JPH0931579A - 電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔 - Google Patents

電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔

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JPH0931579A
JPH0931579A JP7203942A JP20394295A JPH0931579A JP H0931579 A JPH0931579 A JP H0931579A JP 7203942 A JP7203942 A JP 7203942A JP 20394295 A JP20394295 A JP 20394295A JP H0931579 A JPH0931579 A JP H0931579A
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JP
Japan
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aluminum foil
electrolytic capacitor
amount
foil
high voltage
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JP7203942A
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Kaneshige Yamamoto
兼滋 山本
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Nippon Foil Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Nippon Foil Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 安定して高静電容量の高圧電極箔(特に、高
圧用陽極箔)を得ることができる、電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔を提供する。 【構成】 この電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、アルミニウム純度が99.9重量%以上である。そ
して、Fe:0.0010〜0.0100重量%、S
i:0.0015〜0.0150重量%、Cu:0.0
001〜0.0050重量%、その他不可避不純物元素
を含有している。Fe,Si及びCuの析出量の合計
は、Fe,Si及びCuの含有量の合計に対して、10
%未満に規制されている。Fe,Si及びCuの析出量
は、熱フェノール溶解法によって、誤差等を生じること
がなく、正確に測定される。また、Fe,Si及びCu
の析出量の合計に対して、Feの析出量は30〜80%
の範囲に、Cuの析出量は1〜20%の範囲に規制され
ていることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、静電容量の高い電解コ
ンデンサ用高圧電極箔(特に高圧用陽極箔)を得ること
のできる電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、電解コンデンサ用高圧電極箔
を製造するためには、電解コンデンサ高圧電極用アルミ
ニウム箔にエッチング処理を施し、箔表面に微細な孔
(エッチングピット)を多数形成して、箔表面の表面積
を拡大することが行われている。この表面積の拡大は、
電解コンデンサ用高圧電極箔の静電容量を高めるため
に、最も有効な方法である。従って、高静電容量の電解
コンデンサ用高圧電極箔を得るためには、エッチング特
性の良好な電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔を
使用して製造する必要がある。一方、エッチング処理と
しては、使用耐電圧に適したエッチングピットが得られ
るように、種々のエッチング方法が採用されている。例
えば、高圧用陽極箔には、トンネル状のエッチングピッ
トが形成されているのが好ましく、これに適するエッチ
ング法として直流エッチング法が採用されている。
【0003】高圧用陽極箔の静電容量を向上させる手段
の一つは、このトンネル状のエッチングピットの密度を
高めることである。トンネル状のエッチングピットの密
度を高めるには、トンネル状のエッチングピットをアル
ミニウム箔表面から深さ方向に垂直に形成させる必要が
