JP3200969B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アレイ状に配列された
複数の発光部を有する半導体レーザの改良に関する。
複数の発光部を有する半導体レーザの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】アレイ状に配列された複数の発光部を有
し、個々の発光部が独立して駆動される独立駆動型の半
導体レーザが使用されている。このような半導体レーザ
の模式的な拡大断面図を図７に示す。半導体レーザ６０
の片面には、共通電極２２が形成され、反対側の面に
は、各々電気的に絶縁された複数の独立電極２０が形成
されている。独立電極２０と共通電極２２との間に電流
を流すことによって、各々の発光部１２を独立して発光
させることができる。
し、個々の発光部が独立して駆動される独立駆動型の半
導体レーザが使用されている。このような半導体レーザ
の模式的な拡大断面図を図７に示す。半導体レーザ６０
の片面には、共通電極２２が形成され、反対側の面に
は、各々電気的に絶縁された複数の独立電極２０が形成
されている。独立電極２０と共通電極２２との間に電流
を流すことによって、各々の発光部１２を独立して発光
させることができる。
【０００３】このような半導体レーザにおいて、発光部
の間隔が数十μｍ程度になると、各発光部に設けられた
独立電極から直接リード線を引き出すことが困難とな
る。そのため、図８に示すような配線引出用の基板が使
用される。配線引出用の基板５０には配線引出用の導体
線５２が形成されている。独立電極と接続する導体線の
独立電極取付部分５２Ａの間隔は、独立電極２０の間隔
に等しい。リード線を取り付け易くするため、導体線の
リード線接続部分５２Ｂの間隔は、独立電極取付部分５
２Ａの間隔よりも広げられている。
の間隔が数十μｍ程度になると、各発光部に設けられた
独立電極から直接リード線を引き出すことが困難とな
る。そのため、図８に示すような配線引出用の基板が使
用される。配線引出用の基板５０には配線引出用の導体
線５２が形成されている。独立電極と接続する導体線の
独立電極取付部分５２Ａの間隔は、独立電極２０の間隔
に等しい。リード線を取り付け易くするため、導体線の
リード線接続部分５２Ｂの間隔は、独立電極取付部分５
２Ａの間隔よりも広げられている。
【０００４】図９に示すように、配線引出用の基板５０
に半導体レーザ６０を搭載し、各々の独立電極２０と導
体線５２とをはんだ付け等で電気的及び機械的に接続
し、リード線接続部分５２Ｂにリード線５６を電気的に
接続する。独立電極２０の間隔が狭くなるに従い、独立
電極２０と独立電極取付部分５２Ａとの接触面積も小さ
くなり、独立電極２０と独立電極取付部分５２Ａとの間
の接続強度が低くなる。そのため、一般に、最も外側の
独立電極２０Ａ及び独立電極取付部分５２Ｃの面積を大
きくし、接続強度を高めている（図７及び図８参照）。
に半導体レーザ６０を搭載し、各々の独立電極２０と導
体線５２とをはんだ付け等で電気的及び機械的に接続
し、リード線接続部分５２Ｂにリード線５６を電気的に
接続する。独立電極２０の間隔が狭くなるに従い、独立
電極２０と独立電極取付部分５２Ａとの接触面積も小さ
くなり、独立電極２０と独立電極取付部分５２Ａとの間
の接続強度が低くなる。そのため、一般に、最も外側の
独立電極２０Ａ及び独立電極取付部分５２Ｃの面積を大
きくし、接続強度を高めている（図７及び図８参照）。
【０００５】一方、独立電極が設けられた面と反対側の
面の全面に設けられた共通電極２２の面積は広いので、
共通電極２２からリード線５８を直接引き出すことがで
きる。共通電極２２とリード線５８の接続は、一般に、
超音波振動を加えた圧着法によって行われる。リード線
５８の共通電極２２への接続は、半導体レーザ６０の独
立電極２０を独立電極取付部分５２Ａに接続した後に行
われる。
面の全面に設けられた共通電極２２の面積は広いので、
共通電極２２からリード線５８を直接引き出すことがで
きる。共通電極２２とリード線５８の接続は、一般に、
超音波振動を加えた圧着法によって行われる。リード線
５８の共通電極２２への接続は、半導体レーザ６０の独
立電極２０を独立電極取付部分５２Ａに接続した後に行
われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】発光部の間隔が狭くな
るに従い、超音波振動を加えた圧着法によって共通電極
２２とリード線を接続するとき、超音波振動の影響で、
複数の独立電極２０の内の一部が独立電極取付部分５２
Ａから剥がれ、独立電極２０と独立電極取付部分５２Ａ
との間の電気的接続が不良になるという問題がある。こ
の場合には、電気的接続不良が生じた発光部は発光しな
いので、半導体レーザ全体が不良となる。独立電極２０
と独立電極取付部分５２Ａとの間が部分的に剥がれた場
合には、信頼性が低下する。この傾向は発光部の間隔が
狭くなる程顕著になり、半導体レーザの組立歩留まりの
低下、信頼性の低下を招く。
るに従い、超音波振動を加えた圧着法によって共通電極
