JPH05243202A - 枚葉式半導体製造ウェット処理装置 - Google Patents
枚葉式半導体製造ウェット処理装置Info
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- JPH05243202A JPH05243202A JP45792A JP45792A JPH05243202A JP H05243202 A JPH05243202 A JP H05243202A JP 45792 A JP45792 A JP 45792A JP 45792 A JP45792 A JP 45792A JP H05243202 A JPH05243202 A JP H05243202A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】純水がカップ３内に入り込み薬液温調槽１０に
混入することを防止することによって、カップ３内の薬
液滴下による洗浄を無くし、薬液の消費量を低減し、同
時にウェハ８毎に薬液と純水の滴下によりパーティクル
の混入をも防止している。 【構成】カップ３の外縁部１９を伸ばしカップ３の開口
部をウェハチャック２の外径と同程度にし、かつウェハ
カップ２を上昇・下降させる上昇・下降機構であるシリ
ンダ２０を回転機構部１８に取付け、純水をウェハ８に
滴下するとき、ウェハチャック２を上昇させ、純水がカ
ップ３に入り込まないようにしている。
混入することを防止することによって、カップ３内の薬
液滴下による洗浄を無くし、薬液の消費量を低減し、同
時にウェハ８毎に薬液と純水の滴下によりパーティクル
の混入をも防止している。 【構成】カップ３の外縁部１９を伸ばしカップ３の開口
部をウェハチャック２の外径と同程度にし、かつウェハ
カップ２を上昇・下降させる上昇・下降機構であるシリ
ンダ２０を回転機構部１８に取付け、純水をウェハ８に
滴下するとき、ウェハチャック２を上昇させ、純水がカ
ップ３に入り込まないようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程に使用
される半導体製造装置に関し、特に半導体ウェハを化学
薬液によって処理する枚葉式半導体製造ウェット処理装
置に関する。
される半導体製造装置に関し、特に半導体ウェハを化学
薬液によって処理する枚葉式半導体製造ウェット処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の枚葉式半導体製造ウェット
処理装置の一例を示す模式断面図である。従来、この種
の枚葉式半導体製造ウェット処理装置は、例えば、図３
に示すように、ウェハ８を載置し回転するウェハチャッ
ク２と、このウェハ８に薬液を滴下する薬液ノズル４
と、ウェハに純水を噴射する純水ノズル５と、カップ３
の薬液を回収して再生させ薬液ノズル４に供給する薬液
循環装置とを有していた。
処理装置の一例を示す模式断面図である。従来、この種
の枚葉式半導体製造ウェット処理装置は、例えば、図３
に示すように、ウェハ８を載置し回転するウェハチャッ
ク２と、このウェハ８に薬液を滴下する薬液ノズル４
と、ウェハに純水を噴射する純水ノズル５と、カップ３
の薬液を回収して再生させ薬液ノズル４に供給する薬液
循環装置とを有していた。
【０００３】この枚葉式半導体製造ウェット処理装置に
おける動作でカップ３の位置は、カップポート６が回収
ポート７位置に通常一致している。そして薬液ノズル４
から噴出した薬液は、高速回転するウェハ８に滴下され
て飛散する。この飛散した薬液はカップ３にて収集され
る。回収された薬液はカップポート６から回収ポート７
に流入し、回収配管９を流れ、温調槽１０に戻る。この
ように薬液スプレー動作は、温調槽１０内の薬液をポン
プ１１で圧送することにより、フィルター１２、薬液バ
ルブ１３を通り、薬液ノズル４から噴出される。
おける動作でカップ３の位置は、カップポート６が回収
ポート７位置に通常一致している。そして薬液ノズル４
から噴出した薬液は、高速回転するウェハ８に滴下され
て飛散する。この飛散した薬液はカップ３にて収集され
る。回収された薬液はカップポート６から回収ポート７