あるとともに、一つのエッチングピットの径を耐電圧皮
膜で塞がない最小の直径とすることである。そして、こ
のアルミニウム箔表面から深さ方向に垂直にエッチング
ピットを形成させるには、直流エッチング前のアルミニ
ウム箔の全結晶粒中における立方体方位を有する結晶粒
の割合を多くすることである。即ち、箔表面が(10
0)面と平行になるような結晶組織(これを立方体方位
を有する結晶粒という。)を、アルミニウム箔中の全結
晶粒に対して、多く形成させると良いのである。このよ
うな立方体方位を有する結晶粒は、アルミニウム箔を製
造する際における、均質化処理,熱間圧延,一次冷間圧
延,中間焼鈍,二次冷間圧延及び最終焼鈍の条件を適宜
選択することによって、アルミニウム箔中に多く形成さ
せることができる。特に、二次冷間圧延を低圧延率とし
たり、或いは最終焼鈍の温度を比較的高温にすることに
よって、多く形成させることができる。
【0004】また、この立方体方位を有する結晶粒の生
成割合は、不純物の固溶・析出状態によって支配され
る。例えば、特公平3−61333号公報には、アルミ
ニウム箔中のFe又はSiのいずれか一方の析出量を、
その含有量に対して10〜70%に規制したものは、エ
ッチング特性が良好になることが教示されている。ま
た、特開昭63−265416号公報には、アルミニウ
ム箔中のFe及びSiの析出量の各々を、それぞれの含
有量に対して10%以下に規制したものは、エッチング
特性が良好になることが教示されている。特公平3−6
1333号公報及び特開昭63−265416号公報に
は、エッチング特性が良好になる原理が明記されていな
いが、結局、不純物の析出状態によって、立方体方位を
有する結晶粒が多く生成されエッチング特性が良好にな
るという原理に基づくものではないかと推察される。
【0005】しかしながら、この先行技術においては、
Fe及び/又はSiの析出量を、電気抵抗法によって測
定しており、以下の如き欠点があった。(i)電気抵抗
法では、アルミニウム箔中において析出している全ての
元素の影響で、電気抵抗値が増減し、Feのみの析出量
及び/又はSiのみの析出量を測定することは、極めて
困難であった。従って、アルミニウム箔中にFe又はS
iのみが含有されている場合はともかく、他のCu,Z
n,Mn等の元素が含有されていると、現実的にはFe
及び/又はSiのみの析出量を測定することはできなか
った。(ii)Fe又はSiの析出量による電気抵抗値の
減少量について、確定した値は知られていない。従っ
て、現実に、電気抵抗値の増減によって、Fe又はSi
の析出量を知ることは困難である。なお、20℃で測定
した、Siの析出量による電気抵抗値の減少量(又はS
iの固溶量による電気抵抗値の増加量)についても、そ
の値は未確定である(刊行物「軽金属」1985年第3
5巻第3号第162〜167頁に掲載された「アルミニ
ウムの再結晶に及ぼすけい素および鉄,けい素共存の影
響」と題する論文、特にその第163頁左欄第5〜8行
目を参照のこと。)。即ち、電気抵抗法により、種々の
不純物元素を含有するアルミニウム箔中のFe又はSi
の析出量を知ることは、現実的には不可能とも言えるの
である。従って、特公平3−61333号公報及び特開
昭63−265416号公報記載の方法によって、高静
電容量の電解コンデンサ用電極箔を安定して得ることが
できる、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を製造す
ることは、実質的に不可能であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者は、
アルミニウム箔中で析出している各元素毎に、その析出
量を測定できる方法を採用し、種々研究を行った。その
結果、Fe,Si及びCuの含有量に対して、Fe,S
i及びCuが一定の割合で析出しているアルミニウム箔
は、エッチング特性(特に、トンネル状のエッチングピ
ットの生成特性)が良好で、高静電容量を持つ電解コン
デンサ用高圧電極箔を安定して製造しうることを見出
し、本発明に到達したのである。また、Fe,Si及び
Cuの析出量の合計に対して、Feが一定の割合で析出
しているアルミニウム箔、又はCuが一定の割合で析出
しているアルミニウム箔についても、エッチング特性が
良好で、高静電容量を持つ電解コンデンサ用高圧電極箔
を安定して製造しうることを見出し、本発明に到達した
のである。
【0007】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、アルミ
ニウム純度が99.9重量%以上であって、Fe:0.
