JPH05251820A - 半導体レーザアレイ装置 - Google Patents
半導体レーザアレイ装置Info
- Publication number
- JPH05251820A JPH05251820A JP4082980A JP8298092A JPH05251820A JP H05251820 A JPH05251820 A JP H05251820A JP 4082980 A JP4082980 A JP 4082980A JP 8298092 A JP8298092 A JP 8298092A JP H05251820 A JPH05251820 A JP H05251820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- type
- laser array
- semiconductor
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザの電極とプリント基板上のストリップ
ラインを接続するリード線の自己インダクタンスおよび
信号間の相互インダクタンスを低減して、性能を向上さ
せるようにする。 【構成】 半導体基板１とその基板上に積層された半導
体積層体を有し、かつ上面側にｐ形電極４とｎ形電極１
０が並列にレーザ共振器方向に並んで形成されたレーザ
アレイ５を構成する。そして、このレーザアレイ５の一
方の光出射面側に多数のストリップライン７を有するプ
リント基板８を配し、各々のレーザ電極４，１０とスト
リップライン７を対をなして結線する。これにより、レ
ーザ電極とプリント基板８上のストリップライン７を接
続するリード線において、ｐ形あるいはｎ形電極に接続
されるリード線の一方がアースとなるため、信号線とな
るリード線がアース線に挟まれた構造となる。
ラインを接続するリード線の自己インダクタンスおよび
信号間の相互インダクタンスを低減して、性能を向上さ
せるようにする。 【構成】 半導体基板１とその基板上に積層された半導
体積層体を有し、かつ上面側にｐ形電極４とｎ形電極１
０が並列にレーザ共振器方向に並んで形成されたレーザ
アレイ５を構成する。そして、このレーザアレイ５の一
方の光出射面側に多数のストリップライン７を有するプ
リント基板８を配し、各々のレーザ電極４，１０とスト
リップライン７を対をなして結線する。これにより、レ
ーザ電極とプリント基板８上のストリップライン７を接
続するリード線において、ｐ形あるいはｎ形電極に接続
されるリード線の一方がアースとなるため、信号線とな
るリード線がアース線に挟まれた構造となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザを集積した
レーザアレイとプリント基板を組み合わせた半導体レー
ザアレイ装置に関し、特にレーザアレイの電極とプリン
ト基板上のストリップラインを電気的に接続する配線構
造に関するものである。
レーザアレイとプリント基板を組み合わせた半導体レー
ザアレイ装置に関し、特にレーザアレイの電極とプリン
ト基板上のストリップラインを電気的に接続する配線構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザアレイとし
て図２に示すものが提案されている。この従来装置は、
図２に示すように、例えば、ｎ形半導体基板１上に発光
部となる半導体活性層２が積層され断面メサ状を有する
ストライプ状に加工され、その上部にｐ形半導体層３お
よびｐ形電極４が形成された埋め込み型半導体レーザに
おいて、多数のレーザが並列に並んだレーザアレイチッ
プ５となっている。
て図２に示すものが提案されている。この従来装置は、
図２に示すように、例えば、ｎ形半導体基板１上に発光
部となる半導体活性層２が積層され断面メサ状を有する
ストライプ状に加工され、その上部にｐ形半導体層３お
よびｐ形電極４が形成された埋め込み型半導体レーザに
おいて、多数のレーザが並列に並んだレーザアレイチッ
プ５となっている。
【０００３】この場合、レーザ間にはｐ型電極４を分離
する溝６が形成されており、多数のストリップライン７
を有するプリント基板８上のストリップラインとボンデ
ィングワイヤ９等により結線することにより、各レーザ
を独立に駆動する構造となっている。また、レーザアレ
イのｎ形電極１０は基板裏面に形成され、各レーザに共
通の電極であり、サブマウント１１を通してアースに接
続されている。
する溝６が形成されており、多数のストリップライン７
を有するプリント基板８上のストリップラインとボンデ
ィングワイヤ９等により結線することにより、各レーザ
を独立に駆動する構造となっている。また、レーザアレ
イのｎ形電極１０は基板裏面に形成され、各レーザに共
通の電極であり、サブマウント１１を通してアースに接
続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来の半導体レーザアレイの場合、レーザの上部電
極４とプリント基板８上のストリップライン９との結線
部ワイヤの自己インダクタンスが大きな値を示し、高周
波電流を外部からレーザに注入することを困難にすると
いう欠点を有していた。また、図２で上述した従来の半
導体レーザアレイの場合、上記結線部ワイヤ間の相互イ
ンダクタンスが大きく、レーザに高周波電流を注入する
とき電気的なクロストークが発生するという欠点を有し
ていた。
示す従来の半導体レーザアレイの場合、レーザの上部電
極４とプリント基板８上のストリップライン９との結線
部ワイヤの自己インダクタンスが大きな値を示し、高周
波電流を外部からレーザに注入することを困難にすると
いう欠点を有していた。また、図２で上述した従来の半
導体レーザアレイの場合、上記結線部ワイヤ間の相互イ
ンダクタンスが大きく、レーザに高周波電流を注入する
とき電気的なクロストークが発生するという欠点を有し
ていた。
【０００５】本発明は以上の点に鑑み、上述した問題点
を解消するためになされたもので、その目的は、レーザ
の電極とプリント基板上のストリップラインを接続する
リード線の自己インダクタンスおよび信号間の相互イン
ダクタンスを低減して、性能を向上させた半導体レーザ
アレイ装置を提供することにある。
を解消するためになされたもので、その目的は、レーザ
の電極とプリント基板上のストリップラインを接続する
