JP3431113B2 - 高周波ｉｃ用測定装置及びその製造方法 - Google Patents
高周波ｉｃ用測定装置及びその製造方法Info
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- JP3431113B2 JP3431113B2 JP22980495A JP22980495A JP3431113B2 JP 3431113 B2 JP3431113 B2 JP 3431113B2 JP 22980495 A JP22980495 A JP 22980495A JP 22980495 A JP22980495 A JP 22980495A JP 3431113 B2 JP3431113 B2 JP 3431113B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波信号を取り
扱うＩＣの電気的諸特性を測定するためのプローブ装置
を備えた高周波ＩＣ用測定装置及びその製造方法に関す
るものである。
扱うＩＣの電気的諸特性を測定するためのプローブ装置
を備えた高周波ＩＣ用測定装置及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来技術のこの種の高周波ＩＣ用
測定装置を図４乃至図６を用いて説明する。図４は従来
技術の高周波ＩＣ用測定装置の全体像の模式図であっ
て、同図Ａはその正面図、同図Ｂは同図Ａの矢示Ｃから
見た側面図であり、図５は図４Ａに示した従来技術の高
周波ＩＣ用測定装置のＡ−Ａ線上における一部拡大断面
図であり、図６は現用のプローブ装置を示す拡大断面図
である。
測定装置を図４乃至図６を用いて説明する。図４は従来
技術の高周波ＩＣ用測定装置の全体像の模式図であっ
て、同図Ａはその正面図、同図Ｂは同図Ａの矢示Ｃから
見た側面図であり、図５は図４Ａに示した従来技術の高
周波ＩＣ用測定装置のＡ−Ａ線上における一部拡大断面
図であり、図６は現用のプローブ装置を示す拡大断面図
である。
【０００３】図４において、符号１は従来技術の高周波
ＩＣ用測定装置（以下、単に「測定装置」と略記する）
を指す。この測定装置１はプローブホルダ１０、印刷配
線回路基板（以下、単に「回路基板」と略記する）２
０、プローブ装置３０、レセプタクル４０から構成され
ている。前記プローブホルダ１０には、図４及び図５に
示したように、測定しようとするＩＣ５０のパッケージ
５１の両端部から導出されているアウタリード５２の先
端部分の間隔Ｗに相当する距離を開けて互いに平行な二
列状態で、そして複数のアウタリードのピッチＰで複数
のスルーホール１１が形成されている。また、前記回路
基板２０にも、各種電子部品２２からなる高周波測定回
路が形成されている他に、この高周波測定回路に接続さ
れていて前記スルーホール１１の数及び位置に対応して
所定の配列、ピッチで複数のスルーホール２１が形成さ
れている。これらスルーホール２１の内部にはメッキが
施されてスルーホールメッキ部２３が形成されている。
ＩＣ用測定装置（以下、単に「測定装置」と略記する）
を指す。この測定装置１はプローブホルダ１０、印刷配
線回路基板（以下、単に「回路基板」と略記する）２
０、プローブ装置３０、レセプタクル４０から構成され
ている。前記プローブホルダ１０には、図４及び図５に
示したように、測定しようとするＩＣ５０のパッケージ
５１の両端部から導出されているアウタリード５２の先
端部分の間隔Ｗに相当する距離を開けて互いに平行な二
列状態で、そして複数のアウタリードのピッチＰで複数
のスルーホール１１が形成されている。また、前記回路
基板２０にも、各種電子部品２２からなる高周波測定回
路が形成されている他に、この高周波測定回路に接続さ
れていて前記スルーホール１１の数及び位置に対応して
所定の配列、ピッチで複数のスルーホール２１が形成さ
れている。これらスルーホール２１の内部にはメッキが
施されてスルーホールメッキ部２３が形成されている。
【０００４】前記プローブ装置３０は、図６に示したよ
うに、通常、プローブ本体３１とコイルバネ３２とが細
長い外筒３３の内部で、そのプローブ本体３１がコイル
バネ３２により常時上方に押圧された状態で、そしてそ
のプローブ本体３１の先端部が前記外筒３３の上端面か
ら必要最小限の長さだけ突出した状態で収納された構造
で構成されている。図５に示したプローブ装置３０には
コイルバネ３２と外筒３３とが省略して示されている。
