JPH05287465A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法Info
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- JPH05287465A JPH05287465A JP9551592A JP9551592A JPH05287465A JP H05287465 A JPH05287465 A JP H05287465A JP 9551592 A JP9551592 A JP 9551592A JP 9551592 A JP9551592 A JP 9551592A JP H05287465 A JPH05287465 A JP H05287465A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電容量の増大が期待できる技術を提供する
ことである。 【構成】 純度が９９．９％以上のアルミニウムに錫、
インジウム、鉛及びタリウムの群の中から選ばれる一つ
以上の元素を０．１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ含む電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔の製造方法であって、最終焼純の
過程において再結晶が終了した時点からはその時の温度
より高くしないように制御する電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔の製造方法。
ことである。 【構成】 純度が９９．９％以上のアルミニウムに錫、
インジウム、鉛及びタリウムの群の中から選ばれる一つ
以上の元素を０．１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ含む電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔の製造方法であって、最終焼純の
過程において再結晶が終了した時点からはその時の温度
より高くしないように制御する電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ用アル
ミニウム電極箔に関するものである。
ミニウム電極箔に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】電解コンデンサ用アルミニウム電極箔
は、静電容量を増大させる為に、電気化学的あるいは化
学的エッチングが施されるのが一般的である。そして、
エッチング特性を向上させる為に、コイル状で焼純処理
を行うことが行われている。尚、（１００）面の占有率
を高める為、又、添加した微量元素を表面近傍に偏析さ
せ、酸化皮膜の欠陥を均一に分布させ、エッチング特性
を向上させることを目的として、上記の焼純処理は、真
空中あるいはＮ2 ガスやＡｒガスなどの不活性雰囲気中
において５００℃以上の高温で処理するのが通常であ
る。
は、静電容量を増大させる為に、電気化学的あるいは化
学的エッチングが施されるのが一般的である。そして、
エッチング特性を向上させる為に、コイル状で焼純処理
を行うことが行われている。尚、（１００）面の占有率
を高める為、又、添加した微量元素を表面近傍に偏析さ
せ、酸化皮膜の欠陥を均一に分布させ、エッチング特性
を向上させることを目的として、上記の焼純処理は、真
空中あるいはＮ2 ガスやＡｒガスなどの不活性雰囲気中
において５００℃以上の高温で処理するのが通常であ
る。
【０００３】しかしながら、このような従来の焼純処理
では静電容量の増大が充分なものではなく、更なる改善
が待たれている。
では静電容量の増大が充分なものではなく、更なる改善
が待たれている。
【０００４】
【発明の開示】前記の問題点についての研究が鋭意押し
進められて行った結果、すなわち静電容量に密接な関係
を有しているエッチングピットについての研究が鋭意押
し進められて行った結果、エッチングピットは表面酸化
皮膜の破壊から生じることから、表面酸化皮膜に均一で
高密度の欠陥を導入することが大事であることが判って
来た。
進められて行った結果、すなわち静電容量に密接な関係
を有しているエッチングピットについての研究が鋭意押
し進められて行った結果、エッチングピットは表面酸化
皮膜の破壊から生じることから、表面酸化皮膜に均一で
高密度の欠陥を導入することが大事であることが判って
来た。
【０００５】すなわち、従来では、（１００）占有率を
高める為には、焼純は５００℃以上での温度が必要であ
り、かつ、時間も４時間以上の長時間の処理が望ましい
と考えられていた。しかしながら、微量添加元素の表面
近傍における偏析現象について、酸化皮膜に欠陥を均一
に分散させる上では、このような高温で長時間の処理を
行うと、一度表面近傍に偏析した微量添加元素の粒子が
再固溶し、その効果が低減してしまうことが判って来
た。つまり、最終焼純過程における微量添加元素の挙動
について検討を行った処、表面近傍での偏析は再結晶と
同時に始まり、再結晶終了時点において偏析量がピーク
に達することが判明した。そして、この再結晶終了後も
温度がさらに上がって行くと、今度はアルミニウム中に
微量添加元素は再固溶して行き、偏析量は低下してしま
う。従って、このような状態のものをエッチングしてし
まうと、出来たエッチングピットは粗大なものとなった
り、又、密度も低下し、さらには均一性も欠けるものと
なってしまい、静電容量の増大が期待できないものとな
ってしまう。
高める為には、焼純は５００℃以上での温度が必要であ
