JPH0525194B2 - - Google Patents
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- JPH0525194B2 JPH0525194B2 JP25302484A JP25302484A JPH0525194B2 JP H0525194 B2 JPH0525194 B2 JP H0525194B2 JP 25302484 A JP25302484 A JP 25302484A JP 25302484 A JP25302484 A JP 25302484A JP H0525194 B2 JPH0525194 B2 JP H0525194B2
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は配線基板に係り、特に配線間のクロ
ストークを低減させた高密度配線基板に関する。
ストークを低減させた高密度配線基板に関する。
高密度配線基板として従来、第３図に示すよう
にセラミツク基板等の基板１１の上に、厚膜印刷
法、または真空蒸着法、スパツタ法等の薄膜技術
により、Au，Cu等からなる配線１３，１４，１
５，１６を形成し、単層の場合はその上に保護層
１７として絶縁層をコーテイングし、多層の場合
は各層の配線パターン間の電気的絶縁をとるため
の層間絶縁層を１種類の絶縁ペーストもしくはポ
リイミド等の高分子材料を形成するものが知られ
ている。基板１１の裏面は接地層１２がコーテイ
ングされる。
にセラミツク基板等の基板１１の上に、厚膜印刷
法、または真空蒸着法、スパツタ法等の薄膜技術
により、Au，Cu等からなる配線１３，１４，１
５，１６を形成し、単層の場合はその上に保護層
１７として絶縁層をコーテイングし、多層の場合
は各層の配線パターン間の電気的絶縁をとるため
の層間絶縁層を１種類の絶縁ペーストもしくはポ
リイミド等の高分子材料を形成するものが知られ
ている。基板１１の裏面は接地層１２がコーテイ
ングされる。
ところで、配線の高密度化がさらに進んで配線
ピツチが非常に小さくなり、あるいはGaAs IC
といつた超高速論理素子の出現により配線を伝搬
する信号が高速化してくると、配線間の静電結合
によるクロストークが無視できなくなり、誤動作
の原因となる。このストロークに関しての解析
が、例えば文献「電子通信学会 信学技報
SSD83―159，SSD84―37，EMC84―け18」で報
告されている。この文献によれば、論文中の条件
でクロストーク・ノイズは信号電圧のおよそ30％
にも及ぶことが示されている。
ピツチが非常に小さくなり、あるいはGaAs IC
といつた超高速論理素子の出現により配線を伝搬
する信号が高速化してくると、配線間の静電結合
によるクロストークが無視できなくなり、誤動作
の原因となる。このストロークに関しての解析
が、例えば文献「電子通信学会 信学技報
SSD83―159，SSD84―37，EMC84―け18」で報
告されている。この文献によれば、論文中の条件
でクロストーク・ノイズは信号電圧のおよそ30％
にも及ぶことが示されている。
配線間のクロストークを少なくするため、第３
図における配線１３〜１６のうち、配線１３，１
５を信号配線とし、また配線１４，１６を信号配
線１３，１５とそれぞれ対になる接地配線とする
ことにより、問題となる信号配線１３，１５間の
クロストークを減じようとする試みもあるが、こ
のようにしても非常に高密度な配線基板や、
GaAs IC等ではクロストークを実用上問題とな
らない程度にまで少なくすることは難しい。
図における配線１３〜１６のうち、配線１３，１
５を信号配線とし、また配線１４，１６を信号配
線１３，１５とそれぞれ対になる接地配線とする
ことにより、問題となる信号配線１３，１５間の
クロストークを減じようとする試みもあるが、こ
のようにしても非常に高密度な配線基板や、
GaAs IC等ではクロストークを実用上問題とな
らない程度にまで少なくすることは難しい。
一方、配線を伝搬する信号が高速になるに従
い、配線の特性インピーダンスと配線終端のイン
ピーダンスとの不整合による反射が問題となる。
特性インピーダンスは配線の周囲の誘電体材料の
誘電率によつて大きく左右される。しかしなが
ら、第３図に示した従来の配線基板では配線１３
〜１６の周囲の誘電体材料が保護層あるいは層間
絶縁層であり、選択の自由度が少ないため、特性
インピーダンスの調整の自由度も少ないというの
が実情であつた。
い、配線の特性インピーダンスと配線終端のイン
ピーダンスとの不整合による反射が問題となる。
特性インピーダンスは配線の周囲の誘電体材料の
誘電率によつて大きく左右される。しかしなが
ら、第３図に示した従来の配線基板では配線１３
〜１６の周囲の誘電体材料が保護層あるいは層間