うに、通常、プローブ本体３１とコイルバネ３２とが細
長い外筒３３の内部で、そのプローブ本体３１がコイル
バネ３２により常時上方に押圧された状態で、そしてそ
のプローブ本体３１の先端部が前記外筒３３の上端面か
ら必要最小限の長さだけ突出した状態で収納された構造
で構成されている。図５に示したプローブ装置３０には
コイルバネ３２と外筒３３とが省略して示されている。
【０００５】また、前記レセプタクル４０は前記プロー
ブ装置３０の先端部を除いて、その大半を着脱自在に嵌
着できる内径と深さの有底の円筒構造で構成されてい
る。また、開口部にはフランジ４１が形成されている。
ブ装置３０の先端部を除いて、その大半を着脱自在に嵌
着できる内径と深さの有底の円筒構造で構成されてい
る。また、開口部にはフランジ４１が形成されている。
【０００６】プローブホルダ１０は、例えば、ポリカー
ボネイトなどの絶縁性合成樹脂で、プローブ本体３１及
びレセプタクル４０は金メッキが施された銅、真鍮など
の良導電体で形成されている。この種構造のプローブ装
置３０としては、株式会社精研製のＳＵ−５Ｍ型を挙げ
ることができ、その全長Ｌは約１９ｍｍである。
ボネイトなどの絶縁性合成樹脂で、プローブ本体３１及
びレセプタクル４０は金メッキが施された銅、真鍮など
の良導電体で形成されている。この種構造のプローブ装
置３０としては、株式会社精研製のＳＵ−５Ｍ型を挙げ
ることができ、その全長Ｌは約１９ｍｍである。
【０００７】前記測定装置１は、前記レセプタクル４０
が、そのフランジ４１がプローブホルダ１０側の上端面
に衝合する状態まで、前記スルーホール１１及びスルー
ホールメッキ部２３に挿入、装着され、そしてレセプタ
クル４０の後端部が前記回路基板２０の高周波測定回路
端子に接続されている回路基板２０側のスルーホールメ
ッキ部２３の下端面に半田Ｓで固定され、そしてこれら
レセプタクル４０内に前記構造のプローブ装置３０が着
脱自在に嵌着されて構成されているものである。
が、そのフランジ４１がプローブホルダ１０側の上端面
に衝合する状態まで、前記スルーホール１１及びスルー
ホールメッキ部２３に挿入、装着され、そしてレセプタ
クル４０の後端部が前記回路基板２０の高周波測定回路
端子に接続されている回路基板２０側のスルーホールメ
ッキ部２３の下端面に半田Ｓで固定され、そしてこれら
レセプタクル４０内に前記構造のプローブ装置３０が着
脱自在に嵌着されて構成されているものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
に従来技術の測定装置１は回路基板２０がプローブホル
ダ１０の裏面に配設されているため、高周波測定回路経
路が長くなり、そのため誘導ノイズが混信して高周波信
号の良好な測定には向かない嫌いがあった。それ故、本
発明は、このような欠点を無くすることを課題とするも
のであって、前記高周波測定回路経路を可及的に短縮し
て、良好な高周波信号の測定ができる測定装置を得るこ
とを目的とするものである。
に従来技術の測定装置１は回路基板２０がプローブホル
ダ１０の裏面に配設されているため、高周波測定回路経
路が長くなり、そのため誘導ノイズが混信して高周波信
号の良好な測定には向かない嫌いがあった。それ故、本
発明は、このような欠点を無くすることを課題とするも
のであって、前記高周波測定回路経路を可及的に短縮し
て、良好な高周波信号の測定ができる測定装置を得るこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の高周波
ＩＣ用測定装置は、高周波測定回路が実装され、その高
周波測定回路に接続されていて所定の配列、ピッチで複
数のスルーホールメッキ部が形成されている回路基板
の、それぞれのスルーホールメッキ部にレセプタクルを
挿入、固定し、それら各レセプタクルに、プローブ本体
の先端部が前記回路基板の表面から必要最小限の長さだ
け突出した状態でプローブ装置を装着して構成し、前記
前記課題を解決した。
ＩＣ用測定装置は、高周波測定回路が実装され、その高
周波測定回路に接続されていて所定の配列、ピッチで複
数のスルーホールメッキ部が形成されている回路基板
の、それぞれのスルーホールメッキ部にレセプタクルを
挿入、固定し、それら各レセプタクルに、プローブ本体
の先端部が前記回路基板の表面から必要最小限の長さだ
け突出した状態でプローブ装置を装着して構成し、前記
