀薄な酸で
処理する方法を用いることもできる。 前記結晶性金属シリケートの合成方法として
は、これら以外にも種々の方法が知られている。 この発明の方法において触媒として用いる前記
結晶性金属シリケートはこれらのいずれの方法に
よつても合成することができ、この発明は、特定
の調製法による触媒の使用に限定されるものでは
ない。 なお、この発明では、結晶性金属シリケートは
H+型であることが好ましいが、この発明の目的
の達成を阻害しない限り、触媒中のH+の一部も
しくは全部が他の陽イオン、たとえばアンモニウ
ムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、
カルシウムイオン、マグネシウムイオン、バリウ
ムイオン等で置き代わつていてもよい。 この発明における固体触媒の形状は、粉末状、
粒状、細片状、球状、ペレツト状などのいずれの
形状であつても良い。また、この発明における触
媒は、バインダーとして、たとえばシリカ、アル
ミナ、シリカ−アルミナ、マグネシア、粘土鉱物
などを含んでいてもよい。 この発明においては、触媒の活性を高めるため
に反応前に空気および/または窒素などの不活性
ガス気流中で、前記結晶性金属シリケートを焼成
することが好ましい。 焼成条件は前記結晶性金属シリケートの種類、
4級アンモニウムイオンおよび構造水の残存の度
合などにより異なるが、通常、400〜600℃、好ま
しくは450〜550℃の温度で1時間以上、好ましく
は3時間以上加熱することによつて十分な活性が
得られる。 この発明においては前記結晶性金属シリケート
のうち、少なくとも一種または二種以上からなる
混合物を触媒として使用することができる。 前記フエノール類としては、フエノールおよ
び/または低級アルキル基で置換されたフエノー
ルを用いる。 低級アルキル基で置換されたフエノールとして
は、たとえばo−クレゾール、m−クレゾール、
p−クレゾール、2,4−ジメチルフエノール、
2,4−ジエチルフエノールなどを挙げることが
できる。 前記低級アルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブ
チル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−
ブチル基、n−アミル基、n−ヘキシル基などを
挙げることができる。 前記フエノール類は充分に精製されたものを用
いるのが好ましいが、この発明の目的を阻害しな
い限り、たとえば微量の水を含んでいてもよい。
この場合、反応系に含まれる水は、フエノール類
と水との総量に対して4重量%以下であるのが好
ましい。反応系に含まれる水の量が4重量%を超
えると、この発明の方法において得られるジフエ
ニルエーテル類の選択率が低下することがある。 この発明の方法で重要な点の一つは、前記結晶
性金属シリケートと前記フエノール類とを液相反
応系で接触させて反応を進行させることである。 また、この発明の方法では、溶媒として炭化水
素を用い、反応系に含まれる上記水と共沸させる
ことにより反応系から水を除去することもでき
る。前記溶媒としてはフエノール類と反応しない
ものであれば特に制限はないが、水と共沸できる
ものが好ましい。このような溶媒としては、炭化
水素が挙げられ、たとえばn−ペンタン、イソペ
ンタン、n−ヘキサン、メチルジエチルメタン、
ジメチルプロピルメタン、ジメチルイソプロピル
メタン、トリエチルメタン、n−ヘプタン、2−
メチルヘキサン、3−メチルヘキサン、3−エチ
ルペンタン、2,2−ジメチルペンタン、2,3
−ジメチルペンタン、2,4−ジメチルペンタ
ン、3,3−ジメチルペンタン、2,2,3−ト
リメチルブタン等のパラフイン類などを挙げるこ
とができる。 この発明の方法の重要な点の一つは前記結晶性
金属シリケートと前記フエノール類とを液相で接
触させて反応を進行させることである。 前記結晶性金属シリケートと前記フエノール類
との仕込み比はフエノール類/結晶性金属シリケ
ートの重量比が1/1〜100/1の範囲内である
のが好ましい。前記結晶性金属シリケートの量が
前記範囲よりも少ない場合にはジフエニルエーテ
ル類の収率が低下することがあり、一方、前記範
囲よりも多く用いても、そのことによる効果は生
じないため経済的ではない。 この発明の方法にしておいて液相反応系で反応
を進行させるための反応圧力は、液相を保ち得る
圧力であれば特に制限は無いが、通常、5〜100
Kg/cm2である。なお、この発明では高圧下で反応
を進行させることによりジフエニルエーテル類の
選択率を高めることができる。 反応温度は、通常、200〜380℃、好ましくは