２２とリード線を接続するとき、超音波振動の影響で、
複数の独立電極２０の内の一部が独立電極取付部分５２
Ａから剥がれ、独立電極２０と独立電極取付部分５２Ａ
との間の電気的接続が不良になるという問題がある。こ
の場合には、電気的接続不良が生じた発光部は発光しな
いので、半導体レーザ全体が不良となる。独立電極２０
と独立電極取付部分５２Ａとの間が部分的に剥がれた場
合には、信頼性が低下する。この傾向は発光部の間隔が
狭くなる程顕著になり、半導体レーザの組立歩留まりの
低下、信頼性の低下を招く。
【０００７】従って、本発明の目的は、独立電極と導体
線の独立電極取付部分との間に電気的接続不良を生じさ
せる共通電極へのリード線接続を必要としない、独立駆
動型半導体レーザを提供することにある。
線の独立電極取付部分との間に電気的接続不良を生じさ
せる共通電極へのリード線接続を必要としない、独立駆
動型半導体レーザを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体レーザにおいては以下の構成を採
用した。即ち、基板に形成された複数の発光部を有し、
それぞれの発光部が独立電極と共通電極に電気的に接続
されている半導体レーザにおいて、独立電極と共通電極
とが概ね同一基板面内にあることを特徴とする。
めに、本発明の半導体レーザにおいては以下の構成を採
用した。即ち、基板に形成された複数の発光部を有し、
それぞれの発光部が独立電極と共通電極に電気的に接続
されている半導体レーザにおいて、独立電極と共通電極
とが概ね同一基板面内にあることを特徴とする。
【０００９】本発明の半導体レーザの好ましい態様にお
いては、共通電極は、露出した基板表面に形成されてい
ることを特徴とする。
いては、共通電極は、露出した基板表面に形成されてい
ることを特徴とする。
【００１０】本発明の半導体レーザの更に好ましい態様
においては、発光部が形成された基板面とは反対側の基
板面に形成された第２の共通電極を備え、この第２の共
通電極は、共通電極と電気的に接続されている。
においては、発光部が形成された基板面とは反対側の基
板面に形成された第２の共通電極を備え、この第２の共
通電極は、共通電極と電気的に接続されている。
【００１１】
【作用】本発明の半導体レーザにおいては、独立電極と
共通電極とが概ね同一基板面内にあるので、従来の独立
電極と導体線とを電気的に接続する方法と同じ方法で、
独立電極と共通電極を同時に導体線に接続でき、従来の
組立方法のように共通電極にリード線を取り付ける必要
がない。
共通電極とが概ね同一基板面内にあるので、従来の独立
電極と導体線とを電気的に接続する方法と同じ方法で、
独立電極と共通電極を同時に導体線に接続でき、従来の
組立方法のように共通電極にリード線を取り付ける必要
がない。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の半導体レー
ザを実施例に基づき説明する。
ザを実施例に基づき説明する。
【００１３】（実施例１）図１の（Ａ）に、本発明の第
１の実施例による半導体レーザの模式的な拡大断面図を
示す。実施例１の半導体レーザにおいては、共通電極
は、露出した基板表面に形成されている。
１の実施例による半導体レーザの模式的な拡大断面図を
示す。実施例１の半導体レーザにおいては、共通電極
は、露出した基板表面に形成されている。
【００１４】ｐ型基板１０には複数の発光部１２が形成
されている。この半導体レーザは、発光部のアノードが
共通電極であり、カソードが独立電極であるアノードコ
モン型の半導体レーザである。レーザ素子部である各々
の発光部１２は、基板１０上に形成された、第１クラッ
ド層１４、活性層１６、第２クラッド層１８から成り、
第２クラッド層上には独立電極２０が形成されている。
独立電極２０は、例えば、第２クラッド層側からＡｕ−
Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕの３層構造を有するｎ型オーミック電
極から成る。各々の発光部１２の間には発光部分離溝３
０が形成され、これによって、発光部１２は互いに電気
的に絶縁されている。
されている。この半導体レーザは、発光部のアノードが
共通電極であり、カソードが独立電極であるアノードコ
モン型の半導体レーザである。レーザ素子部である各々
の発光部１２は、基板１０上に形成された、第１クラッ
ド層１４、活性層１６、第２クラッド層１８から成り、
第２クラッド層上には独立電極２０が形成されている。
独立電極２０は、例えば、第２クラッド層側からＡｕ−
Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕの３層構造を有するｎ型オーミック電
極から成る。各々の発光部１２の間には発光部分離溝３
０が形成され、これによって、発光部１２は互いに電気
的に絶縁されている。
【００１５】本発明の半導体レーザは、共通電極２２に
特徴がある。発光部分離溝３０をエッチング法で形成す
るときに、同時に、共通電極を形成すべき部分の第２ク
