JPH0525097B2 - - Google Patents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
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Description
(産業上の利用分野)
この発明は透過型エレクトロクロミツク素子を
利用した防眩ミラーに関するものである。 (従来の技術) 従来の防眩ミラーとしては、電気光学現象を利
用した液晶防眩ミラーが知られている。この液晶
防眩ミラーは透明電極付基板と反射電極付基板を
電極が対向するように平行に配置し、その間に液
晶を封入して成るもので、透明電極と反射電極と
の間に電界を加えることにより液晶の状態を変化
させ、その効果により光の透過率が変わることを
利用し、反射電極の反射率を制御するものであ
る。しかしながら、このような従来の液晶防眩ミ
ラーにあつては、液晶のタイプとして光散乱効果
を用いた場合には防眩時にニジミ像が生じて視認
性が著しく悪くなり、また相転移効果を用いた場
合には、防眩時の反射率が低下せず、防眩効果が
不十分であるという問題点があつた。 そこで前記問題点を除去するために透過型エレ
クトロクロミツク素子に高反射面を設けた防眩ミ
ラーが考えられている。 一方上記液晶防眩ミラーの液晶の代りに、ビオ
ロゲンで代表されるいわゆる有機エレクトロクロ
ミツク材料の水又は非水溶媒による溶液を、一対
の透明電極付基板の平行に対向する電極間に封入
し、一方の基板に電極と反対側に高反射面を設
け、エレクトロクロミツク材料溶液の着消色によ
り高反射面の反射率を制御しようとするもの、エ
レクトロクロミツク材料溶液の代りに高反射面の
設けられていない基板の透明電極上に蒸着等の手
法で製膜したWO3で代表される遷移金属酸化物
の着消色により高反射面の反射率を制御しようと
するものも提案されている(特開昭57−30639号
公報)。 しかしながら前者は温度寿命に問題があること
が知られており、後者はエレクトロクロミツク物
質と対向する透明電極上で電解質の中に含まれる
水分等の不可逆な分解反応が生じることが予想さ
れるため、いずれにしても耐久性に問題点がある
と思われた。 そこで、この場合も透過型エレクトロクロミツ
ク素子に高反射面を設けた防眩ミラーにつき検討
した。 ここで透過型エレクトロクロミツク素子として
は、第1の透明基板上に設けた透明電極の上に第
1のエレクトロクロミツク層を設け、他方の第2
の透明基板上に設けた透明電極の上に第2のエレ
クトロクロミツク層を設け、第1のエレクトロク
ロミツク層と第2のエレクトロクロミツク層を対
向させ両電極の間をシール材を介して平行に保持
し、そこに形成された空隙部に予じめ設けた注入
口から電解質溶液をセル内に注入し、注入口をエ
ポキシ樹脂等の接着剤を用いて封止して電解質層
を形成したものである。 このような構成の素子としてはエレクトロクロ
ミツク材料の組合せにより、次の第1表に示すも
のが既に提案されている。
利用した防眩ミラーに関するものである。 (従来の技術) 従来の防眩ミラーとしては、電気光学現象を利
用した液晶防眩ミラーが知られている。この液晶
防眩ミラーは透明電極付基板と反射電極付基板を
電極が対向するように平行に配置し、その間に液
晶を封入して成るもので、透明電極と反射電極と
の間に電界を加えることにより液晶の状態を変化
させ、その効果により光の透過率が変わることを
利用し、反射電極の反射率を制御するものであ
る。しかしながら、このような従来の液晶防眩ミ
ラーにあつては、液晶のタイプとして光散乱効果
を用いた場合には防眩時にニジミ像が生じて視認
性が著しく悪くなり、また相転移効果を用いた場
合には、防眩時の反射率が低下せず、防眩効果が
不十分であるという問題点があつた。 そこで前記問題点を除去するために透過型エレ
クトロクロミツク素子に高反射面を設けた防眩ミ
ラーが考えられている。 一方上記液晶防眩ミラーの液晶の代りに、ビオ
ロゲンで代表されるいわゆる有機エレクトロクロ
ミツク材料の水又は非水溶媒による溶液を、一対
の透明電極付基板の平行に対向する電極間に封入
し、一方の基板に電極と反対側に高反射面を設
け、エレクトロクロミツク材料溶液の着消色によ
り高反射面の反射率を制御しようとするもの、エ
レクトロクロミツク材料溶液の代りに高反射面の
設けられていない基板の透明電極上に蒸着等の手
法で製膜したWO3で代表される遷移金属酸化物
の着消色により高反射面の反射率を制御しようと
するものも提案されている(特開昭57−30639号
公報)。 しかしながら前者は温度寿命に問題があること
が知られており、後者はエレクトロクロミツク物
質と対向する透明電極上で電解質の中に含まれる
水分等の不可逆な分解反応が生じることが予想さ
れるため、いずれにしても耐久性に問題点がある
と思われた。 そこで、この場合も透過型エレクトロクロミツ
ク素子に高反射面を設けた防眩ミラーにつき検討
した。 ここで透過型エレクトロクロミツク素子として
は、第1の透明基板上に設けた透明電極の上に第
1のエレクトロクロミツク層を設け、他方の第2
の透明基板上に設けた透明電極の上に第2のエレ
クトロクロミツク層を設け、第1のエレクトロク
ロミツク層と第2のエレクトロクロミツク層を対
向させ両電極の間をシール材を介して平行に保持
し、そこに形成された空隙部に予じめ設けた注入
口から電解質溶液をセル内に注入し、注入口をエ
ポキシ樹脂等の接着剤を用いて封止して電解質層
を形成したものである。 このような構成の素子としてはエレクトロクロ
ミツク材料の組合せにより、次の第1表に示すも
のが既に提案されている。
【表】
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このような従来のエレクトロク
ロミツク素子にあつては、それぞれ以下のような
問題点がある。 () 酸化状態で着色する遷移金属水酸化物
(例えばIr(OH)X)の着色強度が弱いため、そ
の着色は還元状態で着色する遷移金属酸化物
(例えばWO3)の着色強度にほぼ等しくなるこ
とから素子としての着色強度が低い。 () 素子を組み立てた時点では、酸化状態で
