JPS6115587B2 - - Google Patents
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- JPS6115587B2 JPS6115587B2 JP53079535A JP7953578A JPS6115587B2 JP S6115587 B2 JPS6115587 B2 JP S6115587B2 JP 53079535 A JP53079535 A JP 53079535A JP 7953578 A JP7953578 A JP 7953578A JP S6115587 B2 JPS6115587 B2 JP S6115587B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置にかかり、特に改良された
外部引出用電極が設けられた半導体素子を有する
半導体装置に関する。
外部引出用電極が設けられた半導体素子を有する
半導体装置に関する。
従来半導体装置内にある半導体素子上の複数個
の外部引出用電極は素子の少くとも１辺に沿つて
１列に設けられていた。
の外部引出用電極は素子の少くとも１辺に沿つて
１列に設けられていた。
第１図Ａは従来の半導体装置の平面図であり、
第１図Ｂは第１図ＡのＢ−B′の断面図である。
第１図Ｂは第１図ＡのＢ−B′の断面図である。
半導体素子１の１辺に沿つて１列に配置し形成
された複数個の外部引出用電極２に対応して、テ
ープ状の絶縁基板４に形成されたテープキヤリヤ
ーの外部引出用リード線３が上記電極と熱圧着法
又は半田溶融法により導接されている。
された複数個の外部引出用電極２に対応して、テ
ープ状の絶縁基板４に形成されたテープキヤリヤ
ーの外部引出用リード線３が上記電極と熱圧着法
又は半田溶融法により導接されている。
かかる方法は複数個の外部引出用電極と外部引
出用リード線を１度に導接できる為、外部引出用
リード線として金又はアルミニウムの細い線材を
用いて各外部引出用電極毎に導接するワイヤーポ
ンデイング法に較べて導接作業時間が少ない利点
があり、上記電極の数が多くなればなるほどその
効果は増す。
出用リード線を１度に導接できる為、外部引出用
リード線として金又はアルミニウムの細い線材を
用いて各外部引出用電極毎に導接するワイヤーポ
ンデイング法に較べて導接作業時間が少ない利点
があり、上記電極の数が多くなればなるほどその
効果は増す。
しかしながら上記外部引出用電極の数が増せ
ば、電極が一列に配置された素子１の１辺の長さ
が比例して大きくなり、素子面積を増加させる結
果となつていた。
ば、電極が一列に配置された素子１の１辺の長さ
が比例して大きくなり、素子面積を増加させる結
果となつていた。
これは実際に機能する素子活性領域に較べ外部
引出用電極の占める割合が多くなり電極の為にの
み素子面積を増加させることになり、効率の悪い
素子となつているだけでなく、素子面積増加の為
に著しくウエハー当りの素子の収率或いは歩留を
低下させる欠点があつた。
引出用電極の占める割合が多くなり電極の為にの
み素子面積を増加させることになり、効率の悪い
素子となつているだけでなく、素子面積増加の為
に著しくウエハー当りの素子の収率或いは歩留を
低下させる欠点があつた。
さらに素子１の複数個の外部引出用電極２とそ
れらに対応して形成された外部引出用リード線３
との導接を複数点同時にする為に素子の表面積に
ほぼ一致した導接用の面を有する加圧、加熱治具
を用い熱圧着法又は半田溶融法により作業を行な
つていたが素子表面積の増加に比例して上記加圧
加熱治具の導接用の面が大きくなる為、加圧加熱
が均一に面に分布せず外部引出用電極と外物引出
用リード線との導接不良が部分的に（特に素子の
四隅付近の電極部分に著しく）発生したり素子に
歪が入りクラツクを発生させたりする欠点があつ
た。
れらに対応して形成された外部引出用リード線３
との導接を複数点同時にする為に素子の表面積に
ほぼ一致した導接用の面を有する加圧、加熱治具
を用い熱圧着法又は半田溶融法により作業を行な
つていたが素子表面積の増加に比例して上記加圧
加熱治具の導接用の面が大きくなる為、加圧加熱
が均一に面に分布せず外部引出用電極と外物引出
用リード線との導接不良が部分的に（特に素子の
四隅付近の電極部分に著しく）発生したり素子に
歪が入りクラツクを発生させたりする欠点があつ
た。