0010〜0.0100重量%、Si:0.0015〜
0.0150重量%、Cu:0.0001〜0.005
0重量%、その他不可避不純物元素を含有し、熱フェノ
ール溶解法によって測定されるFe,Si及びCuの析
出量の合計が、Fe,Si及びCuの含有量の合計に対
して、10%未満に規制されていることを特徴とする電
解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔に関するもので
ある。また、上記した条件に加えて、更にFeの析出量
が、Fe,Si及びCuの析出量の合計に対して、30
〜80%の範囲に規制されている電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔、又はCuの析出量が、Fe,Si及び
Cuの析出量の合計に対して、1〜20%の範囲に規制
されている電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に関す
るものである。
【0008】まず、本発明において、前提となること
は、電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔のアルミ
ニウム純度が99.9重量%以上であるということであ
る。純度が99.9重量%未満であると、相対的に不純
物が多くなって、いかに各Fe,Si及び/又はCuの
析出量を規制しても、他の不純物元素による析出物の存
在のため、エッチング時に過溶解が生じやすくなり、表
面積を十分に拡大することができない。また、過剰に不
純物を含有していると、立方体方位を有する結晶粒の生
成割合が少なくなったり、或いは立方体方位を有する結
晶粒の成長が図れなくなり、箔表面に垂直なトンネル状
のエッチングピットが得られにくくなる。従って、エッ
チング特性の良好な電解コンデンサ高圧電極用アルミニ
ウム箔が得られにくくなり、高静電容量の電解コンデン
サ用高圧電極箔が得られにくくなるため、好ましくな
い。
【0009】電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔
中には、Feが0.0010〜0.0100重量%、好
ましくは0.0015〜0.0040重量%含有されて
いる。Feが0.0010重量%未満であると、アルミ
ニウム箔が高純度になり、高価になるので好ましくな
い。更に、Feの量が少なくなりすぎて、Feを析出さ
せることが困難になる。逆に、Feが0.0100重量
%を超えると、Feの析出量を本発明において規制した
範囲内とすることは容易であるが、析出Feの絶対量が
多くなって、相対的に立方体方位を有する結晶粒の割合
が低下し、箔表面垂直なトンネル状のエッチングピット
の形成割合が低下するので、好ましくない。更に、析出
Feの絶対量が多いので、エッチング時に過溶解が生じ
やすくなり、高静電容量の電解コンデンサ用高圧電極箔
が得られにくくなるため、好ましくない。
【0010】また、電解コンデンサ高圧電極用アルミニ
ウム箔中には、Siが0.0015〜0.0150重量
%、好ましくは0.0015〜0.0050重量%含有
されている。Siが0.0015重量%未満であると、
アルミニウム箔が高純度になり、高価になるので好まし
くない。逆に、Siが0.0150重量%を超えると、
析出Siの絶対量が多くなって、エッチング時に過溶解
が生じやすくなり、高静電容量の電解コンデンサ用高圧
電極箔が得られにくくなるため、好ましくない。
【0011】更に、電解コンデンサ高圧電極用アルミニ
ウム箔中には、Cuが0.0001〜0.0050重量
%含有されている。Cuが0.0001重量%未満であ
ると、Cuの量が少なくなりすぎて、エッチング特性が
低下する傾向が生じるので好ましくない。逆に、Cuが
0.0050重量%を超えると、析出Cuの絶対量が多
くなって、エッチング時に過溶解が生じやすくなり、高
静電容量の電解コンデンサ用高圧電極箔が得られにくく
なるため、好ましくない。なお、本発明に係る電解コン
デンサ高圧電極用アルミニウム箔中には、他の不純物元
素、例えばZnやMnなどを含有していてもよい。