250〜330℃である。前記反応温度が200℃より低
いと充分に反応が進行しないことがあり、380℃
より高いと副反応が起こつてジフエニルエーテル
類の選択率が低下することがある。 反応時間は、通常、2〜50時間である。前記反
応時間が2時間未満の場合には、反応が充分に進
行しないことがある。また、50時間以上、反応さ
せた場合には、もはや反応が進行しないことがあ
るため効率的ではない。 この発明の方法においては、比較的低い温度で
長時間、反応させることがジフエニルエーテルの
選択率を高める上で好ましい。 [発明の効果] この発明のジフエニルエーテル類の製造方法
は、触媒として特定の結晶性金属シリケートを用
い、かつ、フエノール類と該触媒とを液相で接触
させるため、次のような効果を有する。 (1) 触媒としてシリカ−アルミナを用いる方法の
ようにメチル化フエノールが副生し、ジフエニ
ルエーテル類の選択率が低いという問題がな
い。 (2) 触媒として酸化チタンまたは酸化ジルコニウ
ムを用いる従来の方法のように分離が困難なジ
ベンゾフランが副生してジフエニルエーテルの
選択率が低いという問題や得られるジフエニル
エーテルの純度が低いという問題がない。 すなわち、この発明のジフエニルエーテル類の
製造方法によれば、従来の方法が有していた問題
を解消し、高い選択率で効率よくジフエニルエー
テル類を得ることができるジフエニルエーテル類
の製造方法を提供することができる。 [実施例] この発明のジフエニルエーテル類の製造方法に
つき、触媒調製例、実施例および比較例に基い
て、さらに具体的に説明する。 触媒調製例 1 硫酸アルミニウム7.5gを水250mlに溶解し、さ
らにこれに濃硫酸17.6gおよびテトラ−n−プロ
ピルアンモニウムブロマイド26.3gを溶解してA
液を調製した。また、水ガラス[商品名「Jケイ
酸ソーダ3号」;日本化学工業(株)製]211.0gを水
250mlに溶解してB液を調製した。さらに、塩化
ナトリウム79.0gを水122mlに溶解してC液を調
製した。 次いで、A液とB液とを室温下に10分間にわた
つて同時にC液に滴下した。得られた混合液をオ
ートクレーブに入れ、170℃で20時間、加熱処理
した。冷却後、内容物を濾過水洗し、120℃で12
時間、乾燥させた。生成物をX線回折により分析
したところZSM−5であることが確認された。 得られたZSM−5を550℃で6時間、焼成する
ことによりナトリウム型ZSM−5を56.5g得た。
このナトリウム型ZSM−5を5倍重量の1規定
硝酸アンモニウム水溶液を加えて8時間、還流し
た。その後、冷却して静置し、上澄みをデカンテ
ーシヨンにより除去した。さらに、この還流およ
びデカンテーシヨンの操作を3回繰り返した後、
内容物を濾過、水洗し、120℃で12時間、乾燥し、
アンモニウム型ZSM−5を得た。 得られたアンモニウム型ZSM−5のSiO2/
Al2O3(モル比)は90であつた。このアンモニウ
ム型ZSM−5を空気中550℃で4時間、焼成して
H型ZSM−5、すなわち結晶性アルミノシリケ
ートを得た。 触媒調製例 2 硝酸ガリウム2.34g、濃硫酸4.42gおよびテト
ラ−n−プロピルアンモニウムブロマイド6.58g
を水62mlに溶解して溶液Aを調製した。また、水
ガラス[商品名「Jケイ酸ソーダ3号」;日本化
学工業(株)製]52.78gを水62mlに溶解して溶液B
を調製した。さらに、塩化ナトリウム19.75gを
水30mlに溶解しして溶液Cを調製した。 次いで、A液とB液とを同時にC液に滴下し
た。得られた混合液をオートクレーブに入れ、
170℃で24時間、反応させた。冷却後、オートク
レーブの内容物を濾過水洗し、120℃で12時間、
乾燥させた後、さらに600℃で6時間、焼成して
ナトリウム型結晶性ガロシリケート9.6gを得た。 得られたこのガロシリケートを5倍重量の1規
定硝酸アンモニウム溶液に加え、80℃で8時間、
加熱処理してから冷却し、濾過により固形物を得
た。 さらに、得られた固形物に加熱、濾過の操作を
3回繰り返した後、水洗し、120℃で16時間、乾
燥させてアンモニウム型結晶性ガロシリケートを
得た。このアンモニウム型結晶性ガロシリケート
のSiO2/Ga2O3(モル比)は75であつた。また、
このガロシリケートをX線回析により分析したと
ころZSM−5構造を有するものであることが確
認された。このアンモニウム型結晶性ガロシリケ
ートを空気中550℃で4時間、焼成してH型結晶
性ガロシリケートを得た。 触媒調製例 3 酸化ホウ素1.34gを水250mlに溶解し、さらに、
濃硫酸17.6gおよびテトラ−n−プロピルアンモ
ニウムブロマイド26.3gを加えてA液を調製し