本発明は上記欠点を除き外部引出用電極の数が
増加しても半導体素子の面積も非効率的に増加さ
せることなく、したがつて素子のウエハー当りの
収率或いは歩留を低下させず、かつ複数個の外部
引出用電極とそれらに対応して形成された外部引
出用リード線との複数点同時導接を安定させ安価
で信頼性の高い半導体装置を提供するものであ
る。
増加しても半導体素子の面積も非効率的に増加さ
せることなく、したがつて素子のウエハー当りの
収率或いは歩留を低下させず、かつ複数個の外部
引出用電極とそれらに対応して形成された外部引
出用リード線との複数点同時導接を安定させ安価
で信頼性の高い半導体装置を提供するものであ
る。
本発明の半導体装置は、複数個の外部引出用電
極を有する半導体素子と該複数個の電極に導接さ
れた外部引出用リード線とを含む半導体装置にお
いて、前記外部引出用電極が素子の少なくとも１
辺に沿つて複数列に並列し、各列の電極はそれぞ
れ平行に配置され、かつ該辺に対して内部の電極
群の高さが外部の電極群の高さよりも高く形成さ
れ、前記内部の電極群が露出するように開孔が設
けられている耐熱性の絶縁基板の表面に、一端を
前記開孔に突出させて内部の電極群に対応させる
位置に内側の外部引出用リード線を形成し、裏面
に前記外部の電極群に対応させる位置に外側の外
部引出用リード線を形成し、該絶縁基板の表裏に
形成された外部引出用リード線はそれぞれ絶縁基
板を介して平面的に重ね合わされ、更に組立の際
前記内部の電極群と内側の外部引出用リード線と
が、また外部の電極群と外側の外部引出用リード
線とが各々同時に熱圧着により導接されるように
前記絶縁基板と外側の外部引出用リード線とを合
せた厚さを前記内部の電極群と外部の電極群の高
さの差よりも小さくしたことを特徴としている。
極を有する半導体素子と該複数個の電極に導接さ
れた外部引出用リード線とを含む半導体装置にお
いて、前記外部引出用電極が素子の少なくとも１
辺に沿つて複数列に並列し、各列の電極はそれぞ
れ平行に配置され、かつ該辺に対して内部の電極
群の高さが外部の電極群の高さよりも高く形成さ
れ、前記内部の電極群が露出するように開孔が設
けられている耐熱性の絶縁基板の表面に、一端を
前記開孔に突出させて内部の電極群に対応させる
位置に内側の外部引出用リード線を形成し、裏面
に前記外部の電極群に対応させる位置に外側の外
部引出用リード線を形成し、該絶縁基板の表裏に
形成された外部引出用リード線はそれぞれ絶縁基
板を介して平面的に重ね合わされ、更に組立の際
前記内部の電極群と内側の外部引出用リード線と
が、また外部の電極群と外側の外部引出用リード
線とが各々同時に熱圧着により導接されるように
前記絶縁基板と外側の外部引出用リード線とを合
せた厚さを前記内部の電極群と外部の電極群の高
さの差よりも小さくしたことを特徴としている。
本発明を実施例により説明する。第２図は本発
明の一実施例の半導体装置の外部引出用リード線
と外部引出用電極の導接部近傍の平面図第２図Ａ
及びＢ−B′の断面図第２図Ｂである。
明の一実施例の半導体装置の外部引出用リード線
と外部引出用電極の導接部近傍の平面図第２図Ａ
及びＢ−B′の断面図第２図Ｂである。
第１群の外部引出用電極２１と第２群の外部引
出用電極２２が半導体素子１の１辺に沿つて並列
に配置されている。前記電極の高さが同等であつ
た場合には、第２群の電極２２に導接される外部
引出用リード線３２が第１群の電極２１に容易に
接触し短絡不良を生ぜしめる為、これを防ぐ目的
で素子の辺に対し内部にある第２群の電極２２の
高さが該電極よりも外部にある第１群の電極２１
の高さよりも大きくなるように配置されている。
さらに第１群の電極２１に導接される外部引出用
リード線３１と第２群の電極２２に導接される外
部引出用リード線３２とは耐熱性を有する絶縁基
板４（例えばポリイミド樹脂）により絶縁されて
いる。
出用電極２２が半導体素子１の１辺に沿つて並列
に配置されている。前記電極の高さが同等であつ
た場合には、第２群の電極２２に導接される外部
引出用リード線３２が第１群の電極２１に容易に
接触し短絡不良を生ぜしめる為、これを防ぐ目的
で素子の辺に対し内部にある第２群の電極２２の
高さが該電極よりも外部にある第１群の電極２１
の高さよりも大きくなるように配置されている。
さらに第１群の電極２１に導接される外部引出用
リード線３１と第２群の電極２２に導接される外