【0012】本発明に係る電解コンデンサ高圧電極用ア
ルミニウム箔中には、Fe,Si及びCuが一定の量的
割合で析出している。即ち、Fe,Si及びCuの含有
量の合計に対して、Fe,Si及びCuの析出量の合計
が10%未満の割合となるように析出している。ここ
で、10%未満の技術的意義については、0%を含まな
いものであり、Fe,Si及びCuが極めて少量であっ
ても析出しており、その析出量の合計が、Fe,Si及
びCuの含有量の合計に対して10%以上にならないこ
とを意味している。この析出量の合計が10%以上であ
ると、エッチング開始点となるFe,Si及びCuの析
出箇所が近接しすぎる恐れがあり、エッチング時に隣接
する複数のエッチングピットが合体して単一のピットと
なってしまい、表面積の十分な拡大が図れず、高静電容
量の電解コンデンサ用高圧電極箔が得られにくくなる。
また、化成処理後において漏洩電流が増大する傾向が生
じるので、好ましくない。
【0013】更に、本発明においては、Fe,Si及び
Cuの析出量の合計に対して、Feの析出量を30〜8
0%の範囲に規制することが好ましい。Feの析出量が
30%未満であると、Feの固溶量が多くなり、立方体
方位粒の成長を阻害する傾向が生じ、箔表面に垂直なト
ンネル状のエッチングピットを形成しにくくなる傾向が
生じる。逆に、Feの析出量が80%を超えると、Fe
析出物の割合が相対的に多くなり、エッチング時に過溶
解となり、表面積の十分な拡大が図れず、高静電容量の
電解コンデンサ用高圧電極箔が得られにくくなる。ま
た、化成処理後において漏洩電流が増大する傾向が生じ
るので好ましくない。
【0014】また、本発明においては、Fe,Si及び
Cuの析出量の合計に対して、Cuの析出量を1〜20
%の範囲に規制することが好ましく、特に1〜10%の
範囲に規制することがより好ましい。Cuの析出物自体
は貴な電位を示すため、全体の析出物中に含まれるCu
析出物が多くても、過溶解を生じる恐れがある。従っ
て、Cuの析出量は20%以下に規制されているのが好
ましい。ここで、Cuは単独では析出しにくいものであ
り、FeやSi等の析出物中に、化合物の形で又は固溶
した形で存在する。本発明においては、熱フェノール溶
解法によって、FeやSiと共に定量分析されたCuの
量を、Cuの析出量としているものである。また、この
定量分析されたCuを、Cu析出物(厳密にはCu析出
物と言えないかもしれないが)と言っているのである。
【0015】なお、Siは、単体で析出することもあれ
ば、Al−Fe−Si系の化合物の形でも析出し、Si
単独の影響について定量化するのが困難であるため、S
iの析出量には言及しなかった。しかし、Siの析出量
はエッチング特性に影響を及ぼすものであるため、本発
明においては、Fe,Si及びCuの含有量の合計に対
する、Fe,Si及びCuの析出量の合計という形で言
及した。
【0016】本発明においては、Fe,Si及びCuの
析出量は、以下に説明する熱フェノール溶解法によって
測定する。熱フェノール溶解法の基本的な考え方は、次
のとおりである。即ち、約443Kに熱したフェノール
中でアルミニウム箔を溶解させると、析出物以外のアル
ミニウム及びアルミニウム中に固溶している各元素は容
易に溶解する。その後、溶解しなかった析出物を適当な
孔径のフィルターを介して瀘過し、フィルター上に捕集
された析出物を塩酸溶液に溶解し、この溶解溶液を定量
分析することによって、Fe,Si,Cuの個々の析出
量を測定するのである。熱フェノール溶解法を採用した
場合の具体的測定方法は、次のとおりである。まず、種
々の方法により調整して作製したアルミニウム箔を適当
な大きさに切断採取し、適当な前処理方法によって切断
時等に付着した不純物を除去する。この除去方法として
は、例えば、水酸化ナトリウム溶液やエタノール等で洗
浄する方法が採用される。その後、一定の容量のフェノ
ールを秤量して、これが蒸発して減少しないように還流
しながら、443〜453Kに加熱する。この加熱した
フェノール中に、準備したアルミニウム箔を投入し、ア
ルミニウム及びアルミニウム中に固溶している各元素を
溶解させる。その後、フェノールは約313Kの温度に