ラッド層１８、活性層１６、第１クラッド層１４を除去
し、ｐ型基板の一部分を露出させる。そして、このｐ型
基板の露出部分１０Ａに、ｐ型オーミック電極として、
例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る３層膜を形成し、次い
で、独立電極との高さを揃えるために、例えば厚さ約５
μｍ程度のはんだ層を形成して、共通電極２２とする。
特徴がある。発光部分離溝３０をエッチング法で形成す
るときに、同時に、共通電極を形成すべき部分の第２ク
ラッド層１８、活性層１６、第１クラッド層１４を除去
し、ｐ型基板の一部分を露出させる。そして、このｐ型
基板の露出部分１０Ａに、ｐ型オーミック電極として、
例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る３層膜を形成し、次い
で、独立電極との高さを揃えるために、例えば厚さ約５
μｍ程度のはんだ層を形成して、共通電極２２とする。
【００１６】こうして、レーザ素子部である個々の発光
部１２が独立電極２０と共通電極２２に電気的に接続さ
れ、独立電極２０と共通電極２２とが概ね同一基板面内
にある半導体レーザが完成する。独立電極２０の表面
と、共通電極２２の表面とは、完全に同一基板面内にあ
る必要はない。半導体レーザを後の工程で配線引出用の
基板５０に確実に取り付け得るならば、独立電極２０の
表面を含む平面と、共通電極２２の表面を含む平面に若
干の食い違いがあってもよい。
部１２が独立電極２０と共通電極２２に電気的に接続さ
れ、独立電極２０と共通電極２２とが概ね同一基板面内
にある半導体レーザが完成する。独立電極２０の表面
と、共通電極２２の表面とは、完全に同一基板面内にあ
る必要はない。半導体レーザを後の工程で配線引出用の
基板５０に確実に取り付け得るならば、独立電極２０の
表面を含む平面と、共通電極２２の表面を含む平面に若
干の食い違いがあってもよい。
【００１７】図１の（Ｂ）に、本発明の半導体レーザ１
を取り付けるための、セラミックから成る配線引出用の
基板５０の平面図を示す。配線引出用の基板５０には、
配線引き出し用の導体線５２が形成されている。独立電
極と接する独立電極取付部分５２Ａの間隔は、独立電極
２０の間隔に等しい。リード線を取り付け易くするた
め、導体線のリード線接続部分５２Ｂの間隔は、独立電
極取付部分５２Ａの間隔よりも広げられている。更に、
配線引出用の基板５０には、共通電極用パッド５４が設
けられている。独立電極取付部分５２Ａ、及び共通電極
用パッド５４の共通電極との接触部分には、はんだ材
（図示せず）が付けられている。
を取り付けるための、セラミックから成る配線引出用の
基板５０の平面図を示す。配線引出用の基板５０には、
配線引き出し用の導体線５２が形成されている。独立電
極と接する独立電極取付部分５２Ａの間隔は、独立電極
２０の間隔に等しい。リード線を取り付け易くするた
め、導体線のリード線接続部分５２Ｂの間隔は、独立電
極取付部分５２Ａの間隔よりも広げられている。更に、
配線引出用の基板５０には、共通電極用パッド５４が設
けられている。独立電極取付部分５２Ａ、及び共通電極
用パッド５４の共通電極との接触部分には、はんだ材
（図示せず）が付けられている。
【００１８】配線引出用の基板５０に半導体レーザ１を
載置し、熱処理を施すことによって、はんだ材が溶融
し、独立電極２０と独立電極取付部分５２Ａ、及び共通
電極２２と共通電極用パッド５４とが電気的に且つ機械
的に接続される。
載置し、熱処理を施すことによって、はんだ材が溶融
し、独立電極２０と独立電極取付部分５２Ａ、及び共通
電極２２と共通電極用パッド５４とが電気的に且つ機械
的に接続される。
【００１９】（実施例２）図２に、本発明の第２の実施
例による半導体レーザ２の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例２の半導体レーザ２は、基本的には実施例１
で説明した半導体レーザ１と同じである。実施例１の半
導体レーザ１との相違点は、共通電極２２と、最も外側
の発光部１２との間にはんだブロック３２を設けたこと
にある。
例による半導体レーザ２の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例２の半導体レーザ２は、基本的には実施例１
で説明した半導体レーザ１と同じである。実施例１の半
導体レーザ１との相違点は、共通電極２２と、最も外側
の発光部１２との間にはんだブロック３２を設けたこと
にある。
【００２０】はんだブロック３２は、実質的には発光部
と同じ構造を有するが、発光部としての機能は有してい
ない。はんだブロック３２を設ける目的は、半導体レー
ザを配線引出用の基板５０に取り付ける際、共通電極２
２のはんだが独立電極２０へ流れ込むことを防止するこ
とにある。
と同じ構造を有するが、発光部としての機能は有してい
ない。はんだブロック３２を設ける目的は、半導体レー
ザを配線引出用の基板５０に取り付ける際、共通電極２
２のはんだが独立電極２０へ流れ込むことを防止するこ
とにある。
