JPH05256800A - 塗膜下ｘ線回折強度測定法 - Google Patents
塗膜下ｘ線回折強度測定法Info
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- JPH05256800A JPH05256800A JP5520492A JP5520492A JPH05256800A JP H05256800 A JPH05256800 A JP H05256800A JP 5520492 A JP5520492 A JP 5520492A JP 5520492 A JP5520492 A JP 5520492A JP H05256800 A JPH05256800 A JP H05256800A
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- ray
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- ray diffraction
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面に塗膜を有する金属材料の塗膜の下の微
小領域における、腐食生成物のＸ線回折強度を非破壊的
に高感度で測定する。 【構成】 集光した単色Ｘ線を、多段スリットによりノ
イズを減少させ、表面に塗膜を有する金属材料の塗膜の
上から塗膜下の微小領域に照射し、当該微小領域の腐食
生成物のＸ線回折強度を信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を
高めて測定する。 【効果】 塗膜の下の腐食生成物を直接検出するので、
塗膜の変質による誤測定を防止するとともに、腐食部先
端や、腐食の進行度の場所的相違などの局所測定及び試
料走査測定を非破壊的に可能とする。
小領域における、腐食生成物のＸ線回折強度を非破壊的
に高感度で測定する。 【構成】 集光した単色Ｘ線を、多段スリットによりノ
イズを減少させ、表面に塗膜を有する金属材料の塗膜の
上から塗膜下の微小領域に照射し、当該微小領域の腐食
生成物のＸ線回折強度を信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を
高めて測定する。 【効果】 塗膜の下の腐食生成物を直接検出するので、
塗膜の変質による誤測定を防止するとともに、腐食部先
端や、腐食の進行度の場所的相違などの局所測定及び試
料走査測定を非破壊的に可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線回折を用いて、塗
装を施された多結晶金属材料の腐食生成物を非破壊で測
定する技術の分野に属する。
装を施された多結晶金属材料の腐食生成物を非破壊で測
定する技術の分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】旧来、塗膜外観の観察によって腐食の進
行状態の判定が行われてきた。これは腐食の進行した部
分では塗膜のふくれや変色などの塗膜外観上の変質を伴
うことが多いためである。従って腐食がかなり進行し、
塗膜の外観に変質が見られる場合には、塗膜外観から腐
食の進行状態を測定することが不可能ではない。
行状態の判定が行われてきた。これは腐食の進行した部
分では塗膜のふくれや変色などの塗膜外観上の変質を伴
うことが多いためである。従って腐食がかなり進行し、
塗膜の外観に変質が見られる場合には、塗膜外観から腐
食の進行状態を測定することが不可能ではない。
【０００３】しかし、塗膜下の極薄いめっき層のみが腐
食する場合などのように、塗膜下腐食の特質により、塗
膜のふくれや変色を伴わない腐食もかなり存在し、この
場合は塗膜外観上の変化から塗膜下腐食を判定する方法
は適用できない。また塗膜の変質は、塗装むらや外部か
らの着色や付着物などの、腐食以外の原因による場合も
存在するので誤判定をする可能性が大きく実用上問題が
大きい。
食する場合などのように、塗膜下腐食の特質により、塗
膜のふくれや変色を伴わない腐食もかなり存在し、この
場合は塗膜外観上の変化から塗膜下腐食を判定する方法
は適用できない。また塗膜の変質は、塗装むらや外部か
らの着色や付着物などの、腐食以外の原因による場合も
存在するので誤判定をする可能性が大きく実用上問題が
大きい。
【０００４】従来、変質していない塗膜の上から、非破