た。また、水ガラス[商品名「Jケイ酸ソーダ3
号」;日本化学工業(株)製]211.0gを水250mlに溶
解して溶液Bを調製した。さらに、塩化ナトリウ
ム79.0gを水122mlに溶解して溶液Cを調製した。 次いで、A液とB液とを室温下に10分間にわた
つて同時にC液に滴下した。得られた混合液をオ
ートクレーブに入れ、170℃で20時間、加熱処理
した。冷却後、内容物を濾過水洗し、120℃で12
時間、乾燥させた。その後、さらに550℃で6時
間、焼成してナトリウム型ボロシリケート45.3g
を得た。 得られたボロシリケートを5倍重量の1規定硝
酸アンモニウム水溶液に加えて8時間、還流し
た。その後、冷却して静置し、上澄みをデカンテ
ーシヨンにより除去した。さらに、還流およびデ
カンテーシヨンの操作を3回繰り返した後、内容
物を濾過、水洗し、120℃で12時間、乾燥し、ア
ンモニウム型ボロシリケートを得た。得られたア
ンモニウム型ボロシリケートのSiO2/B2O3(モル
比)は100であつた。このアンモニウム型ボロシ
リケートを空気中550℃で4時間、焼成してH型
結晶性ボロシリケートを得た。 触媒調製例 4 酸化ホウ素1.34gの代りに硝酸鉄()8.24g
を使用して前記触媒調製例3と同様にして、ナト
リウム型鉄シリケート48.2gを得、SiO2/Fe2O3
(モル比)が100であるアンモニウム型シリケート
を得、これからH型結晶性鉄シリケートを得た。 触媒調製例 5 酸化ホウ素1.34gの代りに硝酸クロム8.16gを
使用して前記触媒調製例3と同様にして、ナトリ
ウム型鉄シリケート48.2gを得、SiO2/Cr2O3(モ
ル比)が100であるアンモニウム型クロムシリケ
ートを得、これからH型結晶性クロムシリケート
を得た。 実施例 1 内容積50c.c.の耐圧オートクレーブに、フエノー
ル10gおよび前記触媒調製例1で得た結晶性アル
ミノシリケート2gを充填してから、窒素ガスを
用いて初期充填圧を30Kg/cm2とし、反応温度200
℃で20時間、反応を行なつた。次いで、反応混合
物を取出し、触媒を濾別、洗浄してから生成物を
ガスクロマトグラフイーにより分析した。 結果を第1表に示す。 実施例 2〜4 前記実施例1において、反応温度を第1表に示
した温度にしたほかは前記実施例1と同様に実施
した。 結果を第1表に示す。 実施例 5 前記実施例1において、結晶性アルミノシリケ
ートの代わりに、前記触媒調製例2で得た結晶性
ガロシリケートを用い、反応温度を300℃にした
ほかは前記実施例1と同様に実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 6 前記実施例5において、結晶性ガロシリケート
の代わりに、前記触媒調製例3で得た結晶性ボロ
シリケートを用いたほかは前記実施例5と同様に
実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 7 前記実施例5において、結晶性ガロシリケート
の代わりに、結晶性鉄シリケートを用いたほかは
前記実施例5と同様に実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 8 前記実施例5において、結晶性ガロシリケート
の代わりに、結晶性クロムシリケートを用いたほ
かは前記実施例5と同様に実施した。 結果を第1表に示す。 実施例 9 内容積50c.c.の耐圧オートクレーブに、p−クレ
ゾール10gおよび前記触媒調製例1で得た結晶性
アルミノシリケート2gを充填してから、窒素ガ
スを用いて初期充填圧を30Kg/cm2とし、反応温度
300℃で20時間、反応を行なつた。次いで、反応
混合物を取出し、触媒を濾別、洗浄してから生成
物をガスクロマトグラフイーにより分析した。 その結果、p−クレゾールの転化率は35%であ
り、4,4′−ジメチルジフエニルエーテルが86%
の選択率で得られた。 実施例 10 前記実施例9において、p−クレゾールの代わ
りに2,4−ジメチルフエノールを用いたほか
は、前記実施例9と同様に実施した。 その結果、2,4−ジメチルフエノールの転化
率は23%であり、テトラメチルジフエニルエーテ
ルが89%の選択率で得られた。 実施例 11 内容積200c.c.の撹拌槽型耐圧反応容器にフエノ
ール20g、n−ヘプタン80gおよび前記触媒調製
例1で得られた結晶性アルミノシリケート8gを
充填してから、窒素ガスを用いて初期充填圧を30
Kg/cm2とし、反応温度290℃で10時間、反応を行
なつた。この反応により生成した水をn−ヘプタ
ンで共沸させ、冷却分離してから、n−ヘプタン
を反応容器に戻した。 生成物をガスクロマトグラフイーにより分析し