【００２１】（実施例３）図３に、本発明の第３の実施
例による半導体レーザ３の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例３の半導体レーザ３は、基本的には実施例１
で説明した半導体レーザ１と同じである。実施例１の半
導体レーザ１との相違点は、共通電極２２、独立電極２
０を設けた基板面側と反対側の基板面に、ｐ型オーミッ
ク裏面電極４０を設けたことにある。
例による半導体レーザ３の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例３の半導体レーザ３は、基本的には実施例１
で説明した半導体レーザ１と同じである。実施例１の半
導体レーザ１との相違点は、共通電極２２、独立電極２
０を設けた基板面側と反対側の基板面に、ｐ型オーミッ
ク裏面電極４０を設けたことにある。
【００２２】この裏面電極４０を設けることによって、
基板１０自体の横方向（厚さと垂直方向）の抵抗を小さ
くし、共通インピーダンスを下げることができ、あるい
は、或る発光部に対する他の発光部の干渉を減少させる
ことができる。共通インピーダンスを下げることによ
り、発光部を高速駆動することができる。
基板１０自体の横方向（厚さと垂直方向）の抵抗を小さ
くし、共通インピーダンスを下げることができ、あるい
は、或る発光部に対する他の発光部の干渉を減少させる
ことができる。共通インピーダンスを下げることによ
り、発光部を高速駆動することができる。
【００２３】（実施例４）図４に、本発明の第４の実施
例による半導体レーザ４の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例４の半導体レーザ４は、基本的には実施例３
で説明した半導体レーザ３と同じである。実施例３の半
導体レーザ３との相違点は、共通電極２２と裏面電極４
０とを電気的に接続するためにスルーホール４２を設け
たことにある。スルーホール４２は、基板１０に貫通孔
を形成し、この貫通孔の内壁に、例えば金を蒸着するこ
とによって形成することができる。スルーホール４２を
設けることにより、共通インピーダンスを下げるだけで
なく、基板の厚さ方向の抵抗を小さくすることができ
る。
例による半導体レーザ４の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例４の半導体レーザ４は、基本的には実施例３
で説明した半導体レーザ３と同じである。実施例３の半
導体レーザ３との相違点は、共通電極２２と裏面電極４
０とを電気的に接続するためにスルーホール４２を設け
たことにある。スルーホール４２は、基板１０に貫通孔
を形成し、この貫通孔の内壁に、例えば金を蒸着するこ
とによって形成することができる。スルーホール４２を
設けることにより、共通インピーダンスを下げるだけで
なく、基板の厚さ方向の抵抗を小さくすることができ
る。
【００２４】（実施例５）図５に、本発明の第５の実施
例による半導体レーザ５の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例５の半導体レーザ５は、基本的には実施例３
で説明した半導体レーザ３と同じである。実施例３の半
導体レーザ３との相違点は、共通電極２２と裏面電極４
０とを電気的に接続するために、基板１０の側面に導体
４４を形成したことにある。導体４４は、例えば、金を
基板１０の側壁に蒸着することによって形成することが
できる。導体４４を設けることにより、共通インピーダ
ンスを下げるだけでなく、基板の厚さ方向の抵抗を小さ
くすることができる。
例による半導体レーザ５の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例５の半導体レーザ５は、基本的には実施例３
で説明した半導体レーザ３と同じである。実施例３の半
導体レーザ３との相違点は、共通電極２２と裏面電極４
０とを電気的に接続するために、基板１０の側面に導体
４４を形成したことにある。導体４４は、例えば、金を
基板１０の側壁に蒸着することによって形成することが
できる。導体４４を設けることにより、共通インピーダ
ンスを下げるだけでなく、基板の厚さ方向の抵抗を小さ
くすることができる。
【００２５】（実施例６）図６に、本発明の第６の実施
例による半導体レーザ６の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例６の半導体レーザ６においては、共通電極２
２は、独立電極２０の表面を含む平面内、即ち、第２ク
ラッド層１８が形成された基板表面に形成されている。
そして、レーザ素子部である発光部１２が形成された基
板面とは反対側の基板面に形成された第２の共通電極４
６を備えており、この第２の共通電極４６は、共通電極
２２と電気的に接続されている。
例による半導体レーザ６の模式的な拡大一部断面図を示
す。実施例６の半導体レーザ６においては、共通電極２
２は、独立電極２０の表面を含む平面内、即ち、第２ク
ラッド層１８が形成された基板表面に形成されている。
そして、レーザ素子部である発光部１２が形成された基
