JP2000124508A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板表面に形成される導電接続部の長さを長
く取れるようにして、ワイヤボンデング処理が円滑に行
なえる発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板１７の表面に長さ方向に突出した導
電接続部（ランドパタ−ン）１２ａ、１４ａを有する一
対の電極１１、１３を形成し、平面視矩形状の半導体発
光チップ１の側辺を導電接続部１２ａ、１４ａの延在方
向に対して斜めに実装する。半導体発光チップ１のｎ側
電極６は導電接続部１２ａと金属線１５でワイヤボンデ
ングされ、ｐ側電極７は導電接続部１４ａと金属線１６
でワイヤボンデングされて電気的に接続される。半導体
発光チップ１を前記のように斜めに実装することによ
り、導電接続部１２ａ、１４ａを延長して形成すること
ができるのでその面積が増大し、ワイヤボンデング処理
が円滑に行なえる。
く取れるようにして、ワイヤボンデング処理が円滑に行
なえる発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板１７の表面に長さ方向に突出した導
電接続部（ランドパタ−ン）１２ａ、１４ａを有する一
対の電極１１、１３を形成し、平面視矩形状の半導体発
光チップ１の側辺を導電接続部１２ａ、１４ａの延在方
向に対して斜めに実装する。半導体発光チップ１のｎ側
電極６は導電接続部１２ａと金属線１５でワイヤボンデ
ングされ、ｐ側電極７は導電接続部１４ａと金属線１６
でワイヤボンデングされて電気的に接続される。半導体
発光チップ１を前記のように斜めに実装することによ
り、導電接続部１２ａ、１４ａを延長して形成すること
ができるのでその面積が増大し、ワイヤボンデング処理
が円滑に行なえる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光チップ
を実装するチップ型半導体発光素子等の発光装置に関す
る。
を実装するチップ型半導体発光素子等の発光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光チップとして、図６に示され
ているような構成のものが知られている。図６におい
て、１は例えば青色系の光を発光するチッ化ガリウム系
化合物半導体からなる半導体発光チップで、サファイア
基板２上にｎ形層（クラッド層）３、活性層（発光層）
４、ｐ形層（クラッド層）５を積層している。
ているような構成のものが知られている。図６におい
て、１は例えば青色系の光を発光するチッ化ガリウム系
化合物半導体からなる半導体発光チップで、サファイア
基板２上にｎ形層（クラッド層）３、活性層（発光層）
４、ｐ形層（クラッド層）５を積層している。
【０００３】ｎ形層３は例えばｎ形のＧａＮで形成さ
れ、ｐ形層５は例えばｐ形のＧａＮで形成される。ま
た、活性層４は、例えばＩｎＧａＮ系の化合物半導体で
形成される。これらのｎ形層３、活性層４、ｐ形層５の
一部をエッチングして露出させたｎ形層３の上にｎ側電
極６を設ける。また、ｐ形層５の上にはｐ側電極７を設
ける。このように、半導体発光チップ１の上面側にｎ側
電極６とｐ側電極７とを設けている。
れ、ｐ形層５は例えばｐ形のＧａＮで形成される。ま
た、活性層４は、例えばＩｎＧａＮ系の化合物半導体で
形成される。これらのｎ形層３、活性層４、ｐ形層５の
一部をエッチングして露出させたｎ形層３の上にｎ側電
極６を設ける。また、ｐ形層５の上にはｐ側電極７を設
ける。このように、半導体発光チップ１の上面側にｎ側
電極６とｐ側電極７とを設けている。
【０００４】図７は、図６に示した半導体発光チップ１
を用いてチップ型の半導体発光素子１０を形成する例を
一部透過した状態で示す斜視図である。図７において、
基板１７の表面に図６に示したような半導体発光チップ
１をダイボンデングして実装する。基板１７の表面に
は、導電材料よりなる第１の電極１１と第２の電極１３
を形成し、前記一対の電極１１、１３は、基板１７の側
面を通り裏面に延在させる。
を用いてチップ型の半導体発光素子１０を形成する例を
一部透過した状態で示す斜視図である。図７において、
基板１７の表面に図６に示したような半導体発光チップ
１をダイボンデングして実装する。基板１７の表面に
は、導電材料よりなる第１の電極１１と第２の電極１３
を形成し、前記一対の電極１１、１３は、基板１７の側
面を通り裏面に延在させる。
【０００５】第１の電極１１には、導電接続部であるラ
ンドパタ−ン１２を基板１７の長さ方向に突出させて形
成し、第２の電極１３には、導電接続部であるランドパ
タ−ン１４を基板１７の長さ方向に突出させて形成す
