JPH05281178A - 機能性厚膜素子の製造方法およびセンサ素子の製造方法 - Google Patents

機能性厚膜素子の製造方法およびセンサ素子の製造方法

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JPH05281178A
JPH05281178A JP8233092A JP8233092A JPH05281178A JP H05281178 A JPH05281178 A JP H05281178A JP 8233092 A JP8233092 A JP 8233092A JP 8233092 A JP8233092 A JP 8233092A JP H05281178 A JPH05281178 A JP H05281178A
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JP
Japan
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film
sensor element
manufacturing
metal film
oxide film
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JP8233092A
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English (en)
Inventor
Kunihiro Nagata
邦裕 永田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板との密着強度や均一性等にて優れた厚膜
の製造方法と、感度、応答時間および寿命等にて優れた
安価なセンサ素子の製造方法とを提供する。 【構成】 先ず、アルミナ等のセラミックス基板1の表
面を脱脂、洗浄した後、ニッケル、クロム、錫等の金属
膜をセラミックス基板上に1〜5μmの厚さに無電解メ
ッキ法または置換メッキ法で形成する。次いで、この金
属膜を酸化雰囲気中で400〜1200℃、10〜30
分間熱処理することで、これらの金属膜を酸化させて酸
化ニッケル膜、酸化クロム膜、酸化錫膜等の酸化金属膜
2を作製する。この方法で作製した酸化金属膜2上に、
検出用電極としてのAgーPdの櫛形電極3をスクリー
ン印刷して800〜1000℃で焼き付け、この電極3
にリード線4をボンディングすることでセンサ素子を作
製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物や窒化物などの
機能性厚膜素子の製造方法およびそれを利用したセンサ
素子の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、熱転写形の発熱抵抗体等の窒
化物または酸化物素子はスパッタ法や、原料粉末を含む
ペーストをスクリーン印刷にて印刷後焼成して焼き付け
る方法等で作製されている。
【0003】また、酸化物厚膜を利用したセンサは、上
記の方法で作製した素子に、検出電極を印刷等の方法で
形成してセンサ素子を作製している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ここで、スパッタ法で
は設備的にコストがかかる。また、印刷法ではコスト的
には安価であるが、基板との密着強度が弱い、厚膜の粒
子径を制御できない、多孔質になる等の問題点があり、
この厚膜を用いたセンサにおいては、その問題点から信
頼性が悪い、寿命が短い、応答速度が遅い等の問題点が
生じる。
【0005】本発明は、基板との密着強度が強く、均一
で緻密な厚膜を形成できる機能性厚膜素子の製造方法
と、信頼性、応答時間および寿命等にて優れた特性を示
すセンサ素子の製造方法とを提供することを目的とする
ものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載された発
明は、セラミックス基板上にメッキ法で金属膜を形成
し、この金属膜を酸化あるいは窒化させる機能性厚膜素
子の製造方法である。
【0007】請求項2に記載された発明は、請求項1に
記載の機能性厚膜素子の製造工程と、検出用電極の形成
工程とを組合わせたセンサ素子の製造方法である。
【0008】
【作用】請求項1に記載された発明は、機能性厚膜素子
を作製する方法として、まずメッキ法で、基板との密着
強度が強く、均一で良好な金属膜を形成する。次いで、
その膜を酸化させることで酸化物厚膜を作製する。この
ため厚膜と基板との密着強度が向上し、均一で緻密な酸
化物厚膜が得られる。また、窒化物厚膜素子は、上記金
属膜を窒素雰囲気中で熱処理することで作製する。
【0009】請求項2に記載された発明は、請求項1で
得られた厚膜素子の製造工程に、検出用電極の形成工程
を組合わせてセンサ素子を作製すると、そのセンサ素子
の信頼性、応答性、感度等が向上し、またコストも安価
で済む。
【0010】
【実施例】
(1) 酸化物厚膜素子の作製 先ず、図1に示されるようにアルミナ等のセラミックス
基板1の表面を脱脂、洗浄した後、ニッケル、クロム、
錫等の金属膜2をセラミックス基板上に1〜5μmの厚
さに無電解メッキ法または置換メッキ法で形成する。次
いで、この金属膜2を酸化雰囲気中で400〜1200
℃、10〜30分間熱処理することで、これらの金属膜
を酸化させて酸化ニッケル膜、酸化クロム膜、酸化錫膜
等の酸化金属膜を作製した。
【0011】(2) センサ素子の作製 上記方法で作製した酸化金属膜2上に、検出用電極とし
てのAgーPdの櫛形電極3をスクリーン印刷して80