前記課題を解決した。
【００１０】また、前記高周波ＩＣ用測定装置の製造
は、高周波測定回路が実装され、その高周波測定回路に
接続されていて所定の配列、ピッチで複数のスルーホー
ルメッキ部が形成されている回路基板の、それぞれのス
ルーホールメッキ部に、前記回路基板の表面側からフラ
ンジ付きレセプタクルを挿入し、プローブピンピッチ出
し治具を用いて前記回路基板の裏面に突出した、前記フ
ランジが付いていない側の前記フランジ付きレセプタク
ルを前記所定の配列、ピッチで、そして前記回路基板の
表面に対して垂直に保持し、この状態で前記各フランジ
付きレセプタクルを前記回路基板の裏面に露出している
前記各スルーホールメッキ部に半田付けにより固定し、
その後前記プローブピンピッチ出し治具を前記各フラン
ジ付きレセプタクルから取り外し、そして前記各フラン
ジ付きレセプタクルに、プローブ本体の先端部が前記回
路基板の表面から必要最小限の長さだけ突出するように
プローブ装置を装着する方法を採って、前記課題を解決
した。
は、高周波測定回路が実装され、その高周波測定回路に
接続されていて所定の配列、ピッチで複数のスルーホー
ルメッキ部が形成されている回路基板の、それぞれのス
ルーホールメッキ部に、前記回路基板の表面側からフラ
ンジ付きレセプタクルを挿入し、プローブピンピッチ出
し治具を用いて前記回路基板の裏面に突出した、前記フ
ランジが付いていない側の前記フランジ付きレセプタク
ルを前記所定の配列、ピッチで、そして前記回路基板の
表面に対して垂直に保持し、この状態で前記各フランジ
付きレセプタクルを前記回路基板の裏面に露出している
前記各スルーホールメッキ部に半田付けにより固定し、
その後前記プローブピンピッチ出し治具を前記各フラン
ジ付きレセプタクルから取り外し、そして前記各フラン
ジ付きレセプタクルに、プローブ本体の先端部が前記回
路基板の表面から必要最小限の長さだけ突出するように
プローブ装置を装着する方法を採って、前記課題を解決
した。
【００１１】従って、本発明によれば、高周波測定回路
経路を極めて短くできるので、誘導ノイズが混信する余
地が極めて少なく、良好な状態で高周波信号の測定がで
きる。
経路を極めて短くできるので、誘導ノイズが混信する余
地が極めて少なく、良好な状態で高周波信号の測定がで
きる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、図１乃至図３を参照しなが
ら、本発明の高周波ＩＣ用測定装置及びその製造方法を
説明する。図１は本発明の実施例である高周波ＩＣ用測
定装置の全体像を示す模式図であって、同図Ａはその正
面図、同図Ｂは同図Ａの矢示Ｃから見た側面図であり、
図２は図１Ａに示した本発明の高周波ＩＣ用測定装置の
Ａ−Ａ線上における一部拡大断面図であり、そして図３
は図１に示した電磁シールドケースの斜視図である。
ら、本発明の高周波ＩＣ用測定装置及びその製造方法を
説明する。図１は本発明の実施例である高周波ＩＣ用測
定装置の全体像を示す模式図であって、同図Ａはその正
面図、同図Ｂは同図Ａの矢示Ｃから見た側面図であり、
図２は図１Ａに示した本発明の高周波ＩＣ用測定装置の
Ａ−Ａ線上における一部拡大断面図であり、そして図３
は図１に示した電磁シールドケースの斜視図である。
【００１３】先ず、本発明の高周波ＩＣ用測定装置（以
下、単に「測定装置」と略記する）１Ａ及びその製造方
法を説明する。この測定装置１Ａは、各種電子部品２２
からなる高周波測定回路が形成されている回路基板２０
に、測定しようとするＩＣ５０のパッケージ５１の両端
部から導出されているアウタリード５２の先端部分の間
隔Ｗに相当する距離を開けて互いに平行な二列状態で、
そして複数のアウタリード５２のピッチＰで複数のスル
ーホール２１が形成されていて、これらのスルーホール
２１にはメッキが施されてスルーホールメッキ部２３が
形成されている。
下、単に「測定装置」と略記する）１Ａ及びその製造方
法を説明する。この測定装置１Ａは、各種電子部品２２
からなる高周波測定回路が形成されている回路基板２０
に、測定しようとするＩＣ５０のパッケージ５１の両端
部から導出されているアウタリード５２の先端部分の間
隔Ｗに相当する距離を開けて互いに平行な二列状態で、
そして複数のアウタリード５２のピッチＰで複数のスル
ーホール２１が形成されていて、これらのスルーホール
２１にはメッキが施されてスルーホールメッキ部２３が
形成されている。