て凝固するので、一定量のベンジルアルコールをフェノ
ールに添加し、液体状態を維持させたまま、アルミニウ
ムを溶解させたフェノールを適切な孔径のフィルターを
用いて瀘過する。そして、フィルター上に捕集された析
出物を一定の濃度の塩酸溶液で溶解する。この溶解溶液
を、原子吸光法又はICP発光分析法等の方法で分析し
て、各元素含有量を測定する。以上のようにして、準備
したアルミニウム箔中に析出していたFe,Si及びC
uの量を求めることができる。そして、個々の元素の析
出量と、アルミニウム箔中に含有されていた個々の元素
の含有量を用いて、本発明におけるFe,Si,Cuの
析出割合を計算することができるのである。
【0017】熱フェノール溶解法によって、各析出物を
フィルター上に捕集すれば、粒径分布を求めることがで
きる。即ち、フィルター上に捕集された析出物を、走査
型電子顕微鏡にて観察し、その結果を画像解析して粒径
分布を求めるのである。そして、本発明者がこの粒径分
布に関して研究したところ、2μm以下の析出物の数
が、析出物全体の数に対して、50%以上を占めている
と、エッチング特性が良好になる傾向があった。2μm
以下の析出物の数が全体の50%未満であると、エッチ
ング開始点が少なくなって、エッチング特性が低下する
のではないかと考えられる。なお、電解コンデンサ高圧
電極箔(特に、高圧用陽極箔)を製造する際には、箔表
面に使用耐電圧に応じた適切な径のトンネル状のエッチ
ングピットを多数形成することが要求されるので、2μ
mを超える析出物の数はなるべく少ない方が好ましい。
つまり、2μmを超える析出物は、エッチング時に、比
較的大きな径のトンネル状エッチングピットの形成をも
たらし、ピット密度が減少する傾向となって、多数のト
ンネル状のエッチングピットが形成されにくくなる恐れ
があるのである。
【0018】また、結晶粒の大きさと立方体方位を有す
る結晶粒の生成割合との間には、一般的に、結晶粒が大
きいほど立方体方位を有する結晶粒の生成割合は低下す
るという関係がある。即ち、最終焼鈍前の結晶粒が大き
いほど、立方体方位を有する結晶粒以外の結晶粒の粒径
も大きいため、最終焼鈍工程において、立方体方位を有
する結晶粒の成長が妨害されるのである。このようなこ
とから、本発明において、アルミニウム箔中の平均結晶
粒径は0.02〜5mmとするのが好ましい。なお、平
均結晶粒径は、JIS G 0501(伸銅品結晶粒度
試験方法の切断法)に規定される方法で測定を数回繰り
返し、その平均値を算出して求める。
【0019】また、本発明においては、立方体方位を有
する結晶粒が全結晶粒に対して60%以上を占めている
のが好ましい。立方体方位を有する結晶粒の割合が60
%未満であると、箔表面に垂直なトンネル状のエッチン
グピットの形成割合が低下する傾向となって、静電容量
が十分に高くならない傾向が生じる。最近、使い捨てカ
メラ等に使用される電解コンデンサ高圧用陽極箔は、高
静電容量よりも低コストを優先する傾向がある。従っ
て、電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔について
も、立方体方位を有する結晶粒が高割合で生成していな
くても差し支えがない場合も多くなっている。また、立
方体方位を有する結晶粒以外の結晶粒がある程度存在し
ている方が、化成処理後における過電圧特性が良好であ
ることも報告されている[刊行物「軽金属学会 第87
回秋期大会概要集」第285〜286頁の「電解コンデ
ンサ用アルミニウム箔の微細集合組織」と題する福地正
明氏(北海道職業能力開発短期大学校)の論文]。依っ
て、立方体方位を有する結晶粒の割合は、一般的には6
0%以上が好ましいが、それ以下であっても差し支えな
いことは言うまでもない。
【0020】以上のように、Fe,Si及びCuの析出
量を10%未満に規制した、本発明に係る電解コンデン
サ高圧電極用アルミニウム箔を製造する方法としては、
例えば、所定の速度にてアルミニウム鋳塊を鋳造後、適
切な温度で均質化処理し、所定の温度で熱間圧延や中間
焼鈍等を行うこと方法を挙げることができる。特に、均