0〜1000℃で焼き付け、この電極3にリード線4を
ボンディングすることでセンサ素子を作製した。
【0012】また、図2に示されるように、予め検出用
電極としての櫛形電極3を焼き付けたセラミックス基板
1上に、前述した方法で酸化金属膜2を作製した後、リ
ード線4をボンディングすることによってもセンサ素子
を作製した。
【0013】ここで、櫛形電極3の1本幅は各0.5m
m、電極が対向している間隙幅は10mmである。
【0014】(3ー1) 湿度センサ素子の特性 酸化ニッケルを用いたセンサ素子において、その感湿特
性を恒温恒湿槽中温度25〜85℃、相対湿度25〜9
0%の範囲にて、交流1V、周波数120Hz〜10kHz
で相対湿度に対するインピーダンスの変化として測定し
た。
【0015】その結果、従来の印刷法により作製した素
子と比較して、その感度(相対湿度10%の変化に対す
るインピーダンスの変化率とする)は、特に高湿部(6
0%以上)においてインピーダンスの変化が4分の1桁
に対して3分の1桁と感度が向上した。
【0016】(3ー2) ガスセンサ素子の特性 また、酸化錫を用いたセンサ素子において、ガス感度特
性について水素ガスを用い流通法により求めた。このと
きの条件は、センサ素子を直径7cmで長さ90cmの石英
ガラス管の中心にセットし、水素ガス3%を含む空気を
ガラス管の一方から約100ml/min の流量で流しなが
ら抵抗を測定した。この時、センサ素子の温度は100
〜500℃の範囲で制御した。感度は空気のみを流通さ
せた場合の素子の抵抗値(Rair )を、被検ガスを混入
した空気を流通させた場合の素子の抵抗値(Rgas )で
除した値(Rair /Rgas )とし、感度が最大となった
素子の温度を素子の動作温度とした。
【0017】次に応答特性は、一定温度下の管内に瞬時
に被検ガスを混入した空気を流通させ、その時のセンサ
素子の動作温度における抵抗値の時間変化をXYプロッ
タで出力させて応答速度を測定した。
【0018】さらに、エージング特性について、ガスを
流通させながら素子温度500℃で保持し、1〜10時
間間隔でセンサ素子の感度を測定し、感度が初期値の7
0%に低下した時間をエージング時間とした。以上の感
度、応答速度およびエージング時間の特性をメッキ法お
よび印刷法で作製したセンサ素子について比較した結果
を、次の表1に示す。
【0019】
【表1】 表1に示すように、本発明のメッキ法により作製したセ
ンサ素子は、従来の印刷法により作製したセンサ素子に
比べ、感度、応答速度、エージング時間共に優れた特性
を示す。これは、膜の密着強度、均一性および緻密性等
の膜の特性が向上したためである。
【0020】なお、本発明のメッキ法により製造された
酸化金属膜は、従来の薄膜に属する膜厚をも包含する場
合がある。
【0021】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、セラミックス
基板上に金属膜をメッキ法で形成してから酸化あるいは
窒化させるので、酸化あるいは窒化金属膜と基板との密
着強度が向上し、均一で緻密な厚膜が得られる。
【0022】請求項2の発明によれば、請求項1に記載
のメッキ法を用いてセンサ素子を製造するので、感度、
応答時間、エージング特性等において優れたセンサ素子
をコスト的にも安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】Aは本発明に係るセンサ素子の一実施例を示す
平面図、BはAのIb −Ib 線断面図である。
【図2】Aは本発明に係るセンサ素子の他の実施例を示
す平面図、BはAのIIb −IIb線断面図である。
【符号の説明】
1 セラミックス基板 2 酸化あるいは窒化金属膜 3 検出用電極

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミックス基板上にメッキ法で金属膜
    を形成し、この金属膜を酸化あるいは窒化させることを
    特徴とする機能性厚膜素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の機能性厚膜素子の製造
    工程と、検出用電極の形成工程とを組合わせたことを特
    徴とするセンサ素子の製造方法。
JP8233092A 1992-04-03 1992-04-03 機能性厚膜素子の製造方法およびセンサ素子の製造方法 Pending JPH05281178A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010091486A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd ガスセンサおよびその製造方法
CN102607732A (zh) * 2012-03-20 2012-07-25 哈尔滨工程大学 液浮陀螺仪用薄膜温度传感器的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5811846A (ja) * 1981-07-15 1983-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd No↓2ガス検知方法
JPH0221258A (ja) * 1988-07-08 1990-01-24 Toyota Motor Corp 酸素濃度センサーの製造方法

Patent Citations (2)

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