JPH05273235A

JPH05273235A - インダクタンス測定用端子及び測定装置

Info

Publication number: JPH05273235A
Application number: JP6663292A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Fujimoto; 力藤本; Shunichi Kato; 俊一加藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1992-03-25
Filing date: 1992-03-25
Publication date: 1993-10-22

Abstract

(57)【要約】【目的】微小インダクタンスを正確に測定することの
できる測定用端子及び測定装置を得る。【構成】測定用端子１，２５はシールド面１ｃ，２５
ｃを有する。また、他の端子５，１１，１５，２１はシ
ールド面５ｃ，１１ｃ，１５ｃ，２１ｃ上に突部５ｄ，
１１ｄ，１５ｄ，２１ｄを有する。これらの端子は一対
で使用され、チップインダクタの電極が、端子１，２５
にあってはシールド面１ｃ，２５ｃと接触し、端子５，
１１，１５，２１にあっては突部５ｄ，１１ｄ，１５
ｄ，２１ｄと接触する。端子の一方は信号ラインコンダ
クタに着脱可能に取り付けられ、他方はグランドライン
コンダクタに着脱可能に取り付けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域で使用され
るチップインダクタの微小インダクタンスを測定するた
めの端子及び測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、表面実装タイプのチップインダク
タのインダクタンスの測定は、板ばねによって支持され
たコンタクトピンやプローブの先端をチップインダクタ
の電極に接触させて行っていた。しかし、測定ごとにコ
ンタクトピンやプローブと電極との接触位置が変化し、
測定値がばらつくという問題点を有していた。図９
（ｂ）はインダクタンス測定時におけるコンタクトピン
６１とチップインダクタ３０の電極３３との接触位置の
ずれを示し、接触位置は左から右へ最大１．０ｍｍ程ず
れる場合があり、図８に点線で示すように、１．０ｍｍ
の位置ずれが生じるとインダクタンスの変化量（ΔＬ）
は３．０％生じていた。このような測定値の変化は、接
触位置の変化に伴って電極を流れる電流の長さ及び電極
で発生する磁界が変化し、磁界の影響によって測定値の
変化が生じる。さらに、コンタクトピン６１を支持する
板ばねの形状変化によってコンタクトピン６１を含む測
定系のインピーダンスが変化し、これも測定値に悪影響
を与えていた。

【０００３】

【発明の目的、構成、作用、効果】そこで、本発明の目
的は、微小インダクタンスを正確に測定することのでき
る測定用端子及び測定装置を提供することにある。以上
の目的を達成するため、本発明に係るインダクタンス測
定用端子は、インダクタンス部品の電極への接触部分あ
るいは近接部分に、少なくとも電極と同じ面積を有する
シールド面を備えたことを特徴とする。

【０００４】前記端子は、測定時において、シールド面
が直接インダクタンス部品の電極に接触するか、シール
ド面に設けた突起が電極に接触してシールド面は電極に
近接して位置する。端子と電極との接触位置が多少ずれ
たとしても、電極で発生する磁界はシールド面で遮閉さ
れ、測定値の変化は極めて小さなものとなる。また、本
発明に係るインダクタンス測定装置は、前記端子を一対
用い、信号ライン導電部材に第１の端子を着脱可能に取
り付け、この信号ライン導電部材を取り囲むグランドラ
イン導電部材に第２の端子を着脱可能に取り付けたこと
を特徴とする。

【０００５】このような構成からなる測定装置におい
て、端子は着脱可能であるため、測定試料（チップイン
ダクタ）の大きさや形状に最適な端子に交換することが
できる。しかも、同軸タイプであり、測定系にばね部材
を含まず、端子固有のインピーダンスが小さく、その変
化もなく、高周波帯域で１０〜１００ｎＨ付近の微小イ
ンダクタンスを安定して測定することができる。