リード線の自己インダクタンスおよび信号間の相互イン
ダクタンスを低減して、性能を向上させた半導体レーザ
アレイ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の半導体レーザアレイ装置は、半導体基板とそ
の半導体基板上に積層された半導体積層体を有し、かつ
上面側にｐ形電極とｎ形電極が並列にレーザ共振器方向
に並んで形成されたレーザアレイを構成し、このレーザ
アレイの一方の光出射面側に多数のストリップラインを
有するプリント基板を配して、各々のレーザ電極とスト
リップラインを対をなして結線するようにしたものであ
る。
め本発明の半導体レーザアレイ装置は、半導体基板とそ
の半導体基板上に積層された半導体積層体を有し、かつ
上面側にｐ形電極とｎ形電極が並列にレーザ共振器方向
に並んで形成されたレーザアレイを構成し、このレーザ
アレイの一方の光出射面側に多数のストリップラインを
有するプリント基板を配して、各々のレーザ電極とスト
リップラインを対をなして結線するようにしたものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明によれば、レーザの電極とプリント基板
上のストリップラインを接続するリード線において、ｐ
形あるいはｎ形電極に接続されるリード線の一方がアー
スとなるため、信号線となるリード線がアース線に挟ま
れた構造となる。このため、リード線の自己インダクタ
ンスおよび信号線間の相互インダクタンスが低減でき
る。
上のストリップラインを接続するリード線において、ｐ
形あるいはｎ形電極に接続されるリード線の一方がアー
スとなるため、信号線となるリード線がアース線に挟ま
れた構造となる。このため、リード線の自己インダクタ
ンスおよび信号線間の相互インダクタンスが低減でき
る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明による半導体レーザアレイ装置の一
実施例を示す概略構造図である。この実施例は、図１に
示すように、ｎ形半導体基板１とその半導体基板本体上
に積層された活性層２を有し、かつ上面側にｐ形電極４
とｎ形電極１０が並列にレーザ共振器方向に並んで形成
されたチップ状のレーザアレイ５を備える。そして、こ
のレーザアレイ５の一方の光出射面側に多数のストリッ
プライン７を有するプリント基板８を配し、各々のレー
ザ電極４，５とストリップライン７をリード線９により
一対一の対をなして交差することなく結線されている。
ここで、ｎ形電極１０に結線されたストリップライン７
をアースとして使用する。また、ｎ形半導体基板を用い
たときは、ｎ形電極１０はレーザ間のｐ形半導体のエッ
チング等により形成できる。なお、図中同一符号は同一
または相当部分を示している。
する。図１は本発明による半導体レーザアレイ装置の一
実施例を示す概略構造図である。この実施例は、図１に
示すように、ｎ形半導体基板１とその半導体基板本体上
に積層された活性層２を有し、かつ上面側にｐ形電極４
とｎ形電極１０が並列にレーザ共振器方向に並んで形成
されたチップ状のレーザアレイ５を備える。そして、こ
のレーザアレイ５の一方の光出射面側に多数のストリッ
プライン７を有するプリント基板８を配し、各々のレー
ザ電極４，５とストリップライン７をリード線９により
一対一の対をなして交差することなく結線されている。
ここで、ｎ形電極１０に結線されたストリップライン７
をアースとして使用する。また、ｎ形半導体基板を用い
たときは、ｎ形電極１０はレーザ間のｐ形半導体のエッ
チング等により形成できる。なお、図中同一符号は同一
または相当部分を示している。
【０００９】このように本実施例の半導体レーザアレイ
装置によると、レーザのｐ形及びｎ形電極４，１０とと
プリント基板８上のストリップライン７を接続するリー
ド線において、ｎ形電極１０に接続されたリード線９の
一方がアースとなるため、信号線となるリード線がアー
ス線に挟まれた構造となる。このため、リード線の自己
インダクタンスおよび信号間の相互インダクタンスが低
減でき、その数値例を表１に示す。
装置によると、レーザのｐ形及びｎ形電極４，１０とと
プリント基板８上のストリップライン７を接続するリー
ド線において、ｎ形電極１０に接続されたリード線９の
一方がアースとなるため、信号線となるリード線がアー
ス線に挟まれた構造となる。このため、リード線の自己
インダクタンスおよび信号間の相互インダクタンスが低
減でき、その数値例を表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】すなわち、表１はワイヤ（９０μｍ径，６
５０μｍ長）でレーザとプリント基板を接続したとき
の，ワイヤのインダクタンスの計算値であり、アース線
がある場合とない場合について示している。これによ
り、一定間隔（表１では２００μｍ間隔）で並んだ信号
線間にアース線を設けることによって、自己および相互
インダクタンスが著しく低減されることがわかる。
５０μｍ長）でレーザとプリント基板を接続したとき
の，ワイヤのインダクタンスの計算値であり、アース線
がある場合とない場合について示している。これによ
り、一定間隔（表１では２００μｍ間隔）で並んだ信号
線間にアース線を設けることによって、自己および相互
インダクタンスが著しく低減されることがわかる。
【００１２】なお、本発明は上記実施例のものに限ら
ず、ｐーｎ接合ならびにｐ形，ｎ形電極の構成は互いに
入れ替えても同じである。また、埋め込み構造が異なる
レーザ，リッジ導波路レーザ等のレーザにおいても、同
様の構造が可能である。
ず、ｐーｎ接合ならびにｐ形，ｎ形電極の構成は互いに
入れ替えても同じである。また、埋め込み構造が異なる
レーザ，リッジ導波路レーザ等のレーザにおいても、同
様の構造が可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザアレイ装置は、レーザアレイの半導体上面にそのレー
ザの共振器方向に沿って交互にｐ形電極とｎ電極を形成
し、このレーザアレイのｐ形およびｎ形電極を、プリン
ト基板上のストリップラインと，リード線あるいはワイ
ヤ等により一対一の対をなして交差することなく結線す
るようにしたので、これらｐ形あるいはｎ形電極に接続
されるリード線の一方がアースとなり、信号線となるリ