壊で塗膜下のめっき金属の腐食状態を判定する方法がＬ
ａｋｏｋｒａｓ，Ｍａｔｅｒ．Ｉｋｈ．Ｐｒｉｍｅｎ．
（旧ソ連），No．５．（１９８９），７３〜７５頁に提
案されている。この方法は検出感度が低く、腐食生成物
のＸ線回折強度の測定が不可能なため、下地金属のＸ線
回折強度のみを測定し、間接的に腐食の進行を測定して
いる。従ってめっき層自体の腐食が検出できないうえ、
塗膜のみの変質や、めっき層の厚みの変動によるＸ線回
折強度の変化を腐食に起因するものと誤判定する危険が
大きい。そこで、本発明者らは第１０８回日本金属学会
講演概要（１９９１），ｐ．４４８においては亜鉛めっ
き鋼板の塗膜下の腐食生成物を直接検出し報告した。
壊で塗膜下のめっき金属の腐食状態を判定する方法がＬ
ａｋｏｋｒａｓ，Ｍａｔｅｒ．Ｉｋｈ．Ｐｒｉｍｅｎ．
（旧ソ連），No．５．（１９８９），７３〜７５頁に提
案されている。この方法は検出感度が低く、腐食生成物
のＸ線回折強度の測定が不可能なため、下地金属のＸ線
回折強度のみを測定し、間接的に腐食の進行を測定して
いる。従ってめっき層自体の腐食が検出できないうえ、
塗膜のみの変質や、めっき層の厚みの変動によるＸ線回
折強度の変化を腐食に起因するものと誤判定する危険が
大きい。そこで、本発明者らは第１０８回日本金属学会
講演概要（１９９１），ｐ．４４８においては亜鉛めっ
き鋼板の塗膜下の腐食生成物を直接検出し報告した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの第１０８
回日本金属学会講演概要（１９９１），ｐ．４４８にお
ける測定領域の大きさを検討する。０．１mm×１０mmの
波長１．０オングストロームの単色化された放射光Ｘ線
ビームを用いているが、回折角２θは１５°〜５０°
で、ブラッグ角θは７．５°〜２５°であり、試料の照
射領域は試料面上で一方向に（１／ｓｉｎθ）倍に拡大
される。この値（１／ｓｉｎθ）は７．７〜２．４倍で
０．７７mm×１０mmないし０．２４mm×１０mmの細長い
領域が測定されている。これは微小領域とはいえず、か
つ測定された腐食生成物シモンコライト（塩基性塩化亜
鉛）のＸ線回折線のＳ／Ｎ比は０．５〜３に過ぎない。
測定領域の微小化とともにＳ／Ｎ比は著しく低下するこ
とが予想される。従って微小領域における高Ｓ／Ｎ比で
の測定は困難な課題であるが、その実現が強く待ち望ま
れていた。
回日本金属学会講演概要（１９９１），ｐ．４４８にお
ける測定領域の大きさを検討する。０．１mm×１０mmの
波長１．０オングストロームの単色化された放射光Ｘ線
ビームを用いているが、回折角２θは１５°〜５０°
で、ブラッグ角θは７．５°〜２５°であり、試料の照
射領域は試料面上で一方向に（１／ｓｉｎθ）倍に拡大
される。この値（１／ｓｉｎθ）は７．７〜２．４倍で
０．７７mm×１０mmないし０．２４mm×１０mmの細長い
領域が測定されている。これは微小領域とはいえず、か
つ測定された腐食生成物シモンコライト（塩基性塩化亜
鉛）のＸ線回折線のＳ／Ｎ比は０．５〜３に過ぎない。
測定領域の微小化とともにＳ／Ｎ比は著しく低下するこ
とが予想される。従って微小領域における高Ｓ／Ｎ比で
の測定は困難な課題であるが、その実現が強く待ち望ま
れていた。
【０００６】本発明の課題は塗膜の膨れ、付着物など腐
食以外の原因による塗膜の変質の有無にかかわらず、塗
膜下の微量な腐食生成物を直接非破壊的に検出するに際
し、０．１mmオーダーの微小領域において、Ｓ／Ｎ比を
２以上とした高感度解析を行い、腐食部先端や、腐食の
進行度の場所的相違などの局所測定及び試料走査測定を
可能とすることである。
食以外の原因による塗膜の変質の有無にかかわらず、塗
膜下の微量な腐食生成物を直接非破壊的に検出するに際
し、０．１mmオーダーの微小領域において、Ｓ／Ｎ比を
２以上とした高感度解析を行い、腐食部先端や、腐食の
進行度の場所的相違などの局所測定及び試料走査測定を
可能とすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため集光した単色Ｘ線を、多段スリットによりノイズを
減少させ、表面に塗膜を有する金属材料の塗膜の上から
塗膜下の微小領域に照射し、当該微小領域の腐食生成物
のＸ線回折強度を信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高めて
測定することを特徴とする方法を考案した。
ため集光した単色Ｘ線を、多段スリットによりノイズを