る。半導体発光チップ１の各側辺は、ランドパタ−ン１
２、１４の延在方向と平行および直角に基板１７に実装
される。
ンドパタ−ン１２を基板１７の長さ方向に突出させて形
成し、第２の電極１３には、導電接続部であるランドパ
タ−ン１４を基板１７の長さ方向に突出させて形成す
る。半導体発光チップ１の各側辺は、ランドパタ−ン１
２、１４の延在方向と平行および直角に基板１７に実装
される。
【０００６】半導体発光チップ１のｎ側電極６は、第１
の電極１１のランドパタ−ン１２と金属線１５によりワ
イヤ−ボンデングされ、ｐ側電極７は、第２の電極１３
のランドパタ−ン１４と金属線１６によりワイヤ−ボン
デングされて、それぞれ電気的に接続されている。ワイ
ヤボンデング装置を制御して、金属線１５、１６を互い
に平行でランドパタ−ン１２、１４の延在方向と平行に
張設する。１８は透光性の合成樹脂を用いたモ−ルド部
で、半導体発光チップ１と金属線１５、１６を封止す
る。
の電極１１のランドパタ−ン１２と金属線１５によりワ
イヤ−ボンデングされ、ｐ側電極７は、第２の電極１３
のランドパタ−ン１４と金属線１６によりワイヤ−ボン
デングされて、それぞれ電気的に接続されている。ワイ
ヤボンデング装置を制御して、金属線１５、１６を互い
に平行でランドパタ−ン１２、１４の延在方向と平行に
張設する。１８は透光性の合成樹脂を用いたモ−ルド部
で、半導体発光チップ１と金属線１５、１６を封止す
る。
【０００７】図７に示した構成の半導体発光素子１０
は、図６で説明したように半導体発光チップ１の上面側
にｎ側電極６とｐ側電極７とを形成している。このた
め、基板１７の表面にダイボンデングにより半導体発光
チップ１を実装する際には、基板１７に形成されている
対向する一対のランドパタ−ン１２、１４とは間隔をお
いて半導体発光チップ１を配置して、ｎ側電極６とｐ側
電極７は、平行に張設された金属線１５、１６でランド
パタ−ン１２、１４とワイヤ−ボンデングにより電気的
に接続されている。
は、図６で説明したように半導体発光チップ１の上面側
にｎ側電極６とｐ側電極７とを形成している。このた
め、基板１７の表面にダイボンデングにより半導体発光
チップ１を実装する際には、基板１７に形成されている
対向する一対のランドパタ−ン１２、１４とは間隔をお
いて半導体発光チップ１を配置して、ｎ側電極６とｐ側
電極７は、平行に張設された金属線１５、１６でランド
パタ−ン１２、１４とワイヤ−ボンデングにより電気的
に接続されている。
【０００８】ところで、最近の技術の進展により半導体
発光素子は小型化される傾向にあり、その具体例を図７
の平面図である図８で説明する。図８において、半導体
発光チップ１を実装する基板１７のＡ寸法とＢ寸法は、
例えばＡ×Ｂ＝１．６ｍｍ×０．８ｍｍに選定されてい
る。更に小型化された例として、Ａ×Ｂ＝１．０ｍｍ×
０．５ｍｍに選定されているものもある。
発光素子は小型化される傾向にあり、その具体例を図７
の平面図である図８で説明する。図８において、半導体
発光チップ１を実装する基板１７のＡ寸法とＢ寸法は、
例えばＡ×Ｂ＝１．６ｍｍ×０．８ｍｍに選定されてい
る。更に小型化された例として、Ａ×Ｂ＝１．０ｍｍ×
０．５ｍｍに選定されているものもある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記したように半導体
発光素子の基板１７のサイズが小型化されており、基板
表面のスペ−スが狭くなっている。このため、図７、図
８の構成の半導体発光素子１０においては、半導体発光
チップ１と間隔をおいて基板表面の長さ方向に形成され
るランドパタ−ン１２、１４の長さＬ１を長く取ること
ができず、半導体発光チップ１の各電極６、７と、導電
接続部であるランドパタ−ン１２、１４とを金属線１
５、１６でワイヤボンデングするための面積が狭くな
る。このため、ワイヤボンデング処理が困難になるとい
う問題があった。
発光素子の基板１７のサイズが小型化されており、基板
表面のスペ−スが狭くなっている。このため、図７、図
８の構成の半導体発光素子１０においては、半導体発光
チップ１と間隔をおいて基板表面の長さ方向に形成され
るランドパタ−ン１２、１４の長さＬ１を長く取ること
ができず、半導体発光チップ１の各電極６、７と、導電
接続部であるランドパタ−ン１２、１４とを金属線１
５、１６でワイヤボンデングするための面積が狭くな
る。このため、ワイヤボンデング処理が困難になるとい
う問題があった。
【００１０】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、基板に形成される導電接続部の長さを長く
取れるようにして、ワイヤボンデング処理を円滑に行な
える構成とした発光装置の提供を目的とする。