着色するメタル・ヘキサシアノメタレート
(Metal Hexacyanometalate)(例えばブルシ
アンブルー)および還元状態で着色する遷移金
属酸化物(例えばWO3)は共に酸化状態であ
るため、つまり前者は着色状態で、後者は消色
状態であるため、どちらかを還元状態に変える
必要がある。 この場合、酸化反応を起こす物質で構成され
る電極が無いと、電解質中の水分が分解して酸
素が発生し、この酸素が還元状態のエレクトロ
クロミツク材料を酸化し、メモリー性能を著し
く阻害する。 この欠点を解決するため、酸化還元を可逆的
に行なう物質からなる補助電極を使用した素子
が提案されている(特開昭59−159134号公報)。 しかしこのような素子は、補助電極の設置場
所に大きなスペースをとらなければならないた
め、大型素子に適用する場合は問題が少ないが
小型素子に適用する場合には、 (イ) 着消色有効面積に比べてデツドスペース。 (ロ) 基板間隔が厚くなつてしまう。 () (イ) ここで用いられた共役系高分子(例
えばポリピロール)は酸化状態、還元状態共
に着色しているため消色時は無色透明でな
く、消色時に透明感を要する用途には向かな
い。 (ロ) 還元状態で着色するオキシ水酸化金属(例
えばNiO(OH))は膜厚を厚くすることがで
きず、()の場合と同様素子としての着色
強度が低い。 従つて以上述べた理由により、これらの素子は
消色時には透明感があり、しかも着色時には十分
光の透過率が低くなり、その上構造がコンパクト
であることが必要な用途、例えば自動車用防眩ミ
ラーのようなものには適用しがたいという問題点
がある。 (問題点を解決するための手段) この発明は少くとも一方の電極が透明である一
対の電極付き基板の第1の電極上に第1のエレク
トロクロミツク物質層を備え、第2の電極上に第
2のエレクトロクロミツク物質層を備え、それぞ
れのエレクトロクロミツク物質層が対向するよう
にスペーサを介して重ね合わせ、周辺を接着剤に
より固定した電極間に電解質を封入して成る防眩
ミラーにおいて、第1のエレクトロクロミツク物
質層としてトリフエニルアミン構造またはその誘
導体構造を繰り返し単位として有する共役系高分
子膜を用い、第2のエレクトロクロミツク物質層
として遷移金属酸化物被膜を用い、両方の電極が
透明電極であり、一方の透明電極付き基板の電極
と反対側に高反射面を備えるか、または第1の電
極が透明電極で、第2の電極が高反射率を有する
電極であることを特徴とする防眩ミラーにより、
前記問題点を解決したものである。 この発明に用いる第1のエレクトロクロミツク
物質層としての共役系高分子材料としてはトリフ
エニルアミン構造またはその誘導体構造を繰り返
し単位として有する共役系高分子材料が用いられ
る。この材料は製膜した時点では、還元状態で無
色透明で、酸化することにより二重結合や不対電
子によるπ電子の遷移吸収エネルギーが変化し、
その結果可視光の吸収スペクトルが変化すると言
われている。 特に、トリフエニルアミン構造またはその誘導
体構造を出発物として形成した重合体被膜は、還
元状態でほぼ完全に無色透明になり、しかも駆動
電圧が低く、適当な材料と言える。 この重合体被膜の成膜方法としては、以下の方
法がある。 (イ) 次式 (式中のX,Y,Zの水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、アシ
ル基、アリル基、ビニル基またはビニリデン基
を示す)で表わされるトリフエニルアミンまた
はその誘導体を、電極上に成膜し、ヨウ素や五
フツ化アンチモン、五フツ化ヒ素、酸化第2鉄
などの、酸化剤と反応させることにより、重合
し、電極上に固定する。 (ロ) 前記モノマーを重合することにより、溶媒に
可溶なポリマーを合成し、このポリマーを電極
上に成膜し、(イ)と同様の酸化剤と反応させるこ
とにより架橋反応を行なわせ、電極上に固定す
る。 (ハ) 前記モノマー、あるいはこれらモノマーから
合成した、溶媒に可溶なポリマーを電解液に溶
解し、電解重合により、電極上に成膜する。 (ニ) 前記モノマーのX,Y,Zとして、アリル基
やビニル基などの不飽和炭素を持つ誘導体を合
成し、この誘導体を電極上に成膜し、加熱また
は紫外線照射などにより、重合反応を起こさ
せ、電極上に固定する。 また、第2のエレクトロクロミツク物質として
の遷移金属酸化物としては、例えばWO3,
MoO3,Nb2O5,Cr2O3,Ta2O5,TiO2,Fe2O3,
AgO等が挙げられる。 この発明の防眩ミラーは、第1のエレクトロク
ロミツク物質層が共役系高分子膜、第2のエレク
トロクロミツク物質層が遷移金属酸化物で構成さ
れることを除いて、従来のミラーと同様に作製す
ることができる。 この発明においては電解質としては、LiClO4,
LiBF4,LiPF6,KClO4,KBF4,KPF6等のアル
カリ金属塩を溶解したアセトニトリル,プロピレ
ンカーボネート,N,N′−ジメチルフオルムア
ミド、水等の通常の溶媒あるいは混合溶媒が用い
られる。 この発明の防眩ミラーは、上述の如く透過型エ
レクトロクロミツク素子を利用するものであり、
第1の好適例においては、両基板上の電極がとも
に透明電極であり、第2の透明基板の透明電極の
付いていない面に高反射面を有する。高反射面を
形成するのに用いられる材料は、鏡面が得られる
ものであればどのような材料でも使用可能であ
り、例えば銀(Ag),クロム(Cr)等がある。 第2の好適例においては、第1の電極が透明電
極であり、第2の電極が反射電極より成る。この
反射電極を形成するのに用いられる材料は、電気
化学的に安定な材料でないと使用することができ
ず、このような材料としては、好ましくは原子番
号73〜79迄の金属、すなわち金(Au)、白金
(Pt)、タングステン(W)、Ta(タンタル)、レニ
ウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)
等がある。 これらの材料のうち、Ta,W,Pt,Auおよ
び、これらの材料とは異なるMoについて、反射
電極としての性能を調べた。 ガラス製透明基板を200℃に加熱し、アルゴン
分圧8×10-3torrで5種類の金属をスパツタし