絶縁層であり、選択の自由度が少ないため、特性
インピーダンスの調整の自由度も少ないというの
が実情であつた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、配線間のクロストークを低減させることがで
き、また配線の特性インピーダンスの調整が容易
である配線基板を提供することにある。
で、配線間のクロストークを低減させることがで
き、また配線の特性インピーダンスの調整が容易
である配線基板を提供することにある。
本発明は上記目的を達成するため、信号配線と
接地配線との対からなるペア配線を基板上に複数
組配設してなる配線基板において、各ペア配線に
おける信号配線と接地配線との間に、ペア配線相
互間の部分より高誘電率の誘電体層を配設したこ
とを特徴とする。
接地配線との対からなるペア配線を基板上に複数
組配設してなる配線基板において、各ペア配線に
おける信号配線と接地配線との間に、ペア配線相
互間の部分より高誘電率の誘電体層を配設したこ
とを特徴とする。
なお、このような構成を実現する場合、ペア配
線の相互間に各ペア配線における信号配線を接地
配線との間の誘電体層より低誘電率の誘電体層を
配設してもよいし、ペア配線の相互間を空隙とし
てもよい。
線の相互間に各ペア配線における信号配線を接地
配線との間の誘電体層より低誘電率の誘電体層を
配設してもよいし、ペア配線の相互間を空隙とし
てもよい。
前者の場合、各ペア配線における信号配線と接
地配線との間の誘電体層およびペア配線の相互間
の誘電体層を保護層として兼用したり、あるいは
各層配線における層間絶縁層として兼用すること
もできる。
地配線との間の誘電体層およびペア配線の相互間
の誘電体層を保護層として兼用したり、あるいは
各層配線における層間絶縁層として兼用すること
もできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ペア配線相互間の静電結合よ
りも、信号配線と接地配線との間の静電結合の方
が支配的となるため、ペア配線相互間、即ち信号
配線間のクロストークを大きく減少させることが
できる。
りも、信号配線と接地配線との間の静電結合の方
が支配的となるため、ペア配線相互間、即ち信号
配線間のクロストークを大きく減少させることが
できる。
また、本発明によると信号配線の両側にそれぞ
れ誘電率の異なる誘電体が存在することにより、
信号配線の特性インピーダンスを決定するパラメ
ータがそれだけ増えることになるので、特性イン
ピーダンスを広い範囲にわたつて調整することが
可能となる。従つて特性インピーダンスと終端イ
ンピーダンスとの不整合をなくし、信号反射のな
い良好な特性が得られる。
れ誘電率の異なる誘電体が存在することにより、
信号配線の特性インピーダンスを決定するパラメ
ータがそれだけ増えることになるので、特性イン
ピーダンスを広い範囲にわたつて調整することが
可能となる。従つて特性インピーダンスと終端イ
ンピーダンスとの不整合をなくし、信号反射のな
い良好な特性が得られる。
さらに、誘電体層を保護層や層間絶縁層として
も使用できるため、特性的な向上が図られながら
も配線基板の構造が複雑化しないというのも大き
な利点である。
も使用できるため、特性的な向上が図られながら
も配線基板の構造が複雑化しないというのも大き
な利点である。
第１図は本発明の一実施例に係る配線基板の断
面図である。図において、基板１は例えばアルミ
ナセラミツク基板、ガラスエポキシ基板あるいは
GaAs基板等の絶縁性もしくは半絶縁性の誘電体
基板であり、その裏面は接地層２によりコーテイ
ングされている。基板１上には、信号配線３ａ，
３ｂ…および接地配線４ａ，４ｂ，…が形成され
ている。信号配線３ａと接地配線４ａ、信号配線
３ｂと接地配線４ｂ，…はそれぞれ対をなしてお
り、ペア配線５ａ，５ｂを構成している。
面図である。図において、基板１は例えばアルミ
ナセラミツク基板、ガラスエポキシ基板あるいは
GaAs基板等の絶縁性もしくは半絶縁性の誘電体
基板であり、その裏面は接地層２によりコーテイ
ングされている。基板１上には、信号配線３ａ，
３ｂ…および接地配線４ａ，４ｂ，…が形成され
ている。信号配線３ａと接地配線４ａ、信号配線
３ｂと接地配線４ｂ，…はそれぞれ対をなしてお
り、ペア配線５ａ，５ｂを構成している。
そして、各ペア配線５ａ，５ｂ，…における信
号配線と接地配線との間、即ち３ａ，４ａ間、３
ｂ，４ｂ間、…に誘電率ε1なる誘電体層６ａ，６
ｂ，…が形成され、また各ペア配線５ａ，５ｂ…
の相互間に誘電率ε2なる誘電体層７ａ，７ｂ，…
が形成されている。ここで、ε1＞ε2である。
号配線と接地配線との間、即ち３ａ，４ａ間、３
ｂ，４ｂ間、…に誘電率ε1なる誘電体層６ａ，６
ｂ，…が形成され、また各ペア配線５ａ，５ｂ…
の相互間に誘電率ε2なる誘電体層７ａ，７ｂ，…