ものであり、基板に形成される導電接続部の長さを長く
取れるようにして、ワイヤボンデング処理を円滑に行な
える構成とした発光装置の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、請
求項１に係る発明において発光装置を、基板と、基板上
に形成された対向する一対の導電接続部と、基板に実装
されて前記各導電接続部に電気的に接続される平面視矩
形状またはひし型状の半導体発光チップとを設けた発光
装置において、前記一対の導電接続部は互いに接近する
ように平行且つ異なる直線上に延在し、前記半導体発光
チップはその上面側にｐ側電極とｎ側電極を有し、一対
の導電接続部間にその側辺が導電接続部の延在方向に対
して斜めに実装することにより達成される。
求項１に係る発明において発光装置を、基板と、基板上
に形成された対向する一対の導電接続部と、基板に実装
されて前記各導電接続部に電気的に接続される平面視矩
形状またはひし型状の半導体発光チップとを設けた発光
装置において、前記一対の導電接続部は互いに接近する
ように平行且つ異なる直線上に延在し、前記半導体発光
チップはその上面側にｐ側電極とｎ側電極を有し、一対
の導電接続部間にその側辺が導電接続部の延在方向に対
して斜めに実装することにより達成される。
【００１２】また、請求項２に係る発明においては、請
求項１に記載の発光装置において、前記導電接続部の先
端の一部をカットする構成としている。
求項１に記載の発光装置において、前記導電接続部の先
端の一部をカットする構成としている。
【００１３】請求項１に係る発明においては、平面視矩
形状またはひし型状の半導体発光チップを、導電接続部
の延在方向に対して、その側辺の方向が斜めになるよう
に実装するので、導電接続部の長さを延長できる空間部
が得られる。したがって、導電接続部はその先端面が半
導体発光チップに近接した位置に形成されるので、その
基板表面の中心方向への長さが長くとれることになり、
ワイヤボンデングをするための面積が増大する。このた
め、半導体発光チップのｎ側電極およびｐ側電極と導電
接続部とを金属線によりワイヤボンデングする処理が円
滑に行なえる。
形状またはひし型状の半導体発光チップを、導電接続部
の延在方向に対して、その側辺の方向が斜めになるよう
に実装するので、導電接続部の長さを延長できる空間部
が得られる。したがって、導電接続部はその先端面が半
導体発光チップに近接した位置に形成されるので、その
基板表面の中心方向への長さが長くとれることになり、
ワイヤボンデングをするための面積が増大する。このた
め、半導体発光チップのｎ側電極およびｐ側電極と導電
接続部とを金属線によりワイヤボンデングする処理が円
滑に行なえる。
【００１４】また、請求項２に係る発明においては、半
導体発光チップのダイボンデングの位置ずれを想定し
て、予め導電接続部の先端の一部をカットしておくの
で、半導体発光チップを基板に実装する際に、半導体発
光チップに位置ずれが生じても、半導体発光チップが導
電接続部に乗り上げることがなく、ワイヤボンデング処
理をより確実に行なうことができる。このため、発光装
置の小型化または高集積化がより効果的に実現できる。
導体発光チップのダイボンデングの位置ずれを想定し
て、予め導電接続部の先端の一部をカットしておくの
で、半導体発光チップを基板に実装する際に、半導体発
光チップに位置ずれが生じても、半導体発光チップが導
電接続部に乗り上げることがなく、ワイヤボンデング処
理をより確実に行なうことができる。このため、発光装
置の小型化または高集積化がより効果的に実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例を示すチップ型の半導体発光素子の平面図である。
図７で説明した従来の半導体発光素子と同じ部分、また
は対応するところには同一の符号を付している。
て図を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例を示すチップ型の半導体発光素子の平面図である。
図７で説明した従来の半導体発光素子と同じ部分、また
は対応するところには同一の符号を付している。
【００１６】図１において、基板１７は平面視矩形状で
あり、その両端部には、上面から側面を経て下面へと延
在する一対の電極１１、１３が対向するように形成され
ている。一対の電極１１、１３は、基板１７の上面にお
いて互いに接近するように延在するランドパタ−ン１２
ａ、１４ａを有している。これらのランドパタ−ン１２
ａ、１４ａは、互いに平行且つ異なる直線上に位置をず
らして基板上に延在している。
あり、その両端部には、上面から側面を経て下面へと延
