JPH05275341A - スパッタ装置のシールド体 - Google Patents

スパッタ装置のシールド体

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Publication number
JPH05275341A
JPH05275341A JP10036992A JP10036992A JPH05275341A JP H05275341 A JPH05275341 A JP H05275341A JP 10036992 A JP10036992 A JP 10036992A JP 10036992 A JP10036992 A JP 10036992A JP H05275341 A JPH05275341 A JP H05275341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shield
holder
ring
hole
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP10036992A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuya Matsumoto
和也 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH05275341A publication Critical patent/JPH05275341A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハ5よりも相当に大きな径の孔を有する
内部シールド1と、該内部シールド1のウェハ5側に取
り付けられ、該内部シールド1の上記孔よりも内径が小
さくウェハ5の径に近似した孔を有するホルダーシール
ドリング2とからなり、ターゲット4からのスパッタ粒
子がウェハ5以外の部分に付着するのを阻むスパッタ装
置のシールド体において、スパッタ膜6により内部シー
ルド1とホルダシールドリング2との分解が阻まれない
ようにする。 【構成】 ホルダーシールドリング2のターゲット4側
の面にリング状に切欠7が形成され該切欠7の内側面7
aが内部シールド1の孔の周縁近傍に位置して切欠7の
ターゲット側を向いた面7bとで階段を為していること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタ装置のシール
ド体、特にウェハよりも相当に大きな径の孔を有する内
部シールドと、該内部シールドのウェハ側に取り付けら
れ、該内部シールドの上記孔よりも内径が小さくウェハ
の径に近似した径の孔を有するホルダーシールドリング
とからなり、ターゲットからのスパッタ粒子がウェハ以
外の部分に付着するのを阻むスパッタ装置のシールド体
に関する。
【0002】
【従来の技術】スパッタ装置にはターゲット、例えばア
ルミニウムからの粒子が半導体ウェハ以外の部分に付着
するのを防止するためシールド体が設けられている。図
3はシールド体の従来例の概略を示す分解斜視図であ
る。この図から明らかなように、スパッタ装置のシール
ド体は、内部シールド1とホルダーシールドリング2
と、その両者1、2を組み付けるホルダーシールド板3
からなる。
【0003】図4は従来の内部シールド1とホルダーシ
ールドリング2を示す断面図である。便宜上ホルダーシ
ールド板は図示しない。尚、4はターゲット、5は半導
体ウェハである。
【0004】内部シールド1はターゲット4側に位置
し、ウェハ5よりも相当に大きな径の孔を有する。ホル
ダーシールドリング2は内部シールド1のウェハ側に取
り付けられており、ターゲット4側からウェハ5側に行
くに従って径が小さくなる孔を有している。この孔の最
もウェハ5に近い位置における径はウェハ5と同程度で
あり、最もターゲット4に近い位置における径は、内部
シールド1の径と略等しかった。
【0005】このように、二種類の板でシールド体を構
成するのは次の理由による。半導体ウェハ5に近い部分
においては孔の位置が少しでも狂うと半導体ウェハ5上
に形成されるスパッタ膜に悪影響を与えるので、位置が
ずれないようのボルトでしっかり固定する必要がある。
【0006】しかし、シールド板をボルトで固定する
と、ボルトにもスパッタ膜が形成されるのでシールド板
を止めるボルトをカバーする必要がある。さもないと、
スパッタ膜によってボルトをスパナ等で取り外すことが
妨げられるからである。そこで、ホルダーシールドリン
グ2をボルト締めでホルダーシールド板3に固定し、そ
のホルダーシールドリング2のボルト締め部分を内部シ
ールド1でカバーするようにしたのである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
ては、図4に示すように、シールド体を成すホルダーシ
ールドリング2の孔が、ターゲット4側においては内部