て、反射電極を作成した。これら5種類の基板を
80℃に加温し、反射電極上にエレクトロクロミツ
ク層としてのWO3層をスパツタした。雰囲気条
件は酸素分圧8×10-4torr、Ar分圧7×10-2
torr、製膜速度0.5Å/秒であつた。 このようにして得られた基板を1mol/lLiClO4
のプロピレンカーボネート溶液中で、白金線を対
向電極、Al/AgCl電極を参照電極とし、N2雰囲
気中で電流・電圧特性を測定した。その結果を第
13〜17図に示す。これらの図から明らかなよ
うにTa,W,Pt,Auは副反応を生ぜず、電解液
中への溶出も無く、良好な電極材料であることを
示した。Moについては若干酸化反応が遅く消え
残りを生じた。又、Wについては、電極表面を酸
化させることによりWO3が得られるので製造が
容易となる効果を有する。 反射電極を用いた防眩ミラーにおいては、反射
電極による反射像を加え、透明電極による反射像
がエレクトロクロミツク物質が着色して反射電極
の反射率が低下した際に二重像として目立つた
め、基板同志の間隔は、素子組立技術として実績
のある液晶素子と同程度、つまり10μm程度に設
定すると、単波長光線を受けた際、例えばトンネ
ル内やガソリンスタンドで一般に使用されている
ナトリウム灯の下ではミラー上に縞状の模様が浮
き出て見苦しくなる恐れがある。 一般に、間隔dだけ離れた2つの反射面から反
射される波長λの光は干渉し合い、ブラツクの式
より 2dcosθ=nλ (nは整数) を満たすとき強め合い、 2dcosθ=(n+1/2)λ のとき弱め合う。この条件を満たす反射角θはn
によつて多数存在し、干渉縞として観測される。 干渉縞の間隔は入射光の波長λ、基板の間隔
d、観測者から反射面までの間隔L、反射面のう
ねりの度合を示す値fを与えることにより求める
ことができる。 λ=6000Å、L=50cmとし、基板間隔dの誤差
は1cm当り10%と仮定し(これをfの値として表
現すると、例えばd=10μmの場合f=1μm/1
cm)と表わす)、基板間隔dと干渉縞の間隔との
関係を求めた。但し反射角30°とした。その結果
を第9図に曲線Aで示す。 さらに、高反射面を素子の外側に設けた場合に
ついても求めた。このとき、ガラス基板の厚さを
1mmとし、反射角が約5°になるような位置で観測
した場合を計算した。その結果は第9図に曲線B
で示した通りで、干渉縞はほとんど目立たなかつ
た。 なお実際には、単色光といつても、波長にはあ
る程度の広がりがある。そのため干渉縞の間隔が
狭くなつてくると、干渉縞が互いに重なり合つて
目立たなくなつてしまう。 以上の原理より、干渉縞を目立たなくするため
には、 (イ) 基板間隔を広くする。 (ロ) 高反射層を素子の外側に設ける。 という方法が考えられることがわかる。 そして既に述べたように反射電極を用いる場合
には、問題となる二重像が基板間隔の増加に従つ
て目立たなくなつてゆくもので、第9図に示した
ように、干渉縞、二重像が共に目立たないように
するためには、基板間隔を30〜1000μm、好まし
くは30〜450μmの間に設定するのが好ましい。 (実施例) 以下図面を参照しこの発明を実施例により説明
する。 実施例 1 第1図に示す防眩ミラーを次に示す方法により
作製した。第1図において1−1,1−2は透明
基板、2−1,2−2は透明電極、3は第1のエ
レクトロクロミツク物質層、4はシール材、5は
第2のエレクトロクロミツク物質層、6は電解
質、7はスペーサ、8は高反射面である。 (イ) 第1のエレクトロクロミツク物質層3として
4,4′−ジクロロトリフエニルアミンからグリ
ニヤル反応を用いて重合することにより得られ
た平均分子量が約2000のポリマー(合成法は特
願昭59−148868号参照)を15g/の濃度でク
ロロホルムに溶解させた溶液5mlを透明電極2
−1の表面にスピンコート(1000rpm、30秒)
し、その後脱気し、次いでI2蒸気で満たした容
器の中に入れて100℃で2時間加熱することに
より架橋した厚さ1000Åの薄膜を得た。 (ロ) 透明電極1−2の透明電極2−2の付いてい
ない面に高反射面8として膜厚1500ÅのAlを
スパツタ(基板加熱200℃)で製膜した後、第
2のエレクトロクロミツク物質層5として透明
電極2−2の上に膜厚4000ÅのWO3を蒸着
(真空度5×10-5mmHg(torr)、基板加熱70℃)
により製膜した。 (ハ) (イ)の基板の透明電極側に直径40μmのガラス
玉をスペーサ22として約15個/cm2の割合で散
布した。 (ニ) (ロ)の基板の透明電極側の周辺に、電解質溶液
の注入口の部分を除いて、エポキシ系接着剤を
スクリーン印刷によりシール材4として塗布し
た。 (ホ) (ハ)および(ニ)の基板をエレクトロクロミツク物
質層が向かい合うように重ね合わせ、加圧しな
がら接着剤を硬化させる。 (ヘ) (ホ)で作製したセルの注入口(図示せず)より
電解質として水分を添加した1モル/lLiClO4
のプロピレンカーボネート溶液を液晶の注入法
に準じて注入した後、注入口をエポキシ系接着
剤にて封止し、約3%の水分を含む電解質層6
を形成した。 4,4′−ジクロロトリフエニルアミンをもと
に、得られた共役高分子膜は製膜した時点で、還
元状態でしかも無色透明であり、WO3の薄膜も
製膜した時点で酸化状態でしかも無色透明である
ため、ミラーは組み立てた時点で既に高反射率を
示し、従つてプルシアンブルーとWO3を組み合
わせた場合のような初期還元用の補助電極は必要
としない。この場合のミラーとしての反射率は約
70%であつた。 このミラーの酸化還元反応を調べるため、
WO3側を対向電極としてサイクリツクボルタモ
グラムを、掃引速度10mV/secで測定した結果
を第8図に示す。この素子は良好なエレクトロク
ロミツク特性を示し、酸化反応においてはほぼ
0.9V〔vsWO3〕で濃紺に変色して反射率は約10%
まで低下し、逆に還元するとほぼOV〔vsWO3〕
で無色透明にもどつた。 また、このミラーの初期特性は以下のとおりで
あつた(但し面積は50cm2)。 (イ) 注入電荷量と着色度A(log1/Rと仮定)と
の関係は第4図に示したとおりであり、注入電