在する一対の電極１１、１３が対向するように形成され
ている。一対の電極１１、１３は、基板１７の上面にお
いて互いに接近するように延在するランドパタ−ン１２
ａ、１４ａを有している。これらのランドパタ−ン１２
ａ、１４ａは、互いに平行且つ異なる直線上に位置をず
らして基板上に延在している。
【００１７】半導体発光チップ１は略直方体に形成さ
れ、平面視略正方形となる矩形状のチッ化ガリウム系化
合物半導体からなるＬＥＤで、上面側にｎ側電極６およ
びｐ側電極７が対角線上に設けられている。半導体発光
チップ１は、その側辺の全てがランドパタ−ン１２ａ、
１４ａの延在方向に対して非平行（斜め）となるよう
に、基板１７の上面において、ランドパタ−ン１２ａ、
１４ａの先端間にダイボンデングされている。
れ、平面視略正方形となる矩形状のチッ化ガリウム系化
合物半導体からなるＬＥＤで、上面側にｎ側電極６およ
びｐ側電極７が対角線上に設けられている。半導体発光
チップ１は、その側辺の全てがランドパタ−ン１２ａ、
１４ａの延在方向に対して非平行（斜め）となるよう
に、基板１７の上面において、ランドパタ−ン１２ａ、
１４ａの先端間にダイボンデングされている。
【００１８】図１の例では、半導体発光チップ１は、そ
のｎ側電極６とｐ側電極７とを結ぶ直線が、ランドパタ
−ン１２ａ、１４ａの延在方向と直角になるように基板
１７に実装されている。また、半導体発光チップ１のｎ
側電極６およびｐ側電極７は、ワイヤボンデングにより
それぞれ金属線１５、１６を介してランドパタ−ン１２
ａ、１４ａに電気的に接続される。金属線１５、１６は
互いに平行で且つランドパタ−ン１２ａ、１４ａの延在
方向と平行に張設されている。
のｎ側電極６とｐ側電極７とを結ぶ直線が、ランドパタ
−ン１２ａ、１４ａの延在方向と直角になるように基板
１７に実装されている。また、半導体発光チップ１のｎ
側電極６およびｐ側電極７は、ワイヤボンデングにより
それぞれ金属線１５、１６を介してランドパタ−ン１２
ａ、１４ａに電気的に接続される。金属線１５、１６は
互いに平行で且つランドパタ−ン１２ａ、１４ａの延在
方向と平行に張設されている。
【００１９】このように、半導体発光チップ１をその側
辺がランドパタ−ン１２ａ、１４ａの延在方向と斜めの
方向になるように実装する。図１の例では、半導体発光
チップ１の基板１７上の実装位置を、図７の例の実装位
置とは４５度回転した位置に選定している。このため、
半導体発光チップ１を基板１７に実装すると、ｎ側電極
６およびｐ側電極７は、図７の例よりも基板１７の長手
方向の側縁に近ずく方向に離間して配置されることにな
る。
辺がランドパタ−ン１２ａ、１４ａの延在方向と斜めの
方向になるように実装する。図１の例では、半導体発光
チップ１の基板１７上の実装位置を、図７の例の実装位
置とは４５度回転した位置に選定している。このため、
半導体発光チップ１を基板１７に実装すると、ｎ側電極
６およびｐ側電極７は、図７の例よりも基板１７の長手
方向の側縁に近ずく方向に離間して配置されることにな
る。
【００２０】前記のように、金属線１５、１６は互いに
平行で且つランドパタ−ンの延在方向と平行に張設され
るようにワイヤボンデング装置が制御されるから、半導
体発光チップ１のｎ側電極６とｐ側電極７をそれぞれ基
板１７の長手方向の側縁に近ずく方向に離間して配置す
ると、ランドパタ−ン１２ａ、１４ａも、図７の例と比
較して基板１７の長手方向の側縁に近づく方向に移動し
た位置に形成されることになる。このため、基板１７上
にランドパタ−ン１２ａ、１４ａの長さを延長できる空
間部が得られる。従来例と対比するために、破線により
図７の一方のランドパタ−ン１２を形成する位置を示し
ている。
平行で且つランドパタ−ンの延在方向と平行に張設され
るようにワイヤボンデング装置が制御されるから、半導
体発光チップ１のｎ側電極６とｐ側電極７をそれぞれ基
板１７の長手方向の側縁に近ずく方向に離間して配置す
ると、ランドパタ−ン１２ａ、１４ａも、図７の例と比
較して基板１７の長手方向の側縁に近づく方向に移動し
た位置に形成されることになる。このため、基板１７上
にランドパタ−ン１２ａ、１４ａの長さを延長できる空
間部が得られる。従来例と対比するために、破線により
図７の一方のランドパタ−ン１２を形成する位置を示し
ている。
【００２１】したがって、ランドパタ−ン１２ａ、１４
ａはその先端を半導体発光チップ１に向かって延長でき
るので、その基板表面の中心方向への長さＬ２が、従来
のランドパタ−ンの長さＬ１よりも長くとれることにな
り、ワイヤボンデングをするための面積が増大する。こ
のため、半導体発光チップ１の各電極６、７とランドパ
タ−ン１２ａ、１４ａとを金属線１５、１６によりワイ
ヤボンデングする処理が円滑に行なえる。