減少させ、表面に塗膜を有する金属材料の塗膜の上から
塗膜下の微小領域に照射し、当該微小領域の腐食生成物
のＸ線回折強度を信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高めて
測定することを特徴とする方法を考案した。
【０００８】
【作用】本発明においては集光した単色Ｘ線を塗膜の上
より試料の塗膜の下の目的とする微小領域に照射する必
要がある。単色Ｘ線はＸ線管球などからの特性Ｘ線でよ
い。Ｘ線の波長は０．４オングストロームから１．５オ
ングストロームの範囲に選択する。好ましくは０．５オ
ングストロームから１．２オングストロームの範囲とす
る。Ｘ線の波長を長くすれば複数のＸ線回折線相互の分
解能を向上させることができ、塗膜に含まれている顔料
などの結晶成分による妨害回折線と目的のＸ線回折線を
分離することが容易となる。逆にＸ線の波長を短くすれ
ば塗膜でのＸ線の吸収を減少させＸ線回折線の強度を増
すことができる。両者の特徴を考慮して波長範囲を決定
した。特性Ｘ線光源としては、Ｘ線管球あるいはＸ線回
転対陰極を用いる。管球あるいは回転対陰極のターゲッ
トとしては、波長の制限より、Ａｇ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚ
ｒ，Ｚｎのうちの一つを使用する。放射光の場合はモノ
クロメータというシリコン結晶により放射光を回折させ
て単色化させる装置を用いればよい。
より試料の塗膜の下の目的とする微小領域に照射する必
要がある。単色Ｘ線はＸ線管球などからの特性Ｘ線でよ
い。Ｘ線の波長は０．４オングストロームから１．５オ
ングストロームの範囲に選択する。好ましくは０．５オ
ングストロームから１．２オングストロームの範囲とす
る。Ｘ線の波長を長くすれば複数のＸ線回折線相互の分
解能を向上させることができ、塗膜に含まれている顔料
などの結晶成分による妨害回折線と目的のＸ線回折線を
分離することが容易となる。逆にＸ線の波長を短くすれ
ば塗膜でのＸ線の吸収を減少させＸ線回折線の強度を増
すことができる。両者の特徴を考慮して波長範囲を決定
した。特性Ｘ線光源としては、Ｘ線管球あるいはＸ線回
転対陰極を用いる。管球あるいは回転対陰極のターゲッ
トとしては、波長の制限より、Ａｇ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚ
ｒ，Ｚｎのうちの一つを使用する。放射光の場合はモノ
クロメータというシリコン結晶により放射光を回折させ
て単色化させる装置を用いればよい。
【０００９】集光のためにはＸ線ミラーまたは湾曲結晶
を利用する。Ｘ線ミラーは水晶などの結晶の表面を平滑
とし、白金を蒸着させたもので、荷重を加えわずかに凹
面に曲げてＸ線を効率よく反射し集光する。湾曲結晶は
シリコン結晶の一端に荷重を加えて結晶を湾曲させるも
ので、シリコン結晶によるＸ線回折線を集光する。この
ような装置を利用することにより入射Ｘ線を集光し輝度
（単位面積当りの強度）を著しく、例えば１０００倍に
増大させることができる。
を利用する。Ｘ線ミラーは水晶などの結晶の表面を平滑
とし、白金を蒸着させたもので、荷重を加えわずかに凹
面に曲げてＸ線を効率よく反射し集光する。湾曲結晶は
シリコン結晶の一端に荷重を加えて結晶を湾曲させるも
ので、シリコン結晶によるＸ線回折線を集光する。この
ような装置を利用することにより入射Ｘ線を集光し輝度
（単位面積当りの強度）を著しく、例えば１０００倍に
増大させることができる。
【００１０】試料上の目的とする微小領域に照射するた
めに試料を微動走査させる装置が必要となる。微動によ
り位置を決定する精度は１μｍが必要である。また位置
を確認するために望遠顕微鏡が必要である。
めに試料を微動走査させる装置が必要となる。微動によ
り位置を決定する精度は１μｍが必要である。また位置
を確認するために望遠顕微鏡が必要である。
【００１１】信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高めること
は極めて重要である。上記集光によりＸ線信号強度を増
大せしめることができるが、ノイズもＸ線信号強度に比
例して増大すれば微量な腐食生成物を検出することはで
きない。従って、ノイズの低減が大きな要素となる。
は極めて重要である。上記集光によりＸ線信号強度を増
大せしめることができるが、ノイズもＸ線信号強度に比