ード線がアース線に挟まれた構造となる。そのため、リ
ード線の自己インダクタンスおよび信号線間の相互イン
ダクタンスが低減でき、レーザ駆動の高速化と電気的ク
ロストロークの低減を図ることが可能となる。
ザアレイ装置は、レーザアレイの半導体上面にそのレー
ザの共振器方向に沿って交互にｐ形電極とｎ電極を形成
し、このレーザアレイのｐ形およびｎ形電極を、プリン
ト基板上のストリップラインと，リード線あるいはワイ
ヤ等により一対一の対をなして交差することなく結線す
るようにしたので、これらｐ形あるいはｎ形電極に接続
されるリード線の一方がアースとなり、信号線となるリ
ード線がアース線に挟まれた構造となる。そのため、リ
ード線の自己インダクタンスおよび信号線間の相互イン
ダクタンスが低減でき、レーザ駆動の高速化と電気的ク
ロストロークの低減を図ることが可能となる。
【図１】本発明による半導体レーザアレイの一実施例を
示す概略構造図である。
示す概略構造図である。
【図２】従来の半導体レーザアレイ装置の一例を示す構
造図である。
造図である。
１ ｎ形半導体基板 ２ 活性層 ３ ｐ形半導体層 ４ ｐ形電極 ５ レーザアレイチップ ７ ストリップライン ８ プリント基板 ９ リード線 １０ ｎ形電極 １１ サブマウント
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板とその半導体基板上に積層さ
れた半導体積層体を有し、ｎ形半導体とｐ形半導体より
なるｐ−ｎ接合を有する半導体レーザが並列に集積され
たレーザアレイと、多数のストリップラインを有するプ
リント基板からなり、前記レーザの共振器方向に沿って
ｐ形電極とｎ電極が交互に半導体上面に形成され、かつ
このレーザアレイのｐ形およびｎ形電極が前記プリント
基板上のストリップラインと，リード線あるいはワイヤ
等により一対一の対をなして交差することなく結線され
ていることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4082980A JPH05251820A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体レーザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4082980A JPH05251820A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体レーザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251820A true JPH05251820A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13789368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4082980A Pending JPH05251820A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体レーザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251820A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024096A1 (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Quantum Devices, Incorporated | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| KR101327243B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2013-11-12 | 전자부품연구원 | 바형태의 레이저 다이오드 어레이를 개별 구동하기 위한 ｐ형 서브마운트 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
| US9729242B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-08-08 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module for reducing crosstalk |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4082980A patent/JPH05251820A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000024096A1 (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-27 | Quantum Devices, Incorporated | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| US6553044B1 (en) | 1998-10-20 | 2003-04-22 | Quantum Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing electrical and thermal crosstalk of a laser array |
| KR101327243B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2013-11-12 | 전자부품연구원 | 바형태의 레이저 다이오드 어레이를 개별 구동하기 위한 ｐ형 서브마운트 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
| US9729242B2 (en) | 2015-01-23 | 2017-08-08 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module for reducing crosstalk |
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