荷量と着色度が比例するため、共役高分子膜の
膜厚を増加させて注入可能な荷電量を増やせ
ば、更に着色時の反射率を下げることができる
ことがわかる。また注入電荷量を制御すること
により、任意の反射率を得ることができること
もわかる。また注入電荷量を制御することによ
り任意の反射率を得ることができることもわか
る。 (ロ) 応答速度を測定するために、一定電圧を印加
した場合の反射率の変化を調べたところ、第5
図に示すような挙動を示した。そこで、反射率
の変化量のほぼ90%にあたる4mC/cm2の電荷
量の注入、注出時間をそれぞれ着色時間、消色
時間として印加電圧による変化を調べたところ
第6図のようになつた。従つて着色に約1.45V
〔vsWO3〕、消色に約−0.35V〔vsWO3〕の電圧
を印加することにより、着消色速度が約4秒の
防眩ミラーが得られることがわかる。防眩時の
反射率は10%であつた。 (ハ) メモリー性は第7図に示すように、着色時に
は若干の変化がみられるが、消色時にはほとん
ど変化が見られず安定していた。 (ニ) 着消色を繰り返えす間の反応安定性を確認す
るため、着色に1.1V〔vsWO3〕で15秒、消色に
−0.4V〔vsWO3〕で90秒かけて繰り返し駆動さ
せ、その時の酸化電荷量の変化を測定した結
果、第8図に示すように若干の減少がみられる
ものの3×104回程度着消色を繰り返してもほ
とんど変化はなく、引続き駆動中である。 実施例 2 実施例1において4,4′−ジクロロトリフエニ
ルアミンを重合させて得られたポリマーの代り
に、4,4′−ジブロム−4″−メチルトリフエニル
アミンを重合させて得られた平均分子量約8000の
ポリマー(合成法は特願昭59−148868号参照)を
用いたところ実施例1と同様の防眩ミラーが得ら
れた。 実施例 3 実施例1において4,4′−ジクロロトリフエニ
ルアミンを重合させて得られたポリマーの代りに
4,4′−ジブロム−4″−メトキシトリフエニルア
ミンを重合させて得られた平均分子量約5000のポ
リマー(合成法は特願昭59−148868号参照)を用
いたところ反射率が65%から15%の間で変化する
防眩ミラーが得られた。 実施例 4 実施例1において、第1のエレクトロクロミツ
ク物質層としてトリフエニルアミンを15g/の
濃度でクロロホルムに溶解させた溶液5mlを透明
電極2−1の表面にスピンコート(1000rpm、30
秒)し、その後脱気し次いでI2蒸気で満たした容
器の中に入れて100℃で2時間加熱することによ
り得られた厚さ1000Åの架橋した薄膜を用いたと
ころ、実施例1と同様の防眩ミラーが得られた。 実施例 5 第1のエレクトロクロミツク物質として式に
おいてX,YおよびZがともに水素原子であるト
リフエニルアミンを実施例1の4,4′−ジクロロ
トリフエニルアミンと同様の方法で重合したポリ
トリフエニルアミンを同様にして透明電極2−1
上にスピンコートし、真空状態でI2蒸気と接触さ
せながら100℃で2時間加熱することにより膜厚
1200Åの架橋したポリトリフエニルアミンの膜を
得た。 次に実施例1において高反射面8として設けた
Alに代りに反射電極18として膜厚1000Åの白
金Ptをスパツタ(基板加熱200℃)で製膜し、そ
の上に第2のエレクトロクロミツク物質層として
WO3を積層して以下実施例1と同様にして第2
図に示す防眩ミラーを得た。このミラーは組み立
てた時点で既に高反射率を示し、この際の反射率
は約60%であつた。そして良好なエレクトロクロ
ミツク特性を示し、ポリトリフエニルアミン側の
電極に対して0.9V〔vsWO3〕の電圧を印加すると
濃紺に着色して反射率は約7%まで低下し、ポリ
トリフエニルアミン側の電極とWO3側の電極を
短絡すると無色透明にもどつた。 この際目視により鏡面を観察したところ、二重
像はほとんど目立たず、ナトリウムランプを照射
した際にも干渉縞の間隔は1mm以下でほとんど気
にならなかつた。 実施例 6 実施例5におけるポリトリフエニルアミンの代
りに実施例1と同様の4,4′−ジクロロトリフエ
ニルアミンを重合させて得られたポリマーを用い
て同様にして防眩ミラーを作製した。この防眩ミ
ラーでは反射率が約50%から8%まで変化し、応
答性能が約20%向上した。 なお以上の実施例において第1と第2のエレク
トロクロミツク物質の構造上の位置を交換しても
ミラーとしての機能上、何ら影響も生じなかつ
た。 上記の如く、この発明の防眩ミラーは十分実用
に耐えるものと思われた。ここで実施例1のエレ
クトロクロミツク防眩ミラーを組み込んだ自動車
用防眩サイドミラーの外観を第10図に、その断
面を第11図に示す。図面において11−1,1
1−2は光センサー、12はスイツチ、13はミ
ラーハウジング、14はステー、15は防眩ミラ
ー、16は回路基板、17はピボツトである。ま
た用いられる駆動回路を第12図に示す。図面に
おいて11−1,11−2は光センサー、15は
防ミラー、19−1,19−2は直流増幅器、2
0は判定回路、21は駆動回路である。 (発明の効果) 以上説明してきたように、この発明の防眩ミラ
ーは、透過型エレクトロクロミツク素子を利用
し、第1のエレクトロクロミツク層として酸化状
態で光の透過率が低くなる共役系高分子膜、第2
のエレクトロクロミツク層として還元状態で光の
透過率が低くなる遷移金属酸化物を用いたため、
消色時には透明感が有り、しかも着色時には十分
光の透過率が低下し、その上構造がコンパクトな
防眩ミラーができるという効果が得られる。ま
た、エレクトロクロミツク物質の厚さとしてはは
がれにくい厚さ、例えばWO3では3000〜5000Å
トリフエニルアミン系では500〜1500Åの厚さで、
防眩時の反射率7〜15%で変化させられるので、
特に防眩時の反射率が理想的な値が得られる。
尚、従来のプリズム式では4%であつた。 また第1の電極を透明電極、第2の電極を高反
射率を有する高反射電極とし、特に両電極間の距
離を30〜1000μmとする場合には、単色光源によ
る干渉縞や二重像が目立たないエレクトロクロミ
ツク防眩ミラーが作製できるという効果が得られ
る。
ロミツク素子にあつては、それぞれ以下のような