が形成されている。ここで、ε1＞ε2である。
このような誘電体層６ａ，６ｂ，…、７ａ，７
ｂ，…は、例えば厚膜印刷、即ちガラス等の誘電
体ペーストを印刷・焼成することによつて順次形
成することができる。その場合、誘電体ペースト
の組成等により誘電率を選ぶことが可能である。
ｂ，…は、例えば厚膜印刷、即ちガラス等の誘電
体ペーストを印刷・焼成することによつて順次形
成することができる。その場合、誘電体ペースト
の組成等により誘電率を選ぶことが可能である。
このように構成された配線基板においては、例
えば信号配線３ｂと他の配線との静電結合を考え
てみると、隣接したペア配線５ａにおける接地配
線４ａとの結合よりも、対となる接地配線４ｂと
の結合の方が支配的である。これは信号配線３ｂ
と接地配線４ａとの間に存在する誘電体層７ａの
誘電率ε2よりも、信号配線３ｂと接地配線４ｂと
の間に存在する誘電体層６の誘電率ε1の方が大き
いためであり、これによつて信号配線３ｂと接地
配線４ａとの間の電気力線が相対的に減少するか
らである。
えば信号配線３ｂと他の配線との静電結合を考え
てみると、隣接したペア配線５ａにおける接地配
線４ａとの結合よりも、対となる接地配線４ｂと
の結合の方が支配的である。これは信号配線３ｂ
と接地配線４ａとの間に存在する誘電体層７ａの
誘電率ε2よりも、信号配線３ｂと接地配線４ｂと
の間に存在する誘電体層６の誘電率ε1の方が大き
いためであり、これによつて信号配線３ｂと接地
配線４ａとの間の電気力線が相対的に減少するか
らである。
このように、本実施例によれば隣接するペア配
線５ａ，５ｂ，…相互間のクロストークを効果的
に減少させ、良好な特性を得ることができる。
線５ａ，５ｂ，…相互間のクロストークを効果的
に減少させ、良好な特性を得ることができる。
また、信号配線３ａ，３ｂ，…の特性インピー
ダンスは２種の誘電体層６ａ，６ｂ，…と７ａ，
７ｂ，…とによつて定まるので、これら２種の誘
電体層の材料の組合せを選ぶことにより特性イン
ピーダンスを広範囲に調整することができ、信号
配線３ａ，３ｂ，…の終端インピーダンスとの整
合を容易にとることが可能となる。
ダンスは２種の誘電体層６ａ，６ｂ，…と７ａ，
７ｂ，…とによつて定まるので、これら２種の誘
電体層の材料の組合せを選ぶことにより特性イン
ピーダンスを広範囲に調整することができ、信号
配線３ａ，３ｂ，…の終端インピーダンスとの整
合を容易にとることが可能となる。
なお、上記実施例において誘電体層６ａ，６
ｂ，…，７ａ，７ｂ，…は保護層としても兼用す
ることができ、またその上に第２層配線８、誘電
体層９…を積層して多層配線を形成する場合に
は、層間絶縁層としても兼用することが可能であ
る。
ｂ，…，７ａ，７ｂ，…は保護層としても兼用す
ることができ、またその上に第２層配線８、誘電
体層９…を積層して多層配線を形成する場合に
は、層間絶縁層としても兼用することが可能であ
る。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、ペ
ア配線における信号配線と接地配線との間にのみ
誘電体層６ａ，６ｂ，…を形成し、ペア配線相互
間の部分は空隙（誘電率ε＝１）としたものであ
る。この実施例によつても、先の実施例と同様の
効果を得ることができる。
ア配線における信号配線と接地配線との間にのみ
誘電体層６ａ，６ｂ，…を形成し、ペア配線相互
間の部分は空隙（誘電率ε＝１）としたものであ
る。この実施例によつても、先の実施例と同様の
効果を得ることができる。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるも
のではなく、例えば前述の説明では誘電体層を厚
膜印刷により形成したが、蒸着、スパツタ法等に
よる薄膜技術により形成してもよい。また、誘電
体材料についてはガラスの他、ポリイミドのよう
な高分子材料等を使用することも可能である。そ
の他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形
実施することができる。
のではなく、例えば前述の説明では誘電体層を厚
膜印刷により形成したが、蒸着、スパツタ法等に
よる薄膜技術により形成してもよい。また、誘電
体材料についてはガラスの他、ポリイミドのよう
な高分子材料等を使用することも可能である。そ
の他、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形
実施することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る配線基板の断
面図、第２図は本発明の他の実施例に係る配線基
板の断面図、第３図は従来の配線基板の断面図で
ある。 １…基板、２…接地層、３ａ，３ｂ…信号配