板面とは反対側の基板面に形成された第２の共通電極４
６を備えており、この第２の共通電極４６は、共通電極
２２と電気的に接続されている。
【００２６】実施例６における発光部１２の構造自体
は、実施例１と実質的に同様であり、その詳細な説明は
省略する。
は、実施例１と実質的に同様であり、その詳細な説明は
省略する。
【００２７】実施例６の半導体レーザ６においては、発
光部分離溝３０をエッチング法で形成するときに、実施
例１〜実施例５とは異なり、ｐ型基板１０の一部分を露
出させない。共通電極を形成すべき基板領域に、第１ク
ラッド層１４、活性層１６及び第２クラッド層１８が形
成されたままである。共通電極を形成すべき基板領域
に、例えば、はんだを蒸着して、ｐ型オーミック共通電
極２２を形成する。
光部分離溝３０をエッチング法で形成するときに、実施
例１〜実施例５とは異なり、ｐ型基板１０の一部分を露
出させない。共通電極を形成すべき基板領域に、第１ク
ラッド層１４、活性層１６及び第２クラッド層１８が形
成されたままである。共通電極を形成すべき基板領域
に、例えば、はんだを蒸着して、ｐ型オーミック共通電
極２２を形成する。
【００２８】共通電極２２、独立電極２０を設けた基板
面側と反対側の基板面に、第２の共通電極４６を設けた
ことにある。そして、共通電極２２と第２の共通電極４
６とは、図６の（Ａ）に示すように、内壁に金が蒸着さ
れたスルーホール４２で電気的に接続されている。ある
いは又、図６の（Ｂ）に示すように、基板１０の側壁に
金から成る導体４４を蒸着することによって電気的に接
続されている。第２の共通電極４６は、例えば、基板側
からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に積層した３層膜から構成す
ることができる。
面側と反対側の基板面に、第２の共通電極４６を設けた
ことにある。そして、共通電極２２と第２の共通電極４
６とは、図６の（Ａ）に示すように、内壁に金が蒸着さ
れたスルーホール４２で電気的に接続されている。ある
いは又、図６の（Ｂ）に示すように、基板１０の側壁に
金から成る導体４４を蒸着することによって電気的に接
続されている。第２の共通電極４６は、例えば、基板側
からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの順に積層した３層膜から構成す
ることができる。
【００２９】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。発光部１２は、公知の各種の構造とすることが
できる。ｐ型基板を用いる代わりにｎ型基板を使用する
ことができ、この場合には、独立電極２０を、例えば、
第２クラッド層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造とす
ることができる。裏面電極４０、第２の共通電極４６
を、例えば、Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕから形成すること
ができる。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。発光部１２は、公知の各種の構造とすることが
できる。ｐ型基板を用いる代わりにｎ型基板を使用する
ことができ、この場合には、独立電極２０を、例えば、
第２クラッド層側からＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造とす
ることができる。裏面電極４０、第２の共通電極４６
を、例えば、Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕから形成すること
ができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体レーザにおいては、同一
基板面内に独立電極及び共通電極が形成されているの
で、独立電極及び共通電極の全てに対して、配線引出用
の基板の導体線からリード線を引き出すことができ、半
導体レーザに直接リード線を接続する必要がない。従っ
て、超音波振動を加える圧着法で生じる従来からの問題
を解消することができ、半導体レーザの製品歩留まりの
向上、信頼性の向上を図ることができる。
基板面内に独立電極及び共通電極が形成されているの
で、独立電極及び共通電極の全てに対して、配線引出用
の基板の導体線からリード線を引き出すことができ、半
導体レーザに直接リード線を接続する必要がない。従っ
て、超音波振動を加える圧着法で生じる従来からの問題
を解消することができ、半導体レーザの製品歩留まりの
向上、信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】また、発光部の集積度の増大に伴う共通電
極への電流集中に対しても、共通電極の面積を大きくす
ることによって、容易に電流密度を小さくすることがで
きる。従来の共通電極に直接リード線を取り付ける方法
では、リード線の本数に制限を受ける。