り、かつ、時間も４時間以上の長時間の処理が望ましい
と考えられていた。しかしながら、微量添加元素の表面
近傍における偏析現象について、酸化皮膜に欠陥を均一
に分散させる上では、このような高温で長時間の処理を
行うと、一度表面近傍に偏析した微量添加元素の粒子が
再固溶し、その効果が低減してしまうことが判って来
た。つまり、最終焼純過程における微量添加元素の挙動
について検討を行った処、表面近傍での偏析は再結晶と
同時に始まり、再結晶終了時点において偏析量がピーク
に達することが判明した。そして、この再結晶終了後も
温度がさらに上がって行くと、今度はアルミニウム中に
微量添加元素は再固溶して行き、偏析量は低下してしま
う。従って、このような状態のものをエッチングしてし
まうと、出来たエッチングピットは粗大なものとなった
り、又、密度も低下し、さらには均一性も欠けるものと
なってしまい、静電容量の増大が期待できないものとな
ってしまう。
【０００６】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、本発明の目的は、静電容量の増大が期
待できる技術を提供することである。この本発明の目的
は、純度が９９．９％以上のアルミニウムに錫、インジ
ウム、鉛及びタリウムの群の中から選ばれる一つ以上の
元素を０．１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ含む電解コンデンサ用
アルミニウム箔の製造方法であって、最終焼純の過程に
おいて再結晶が終了した時点からはその時の温度より高
くしないように制御することを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔の製造方法によって達成される。
れたものであり、本発明の目的は、静電容量の増大が期
待できる技術を提供することである。この本発明の目的
は、純度が９９．９％以上のアルミニウムに錫、インジ
ウム、鉛及びタリウムの群の中から選ばれる一つ以上の
元素を０．１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ含む電解コンデンサ用
アルミニウム箔の製造方法であって、最終焼純の過程に
おいて再結晶が終了した時点からはその時の温度より高
くしないように制御することを特徴とする電解コンデン
サ用アルミニウム箔の製造方法によって達成される。
【０００７】尚、再結晶終了時点とはアルミニウム材が
図１に示す圧延による加工組織から歪などが解放された
図２に示すような組織に至った状態のものを言い、再結
晶が終了する温度はアルミニウム材に添加された微量添
加元素の量、アルミニウムの純度、昇温速度などによっ
ても多少の変動が有るが、純度が９９．９％以上の高純
度アルミニウムに錫、インジウム、鉛及びタリウムの群
の中から選ばれる一つ以上の元素を０．１ｐｐｍ〜１０
ｐｐｍ含むアルミニウム材にあっては、約３００〜４５
０℃の範囲内に有る。
図１に示す圧延による加工組織から歪などが解放された
図２に示すような組織に至った状態のものを言い、再結
晶が終了する温度はアルミニウム材に添加された微量添
加元素の量、アルミニウムの純度、昇温速度などによっ
ても多少の変動が有るが、純度が９９．９％以上の高純
度アルミニウムに錫、インジウム、鉛及びタリウムの群
の中から選ばれる一つ以上の元素を０．１ｐｐｍ〜１０
ｐｐｍ含むアルミニウム材にあっては、約３００〜４５
０℃の範囲内に有る。
【０００８】最終焼純の過程において再結晶が終了した
時点からはその時の温度より高くしないようにすれば良
いのであるが、すなわち再結晶が終了した時点からは焼
純温度を降下させても良いのであるが、その温度でしば
らく維持することが好ましい。すなわち、焼純は、通
常、コイルの形態で行うことから、幅方向及び長さ方向
において焼純にバラツキが有ることも予想され、一部の
領域において再結晶が終了していない場合も考えられる
からであり、この為再結晶が終了した時点から約２時間
程度はその温度を維持しておくことが好ましい。
時点からはその時の温度より高くしないようにすれば良
いのであるが、すなわち再結晶が終了した時点からは焼
純温度を降下させても良いのであるが、その温度でしば
らく維持することが好ましい。すなわち、焼純は、通
常、コイルの形態で行うことから、幅方向及び長さ方向
において焼純にバラツキが有ることも予想され、一部の
領域において再結晶が終了していない場合も考えられる
からであり、この為再結晶が終了した時点から約２時間
程度はその温度を維持しておくことが好ましい。
【０００９】又、得られた電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔における（１００）面の占有率は９０％以上である
ことが好ましい。そして、上記のようにして得られたア
ルミニウム箔は、微量添加元素の表面近傍における偏析
が効果的になされており、その偏析量はピークに達して
いて、エッチングされると、このものはエッチングピッ
トが微細で、均一なものであり、作製された電解コンデ
ンサは静電容量が大きなものとなっていた。
ム箔における（１００）面の占有率は９０％以上である
ことが好ましい。そして、上記のようにして得られたア
ルミニウム箔は、微量添加元素の表面近傍における偏析
が効果的になされており、その偏析量はピークに達して
いて、エッチングされると、このものはエッチングピッ
トが微細で、均一なものであり、作製された電解コンデ
ンサは静電容量が大きなものとなっていた。
【００１０】以下、本発明について実施例により具体的
に説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