【００１４】そしてこれら各スルーホールメッキ部２３
に、図６に示したレセプタクル４０を、そのフランジ４
１がスルーホールメッキ部２３の上端面に衝合する状態
まで回路基板２０の表面側から挿入し、装着する。これ
らのレセプタクル４０の後端部は回路基板２０の裏面の
そのスルーホールメッキ部２３の下端面に半田Ｓで半田
付けされている。そしてこれらのレセプタクル４０に、
プローブ本体３１の先端部が回路基板２０の表面から必
要最小限の長さだけ突出した状態でプローブ装置３０が
着脱自在に嵌着されている。以上のような構造で本発明
の測定装置１は構成されている。なお、各スルーホール
メッキ部２３は高周波測定回路の端子部に接続されてい
ることは言うまでもない。
に、図６に示したレセプタクル４０を、そのフランジ４
１がスルーホールメッキ部２３の上端面に衝合する状態
まで回路基板２０の表面側から挿入し、装着する。これ
らのレセプタクル４０の後端部は回路基板２０の裏面の
そのスルーホールメッキ部２３の下端面に半田Ｓで半田
付けされている。そしてこれらのレセプタクル４０に、
プローブ本体３１の先端部が回路基板２０の表面から必
要最小限の長さだけ突出した状態でプローブ装置３０が
着脱自在に嵌着されている。以上のような構造で本発明
の測定装置１は構成されている。なお、各スルーホール
メッキ部２３は高周波測定回路の端子部に接続されてい
ることは言うまでもない。
【００１５】また、この測定装置１Ａの回路基板２０の
裏面に突出した部分のレセプタクル４０及びプローブ装
置３０を図３に示したような構造の電磁シールドケース
６０で覆い、プローブ本体間の容量を小さくし、高周波
信号の電波放射による干渉を防止している。この電磁シ
ールドケース６０は相対向する一対のレセプタクル４０
を一組として遮蔽する仕切り板６１と四辺を囲う外壁板
６２及び底面板６３（図１Ｂ）とから構成されている。
裏面に突出した部分のレセプタクル４０及びプローブ装
置３０を図３に示したような構造の電磁シールドケース
６０で覆い、プローブ本体間の容量を小さくし、高周波
信号の電波放射による干渉を防止している。この電磁シ
ールドケース６０は相対向する一対のレセプタクル４０
を一組として遮蔽する仕切り板６１と四辺を囲う外壁板
６２及び底面板６３（図１Ｂ）とから構成されている。
【００１６】前記のように、レセプタクル４０をスルー
ホールメッキ部２３の下端面に半田付けする場合には、
回路基板２０の表面に対して各レセプタクル４０を垂直
状態で、そして互いに並行に固定する必要があるため、
前記プローブピンピッチ出し治具７０を用いて前記回路
基板２０の裏面に突出した、前記フランジ４１が付いて
いない側のレセプタクル４０を前記所定の配列、ピッチ
Ｐで、そして前記回路基板２０の表面に対して垂直に保
持し、この状態で前記各レセプタクル４０を前記各スル
ーホールメッキ部２３の下端面に半田付けする。その後
前記プローブピンピッチ出し治具７０を各レセプタクル
４０から取り外し、これらレセプタクル４０の後端部に
前記電磁シールドケース６０を装着する。
ホールメッキ部２３の下端面に半田付けする場合には、
回路基板２０の表面に対して各レセプタクル４０を垂直
状態で、そして互いに並行に固定する必要があるため、
前記プローブピンピッチ出し治具７０を用いて前記回路
基板２０の裏面に突出した、前記フランジ４１が付いて
いない側のレセプタクル４０を前記所定の配列、ピッチ
Ｐで、そして前記回路基板２０の表面に対して垂直に保
持し、この状態で前記各レセプタクル４０を前記各スル
ーホールメッキ部２３の下端面に半田付けする。その後
前記プローブピンピッチ出し治具７０を各レセプタクル
４０から取り外し、これらレセプタクル４０の後端部に
前記電磁シールドケース６０を装着する。
【００１７】参考までに一例として各部の寸法を挙げる
と、回路基板２０の厚みＬｂは１．０ｍｍ、回路基板２
０の表面から突出したプローブ本体３１の先端部の長さ
Ｌａは２．３ｍｍ、回路基板２０の裏面からレセプタク
ル４０の最後端部までの長さＬｃは６．０ｍｍである。
と、回路基板２０の厚みＬｂは１．０ｍｍ、回路基板２
０の表面から突出したプローブ本体３１の先端部の長さ
Ｌａは２．３ｍｍ、回路基板２０の裏面からレセプタク
ル４０の最後端部までの長さＬｃは６．０ｍｍである。
【００１８】本発明の測定装置１Ａを用いてＩＣ５０を
測定する場合には、測定装置１Ａの各プローブ本体３１