線、４ａ，４ｂ…接地配線、５ａ，５ｂ…ペア配
線、６ａ，６ｂ…誘電体層、７ａ，７ｂ…誘電体
層、８…第２層配線、９…誘電体層。
面図、第２図は本発明の他の実施例に係る配線基
板の断面図、第３図は従来の配線基板の断面図で
ある。 １…基板、２…接地層、３ａ，３ｂ…信号配
線、４ａ，４ｂ…接地配線、５ａ，５ｂ…ペア配
線、６ａ，６ｂ…誘電体層、７ａ，７ｂ…誘電体
層、８…第２層配線、９…誘電体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 信号配線と接地配線との対からなるペア配線
を基板上に複数組配設してなる配線基板におい
て、各ペア配線における信号配線と接地配線との
間に、ペア配線相互間の部分より高誘電率の誘電
体層を配設したことを特徴とする配線基板。 ２ ペア配線の相互間に、各ペア配線における信
号配線と接地配線との間の誘電体層より低誘電率
の誘電体層を配設したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の配線基板。 ３ 各ペア配線における信号配線と接地配線との
間の誘電体層およびペア配線の相互間の誘電体層
を、保護層として兼用したことを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の配線基板。 ４ 各ペア配線における信号配線と接地配線との
間の誘電体層およびペア配線の相互間の誘電体層
を、多層配線における層間絶縁層として兼用した
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の配
線基板。 ５ ペア配線の相互間を空隙としたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25302484A JPS61131585A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25302484A JPS61131585A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131585A JPS61131585A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0525194B2 true JPH0525194B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=17245418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25302484A Granted JPS61131585A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011076645A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2736107B2 (ja) * | 1989-03-14 | 1998-04-02 | 株式会社東芝 | 信号配線基板 |
| JP5129041B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-01-23 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| JP4728384B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2011-07-20 | パナソニック株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JP2010245573A (ja) * | 2010-08-03 | 2010-10-28 | Panasonic Corp | 回路基板及びその製造方法 |
| JP6092505B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2017-03-08 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25302484A patent/JPS61131585A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011076645A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61131585A (ja) | 1986-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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