【０００６】

【実施例】以下、本発明に係るインダクタンス測定用端
子及び測定装置の実施例につき、添付図面を参照して説
明する。図１は本発明に係るインダクタンス測定用端子
のいくつかのタイプを示す。図１（ａ）に示す端子１は
基部１ａの一端に突起１ｂを設け、その先端をシールド
面１ｃとしたもので、基部１ａには取り付け用（ビス止
め用）の孔１ｅが形成されている。この端子は、図２に
示すように、一対の端子１，１’を並設し、シールド面
１ｃ，１ｃ’上にチップインダクタ３０を載置する。チ
ップインダクタ３０はコア３１に芯線３５を巻き回した
もので、鍔部３２には側面から底面にわたって一対の電
極３３，３３が設けられている。電極３３，３３は端子
１，１’のシールド面１ｃ，１ｃ’上にそれぞれ接触
し、端子１を信号ライン、端子１’をグランドラインと
して電流を流し、そのインダクタンスを測定する。

【０００７】図１（ｂ）に示す端子５はシールド面５ｃ
上に先端が平らな小突起５ｄを形成したもので、その測
定形態は図３に示すとおりである。この端子５，５’に
おいては突条５ｄ，５ｄ’がチップインダクタ３０の電
極３３，３３に接触し、シールド面５ｃ，５ｃ’が電極
３３，３３に近接することとなる。図１（ｃ）に示す端
子１１はシールド面１１ｃ上に先端が尖った小突条１１
ｄを形成したものである。図１（ｄ）に示す端子１５は
シールド面１５ｃの中央に小突起１５ｄを形成したもの
である。図１（ｅ）に示す端子２１はシールド面２１ｃ
全面に先端が尖った小突条２１ｄを複数本形成したもの
である。これらの端子１１，１５，２１も前記端子１，
５と同様の態様でチップインダクタ３０のインダクタン
ス測定に使用され、小突条１１ｄ、小突起１５ｄが電極
３３に接触し、シールド面１１ｃ，１５ｃが電極３３に
近接する。端子２１にあっては、複数の小突条２１ｄの
先端が電極３３に接触することとなる。

【０００８】さらに、図１（ｆ）に示す端子２５はシー
ルド面２５ｃを斜めにカットしたものである。その測定
形態は図４に示すとおりであり、チップインダクタ３０
は電極３３，３３の角部が並設された一対の端子２５，
２５’のシールド面２５ｃ，２５ｃのほぼ中央部分に接
触することとなる。次に、測定装置について説明する。

【０００９】図５〜図７において、測定装置は前記端子
１，１’を用いたもので（交換可能）、信号ラインコン
ダクタ４１とグランドラインコンダクタ４２と絶縁板４
３と導電性スリーブ４４，４５とコネクタ４６とで構成
されている。信号ラインコンダクタ４１は後端に信号ラ
インコンタクトピン４８を螺着したもので、その先端に
は測定用端子１がビス５１によって取り付けられてい
る。測定用信号（高周波電流）は信号ラインコンタクト
ピン４８から信号ラインコンダクタ４１を介して端子１
に流される。

【００１０】グランドラインコンダクタ４２は、筒状体
であり、信号ラインコンダクタ４１を取り囲み、信号ラ
インコンダクタ４１とはリング状の絶縁板４３を介して
絶縁されている。グランドラインコンダクタ４２の先端
にはいまひとつの測定用端子１’がビス５２によって取
り付けられている。また、グランドラインコンダクタ４
２の外周部には導電性スリーブ４４，４５が設置されて
いる。コネクタ４６を絶縁性スリーブ４７のねじ部に螺
着することにより、グランドラインコンダクタ４２及び
スリーブ４４，４５，４７が締め付けられ、一体化され
る。

【００１１】さらに、コネクタ４６と同形状のコネクタ
（図示せず）が用意され、このコネクタを絶縁性スリー
ブ４７のねじ部に螺着することにより端子１，１’が測
定器と接続される。このとき、導電性スリーブ４４，４
５の下端面が図示しないコネクタ内のグランドラインス
リーブの端面と接触し、グランドラインの導通が図られ
る。

【００１２】以上の構成からなる測定装置においては、
予めキャリブレーションを調整して端子１，１’のイン
ピーダンスを補正しておく。測定試料となるチップイン
ダクタ３０はその電極３３，３３が端子１，１’のシー
ルド面１ｃ，１ｃ’上に位置するように端子１，１’上
に載置し（図２参照）、上方から弾性的に押圧した状態
でインダクタンスを測定する。端子１，１’は測定試料
の大きさや形状に合わせて図１（ａ）〜（ｆ）に記載の
もの、あるいはその他の形状のものに交換可能である。