に説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
【００１１】
〔実施例１〜３〕添加元素としてＳｎを、又、高純度ア
ルミニウムの地金を用い、半連続鋳造法にてスラブを製
造し、このスラブに所定の温度、例えば５３０℃以上で
１時間以上かけて均質化処理を施し、熱間圧延にて６ｍ
ｍの圧延板とし、さらに中間焼純を挟みながらの冷間圧
延にて１００μｍの箔とした。
ルミニウムの地金を用い、半連続鋳造法にてスラブを製
造し、このスラブに所定の温度、例えば５３０℃以上で
１時間以上かけて均質化処理を施し、熱間圧延にて６ｍ
ｍの圧延板とし、さらに中間焼純を挟みながらの冷間圧
延にて１００μｍの箔とした。
【００１２】この後、最終焼純（条件は表１に記載）を
実施し、厚さ１００μｍの電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔を得た。 〔比較例１，２〕実施例１において、添加元素の量や最
終焼純の条件を変える他は同様に行い、厚さ１００μｍ
の電解コンデンサ用アルミニウム箔を得た。
実施し、厚さ１００μｍの電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔を得た。 〔比較例１，２〕実施例１において、添加元素の量や最
終焼純の条件を変える他は同様に行い、厚さ１００μｍ
の電解コンデンサ用アルミニウム箔を得た。
【００１３】〔実施例４，５，６〕実施例１における添
加元素ＳｎをＰｂ（実施例４）、Ｉｎ（実施例５）、Ｔ
ｌ（実施例６）に代え、又、最終焼純の条件を変えた他
は同様に行い、厚さ１００μｍの電解コンデンサ用アル
ミニウム箔を得た。 〔比較例３，４，５〕実施例４，５，６において、添加
元素量や最終焼純の条件を代える他は同様に行い、厚さ
１００μｍの電解コンデンサ用アルミニウム箔を得た。
加元素ＳｎをＰｂ（実施例４）、Ｉｎ（実施例５）、Ｔ
ｌ（実施例６）に代え、又、最終焼純の条件を変えた他
は同様に行い、厚さ１００μｍの電解コンデンサ用アル
ミニウム箔を得た。 〔比較例３，４，５〕実施例４，５，６において、添加
元素量や最終焼純の条件を代える他は同様に行い、厚さ
１００μｍの電解コンデンサ用アルミニウム箔を得た。
【００１４】〔特性〕上記各例で得た電解コンデンサ用
アルミニウム箔について、微量添加元素の偏析具合、
（１００）占有率、そして静電容量を調べたので、その
結果を表１に示す。尚、表面近傍における微量添加元素
の偏析の程度は、ＧＤ−ＭＳによる測定において、微量
添加元素の表面近傍における成分量とアルミニウム内部
における成分量の比から測定した。
アルミニウム箔について、微量添加元素の偏析具合、
（１００）占有率、そして静電容量を調べたので、その
結果を表１に示す。尚、表面近傍における微量添加元素
の偏析の程度は、ＧＤ−ＭＳによる測定において、微量
添加元素の表面近傍における成分量とアルミニウム内部
における成分量の比から測定した。
【００１５】（１００）占有率は、塩酸、硝酸、フッ酸
によりエッチングを行い、予め用意した標準サンプルと
の比較によって、画像解析装置によりその面積率の測定
より求めた。静電容量（μＦ／ｃｍ2 ）は、８５℃の５
％塩酸中で１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度で直流の電解
エッチングを３００ｓｅｃ行い、そして硼酸系の液中で
電圧３７５Ｖの化成処理を行ったものについて測定し
た。
によりエッチングを行い、予め用意した標準サンプルと
の比較によって、画像解析装置によりその面積率の測定
より求めた。静電容量（μＦ／ｃｍ2 ）は、８５℃の５
％塩酸中で１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度で直流の電解
エッチングを３００ｓｅｃ行い、そして硼酸系の液中で
電圧３７５Ｖの化成処理を行ったものについて測定し
た。
【００１６】 表 １ 微量添加元素 Ａｌ純度 最終焼鈍条件 偏析度 占有率 静電容量 （ｐｐｍ） （％） （℃×時間） 実施例１ ４ 99.99 400 ℃×６hr ２３６ 94.1 0.561 実施例２ ３ 99.90 320 ℃×48hr ２０４ 90.8 0.523 実施例３ ８ 99.99 375 ℃×12hr ２５５ 92.6 0.544 比較例１ ５ 99.50 375 ℃×12hr ２６２ 71.5 0.278 比較例２ ３ 99.90 550 ℃×６hr １２２ 96.4 0.375 実施例４ １ 99.90 400 ℃×６hr ３２５ 93.8 0.601 比較例３ １ 99.90 550 ℃×６hr １６４ 95.5 0.443 実施例５ ３ 99.99 420 ℃×４hr ３０１ 94.3 0.554 比較例４ ３ 99.99 250 ℃×24hr １５ 58.3 0.220 実施例６ ２ 99.90 450 ℃×２hr ２７５ 93.7 0.551 比較例５ ２ 99.90 550 ℃×６hr １１９ 95.6 0.370 これによれば、本発明による電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔は静電容量が高いことが判る。
ウム箔は静電容量が高いことが判る。
【００１７】
【効果】静電容量が高い電解コンデンサ用アルミニウム
箔が得られる。
箔が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】２５０℃×２ｈｒ焼鈍（再結晶前）Ａｌ−１０
ｐｐｍＩｎ材の金属組織の光学顕微鏡写真である。