たところ、フエノールの転化率は46%であり、ジ
フエニルエーテルが91%の選択率で得られた。 実施例 12 前記実施例11において、フエノールの代わりに
p−クレゾールを用いたほかは、前記実施例11と
同様に実施した。 その結果、p−クレゾールの転化率は31%であ
り、4,4′−ジメチル−ジフエニルエーテルが91
%の選択率で得られた。 比較例 1 前記実施例1において結晶性アルミノシリケー
トの代わりに、シリカ−アルミナ[商品名
「N632−HN」;日揮化学(株)製]を粉砕し、微粉
化して用いたほかは前記実施例1と同様に実施し
た。 結果を第1表に示す。
【表】
1 アルコールおよび/または水および液相の存
在下において、アセチレン状不飽和化合物を一酸
化炭素でカルボニル化する方法において、この方
法を、 a) 2価のパラジウム化合物、 b) 有機ホスフイン、および c) ハロゲン化水素酸を除くプロトン酸 を一体にすることによつて形成された触媒系の存
在下で遂行する、前記カルボニル化方法。 2 有機ホスフインが下記の一般式を有する、
特許請求の範囲第1項記載のカルボニル化方法、 式中、R1は随意に置換されたアリール基を表
わし、そしてR2およびR3はそれぞれ、随意に置
換されたアルキル基、随意に置換されたシクロア
ルキル基または随意に置換されたアリール基を表
在下において、アセチレン状不飽和化合物を一酸
化炭素でカルボニル化する方法において、この方
法を、 a) 2価のパラジウム化合物、 b) 有機ホスフイン、および c) ハロゲン化水素酸を除くプロトン酸 を一体にすることによつて形成された触媒系の存
在下で遂行する、前記カルボニル化方法。 2 有機ホスフインが下記の一般式を有する、
特許請求の範囲第1項記載のカルボニル化方法、 式中、R1は随意に置換されたアリール基を表
わし、そしてR2およびR3はそれぞれ、随意に置
換されたアルキル基、随意に置換されたシクロア
ルキル基または随意に置換されたアリール基を表
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61217630A JPS6372640A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ジフエニルエ−テル類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61217630A JPS6372640A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ジフエニルエ−テル類の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6372640A JPS6372640A (ja) | 1988-04-02 |
JPH0529211B2 true JPH0529211B2 (ja) | 1993-04-28 |
Family
ID=16707281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61217630A Granted JPS6372640A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ジフエニルエ−テル類の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6372640A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5144094A (en) * | 1990-09-17 | 1992-09-01 | Uop | Diaryl ethers by dehydration of phenols |
US6424335B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-07-23 | Fujitsu Limited | Notebook computer with detachable infrared multi-mode input device |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61217630A patent/JPS6372640A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6372640A (ja) | 1988-04-02 |
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