質化処理の温度や時間、熱間圧延の温度や時間、中間焼
鈍及び最終焼鈍の温度や時間等を調整することによっ
て、Fe,Si及びCuの析出量を10%未満に規制す
ることができる。このようにして得られた電解コンデン
サ高圧電極用アルミニウム箔に、所定の条件でエッチン
グ処理を施すと、箔表面に微細なエッチングピットが形
成され、表面積の拡大した高静電容量の電解コンデンサ
高圧電極箔が得られるのである。そして、この電解コン
デンサ高圧電極箔は、特に、高圧用陽極箔として好適に
使用することができる。
【0021】
【実施例】
実施例1 厚さ400mmで、Al純度99.99重量%、Fe:
0.0015重量%、Si:0.0025重量%、C
u:0.0030重量%、その他不可避不純物元素を含
有するアルミニウム鋳塊を準備した。このアルミニウム
鋳塊に、853K×18Ks(580℃×5時間)の条
件で均質化処理を施した。その後、熱間圧延開始温度8
13K(540℃)で熱間圧延終了温度623K(35
0℃)で、熱間圧延を施した。次いで、常法により一次
冷間圧延を施した後、503K×36Ks(230℃×
10時間)で中間焼鈍を施した。その後、常法により二
次冷間圧延を施した後、界面活性剤を含むアルカリ溶液
にて脱脂洗浄を行った後、803K×54Ks(530
℃×15時間)の条件で窒素雰囲気中で最終焼鈍を施し
て、厚さ0.1mmの電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔を得た。
【0022】実施例2 熱間圧延を省略して、均質化処理した後徐冷し、所定の
厚みになるまで一次冷間圧延を行った他は、実施例1と
同一の方法で厚さ0.1mmの電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔を得た。
【0023】実施例3 中間焼鈍の条件を523K×72Ks(250℃×20
時間)に変更した他は、実施例1と同一の方法で厚さ
0.1mmの電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得
た。
【0024】実施例4 均質化処理の条件を873K×18Ks(600℃×5
時間)に変更した他は、実施例1と同一の方法で厚さ
0.1mmの電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得
た。
【0025】比較例1 熱間圧延と一次冷間圧延との間に、633K×18Ks
(360℃×5時間)の条件で中間焼鈍を挿入した他
は、実施例1と同一の方法で厚さ0.1mmの電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔を得た。
【0026】上記実施例1〜4及び比較例1に係る方法
により得た5種類の電解コンデンサ高圧電極用アルミニ
ウム箔について、Fe,Si及びCuの析出量を熱フェ
ノール溶解法により測定し、表1に記載した各析出量の
割合を求めた。また、各電解コンデンサ高圧電極用アル
ミニウム箔中における2μm以下の析出物が占める割合
も求めた。これらの結果を表1に示した。更に、全結晶
粒の数に対する立方体方位を有する結晶粒の数(立方体
方位比率)及び平均結晶粒径を測定し、それらの結果を
表1に示した。なお、立方体方位比率の測定方法は、ア
ルミニウム箔試料を、塩酸:硝酸:弗化水素酸=50:
47:3の容積比を有する溶液中に15秒間浸漬し、結
晶組織を顕出した後、画像解析装置にて測定した。
【0027】そして、各電解コンデンサ高圧電極用アル
ミニウム箔に、以下の条件でエッチング処理及び化成処
理を施して、以下に示す条件で静電容量(μF/c
2)を測定した。 [エッチング処理]:348K(75℃)の(5.3w
t.%HCl+6.4wt.%AlCl36H2O+6.
9wt.%H2SO4)溶液中に、電解コンデンサ高圧電
極用アルミニウム箔を浸漬し、電流密度DC0.2A/
cm2を400sec.流して、エッチング処理を行っ
た。 [化成処理]:エッチング処理後のアルミニウム箔を巾
1cm×長さ5cmの大きさに裁断し、この1枚を液温
353K(80℃)の(9wt.%硼酸+0.1wt.