問題点がある。 () 酸化状態で着色する遷移金属水酸化物
(例えばIr(OH)X)の着色強度が弱いため、そ
の着色は還元状態で着色する遷移金属酸化物
(例えばWO3)の着色強度にほぼ等しくなるこ
とから素子としての着色強度が低い。 () 素子を組み立てた時点では、酸化状態で
着色するメタル・ヘキサシアノメタレート
(Metal Hexacyanometalate)(例えばブルシ
アンブルー)および還元状態で着色する遷移金
属酸化物(例えばWO3)は共に酸化状態であ
るため、つまり前者は着色状態で、後者は消色
状態であるため、どちらかを還元状態に変える
必要がある。 この場合、酸化反応を起こす物質で構成され
る電極が無いと、電解質中の水分が分解して酸
素が発生し、この酸素が還元状態のエレクトロ
クロミツク材料を酸化し、メモリー性能を著し
く阻害する。 この欠点を解決するため、酸化還元を可逆的
に行なう物質からなる補助電極を使用した素子
が提案されている(特開昭59−159134号公報)。 しかしこのような素子は、補助電極の設置場
所に大きなスペースをとらなければならないた
め、大型素子に適用する場合は問題が少ないが
小型素子に適用する場合には、 (イ) 着消色有効面積に比べてデツドスペース。 (ロ) 基板間隔が厚くなつてしまう。 () (イ) ここで用いられた共役系高分子(例
えばポリピロール)は酸化状態、還元状態共
に着色しているため消色時は無色透明でな
く、消色時に透明感を要する用途には向かな
い。 (ロ) 還元状態で着色するオキシ水酸化金属(例
えばNiO(OH))は膜厚を厚くすることがで
きず、()の場合と同様素子としての着色
強度が低い。 従つて以上述べた理由により、これらの素子は
消色時には透明感があり、しかも着色時には十分
光の透過率が低くなり、その上構造がコンパクト
であることが必要な用途、例えば自動車用防眩ミ
ラーのようなものには適用しがたいという問題点
がある。 (問題点を解決するための手段) この発明は少くとも一方の電極が透明である一
対の電極付き基板の第1の電極上に第1のエレク
トロクロミツク物質層を備え、第2の電極上に第
2のエレクトロクロミツク物質層を備え、それぞ
れのエレクトロクロミツク物質層が対向するよう
にスペーサを介して重ね合わせ、周辺を接着剤に
より固定した電極間に電解質を封入して成る防眩
ミラーにおいて、第1のエレクトロクロミツク物
質層としてトリフエニルアミン構造またはその誘
導体構造を繰り返し単位として有する共役系高分
子膜を用い、第2のエレクトロクロミツク物質層
として遷移金属酸化物被膜を用い、両方の電極が
透明電極であり、一方の透明電極付き基板の電極
と反対側に高反射面を備えるか、または第1の電
極が透明電極で、第2の電極が高反射率を有する
電極であることを特徴とする防眩ミラーにより、
前記問題点を解決したものである。 この発明に用いる第1のエレクトロクロミツク
物質層としての共役系高分子材料としてはトリフ
エニルアミン構造またはその誘導体構造を繰り返
し単位として有する共役系高分子材料が用いられ
る。この材料は製膜した時点では、還元状態で無
色透明で、酸化することにより二重結合や不対電
子によるπ電子の遷移吸収エネルギーが変化し、
その結果可視光の吸収スペクトルが変化すると言
われている。 特に、トリフエニルアミン構造またはその誘導
体構造を出発物として形成した重合体被膜は、還
元状態でほぼ完全に無色透明になり、しかも駆動
電圧が低く、適当な材料と言える。 この重合体被膜の成膜方法としては、以下の方
法がある。 (イ) 次式 (式中のX,Y,Zの水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、アシ
ル基、アリル基、ビニル基またはビニリデン基
を示す)で表わされるトリフエニルアミンまた
はその誘導体を、電極上に成膜し、ヨウ素や五
フツ化アンチモン、五フツ化ヒ素、酸化第2鉄
などの、酸化剤と反応させることにより、重合
し、電極上に固定する。 (ロ) 前記モノマーを重合することにより、溶媒に
可溶なポリマーを合成し、このポリマーを電極
上に成膜し、(イ)と同様の酸化剤と反応させるこ
とにより架橋反応を行なわせ、電極上に固定す
る。 (ハ) 前記モノマー、あるいはこれらモノマーから
合成した、溶媒に可溶なポリマーを電解液に溶
解し、電解重合により、電極上に成膜する。 (ニ) 前記モノマーのX,Y,Zとして、アリル基
やビニル基などの不飽和炭素を持つ誘導体を合
成し、この誘導体を電極上に成膜し、加熱また
は紫外線照射などにより、重合反応を起こさ
せ、電極上に固定する。 また、第2のエレクトロクロミツク物質として
の遷移金属酸化物としては、例えばWO3,
MoO3,Nb2O5,Cr2O3,Ta2O5,TiO2,Fe2O3,
AgO等が挙げられる。 この発明の防眩ミラーは、第1のエレクトロク
ロミツク物質層が共役系高分子膜、第2のエレク
トロクロミツク物質層が遷移金属酸化物で構成さ
れることを除いて、従来のミラーと同様に作製す
ることができる。 この発明においては電解質としては、LiClO4,
LiBF4,LiPF6,KClO4,KBF4,KPF6等のアル
カリ金属塩を溶解したアセトニトリル,プロピレ
ンカーボネート,N,N′−ジメチルフオルムア
ミド、水等の通常の溶媒あるいは混合溶媒が用い
られる。 この発明の防眩ミラーは、上述の如く透過型エ
レクトロクロミツク素子を利用するものであり、
第1の好適例においては、両基板上の電極がとも
に透明電極であり、第2の透明基板の透明電極の
付いていない面に高反射面を有する。高反射面を
形成するのに用いられる材料は、鏡面が得られる
ものであればどのような材料でも使用可能であ
り、例えば銀(Ag),クロム(Cr)等がある。 第2の好適例においては、第1の電極が透明電
極であり、第2の電極が反射電極より成る。この
反射電極を形成するのに用いられる材料は、電気
化学的に安定な材料でないと使用することができ
ず、このような材料としては、好ましくは原子番
号73〜79迄の金属、すなわち金(Au)、白金
(Pt)、タングステン(W)、Ta(タンタル)、レニ
ウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)