部引出用リード線３２とは耐熱性を有する絶縁基
板４（例えばポリイミド樹脂）により絶縁されて
いる。
前記電極の高さは、例えばメツキにより形成す
る場合メツキ時間、電流密度等のメツキ条件のコ
ントロールにより素子１のある辺に対し内部にあ
る第２群の電極２２の高さを、該電極より外部に
ある第１群の電極２１の高さよりも大きくするこ
ともできる。この高さの差は数10μ程度が通常好
ましくこの為に絶縁基板４と第１群電極２１に導
接するリード線との厚さを数10μ以下にする必要
がある。この為例えば数10μ以下の薄いポリイミ
ド樹脂のように耐熱性を有する絶縁基板４の片面
に蒸着或いは極薄の金属箔との被着により、銅、
金、錫等の金属層を少くとも１層設けさらに絶縁
基板４上に第１群の電極２１に対応してエツチン
グ等によりリード線３１を形成し、さらに絶縁基
板４の少くとも第２群の電極２２の導接部領域に
開孔が設けられていて該孔に突出し、第２群の電
極２２に対応したリード線３２が絶縁基板４の１
方の面に形成されてなる導接手段を用意する。
る場合メツキ時間、電流密度等のメツキ条件のコ
ントロールにより素子１のある辺に対し内部にあ
る第２群の電極２２の高さを、該電極より外部に
ある第１群の電極２１の高さよりも大きくするこ
ともできる。この高さの差は数10μ程度が通常好
ましくこの為に絶縁基板４と第１群電極２１に導
接するリード線との厚さを数10μ以下にする必要
がある。この為例えば数10μ以下の薄いポリイミ
ド樹脂のように耐熱性を有する絶縁基板４の片面
に蒸着或いは極薄の金属箔との被着により、銅、
金、錫等の金属層を少くとも１層設けさらに絶縁
基板４上に第１群の電極２１に対応してエツチン
グ等によりリード線３１を形成し、さらに絶縁基
板４の少くとも第２群の電極２２の導接部領域に
開孔が設けられていて該孔に突出し、第２群の電
極２２に対応したリード線３２が絶縁基板４の１
方の面に形成されてなる導接手段を用意する。
上記電極２１，２２と上記導接手段のリード線
３１，３２とは通常の熱圧着法又は半田溶融法に
より導接される。
３１，３２とは通常の熱圧着法又は半田溶融法に
より導接される。
かかる方法によれば第２群の電極に導接される
リード線が第１群の電極に接触する短絡不良を起
すことなく第２群の電極をある辺に対し第１群の
電極よりも内部に設けている為、同数の電極を第
１群と同列に一列に配置するよりも素子１の面積
はほぼ半分となり素子のウエハーあたりの収率、
歩留を低下させることなく、かつ複数点を同時に
導接する作業において導接の為の加圧加熱治具の
導接用の面が小さくなり加圧加熱が不均一になつ
て導接作業が不安定になることはなくなる。この
効果は外部引出用電極の数が増すほど大きくな
る。
リード線が第１群の電極に接触する短絡不良を起
すことなく第２群の電極をある辺に対し第１群の
電極よりも内部に設けている為、同数の電極を第
１群と同列に一列に配置するよりも素子１の面積
はほぼ半分となり素子のウエハーあたりの収率、
歩留を低下させることなく、かつ複数点を同時に
導接する作業において導接の為の加圧加熱治具の
導接用の面が小さくなり加圧加熱が不均一になつ
て導接作業が不安定になることはなくなる。この
効果は外部引出用電極の数が増すほど大きくな
る。
上記実施例は主にテープキヤリヤー方式の外部
引出用リード線を使用した半導体装置の場合を説
明したがテープキヤリヤー方式にかかわらずベー
スリボン方式、フリツプチツプ方式、ワイヤボン
デイング方式或はそれらの組み合わせに使用する
外部引出用リード線等に適用しても効果がある。
引出用リード線を使用した半導体装置の場合を説
明したがテープキヤリヤー方式にかかわらずベー
スリボン方式、フリツプチツプ方式、ワイヤボン
デイング方式或はそれらの組み合わせに使用する
外部引出用リード線等に適用しても効果がある。
以上詳細に説明したように本発明によれば半導
体素子の面積を著しく増加させることなく、複数
個の外部引出用電極を配置できる為素子のウエハ
ーあたりの収率、歩留を低下させることなく、か
つ安定した導接作業ができ、安価で信頼性の高い
半導体装置を提供できるその効果は大きい。
体素子の面積を著しく増加させることなく、複数
個の外部引出用電極を配置できる為素子のウエハ
ーあたりの収率、歩留を低下させることなく、か
つ安定した導接作業ができ、安価で信頼性の高い