の先端部をＩＣ５０の各アウタリード５２に当接させて
測定するのであるが、高周波信号は主としてプローブ本
体３１の長さＬａの先端部分及び厚みＬｂの回路基板２
０部分の短い部分、前記具体的数値で言えば併せて３．
３ｍｍの短い部分を通り、周辺の高周波測定回路に流れ
ることになるので、極めて良好に高周波測定することが
できる。
測定する場合には、測定装置１Ａの各プローブ本体３１
の先端部をＩＣ５０の各アウタリード５２に当接させて
測定するのであるが、高周波信号は主としてプローブ本
体３１の長さＬａの先端部分及び厚みＬｂの回路基板２
０部分の短い部分、前記具体的数値で言えば併せて３．
３ｍｍの短い部分を通り、周辺の高周波測定回路に流れ
ることになるので、極めて良好に高周波測定することが
できる。
【００１９】なお、ＩＣ５０のアウタリード５２とプロ
ーブ本体３１の先端部との接触を一層良好にするため
に、プローブ装置３０に超音波振動を加え、アウタリー
ド５２の半田メッキの酸化皮膜を破壊することが好まし
い。
ーブ本体３１の先端部との接触を一層良好にするため
に、プローブ装置３０に超音波振動を加え、アウタリー
ド５２の半田メッキの酸化皮膜を破壊することが好まし
い。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の高周波
ＩＣ用測定装置及びその製造方法によれば、プローブ装
置を高周波信号の測定回路が形成されている回路基板に
直接取り付けたので、高周波信号の測定回路の長さを短
縮でき、良好にＩＣの測定を行うことができる。また、
レセプタクルを回路基板に半田で取り付けているため、
プローブ本体が測定を繰り返して磨耗した場合のプロー
ブ本体の交換が容易になった。更にまた、プローブピン
ピッチ出し治具を用いてプローブ装置のピッチ出しを行
っているため、プローブ本体の先端部がＩＣのアウタリ
ードに正確に当接させることができる。
ＩＣ用測定装置及びその製造方法によれば、プローブ装
置を高周波信号の測定回路が形成されている回路基板に
直接取り付けたので、高周波信号の測定回路の長さを短
縮でき、良好にＩＣの測定を行うことができる。また、
レセプタクルを回路基板に半田で取り付けているため、
プローブ本体が測定を繰り返して磨耗した場合のプロー
ブ本体の交換が容易になった。更にまた、プローブピン
ピッチ出し治具を用いてプローブ装置のピッチ出しを行
っているため、プローブ本体の先端部がＩＣのアウタリ
ードに正確に当接させることができる。
【図１】 本発明の高周波ＩＣ用測定装置の実施例の全
体像を示す模式図であって、同図Ａはその正面図、同図
Ｂは同図Ａの矢示Ｃから見た側面図である。
体像を示す模式図であって、同図Ａはその正面図、同図
Ｂは同図Ａの矢示Ｃから見た側面図である。
【図２】 図１Ａに示した本発明の高周波ＩＣ用測定装
置のＡ−Ａ線上における一部拡大断面図である。
置のＡ−Ａ線上における一部拡大断面図である。
【図３】 図１に示した電磁シールドケースの斜視図で
ある。
ある。
【図４】 従来技術の高周波ＩＣ用測定装置の全体像を
示す模式図であって、同図Ａはその正面図、同図Ｂは同
図Ａの矢示Ｃから見た側面図である。
示す模式図であって、同図Ａはその正面図、同図Ｂは同
図Ａの矢示Ｃから見た側面図である。
【図５】 図４Ａに示した従来技術の高周波ＩＣ用測定
装置のＡ−Ａ線上における一部拡大断面図であり、
装置のＡ−Ａ線上における一部拡大断面図であり、
【図６】 現用のプローブ装置を示す拡大断面図であ
る。
る。
１Ａ 本発明の（高周波ＩＣ用）測定装置
２０ 印刷配線回路基板
２１ スルーホール
２３ スルーホールメッキ部
３０ プローブ装置
３１ プローブ本体
３２ コイルバネ
３３ 外筒
４０ レセプタクル
４１ フランジ
５０ ＩＣ
６０ 電磁シールドケース
Ｓ 半田
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−218536（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−88857（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−16255（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−61789（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01R 31/26