例して増大すれば微量な腐食生成物を検出することはで
きない。従って、ノイズの低減が大きな要素となる。
【００１２】多段スリットによればノイズを低減し、Ｓ
／Ｎ比を改善できる。多段スリットとは最も試料に近い
モノクロメータ（またはミラー）と試料の間に３段以上
のスリットを有することを指す。最も試料から遠い（す
なわちＸ線入射側の）スリットをビームの寸法に合わせ
る。以下の下流側のスリットをビームの寸法より少し大
きめに設定することによりノイズを減少させることがで
きる。
／Ｎ比を改善できる。多段スリットとは最も試料に近い
モノクロメータ（またはミラー）と試料の間に３段以上
のスリットを有することを指す。最も試料から遠い（す
なわちＸ線入射側の）スリットをビームの寸法に合わせ
る。以下の下流側のスリットをビームの寸法より少し大
きめに設定することによりノイズを減少させることがで
きる。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。図１
は本発明の第１および第２の実施例での概略構成図（平
面図）である。Ｘ線管球１で発生した特性Ｘ線２はシャ
ッター３、フィルター４、及び前置スリット５を経て第
１ミラー６により水平方向のＸ線を収束させ、さらに第
２ミラー７により垂直方向のＸ線を収束させ、試料１１
上に集光する。第２ミラー７と試料１１の間には第１ス
リット８、第２スリット９、第３スリット１０からなる
多段スリットを置く。試料１１は試料走査台１２に搭載
されている。試料１１からの回折Ｘ線１３は受光スリッ
ト１４を通りカウンター１５によって計数される。上記
装置を用いて以下の測定を実施した。 （１）表面に塗膜を有する亜鉛めっき鋼板の腐食部 （２）表面に塗膜を有する亜鉛めっき鋼板の腐食部と健
全部の走査測定
は本発明の第１および第２の実施例での概略構成図（平
面図）である。Ｘ線管球１で発生した特性Ｘ線２はシャ
ッター３、フィルター４、及び前置スリット５を経て第
１ミラー６により水平方向のＸ線を収束させ、さらに第
２ミラー７により垂直方向のＸ線を収束させ、試料１１
上に集光する。第２ミラー７と試料１１の間には第１ス
リット８、第２スリット９、第３スリット１０からなる
多段スリットを置く。試料１１は試料走査台１２に搭載
されている。試料１１からの回折Ｘ線１３は受光スリッ
ト１４を通りカウンター１５によって計数される。上記
装置を用いて以下の測定を実施した。 （１）表面に塗膜を有する亜鉛めっき鋼板の腐食部 （２）表面に塗膜を有する亜鉛めっき鋼板の腐食部と健
全部の走査測定
【００１４】（１）表面に塗膜を有する亜鉛めっき鋼板
の腐食部： 実験例１ 図１に示すように実験室においてＭｏ管球（５０kV，３
０mA）より発生した特性Ｘ線２（波長は０．７１オング
ストローム）をフィルター４、前置スリット５を通し２
個のミラーに入射させた。試料位置において１０mm×１
０mmの寸法となるＸ線ビームを２個のミラーにより０．
１mm×０．１mmに集光した。集光効率を１０％として、
輝度を約１０００倍に著しく増大させることができた。
回折角２θは２３°〜２８°で、ブラッグ角θは１１．
５°〜１４°であり、試料の照射領域は試料面上で一方
向に（１／Ｓｉｎθ）倍に拡大される。この値（１／ｓ
ｉｎθ）は５．０〜４．１倍で０．５０mm×０．１mmな
いし０．４１mm×０．１mmの領域が測定されている。
の腐食部： 実験例１ 図１に示すように実験室においてＭｏ管球（５０kV，３
０mA）より発生した特性Ｘ線２（波長は０．７１オング
ストローム）をフィルター４、前置スリット５を通し２
個のミラーに入射させた。試料位置において１０mm×１
０mmの寸法となるＸ線ビームを２個のミラーにより０．
１mm×０．１mmに集光した。集光効率を１０％として、
輝度を約１０００倍に著しく増大させることができた。
回折角２θは２３°〜２８°で、ブラッグ角θは１１．
５°〜１４°であり、試料の照射領域は試料面上で一方
向に（１／Ｓｉｎθ）倍に拡大される。この値（１／ｓ
ｉｎθ）は５．０〜４．１倍で０．５０mm×０．１mmな
いし０．４１mm×０．１mmの領域が測定されている。
【００１５】多段スリットによりノイズは約１００倍の
増加に抑えることができた。表面に９０μｍの厚さの塗
膜を有する亜鉛めっき鋼板を食塩水中に１カ月間保持し
測定試料とし、亜鉛めっき層の腐食部分を測定した。測
定データから腐食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求