ｐｐｍＩｎ材の金属組織の光学顕微鏡写真である。
【図２】３００℃×２ｈｒ焼鈍（再結晶終了直後）Ａｌ
−１０ｐｐｍＩｎ材の金属組織の光学顕微鏡写真であ
る。
−１０ｐｐｍＩｎ材の金属組織の光学顕微鏡写真であ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 純度が９９．９％以上のアルミニウムに
錫、インジウム、鉛及びタリウムの群の中から選ばれる
一つ以上の元素を０．１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ含む電解コ
ンデンサ用アルミニウム箔の製造方法であって、最終焼
純の過程において再結晶が終了した時点からはその時の
温度より高くしないように制御することを特徴とする電
解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9551592A JPH05287465A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9551592A JPH05287465A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05287465A true JPH05287465A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=14139711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9551592A Pending JPH05287465A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05287465A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753380A (en) * | 1993-07-07 | 1998-05-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | High purity aluminum alloy conductor for use at ultra low temperatures |
| JPH1150213A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| FR2790008A1 (fr) * | 1999-02-23 | 2000-08-25 | Pechiney Rhenalu | Feuille en alluminium raffine pour condensateurs electrolytiques |
| JP2007247023A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012255213A (ja) * | 2012-07-25 | 2012-12-27 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2014168086A (ja) * | 2014-04-17 | 2014-09-11 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP9551592A patent/JPH05287465A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753380A (en) * | 1993-07-07 | 1998-05-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | High purity aluminum alloy conductor for use at ultra low temperatures |
| JPH1150213A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| FR2790008A1 (fr) * | 1999-02-23 | 2000-08-25 | Pechiney Rhenalu | Feuille en alluminium raffine pour condensateurs electrolytiques |
| EP1031638A1 (fr) * | 1999-02-23 | 2000-08-30 | Pechiney Rhenalu | Feuille en aluminium raffiné pour condensateurs électrolytiques |
| US6471793B1 (en) | 1999-02-23 | 2002-10-29 | Pechiney Rhenalu | Refined aluminum foil for electrolytic capacitors |
| JP2007247023A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012255213A (ja) * | 2012-07-25 | 2012-12-27 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2014168086A (ja) * | 2014-04-17 | 2014-09-11 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
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