半導体装置を提供できるその効果は大きい。
第１図Ａは従来の半導体装置の平面図であり、
第１図Ｂは第１図Ａを切断線Ｂ−B′に沿つて切断
し矢印の方向をみた断面図である。第２図Ａは本
発明の一実施例の半導体装置の素子電極とリード
線との導接部近傍の平面図であり、第２図Ｂは第
２図Ａを切断線Ｂ−B′に沿つて切断し矢印の方向
をみた断面図である。 尚、図において、１……半導体素子、２，２
１，２２……外部引出用電極、３，３１，３２…
…外部引出用リード線、４……絶縁基板である。
第１図Ｂは第１図Ａを切断線Ｂ−B′に沿つて切断
し矢印の方向をみた断面図である。第２図Ａは本
発明の一実施例の半導体装置の素子電極とリード
線との導接部近傍の平面図であり、第２図Ｂは第
２図Ａを切断線Ｂ−B′に沿つて切断し矢印の方向
をみた断面図である。 尚、図において、１……半導体素子、２，２
１，２２……外部引出用電極、３，３１，３２…
…外部引出用リード線、４……絶縁基板である。
Claims (1)
- １ 複数個の外部引出用電極を有する半導体素子
と該複数個の電極に導接された外部引出用リード
線とを含む半導体装置において、前記外部引出用
電極が素子の少なくとも一辺に沿つて複数列に並
列し、かつ各列の電極はそれぞれ平行に配置さ
れ、また該辺に対して内部の電極群の高さが外部
の電極群の高さよりも高く形成され、前記内部の
電極群に導接された内側の外部引出用リードと外
部の電極群に導接された外側の外部引出用リード
とが間に耐熱性の絶縁基板を介在させて重なり合
つて設けられていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7953578A JPS556868A (en) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7953578A JPS556868A (en) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS556868A JPS556868A (en) | 1980-01-18 |
| JPS6115587B2 true JPS6115587B2 (ja) | 1986-04-24 |
Family
ID=13692680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7953578A Granted JPS556868A (en) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS556868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019069843A1 (ja) | 2017-10-03 | 2019-04-11 | マツダ株式会社 | 多段自動変速機付車両の制御装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5524479A (en) * | 1978-08-09 | 1980-02-21 | Nec Corp | Semiconductor |
| JPS5773957A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-08 | Nec Corp | Internal connection structure for multi-terminal package |
| JPH0638417B2 (ja) * | 1987-10-07 | 1994-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1978
- 1978-06-29 JP JP7953578A patent/JPS556868A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019069843A1 (ja) | 2017-10-03 | 2019-04-11 | マツダ株式会社 | 多段自動変速機付車両の制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS556868A (en) | 1980-01-18 |
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