等がある。 これらの材料のうち、Ta,W,Pt,Auおよ
び、これらの材料とは異なるMoについて、反射
電極としての性能を調べた。 ガラス製透明基板を200℃に加熱し、アルゴン
分圧8×10-3torrで5種類の金属をスパツタし
て、反射電極を作成した。これら5種類の基板を
80℃に加温し、反射電極上にエレクトロクロミツ
ク層としてのWO3層をスパツタした。雰囲気条
件は酸素分圧8×10-4torr、Ar分圧7×10-2
torr、製膜速度0.5Å/秒であつた。 このようにして得られた基板を1mol/lLiClO4
のプロピレンカーボネート溶液中で、白金線を対
向電極、Al/AgCl電極を参照電極とし、N2雰囲
気中で電流・電圧特性を測定した。その結果を第
13〜17図に示す。これらの図から明らかなよ
うにTa,W,Pt,Auは副反応を生ぜず、電解液
中への溶出も無く、良好な電極材料であることを
示した。Moについては若干酸化反応が遅く消え
残りを生じた。又、Wについては、電極表面を酸
化させることによりWO3が得られるので製造が
容易となる効果を有する。 反射電極を用いた防眩ミラーにおいては、反射
電極による反射像を加え、透明電極による反射像
がエレクトロクロミツク物質が着色して反射電極
の反射率が低下した際に二重像として目立つた
め、基板同志の間隔は、素子組立技術として実績
のある液晶素子と同程度、つまり10μm程度に設
定すると、単波長光線を受けた際、例えばトンネ
ル内やガソリンスタンドで一般に使用されている
ナトリウム灯の下ではミラー上に縞状の模様が浮
き出て見苦しくなる恐れがある。 一般に、間隔dだけ離れた2つの反射面から反
射される波長λの光は干渉し合い、ブラツクの式
より 2dcosθ=nλ (nは整数) を満たすとき強め合い、 2dcosθ=(n+1/2)λ のとき弱め合う。この条件を満たす反射角θはn
によつて多数存在し、干渉縞として観測される。 干渉縞の間隔は入射光の波長λ、基板の間隔
d、観測者から反射面までの間隔L、反射面のう
ねりの度合を示す値fを与えることにより求める
ことができる。 λ=6000Å、L=50cmとし、基板間隔dの誤差
は1cm当り10%と仮定し(これをfの値として表
現すると、例えばd=10μmの場合f=1μm/1
cm)と表わす)、基板間隔dと干渉縞の間隔との
関係を求めた。但し反射角30°とした。その結果
を第9図に曲線Aで示す。 さらに、高反射面を素子の外側に設けた場合に
ついても求めた。このとき、ガラス基板の厚さを
1mmとし、反射角が約5°になるような位置で観測
した場合を計算した。その結果は第9図に曲線B
で示した通りで、干渉縞はほとんど目立たなかつ
た。 なお実際には、単色光といつても、波長にはあ
る程度の広がりがある。そのため干渉縞の間隔が
狭くなつてくると、干渉縞が互いに重なり合つて
目立たなくなつてしまう。 以上の原理より、干渉縞を目立たなくするため
には、 (イ) 基板間隔を広くする。 (ロ) 高反射層を素子の外側に設ける。 という方法が考えられることがわかる。 そして既に述べたように反射電極を用いる場合
には、問題となる二重像が基板間隔の増加に従つ
て目立たなくなつてゆくもので、第9図に示した
ように、干渉縞、二重像が共に目立たないように
するためには、基板間隔を30〜1000μm、好まし
くは30〜450μmの間に設定するのが好ましい。 (実施例) 以下図面を参照しこの発明を実施例により説明
する。 実施例 1 第1図に示す防眩ミラーを次に示す方法により
作製した。第1図において1−1,1−2は透明
基板、2−1,2−2は透明電極、3は第1のエ
レクトロクロミツク物質層、4はシール材、5は
第2のエレクトロクロミツク物質層、6は電解
質、7はスペーサ、8は高反射面である。 (イ) 第1のエレクトロクロミツク物質層3として
4,4′−ジクロロトリフエニルアミンからグリ
ニヤル反応を用いて重合することにより得られ
た平均分子量が約2000のポリマー(合成法は特
願昭59−148868号参照)を15g/の濃度でク
ロロホルムに溶解させた溶液5mlを透明電極2
−1の表面にスピンコート(1000rpm、30秒)
し、その後脱気し、次いでI2蒸気で満たした容
器の中に入れて100℃で2時間加熱することに
より架橋した厚さ1000Åの薄膜を得た。 (ロ) 透明電極1−2の透明電極2−2の付いてい
ない面に高反射面8として膜厚1500ÅのAlを
スパツタ(基板加熱200℃)で製膜した後、第
2のエレクトロクロミツク物質層5として透明
電極2−2の上に膜厚4000ÅのWO3を蒸着
(真空度5×10-5mmHg(torr)、基板加熱70℃)
により製膜した。 (ハ) (イ)の基板の透明電極側に直径40μmのガラス
玉をスペーサ22として約15個/cm2の割合で散
布した。 (ニ) (ロ)の基板の透明電極側の周辺に、電解質溶液
の注入口の部分を除いて、エポキシ系接着剤を
スクリーン印刷によりシール材4として塗布し
た。 (ホ) (ハ)および(ニ)の基板をエレクトロクロミツク物
質層が向かい合うように重ね合わせ、加圧しな
がら接着剤を硬化させる。 (ヘ) (ホ)で作製したセルの注入口(図示せず)より
電解質として水分を添加した1モル/lLiClO4
のプロピレンカーボネート溶液を液晶の注入法
に準じて注入した後、注入口をエポキシ系接着
剤にて封止し、約3%の水分を含む電解質層6
を形成した。 4,4′−ジクロロトリフエニルアミンをもと
に、得られた共役高分子膜は製膜した時点で、還
元状態でしかも無色透明であり、WO3の薄膜も
製膜した時点で酸化状態でしかも無色透明である
ため、ミラーは組み立てた時点で既に高反射率を
示し、従つてプルシアンブルーとWO3を組み合
わせた場合のような初期還元用の補助電極は必要
としない。この場合のミラーとしての反射率は約
70%であつた。 このミラーの酸化還元反応を調べるため、
WO3側を対向電極としてサイクリツクボルタモ
グラムを、掃引速度10mV/secで測定した結果
を第8図に示す。この素子は良好なエレクトロク
ロミツク特性を示し、酸化反応においてはほぼ
0.9V〔vsWO3〕で濃紺に変色して反射率は約10%