シールド1の孔と略同径で、ウェハ5側へ行くに従って
径が大きくなるように形成されていたため、シールド板
に付着するターゲットからの粒子によるスパッタ膜はホ
ルダーシールドリング2の内周面から内部シールド1の
表面上に一体に形成される。
【0008】そのため、シールド体を分解してそれに付
着した薄膜を取除こうとしてもそのスパッタ膜6が内部
シールド1とホルダーシールドリング2の取り外しを阻
むという問題があった。また、ホルダーシールドリング
2の孔の内面に付着したスパッタ膜6の盛り上がりがシ
ャドウイング効果によってターゲット4からの粒子を遮
り、半導体ウェハ周辺部のステップカバレッジに悪影響
を及ぼすという問題があった。
【0009】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハよりも相当に大きな径の孔を
有する内部シールドと、該内部シールドのウェハ側に取
り付けられ、該内部シールドの上記孔よりも内径が小さ
くウェハの径に近似した孔を有するホルダーシールドリ
ングとからなり、ターゲットからのスパッタ粒子がウェ
ハ以外の部分に付着するのを阻むスパッタ装置のシール
ド体において、シールド体に付着したスパッタ膜によっ
て内部シールドとホルダーシールドリングとの分解(取
り外し)が妨げられるのを防止することを一つの目的と
し、ホルダーシールドリングの孔の周面に付着したスパ
ッタ膜によるシャドウイング効果の軽減を図ることを他
の目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1のスパッタ装置
のシールド体は、ホルダーシールドリングのターゲット
側の面にリング状に切欠が形成され該切欠の内側面が内
部シールドの孔の周縁近傍に位置して該切欠のターゲッ
ト側を向いた面とで階段を為していることを特徴とす
る。請求項2のスパッタ装置のシールド体は、請求項1
のスパッタ装置のシールド体において、切欠の側面より
も内部シールドの孔の周縁が内側に寄っていることを特
徴とする。
【0011】
【作用】請求項1のスパッタ装置のシールド体によれ
ば、ホルダーシールドリングの切欠の内側面が階段をな
すように形成されるので、内部シールドに付着したスパ
ッタ膜と、ホルダーシールドリングに付着したスパッタ
膜とに段切れが生じ易くなる。従って、内部シールドと
ホルダーシールドリングとの間の分解がし易い。また、
ホルダーシールドリングのターゲット側を向いた面の位
置を従来よりもウェハ寄りにできるので、ホルダーシー
ルドリングに付着したスパッタ膜によるシャドウイング
効果の低減を図ることができる。
【0012】請求項2のスパッタ装置のシールド体によ
れば、ホルダーシールドリングの孔の内周面から内側に
ホルダーシールドリングの孔の内周縁が庇状に突出した
形状になるので、内部シールドに付着したスパッタ膜
と、ホルダーシールドリングに付着したスパッタ膜とに
段切れをより有効に生ぜしめることができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明スパッタ装置のシールド体を図
示実施例に従って詳細に説明する。図1は本発明スパッ
タ装置のシールド体の一つの実施例の要部の概略を示す
断面図である。本スパッタ装置のシールド体は図3、図
4に示した従来例とは、ホルダーシールドリング2の断
面形状が異なるがそれ以外の点では共通し、共通する点
については既に説明済みであるので詳細な説明を省略す
る。尚、全図を通して共通する部分には共通の符号を使
用した。
【0014】本スパッタ装置のシールド体のホルダーシ
ールドリングは、図1に示すように、ホルダーシールド
リング2の孔2aにターゲット4側を向いたリング状切
欠7が形成されている。7aは該リング状切欠7の内側
面である。この内側面7aはターゲット4の表面に対し
て垂直の角度を成している。そして、側面7aの径は内
部シールド1の孔1aの径よりも稍大きい。従って、内
部シールド1の内端がホルダーシールドリング2の切欠
7に対して庇状に突出した形状になっている。7bは切
欠7のターゲット4側を向いた面である。
【0015】このようなスパッタ装置のシールド体によ
れば、ホルダーシールドリング2の切欠7の内側面7a
が、内部シールド1のターゲット4側の面及び切欠7の
ターゲット4側を向いた面7bとで階段をなすように形
成されているので、内部シールド1に付着したスパッタ
膜6と、ホルダーシールドリング2に付着したスパッタ
膜6とに段切れが生じる。従って、内部シールド1とホ
ルダーシールドリング2との間の分解(取り外し)がし
易い。
【0016】また、ホルダーシールドリング2のターゲ
ット4側を向いた面(7b)の位置を従来よりもウェハ
5よりにできるので、ホルダーシールドリング2に付着
したスパッタ膜6によるシャドウイング効果の低減を図
ることができる。そして、ホルダーシールドリング2の