ａはその先端を半導体発光チップ１に向かって延長でき
るので、その基板表面の中心方向への長さＬ２が、従来
のランドパタ−ンの長さＬ１よりも長くとれることにな
り、ワイヤボンデングをするための面積が増大する。こ
のため、半導体発光チップ１の各電極６、７とランドパ
タ−ン１２ａ、１４ａとを金属線１５、１６によりワイ
ヤボンデングする処理が円滑に行なえる。
【００２２】図２は、半導体発光チップ１の一部がラン
ドパタ−ン１４ａに乗り上げてしまい、半導体発光チッ
プ１が基板１７の表面に傾いて実装された状態を示す平
面図である。半導体発光チップ１を基板１７の表面にお
いて実装する際の位置精度により、図２のように半導体
発光チップ１が実装されることがある。
ドパタ−ン１４ａに乗り上げてしまい、半導体発光チッ
プ１が基板１７の表面に傾いて実装された状態を示す平
面図である。半導体発光チップ１を基板１７の表面にお
いて実装する際の位置精度により、図２のように半導体
発光チップ１が実装されることがある。
【００２３】図３は、本発明の別の実施の形態に係る半
導体発光素子１０ｂの例を示す平面図である。図３の例
では、ランドパタ−ン１２ｂ、１４ｂの先端の一部を、
隣接する半導体発光チップ１の側辺に沿って斜めにカッ
トしている。すなわち、半導体発光チップ１のダイボン
デングの位置ずれを想定して、予めランドパタ−ン１２
ｂ、１４ｂの先端の一部を斜めにカットしておくもので
ある。
導体発光素子１０ｂの例を示す平面図である。図３の例
では、ランドパタ−ン１２ｂ、１４ｂの先端の一部を、
隣接する半導体発光チップ１の側辺に沿って斜めにカッ
トしている。すなわち、半導体発光チップ１のダイボン
デングの位置ずれを想定して、予めランドパタ−ン１２
ｂ、１４ｂの先端の一部を斜めにカットしておくもので
ある。
【００２４】図３の構成とすることにより、半導体発光
チップ１をその側辺が基板１７の表面においてランドパ
タ−ン１２ｂ、１４ｂの延在方向に対して斜め方向に実
装する際に、半導体発光チップ１に位置ずれが生じて
も、半導体発光チップ１がランドパタ−ン１２ｂ、１４
ｂに乗り上げることを防止できる。このため、半導体発
光チップ１の各電極６、７とランドパタ−ン１２ａ、１
４ａとを金属線１５、１６によりワイヤボンデングする
処理は正常に行われる。
チップ１をその側辺が基板１７の表面においてランドパ
タ−ン１２ｂ、１４ｂの延在方向に対して斜め方向に実
装する際に、半導体発光チップ１に位置ずれが生じて
も、半導体発光チップ１がランドパタ−ン１２ｂ、１４
ｂに乗り上げることを防止できる。このため、半導体発
光チップ１の各電極６、７とランドパタ−ン１２ａ、１
４ａとを金属線１５、１６によりワイヤボンデングする
処理は正常に行われる。
【００２５】このように、ランドパタ−ン１２ｂ、１４
ｂの先端の最も半導体発光チップ１に接近する部分を斜
めにカットすることにより、半導体発光チップ１の一部
がランドパタ−ン１２ａまたは１４ａに乗り上げてしま
い、図２のように半導体発光チップ１が基板１７の表面
に傾いて実装されることを効果的に防止できる。
ｂの先端の最も半導体発光チップ１に接近する部分を斜
めにカットすることにより、半導体発光チップ１の一部
がランドパタ−ン１２ａまたは１４ａに乗り上げてしま
い、図２のように半導体発光チップ１が基板１７の表面
に傾いて実装されることを効果的に防止できる。
【００２６】半導体発光チップ１を基板１７にダイボン
デングする際の位置ずれによって、半導体発光チップ１
がランドパタ−ン１２ａまたは１４ａに乗り上げて基板
１７の表面に傾いて実装されることを防止することによ
り、半導体発光チップ１の各電極６、７とランドパタ−
ン１２ｂ、１４ｂとを金属線１５、１６によりワイヤボ
ンデングする処理をより確実に行なうことができる。こ
のため、半導体発光素子の小型化または高集積化がより
効果的に実現できる。
デングする際の位置ずれによって、半導体発光チップ１
がランドパタ−ン１２ａまたは１４ａに乗り上げて基板
１７の表面に傾いて実装されることを防止することによ
り、半導体発光チップ１の各電極６、７とランドパタ−
ン１２ｂ、１４ｂとを金属線１５、１６によりワイヤボ
ンデングする処理をより確実に行なうことができる。こ
のため、半導体発光素子の小型化または高集積化がより
効果的に実現できる。
【００２７】図４は、本発明の別の実施の形態の半導体
発光素子の例を示す平面図である。図４の半導体発光素
子１０ｃは、半導体発光チップ１ａを平面視ひし型状に
形成するものである。すなわち、半導体発光チップ１ａ
は、基板１７に実装した際に、基板１７の長辺と平行な
対角線の長さを短く、基板１７の短辺と平行な対角線の
長さを長くなるような形状の平面視ひし型状に形成され
ている。