%五硼酸アンモニウム)水溶液中に浸漬し、対向電極を
sus 304として、370Vで30分間の条件で化
成処理を行った。 [静電容量]:化成処理した電極箔(大きさ巾1cm×
長さ5cm)1枚を、303K(30℃)の7wt.%
五硼酸アンモニウム水溶液中に浸漬し、対向電極を、静
電容量が40000μF以上のエッチドアルミニウム箔
として、120Hzの直列等価回路でLCRメーターを
用いて、静電容量(μF/cm2)を測定した。なお、
表1に示した静電容量(%)は、Fe:0.001重量
%、Si:0.001重量%、Cu:0.005重量
%、その他不可避不純物元素を含有する純度99.99
%のアルミニウム鋳塊を使用し、実施例1と同一の方法
で得られたアルミニウム箔に、前記したエッチング処理
及び化成処理を施した高圧電極箔の静電容量を100%
として、これとの相対比較で求めたものである。
【0028】
【表1】
【0029】実施例5 まず、表2に示した元素組成を持つアルミニウム鋳塊を
準備した。このアルミニウム鋳塊に、853K×18K
s(580℃×5時間)の条件で均質化処理を施した。
その後、熱間圧延開始温度813K(540℃),熱間
圧延終了温度623K(350℃)で熱間圧延を施し
た。次いで、常法により一次冷間圧延を施した後、50
3K×36Ks(230℃×10時間)の条件で中間焼
鈍を施した。その後、常法により二次冷間圧延を施し
て、厚さ0.1mmのアルミニウム箔を得た。このアル
ミニウム箔を、界面活性剤を含有するアルカリ溶液にて
脱脂洗浄を行った後、803K×54Ks(530℃×
15時間)の条件で最終焼鈍を施して、電解コンデンサ
高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0030】実施例6 アルミニウム鋳塊の元素組成を、表2に示したものに変
更した他は、実施例5と同一の方法によって電解コンデ
ンサ高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0031】実施例7 アルミニウム鋳塊の元素組成を、表2に示したものに変
更した他は、実施例5と同一の方法によって電解コンデ
ンサ高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0032】実施例8 アルミニウム鋳塊の元素組成を、表2に示したものに変
更した他は、実施例5と同一の方法によって電解コンデ
ンサ高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0033】実施例9 表2に示した元素組成を持つアルミニウム鋳塊に、83
3K×90Ks(560℃×25時間)の条件で均質化
処理を施した。その後、熱間圧延開始温度793K(5
20℃),熱間圧延終了温度523K(250℃)で熱
間圧延を施した。その後は、実施例5と同一の方法によ
って電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0034】比較例2 表2に示した元素組成を持つアルミニウム鋳塊に、79
3K×36Ks(520℃×10時間)の条件で均質化
処理を施した。その後、熱間圧延開始温度743K(4
70℃),熱間圧延終了温度543K(270℃)で熱
間圧延を施した。次いで、実施例5と同一の方法によっ
て一次冷間圧延を施した後、523K×18Ks(25
0℃×5時間)の条件で中間焼鈍を施した。その後は、
実施例5と同一の方法によって電解コンデンサ高圧電極
用アルミニウム箔を得た。
【0035】比較例3 表2に示した元素組成を持つアルミニウム鋳塊に、79
3K×36Ks(520℃×10時間)の条件で均質化
処理を施した。その後、熱間圧延開始温度743K(4
70℃),熱間圧延終了温度543K(270℃)で熱
間圧延を施した。次いで、熱間圧延上がり板に653K
×18Ks(380℃×5時間)の条件で中間焼鈍を施
した。その後、実施例5と同一の方法によって一次冷間
圧延を施した後、523K×36Ks(250℃×10
時間)の条件で中間焼鈍を施した。その後は、実施例5
と同一の方法によって電解コンデンサ高圧電極用アルミ
ニウム箔を得た。
【0036】比較例4 アルミニウム鋳塊の元素組成を、表2に示したものに変
更した他は、比較例3と同一の方法によって電解コンデ
ンサ高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0037】比較例5 アルミニウム鋳塊の元素組成を、表2に示したものに変
更した他は、比較例3と同一の方法によって電解コンデ