まで低下し、逆に還元するとほぼOV〔vsWO3〕
で無色透明にもどつた。 また、このミラーの初期特性は以下のとおりで
あつた(但し面積は50cm2)。 (イ) 注入電荷量と着色度A(log1/Rと仮定)と
の関係は第4図に示したとおりであり、注入電
荷量と着色度が比例するため、共役高分子膜の
膜厚を増加させて注入可能な荷電量を増やせ
ば、更に着色時の反射率を下げることができる
ことがわかる。また注入電荷量を制御すること
により、任意の反射率を得ることができること
もわかる。また注入電荷量を制御することによ
り任意の反射率を得ることができることもわか
る。 (ロ) 応答速度を測定するために、一定電圧を印加
した場合の反射率の変化を調べたところ、第5
図に示すような挙動を示した。そこで、反射率
の変化量のほぼ90%にあたる4mC/cm2の電荷
量の注入、注出時間をそれぞれ着色時間、消色
時間として印加電圧による変化を調べたところ
第6図のようになつた。従つて着色に約1.45V
〔vsWO3〕、消色に約−0.35V〔vsWO3〕の電圧
を印加することにより、着消色速度が約4秒の
防眩ミラーが得られることがわかる。防眩時の
反射率は10%であつた。 (ハ) メモリー性は第7図に示すように、着色時に
は若干の変化がみられるが、消色時にはほとん
ど変化が見られず安定していた。 (ニ) 着消色を繰り返えす間の反応安定性を確認す
るため、着色に1.1V〔vsWO3〕で15秒、消色に
−0.4V〔vsWO3〕で90秒かけて繰り返し駆動さ
せ、その時の酸化電荷量の変化を測定した結
果、第8図に示すように若干の減少がみられる
ものの3×104回程度着消色を繰り返してもほ
とんど変化はなく、引続き駆動中である。 実施例 2 実施例1において4,4′−ジクロロトリフエニ
ルアミンを重合させて得られたポリマーの代り
に、4,4′−ジブロム−4″−メチルトリフエニル
アミンを重合させて得られた平均分子量約8000の
ポリマー(合成法は特願昭59−148868号参照)を
用いたところ実施例1と同様の防眩ミラーが得ら
れた。 実施例 3 実施例1において4,4′−ジクロロトリフエニ
ルアミンを重合させて得られたポリマーの代りに
4,4′−ジブロム−4″−メトキシトリフエニルア
ミンを重合させて得られた平均分子量約5000のポ
リマー(合成法は特願昭59−148868号参照)を用
いたところ反射率が65%から15%の間で変化する
防眩ミラーが得られた。 実施例 4 実施例1において、第1のエレクトロクロミツ
ク物質層としてトリフエニルアミンを15g/の
濃度でクロロホルムに溶解させた溶液5mlを透明
電極2−1の表面にスピンコート(1000rpm、30
秒)し、その後脱気し次いでI2蒸気で満たした容
器の中に入れて100℃で2時間加熱することによ
り得られた厚さ1000Åの架橋した薄膜を用いたと
ころ、実施例1と同様の防眩ミラーが得られた。 実施例 5 第1のエレクトロクロミツク物質として式に
おいてX,YおよびZがともに水素原子であるト
リフエニルアミンを実施例1の4,4′−ジクロロ
トリフエニルアミンと同様の方法で重合したポリ
トリフエニルアミンを同様にして透明電極2−1
上にスピンコートし、真空状態でI2蒸気と接触さ
せながら100℃で2時間加熱することにより膜厚
1200Åの架橋したポリトリフエニルアミンの膜を
得た。 次に実施例1において高反射面8として設けた
Alに代りに反射電極18として膜厚1000Åの白
金Ptをスパツタ(基板加熱200℃)で製膜し、そ
の上に第2のエレクトロクロミツク物質層として
WO3を積層して以下実施例1と同様にして第2
図に示す防眩ミラーを得た。このミラーは組み立
てた時点で既に高反射率を示し、この際の反射率
は約60%であつた。そして良好なエレクトロクロ
ミツク特性を示し、ポリトリフエニルアミン側の
電極に対して0.9V〔vsWO3〕の電圧を印加すると
濃紺に着色して反射率は約7%まで低下し、ポリ
トリフエニルアミン側の電極とWO3側の電極を
短絡すると無色透明にもどつた。 この際目視により鏡面を観察したところ、二重
像はほとんど目立たず、ナトリウムランプを照射
した際にも干渉縞の間隔は1mm以下でほとんど気
にならなかつた。 実施例 6 実施例5におけるポリトリフエニルアミンの代
りに実施例1と同様の4,4′−ジクロロトリフエ
ニルアミンを重合させて得られたポリマーを用い
て同様にして防眩ミラーを作製した。この防眩ミ
ラーでは反射率が約50%から8%まで変化し、応
答性能が約20%向上した。 なお以上の実施例において第1と第2のエレク
トロクロミツク物質の構造上の位置を交換しても
ミラーとしての機能上、何ら影響も生じなかつ
た。 上記の如く、この発明の防眩ミラーは十分実用
に耐えるものと思われた。ここで実施例1のエレ
クトロクロミツク防眩ミラーを組み込んだ自動車
用防眩サイドミラーの外観を第10図に、その断
面を第11図に示す。図面において11−1,1
1−2は光センサー、12はスイツチ、13はミ
ラーハウジング、14はステー、15は防眩ミラ
ー、16は回路基板、17はピボツトである。ま
た用いられる駆動回路を第12図に示す。図面に
おいて11−1,11−2は光センサー、15は
防ミラー、19−1,19−2は直流増幅器、2
0は判定回路、21は駆動回路である。 (発明の効果) 以上説明してきたように、この発明の防眩ミラ
ーは、透過型エレクトロクロミツク素子を利用
し、第1のエレクトロクロミツク層として酸化状
態で光の透過率が低くなる共役系高分子膜、第2
のエレクトロクロミツク層として還元状態で光の
透過率が低くなる遷移金属酸化物を用いたため、
消色時には透明感が有り、しかも着色時には十分
光の透過率が低下し、その上構造がコンパクトな
防眩ミラーができるという効果が得られる。ま
た、エレクトロクロミツク物質の厚さとしてはは
がれにくい厚さ、例えばWO3では3000〜5000Å
トリフエニルアミン系では500〜1500Åの厚さで、
防眩時の反射率7〜15%で変化させられるので、
特に防眩時の反射率が理想的な値が得られる。
尚、従来のプリズム式では4%であつた。 また第1の電極を透明電極、第2の電極を高反