発光素子の例を示す平面図である。図４の半導体発光素
子１０ｃは、半導体発光チップ１ａを平面視ひし型状に
形成するものである。すなわち、半導体発光チップ１ａ
は、基板１７に実装した際に、基板１７の長辺と平行な
対角線の長さを短く、基板１７の短辺と平行な対角線の
長さを長くなるような形状の平面視ひし型状に形成され
ている。
【００２８】図４の例においても、半導体発光チップ１
ａのｎ側電極６およびｐ側電極７とランドパタ−ン１２
ｃ、１４ｃをワイヤボンデングにより電気的に接続する
金属線１５、１６は、互いに平行で且つランドパタ−ン
１２ｃ、１４ｃの延在方向と平行に張設されている。
ａのｎ側電極６およびｐ側電極７とランドパタ−ン１２
ｃ、１４ｃをワイヤボンデングにより電気的に接続する
金属線１５、１６は、互いに平行で且つランドパタ−ン
１２ｃ、１４ｃの延在方向と平行に張設されている。
【００２９】また、半導体発光チップ１ａをその側辺が
ランドパタ−ン１２ｃ、１４ｃの延在方向とは斜めに実
装するので、ランドパタ−ン１２ｃ、１４ｃの長さを延
長できる空間部が得られる。このため、図１と同様にラ
ンドパタ−ン１２ｃ、１４ｃの基板表面の中心方向への
長さＬ２が、従来の長さＬ１よりも長くとれることにな
り、ワイヤボンデングをするための面積が増大する。
ランドパタ−ン１２ｃ、１４ｃの延在方向とは斜めに実
装するので、ランドパタ−ン１２ｃ、１４ｃの長さを延
長できる空間部が得られる。このため、図１と同様にラ
ンドパタ−ン１２ｃ、１４ｃの基板表面の中心方向への
長さＬ２が、従来の長さＬ１よりも長くとれることにな
り、ワイヤボンデングをするための面積が増大する。
【００３０】図４の半導体発光チップ１ａは、前記のよ
うに基板１７の長辺と平行な対角線の長さを短く、基板
１７の短辺と平行な対角線の長さを長くなるような形状
の平面視ひし型状に形成されている。このため、図１の
ように半導体発光チップを平面視矩形状に形成した場合
よりも更に前記空間部を大きくとることができる。した
がって、半導体発光チップ１ａの各電極６、７とランド
パタ−ン１２ｃ、１４ｃとを金属線１５、１６によりワ
イヤボンデングする処理が円滑に行なえる。
うに基板１７の長辺と平行な対角線の長さを短く、基板
１７の短辺と平行な対角線の長さを長くなるような形状
の平面視ひし型状に形成されている。このため、図１の
ように半導体発光チップを平面視矩形状に形成した場合
よりも更に前記空間部を大きくとることができる。した
がって、半導体発光チップ１ａの各電極６、７とランド
パタ−ン１２ｃ、１４ｃとを金属線１５、１６によりワ
イヤボンデングする処理が円滑に行なえる。
【００３１】図５は、図４の例を改良した半導体発光素
子１０ｄの例を示す平面図である。図５の例では、平面
視ひし型状の半導体発光チップ１ａのダイボンデングの
位置ずれを想定して、予めランドパタ−ン１２ｄ、１４
ｄの先端の一部を、隣接する半導体発光チップ１ａの側
辺に沿って斜めにカットしておくものである。
子１０ｄの例を示す平面図である。図５の例では、平面
視ひし型状の半導体発光チップ１ａのダイボンデングの
位置ずれを想定して、予めランドパタ−ン１２ｄ、１４
ｄの先端の一部を、隣接する半導体発光チップ１ａの側
辺に沿って斜めにカットしておくものである。
【００３２】図５の例においても、ランドパタ−ン１２
ｄ、１４ｄの先端の最も半導体発光チップ１ａに接近す
る部分を斜めにカットすることにより、半導体発光チッ
プ１ａの一部がランドパタ−ン１２ｄまたは１４ｄに乗
り上げてしまい、図２で説明したように半導体発光チッ
プ１ａが基板１７の表面に傾いて実装されることを効果
的に防止できる。
ｄ、１４ｄの先端の最も半導体発光チップ１ａに接近す
る部分を斜めにカットすることにより、半導体発光チッ
プ１ａの一部がランドパタ−ン１２ｄまたは１４ｄに乗
り上げてしまい、図２で説明したように半導体発光チッ
プ１ａが基板１７の表面に傾いて実装されることを効果
的に防止できる。
【００３３】上記においては、チップ型の半導体発光素
子を例に説明したが、本発明は、半導体発光チップをア
レイ状またはマトリクス状に配置した表示装置等の発光
装置にも有効に適用することができる。
子を例に説明したが、本発明は、半導体発光チップをア
レイ状またはマトリクス状に配置した表示装置等の発光
装置にも有効に適用することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に係る発明
においては、平面視矩形状またはひし型状の半導体発光
チップを、導電接続部の延在方向に対して、その側辺の
方向が斜めになるように実装するので、導電接続部の長
さを延長できる空間部が得られる。したがって、導電接
続部はその先端面が半導体発光チップに近接した位置に