ンサ高圧電極用アルミニウム箔を得た。
【0038】
【表2】
【0039】以上の実施例5〜9及び比較例2〜5で得
られた電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔につい
て、Fe,Si及びCuの析出量を熱フェノール溶解法
により測定し、表3に記載した各析出量の割合を求め
た。また、各電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔
中における2μm以下の析出物が占める割合、立方体方
位比率及び平均結晶粒径を測定し、その結果を表3に示
した。更に、各電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム
箔にエッチング処理等を施して、静電容量を測定し、そ
の結果も表3に示した。なお、以上の試験項目の測定法
は、実施例1で採用した方法と同一の方法で行ったの
は、言うまでもない。
【0040】
【表3】
【0041】以上の実施例1〜9及び比較例1〜5の結
果から明らかなように、Fe,Si及びCuの析出量
が、Fe,Si及びCuの含有量に対して、10%未満
に規制されている電解コンデンサ高圧電極用アルミニウ
ム箔を使用し、直流エッチング法によってエッチング処
理した電極箔は、高静電容量を有していることが分か
る。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電解
コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔は、その箔中に含
有されているFe、Si及びCuの析出量を、Fe、S
i及びCuの含有量に対して、10%未満に規制したの
で、直流エッチング法によってエッチング処理を施すこ
とで、安定して高静電容量の電極箔を得ることができ
る。更に、Fe又はCuの各析出物の析出量を、特定の
範囲に規制した場合には、より安定して高静電容量の電
極箔を得ることができる。また、各析出物の大きさや数
を特定の範囲に規定したり、若しくはアルミニウム箔中
の平均結晶粒径の大きさや立方体方位比率を特定の範囲
に規定した場合にも、より安定して高静電容量の電極箔
を得ることができるという効果を奏する。
【0043】更に、本発明に係る電解コンデンサ高圧電
極用アルミニウム箔は、Fe,Si及びCuの析出量を
所定の範囲に規制しており、さらに必要に応じて各析出
物の大きさを所定の範囲に規制しているので、化成処理
後において、高圧電極箔として使用した場合において
も、漏洩電流が生じにくいという効果を奏するものであ
る。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミニウム純度が99.9重量%以上
    であって、Fe:0.0010〜0.0100重量%、
    Si:0.0015〜0.0150重量%、Cu:0.
    0001〜0.0050重量%、その他不可避不純物元
    素を含有し、熱フェノール溶解法によって測定されるF
    e,Si及びCuの析出量の合計が、Fe,Si及びC
    uの含有量の合計に対して、10%未満に規制されてい
    ることを特徴とする電解コンデンサ高圧電極用アルミニ
    ウム箔。
  2. 【請求項2】 熱フェノール溶解法によって測定される
    Feの析出量が、Fe,Si及びCuの析出量の合計に
    対して、30〜80%の範囲に規制されている請求項1
    記載の電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔。
  3. 【請求項3】 熱フェノール溶解法によって測定される
    Cuの析出量が、Fe,Si及びCuの析出量の合計に
    対して、1〜20%の範囲に規制されている請求項1又
    は2記載の電解コンデンサ高圧電極用アルミニウム箔。
  4. 【請求項4】 2μm以下の析出物の数が、析出物全体
    の数に対して、50%以上を占めている請求項1及至3
    のいずれか一項に記載の電解コンデンサ高圧電極用アル
    ミニウム箔。
  5. 【請求項5】 平均結晶粒径が0.02〜5mmであ
    り、且つ立方体方位を有する結晶粒が全結晶粒に対して
    60%以上を占めて存在している請求項1及至4のいず
    れか一項に記載の電解コンデンサ高圧電極用アルミニウ
    ム箔。
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