極への電流集中に対しても、共通電極の面積を大きくす
ることによって、容易に電流密度を小さくすることがで
きる。従来の共通電極に直接リード線を取り付ける方法
では、リード線の本数に制限を受ける。
【００３２】本発明の好ましい態様においては、共通イ
ンピーダンスを減らすことができるので、発光部の高速
駆動が容易になる。
ンピーダンスを減らすことができるので、発光部の高速
駆動が容易になる。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザの模
式的な拡大断面図、及び配線引出用の基板の平面図であ
る。
式的な拡大断面図、及び配線引出用の基板の平面図であ
る。
【図２】本発明の第２の実施例による半導体レーザの模
式的な拡大一部断面図である。
式的な拡大一部断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例による半導体レーザの模
式的な拡大一部断面図である。
式的な拡大一部断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例による半導体レーザの模
式的な拡大一部断面図である。
式的な拡大一部断面図である。
【図５】本発明の第５の実施例による半導体レーザの模
式的な拡大一部断面図である。
式的な拡大一部断面図である。
【図６】本発明の第６の実施例による半導体レーザの模
式的な拡大一部断面図である。
式的な拡大一部断面図である。
【図７】従来の半導体レーザの模式的な拡大断面図であ
る。
る。
【図８】従来の配線引出用の基板の平面図である。
【図９】従来の半導体レーザを配線引出用の基板に取り
付けた状態を示す図である。
付けた状態を示す図である。
１ 半導体レーザ １０ 基板 １２ 発光部 １４ 第１クラッド層 １６ 活性層 １８ 第２クラッド層 ２０ 独立電極 ２２ 共通電極 ３０ 発光部分離溝 ３２ はんだブロック ４０ 裏面電極 ４２ スルーホール ４４ 導体 ４６ 第２の共通電極 ５０ 配線引出用の基板 ５２ 導体線 ５４ 共通電極用パッド ５６，５８ リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (4)
- 【請求項１】基板の表面上に形成された複数の発光部を
有し、それぞれの発光部の頂面には独立電極が形成され
た半導体レーザであって、それぞれの発光部に電気的に接続され、複数の発光部で
共通された共通電極が、基板の該表面上に形成され、 基板の裏面上に、該共通電極と電気的に接続された第２
の共通電極が形成されている ことを特徴とする半導体レ
ーザ。 - 【請求項２】共通電極は、発光部が除去され、露出した
基板の表面上に形成されていることを特徴とする請求項
１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】共通電極と第２の共通電極とは、基板に設
けられたスルーホールによって電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】共通電極と第２の共通電極とは、基板の側
面に形成された導体によって電気的に接続されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16336292A JP3200969B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16336292A JP3200969B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335685A JPH05335685A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3200969B2 true JP3200969B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=15772442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16336292A Expired - Fee Related JP3200969B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3200969B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5310441B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-10-09 | 沖電気工業株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP16336292A patent/JP3200969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335685A (ja) | 1993-12-17 |
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