形成されるので、その基板表面の中心方向への長さが長
くとれることになり、ワイヤボンデングをするための面
積が増大する。このため、半導体発光チップのｎ側電極
およびｐ側電極と導電接続部とを金属線によりワイヤボ
ンデングする処理が円滑に行なえる。
においては、平面視矩形状またはひし型状の半導体発光
チップを、導電接続部の延在方向に対して、その側辺の
方向が斜めになるように実装するので、導電接続部の長
さを延長できる空間部が得られる。したがって、導電接
続部はその先端面が半導体発光チップに近接した位置に
形成されるので、その基板表面の中心方向への長さが長
くとれることになり、ワイヤボンデングをするための面
積が増大する。このため、半導体発光チップのｎ側電極
およびｐ側電極と導電接続部とを金属線によりワイヤボ
ンデングする処理が円滑に行なえる。
【００３５】また、請求項２に係る発明においては、半
導体発光チップのダイボンデングの位置ずれを想定し
て、予め導電接続部の先端の一部をカットしておくの
で、半導体発光チップを基板に実装する際に、半導体発
光チップに位置ずれが生じても、半導体発光チップが導
電接続部に乗り上げることがなく、ワイヤボンデング処
理をより確実に行なうことができる。このため、発光装
置の小型化または高集積化がより効果的に実現できる。
導体発光チップのダイボンデングの位置ずれを想定し
て、予め導電接続部の先端の一部をカットしておくの
で、半導体発光チップを基板に実装する際に、半導体発
光チップに位置ずれが生じても、半導体発光チップが導
電接続部に乗り上げることがなく、ワイヤボンデング処
理をより確実に行なうことができる。このため、発光装
置の小型化または高集積化がより効果的に実現できる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】半導体発光素子を示す平面図である。
【図３】本発明の別の実施の形態に係る半導体発光素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】本発明の別の実施の形態に係る半導体発光素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】本発明の別の実施の形態に係る半導体発光素子
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図６】半導体発光チップの斜視図である。
【図７】従来例の半導体発光素子を一部透視して示す斜
視図である。
視図である。
【図８】図７の平面図である。
１、１ａ 半導体発光チップ ６ ｎ側電極 ７ ｐ側電極 １０、１０ａ〜１０ｄ 半導体発光素子 １１ 第１の電極 １２、１２ａ〜１２ｄ 導電接続部（ランドパタ−ン） １３ 第２の電極 １４、１４ａ〜１４ｄ 導電接続部（ランドパタ−ン） １５、１６ 金属線 １７ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、基板上に形成された対向する一
対の導電接続部と、基板に実装されて前記各導電接続部
に電気的に接続される平面視矩形状またはひし型状の半
導体発光チップとを設けた発光装置において、前記一対
の導電接続部は互いに接近するように平行且つ異なる直
線上に延在し、前記半導体発光チップはその上面側にｐ
側電極とｎ側電極を有し、一対の導電接続部間にその側
辺が導電接続部の延在方向に対して斜めに実装されてい
ることを特徴とする発光装置。 - 【請求項２】 前記導電接続部の先端の一部をカットし
てなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29528098A JP2000124508A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29528098A JP2000124508A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124508A true JP2000124508A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17818565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29528098A Pending JP2000124508A (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124508A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100717416B1 (ko) | 2006-03-23 | 2007-05-11 | (주)싸이럭스 | 발광소자 패키지 구조체 및 이를 적용한 발광소자 |
| JP2009239116A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 発光装置 |
| US8482015B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-07-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same |
| KR101413594B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2014-07-02 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지, 이를 구비하는 백라이트 유닛 및 발광소자 패키지 제조방법 |
| JP2015032472A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
| US9196802B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-11-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US10121948B2 (en) | 2015-12-22 | 2018-11-06 | Nichia Corporation | Light emitting device including different shapes of light emitting element having higher light extraction efficiency |
| JP7460911B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP29528098A patent/JP2000124508A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100717416B1 (ko) | 2006-03-23 | 2007-05-11 | (주)싸이럭스 | 발광소자 패키지 구조체 및 이를 적용한 발광소자 |
| JP2009239116A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 発光装置 |
| US8482015B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-07-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same |
| US9196802B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-11-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
| KR101413594B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2014-07-02 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지, 이를 구비하는 백라이트 유닛 및 발광소자 패키지 제조방법 |
| JP2015032472A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
| US10121948B2 (en) | 2015-12-22 | 2018-11-06 | Nichia Corporation | Light emitting device including different shapes of light emitting element having higher light extraction efficiency |
| US10431725B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device including different shapes of light emitting element having higher light extraction efficiency |
| JP7460911B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ |
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