射率を有する高反射電極とし、特に両電極間の距
離を30〜1000μmとする場合には、単色光源によ
る干渉縞や二重像が目立たないエレクトロクロミ
ツク防眩ミラーが作製できるという効果が得られ
る。
第1図は実施例1の防眩ミラーの断面図、第2
図は実施例5の防眩ミラーの断面図、第3図は実
施例1の防眩ミラーのサイクリツクボルタモグラ
フ線図、第4図は実施例1の防眩ミラーの注入電
荷量と着色度の関係を示す曲線図、第5図は実施
例1の防眩ミラーの一定電圧印加時の反射率の変
化を示す線図、第6図は実施例1の防眩ミラーの
応答時間に対する印加電圧の影響を示す線図、第
7図は実施例1の防眩ミラーの反射率の経時変化
を示す曲線図、第8図は実施例1の防眩ミラーの
消費電荷量の経時変化を示す線図、第9図は透明
電極を有する基板と、高反射電極を有する両基板
間隔と、干渉縞の間隔および二重像の間隔との関
係を示す説明図、第10図は実施例1の防眩ミラ
ーを組み込んだ自動車用防眩インサイドミラーの
斜視図、第11図は第10図の防眩インサイドミ
ラーの断面図、第12図は第10図の防眩インサ
イドミラーの駆動回路図、第13図〜第17図は
各々Ta,W,Pt,Au,Moを反射電極としたと
きのWO3の反応挙動を示す電流電圧曲線図であ
る。 1−1,1−2……透明基板、2−1,2−2
……電極、3……第1のエレクトロクロミツク物
質層、4……シール剤、5……第2のエレクトロ
クロミツク物質層、6……電解質、7……スペー
サ、8……高反射面、10……ミラー、11−
1,11−2……光センサー、18……高反射電
極。
図は実施例5の防眩ミラーの断面図、第3図は実
施例1の防眩ミラーのサイクリツクボルタモグラ
フ線図、第4図は実施例1の防眩ミラーの注入電
荷量と着色度の関係を示す曲線図、第5図は実施
例1の防眩ミラーの一定電圧印加時の反射率の変
化を示す線図、第6図は実施例1の防眩ミラーの
応答時間に対する印加電圧の影響を示す線図、第
7図は実施例1の防眩ミラーの反射率の経時変化
を示す曲線図、第8図は実施例1の防眩ミラーの
消費電荷量の経時変化を示す線図、第9図は透明
電極を有する基板と、高反射電極を有する両基板
間隔と、干渉縞の間隔および二重像の間隔との関
係を示す説明図、第10図は実施例1の防眩ミラ
ーを組み込んだ自動車用防眩インサイドミラーの
斜視図、第11図は第10図の防眩インサイドミ
ラーの断面図、第12図は第10図の防眩インサ
イドミラーの駆動回路図、第13図〜第17図は
各々Ta,W,Pt,Au,Moを反射電極としたと
きのWO3の反応挙動を示す電流電圧曲線図であ
る。 1−1,1−2……透明基板、2−1,2−2
……電極、3……第1のエレクトロクロミツク物
質層、4……シール剤、5……第2のエレクトロ
クロミツク物質層、6……電解質、7……スペー
サ、8……高反射面、10……ミラー、11−
1,11−2……光センサー、18……高反射電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくとも一方の電極が透明である一対の電
極付き基板の第1の電極上に第1のエレクトロク
ロミツク物質層を備え、第2の電極上に第2のエ
レクトロクロミツク物質層を備え、それぞれのエ
レクトロクロミツク物質層が対向するようにスペ
ーサを介して重ね合わせ、周辺を接着剤により固
定した電極間に電解質を封入して成る防眩ミラー
において、 第1のエレクトロクロミツク物質層としてトリ
フエニルアミン構造またはその誘導体構造を繰り
返し単位として有する共役系高分子膜を用い、第
2のエレクトロクロミツク物質層として遷移金属
酸化物被膜を用い、両方の電極が透明電極であ
り、一方の透明電極付き基板の電極と反対側に高
反射面を備えるか、または第1の電極が透明電極
で、第2の電極が高反射率を有する電極であるこ
とを特徴とする防眩ミラー。 2 透明電極と高反射率を有する電極との間の距
離が30〜1000μmである特許請求の範囲第1項記
載の防眩ミラー。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60096023A JPS6237247A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 防眩ミラ− |
US06/859,355 US4741603A (en) | 1985-05-08 | 1986-05-05 | Electrochromic nonglaring mirror |
DE19863615379 DE3615379A1 (de) | 1985-05-08 | 1986-05-07 | Elektrochromer, nichtblendender spiegel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60096023A JPS6237247A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 防眩ミラ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6237247A JPS6237247A (ja) | 1987-02-18 |
JPH0525097B2 true JPH0525097B2 (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=14153711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60096023A Granted JPS6237247A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 防眩ミラ− |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4741603A (ja) |
JP (1) | JPS6237247A (ja) |
DE (1) | DE3615379A1 (ja) |
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