め、物質の同定を試みた。
増加に抑えることができた。表面に９０μｍの厚さの塗
膜を有する亜鉛めっき鋼板を食塩水中に１カ月間保持し
測定試料とし、亜鉛めっき層の腐食部分を測定した。測
定データから腐食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求
め、物質の同定を試みた。
【００１６】実験例２ 放射光（２．５GeV ，２００mA）をモノクロメータによ
り単色化し波長を０．７１オングストロームとした後集
光を行い、多段スリットを用いて、実験例１の試料の亜
鉛めっき層の腐食部分を測定し、実験例１と同様に測定
データから腐食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求め、
同定を試みた。
り単色化し波長を０．７１オングストロームとした後集
光を行い、多段スリットを用いて、実験例１の試料の亜
鉛めっき層の腐食部分を測定し、実験例１と同様に測定
データから腐食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求め、
同定を試みた。
【００１７】比較実験例１ 図１において前置スリット５、第１ミラー６、第２ミラ
ー７、第１スリット８、第２スリット９を撤去し、Ｍｏ
管球（５０kV，３０mA）より発生した特性Ｘ線２（波長
は０．７１オングストローム）を試料にストレートに直
接入射させた。試料位置において１０mm×１０mmの寸法
となるＸ線ビームを第３スリット１０により０．１mm×
０．１mmに制限して測定した。同様に測定データから腐
食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求め、同定を試み
た。以上の実験結果を表１に示す。
ー７、第１スリット８、第２スリット９を撤去し、Ｍｏ
管球（５０kV，３０mA）より発生した特性Ｘ線２（波長
は０．７１オングストローム）を試料にストレートに直
接入射させた。試料位置において１０mm×１０mmの寸法
となるＸ線ビームを第３スリット１０により０．１mm×
０．１mmに制限して測定した。同様に測定データから腐
食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求め、同定を試み
た。以上の実験結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】（２）表面に塗膜を有する亜鉛めっき鋼板
の腐食部と健全部の走査測定： 実験例３ 実験例１と同様な実験法である。ただし、亜鉛めっき層
の腐食部から健全部へ向かって０．１mmステップで試料
を走査しながら測定した。測定データから腐食生成物の
Ｘ線回折線のＳ／Ｎ比を求めるとともに、腐食部分と健
全部の境界の検出を試みた。
の腐食部と健全部の走査測定： 実験例３ 実験例１と同様な実験法である。ただし、亜鉛めっき層
の腐食部から健全部へ向かって０．１mmステップで試料
を走査しながら測定した。測定データから腐食生成物の
Ｘ線回折線のＳ／Ｎ比を求めるとともに、腐食部分と健
全部の境界の検出を試みた。
【００２０】実験例４ 実験例２と同様な実験法である。ただし、試料の走査測
定を実験例３と同一の方法で行った。測定データから腐
食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求めるとともに、腐
食部分と健全部の境界の検出を試みた。
定を実験例３と同一の方法で行った。測定データから腐
食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求めるとともに、腐
食部分と健全部の境界の検出を試みた。
【００２１】比較実験例２ 比較実験例１と同様な実験法である。ただし、試料の走
査測定を実験例３と同一の方法で行った。測定データか
ら腐食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求めるととも
に、腐食部と健全部の境界の検出を試みた。
査測定を実験例３と同一の方法で行った。測定データか
ら腐食生成物のＸ線回折線のＳ／Ｎ比を求めるととも
に、腐食部と健全部の境界の検出を試みた。
【００２２】以上の実験結果を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】本発明法は腐食生成物のＸ線回折線のＳ