G01R 1/06 - 1/073
G01R 31/28 - 31/3193
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波測定回路が実装され、該高周波測
定回路に接続されていて所定の配列、ピッチで複数のス
ルーホールメッキ部が形成されている回路基板の、高周波測定回路が実装されていない面から それぞれのス
ルーホールメッキ部に前記回路基板の厚みより長いプロ
ーブのレセプタクルを挿入し、 前記 レセプタクルを、回路基板の高周波測定回路が実装
された面に突出するよう固定し、 プローブの先端部が前記回路基板の高周波測定回路が実
装されていない面から必要最小限の長さだけ突出した状
態でプローブ装置が装着されていることを特徴とする高
周波ＩＣ用測定装置。 - 【請求項２】 前記回路基板の高周波測定回路が実装さ
れた面に突出しているレセプタクルが電磁遮蔽されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の高周波ＩＣ用測定
装置。 - 【請求項３】 高周波測定回路が実装され該高周波測定
回路に接続されていて所定の配列、ピッチで複数のスル
ーホールメッキ部が形成されている回路基板の、それぞ
れのスルーホールメッキ部に、 前記回路基板の高周波測定回路が実装されていない面側
から回路基板の厚みより長いフランジ付きレセプタクル
をフランジが回路基板に衝合するまで挿入し、 プローブピンピッチ出し治具を用いて前記回路基板の高
周波測定回路が実装された面に突出したレセプタクルを
前記所定の配列、ピッチで、そして前記回路基板の表面
に対して垂直に保持し、 この状態で前記各フランジ付きレセプタクルを前記回路
基板の裏面に露出している前記各スルーホールメッキ部
に半田付けにより固定し、その後前記プローブピンピッ
チ出し治具を前記各フランジ付きレセプタクルから取り
外し、 前記各フランジ付きレセプタクルに、プローブ本体の先
端部が前記回路基板の表面から必要最小限の長さだけ突
出するようにプローブ装置を装着することを特徴とする
高周波ＩＣ用測定装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22980495A JP3431113B2 (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 高周波ｉｃ用測定装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22980495A JP3431113B2 (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 高周波ｉｃ用測定装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0972942A JPH0972942A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3431113B2 true JP3431113B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=16897935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22980495A Expired - Fee Related JP3431113B2 (ja) | 1995-09-07 | 1995-09-07 | 高周波ｉｃ用測定装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431113B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102594100B1 (ko) * | 2021-04-12 | 2023-10-24 | 신무현 | 포고핀 리셉터클 |
-
1995
- 1995-09-07 JP JP22980495A patent/JP3431113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0972942A (ja) | 1997-03-18 |
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