【００１３】図８に示すグラフにおいて、実線は本発明
に係る端子及び測定装置を用いて測定した場合のインダ
クタンス変化量ΔＬを示す。従来のコンタクトピン６１
を用いて測定した場合（点線で示す）と比べて位置ずれ
に起因する変化量ΔＬは約５分の１程度に大きく低下し
ている。変化量ΔＬが大きく低下した理由として以下の
ことを挙げることができる。

【００１４】（１）磁気シールド効果電極３３と端子１との位置ずれ（図９（ａ）参照）によ
って電極３３に発生する磁界が変化することとなる。し
かし、シールド面１ｃあるいは５ｃ，１１ｃ，１５ｃ，
２１ｃ，２５ｃがチップインダクタ３０の電極３３に接
触あるいは近接することにより、このような磁界はシー
ルドされ、インダクタンス測定値に悪影響を与えない。
シールド面１ｃは電極３３と同等もしくはそれ以上の面
積を有していることが好ましい。

【００１５】（２）端子のインピーダンスが小さく、か
つ、変化しないこと。測定装置が同軸構造とされ、端子
１，１’が板ばねによって支持されていないため、微小
インダクタンス（特に、１０〜１００ｎＨ付近）の測定
が安定化する。従来、例えば、長さ７ｍｍ、幅５ｍｍ、
厚み０．２ｍｍの銅製板ばねを使用した場合、板ばねが
０．１ｍｍ変形することで、インピーダンスが０．０３
ｎＨ変化（１０ｎＨ測定時０．３％のインダクタンス変
化）したが、本発明例ではこのような変化が零となっ
た。

【００１６】また、本発明例では端子固有のインピーダ
ンスが小さく、自己共振周波数が従来の端子よりも上昇
し、高周波帯域でのインダクタンス測定が安定化する。
本発明例と従来例のパラメータを比較すると、表１に示
すとおりである。ここでの測定周波数は１００ＭＨｚで
ある。

【００１７】

【表１】

【００１８】なお、本発明に係る測定用端子及び測定装
置は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範
囲内で種々に変更することができる。特に、端子のシー
ルド面の大きさ、形状は任意であり、コネクタの構成、
端子の着脱機構等も任意である。また、インダクタンス
測定時において、測定試料に対しては端子及びコネクタ
を接離させてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る測定用端子の各種実施例を示す斜
視図。

【図２】図１（ａ）の端子による測定形態を示し、
（ａ）は正面図、（ｂ）は右側面図。

【図３】図１（ｂ）の端子による測定形態を示し、
（ａ）は正面図、（ｂ）は右側面図。

【図４】図１（ｆ）の端子による測定形態を示し、
（ａ）は正面図、（ｂ）は右側面図。

【図５】本発明に係る測定装置を示す平面図。

【図６】本発明に係る測定装置を示す半断面正面図。

【図７】本発明に係る測定装置を示す右側面図。

【図８】測定位置のずれに起因するインダクタンス変化
量を示すグラフ。

【図９】測定位置のずれの説明図、（ａ）は本発明例を
示し、（ｂ）は従来例を示す。

【符号の説明】

１，５，１１，１５，２１，２５…測定用端子１ｃ，５ｃ，１１ｃ，１５ｃ，２１ｃ，２５ｃ…シール
ド面３０…チップインダクタ（測定試料）３３…電極４１…信号ラインコンダクタ４２…グランドラインコンダクタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】インダクタンス部品に設けた一対の電極
にそれぞれ接触してインダクタンスを測定するための端
子において、インダクタンス部品の電極への接触部分あるいは近接部
分に、少なくとも電極と同じ面積を有するシールド面を
備えたこと、を特徴とするインダクタンス測定用端子。
【請求項２】インダクタンス部品の電極への接触部分
あるいは近接部分に、少なくとも電極と同じ面積を有す
るシールド面を備えた第１及び第２の端子と、前記第１の端子を着脱可能に取り付けた信号ライン導電
部材と、前記第２の端子を着脱可能に取り付け、前記信号ライン
導電部材を取り囲むグランドライン導電部材と、を備えたことを特徴とするインダクタンス測定装置。