／Ｎ比、腐食生成物の同定及び腐食部と健全部の境界の
検出において優れている。
／Ｎ比、腐食生成物の同定及び腐食部と健全部の境界の
検出において優れている。
【図１】本発明の第１及び第２の実施例での概略構成図
である。
である。
１ Ｘ線管球 ２ 特性Ｘ線 ３ シャッター ４ フィルター ５ 前置スリット ６ 第１ミラー ７ 第２ミラー ８ 第１スリット ９ 第２スリット １０ 第３スリット １１ 試料 １２ 試料走査台 １３ 回折Ｘ線 １４ 受光スリット １５ カウンター
Claims (1)
- 【請求項１】 集光した単色Ｘ線を、多段スリットによ
りノイズを減少させ、表面に塗膜を有する金属材料の塗
膜の上から塗膜下の微小領域に照射し、当該微小領域の
腐食生成物のＸ線回折強度を信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）を高めて測定することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5520492A JPH05256800A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 塗膜下ｘ線回折強度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5520492A JPH05256800A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 塗膜下ｘ線回折強度測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05256800A true JPH05256800A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=12992138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5520492A Withdrawn JPH05256800A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 塗膜下ｘ線回折強度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05256800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517603A (ja) * | 1999-12-17 | 2003-05-27 | オスミック，インコーポレイテッド | 高線束低バックグラウンド２次元小角ｘ線散乱用光学系 |
| DE112010001832T5 (de) | 2009-04-30 | 2012-06-14 | Rigaku Corp. | Röntgenstreuungsmessvorrichtung undröntgenstreuungsmessverfahren |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP5520492A patent/JPH05256800A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517603A (ja) * | 1999-12-17 | 2003-05-27 | オスミック，インコーポレイテッド | 高線束低バックグラウンド２次元小角ｘ線散乱用光学系 |
| JP2006250952A (ja) * | 1999-12-17 | 2006-09-21 | Osmic Inc | 高線束低バックグラウンド２次元小角ｘ線散乱用光学系 |
| DE112010001832T5 (de) | 2009-04-30 | 2012-06-14 | Rigaku Corp. | Röntgenstreuungsmessvorrichtung undröntgenstreuungsmessverfahren |
| US8767918B2 (en) | 2009-04-30 | 2014-07-01 | Rigaku Corporation | X-ray scattering measurement device and X-ray scattering measurement method |
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