孔の内周面から内側にホルダーシールドリング1が庇状
に突出した形状になるので、内部シールドに付着したス
パッタ膜6と、ホルダーシールドリング2に付着したス
パッタ膜6とに段切れをより有効に生ぜしめることがで
きる。
【0017】尚、図2(A)乃至(C)はホルダーシー
ルドリングの具体例を示すもので、(A)は平面図、
(B)は(A)のB−B線視断面図、(C)は(A)の
C−C線視断面図である。8、8、…はボルト締め用の
孔である。
【0018】
【発明の効果】請求項1のスパッタ装置のシールド体
は、ホルダーシールドリングのターゲット側の面にリン
グ状に切欠が形成され、該切欠の内側面が内部シールド
の孔の周縁近傍に位置して切欠のターゲット側を向いた
面とで階段を為していることを特徴とするものである。
従って、請求項1のスパッタ装置のシールド体によれ
ば、ホルダーシールドリングの切欠の側面が階段をなす
ように形成されるので、内部シールドに付着したスパッ
タ膜と、ホルダーシールドリングに付着したスパッタ膜
とに段切れが生じる。従って、内部シールドとホルダー
シールドリングとの間の分解(取り外し)がし易い。ま
た、ホルダーシールドリングのターゲット側を向いた面
の位置を従来よりもウェハ寄りにできるので、ホルダー
シールドリングに付着したスパッタ膜によるシャドウイ
ング効果の低減を図ることができる。
【0019】請求項2のスパッタ装置のシールド体は、
請求項1のスパッタ装置のシールド体において、切欠の
内側面よりも内部シールドの孔の内周縁が内側に寄って
いることを特徴とする。従って、請求項2のスパッタ装
置のシールド体によれば、ホルダーシールドリングの孔
の内周面から内側にホルダーシールドリングの内周縁が
庇状に突出した形状になるので、内部シールドに付着し
たスパッタ膜と、ホルダーシールドリングに付着したス
パッタ膜とに段切れをより有効に生ぜしめることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明スパッタ装置のシールド体の一つの実施
例の要部の概略を示す断面図である。
【図2】(A)乃至(C)はホルダーシールドリングの
具体例を示すもので、(A)は平面図、(B)は(A)
のB−B線視断面図、(C)は(A)のC−C線視断面
図である。
【図3】スパッタ装置のシールド体の従来例を示す分解
斜視図である。
【図4】スパッタ装置のシールド体の従来例の要部の概
略を示す断面図である。
【符号の説明】
1 内部シールド 2 ホルダーシールドリング 4 ターゲット 6 スパッタ膜 7 切欠 7a 切欠内側面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハよりも相当に大きな径の孔を有す
    る内部シールドと、該内部シールドのウェハ側に取り付
    けられ、該内部シールドの上記孔よりも径が小さくウェ
    ハの径に近似した径の孔を有するホルダーシールドリン
    グとからなり、ターゲットからのスパッタ粒子がウェハ
    以外の部分に付着するのを阻むスパッタ装置のシールド
    体において、 上記ホルダーシールドリングのターゲット側の面にリン
    グ状に切欠が形成され、 上記切欠の内側面が内部シールドの孔の周縁近傍に位置
    して切欠のターゲット側を向いた面とで階段を為してい
    ることを特徴とするスパッタ装置のシールド体
  2. 【請求項2】 切欠の側面よりも内部シールドの孔の周
    縁が内側に寄っていることを特徴とする請求項1記載の
    スパッタ装置のシールド体
JP10036992A 1992-03-25 1992-03-25 スパッタ装置のシールド体 Pending JPH05275341A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481829B1 (ko) * 1997-05-30 2005-07-04 삼성전자주식회사 반도체스퍼터링설비의웨이퍼홀더링실드
WO2007122735A1 (ja) * 2006-04-24 2007-11-01 Thin-Film Process Inc. スパッタリング装置
CN108620812A (zh) * 2017-03-17 2018-10-09 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件的制造方法

Cited By (4)

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CN108620812B (zh) * 2017-03-17 2019-10-22 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件的制造方法

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