に流入し、回収配管９を流れ、温調槽１０に戻る。この
ように薬液スプレー動作は、温調槽１０内の薬液をポン
プ１１で圧送することにより、フィルター１２、薬液バ
ルブ１３を通り、薬液ノズル４から噴出される。
【０００４】一方、薬液の温調については、温調槽１０
内の薬液をポンプ１４で圧送し、電子冷熱器１５に通す
ことによって行なわれている。
内の薬液をポンプ１４で圧送し、電子冷熱器１５に通す
ことによって行なわれている。
【０００５】次に、カップ３の回転動作について説明す
ると、純水バルブ１６を通し、純水ノズル５から純水を
噴出させる場合、温調槽１０に純水が流入することを防
止するため、カップ３を回転させることによりカップポ
ート６を回収ポート７からずらし、純水がチャンバード
レン１７に排液されることになる。
ると、純水バルブ１６を通し、純水ノズル５から純水を
噴出させる場合、温調槽１０に純水が流入することを防
止するため、カップ３を回転させることによりカップポ
ート６を回収ポート７からずらし、純水がチャンバード
レン１７に排液されることになる。
【０００６】また、この装置でウェハ８を処理する場合
に次に記す２通りの方法があった。第一の方法は、薬液
ノズル４から薬液を噴出させウェハ８の薬液処理後、ウ
ェハ８を水洗、乾燥専用のチャンバーへ移送し、その水
洗、乾燥専用のチャンバーにて、ウェハ８の水洗、乾燥
を行う方法である。
に次に記す２通りの方法があった。第一の方法は、薬液
ノズル４から薬液を噴出させウェハ８の薬液処理後、ウ
ェハ８を水洗、乾燥専用のチャンバーへ移送し、その水
洗、乾燥専用のチャンバーにて、ウェハ８の水洗、乾燥
を行う方法である。
【０００７】図４は図３の枚葉式半導体製造ウェット処
理装置の一動作を説明するためのシーケンス図である。
また、第二の方法は、図４に示すように、まず、薬液ノ
ズル４から噴出させた薬液を止める２秒前に、純水ノズ
ル５から純水を噴出させ、薬液と純水を同時に２秒間噴
出した後、薬液を止め、その後純水だけを数秒間噴出し
た後、ウェハ８を水洗、乾燥専用のチャンバーにウェハ
８を移送し、その水洗，乾燥専用のチャンバーにてウェ
ハ８の水洗・乾燥を行う方法である。さらにこの処理シ
ーケンスにおけるカップ３の回転動作を説明すると、純
水ノズル５から純水を噴出している時は、カップ３を回
転させ、チャンバードレン１７に排液するようにしてお
り、なおかつ、カップ３に付着した純水が温調槽１０内
に混入することを防止するための対策として、次のウェ
ハを薬液処理する時、最初の数秒間（シーケンス図に示
すＡの時間）、薬液をチャンバードレン１７に排液し、
カップ３に付着していた純水を洗い流していることであ
る。
理装置の一動作を説明するためのシーケンス図である。
また、第二の方法は、図４に示すように、まず、薬液ノ
ズル４から噴出させた薬液を止める２秒前に、純水ノズ
ル５から純水を噴出させ、薬液と純水を同時に２秒間噴
出した後、薬液を止め、その後純水だけを数秒間噴出し
た後、ウェハ８を水洗、乾燥専用のチャンバーにウェハ
８を移送し、その水洗，乾燥専用のチャンバーにてウェ
ハ８の水洗・乾燥を行う方法である。さらにこの処理シ
ーケンスにおけるカップ３の回転動作を説明すると、純
水ノズル５から純水を噴出している時は、カップ３を回
転させ、チャンバードレン１７に排液するようにしてお
り、なおかつ、カップ３に付着した純水が温調槽１０内
に混入することを防止するための対策として、次のウェ
ハを薬液処理する時、最初の数秒間（シーケンス図に示
すＡの時間）、薬液をチャンバードレン１７に排液し、
カップ３に付着していた純水を洗い流していることであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来の枚葉式半導
体製造ウェット処理装置でウェハ処理する場合、前述し
た第一の方法では、パーティクルが多いため製品の歩留
り低下を招いていた。また、第二の方法では、パーティ
クルが少ないという利点はあるが、カップに付着した純
水を洗い流すため薬液をウェハ１枚につき数秒間滴下し
ているので、例えば、ウェハ５０枚処理すると薬液が約
１０リットル減少し、薬液コストが高額となり、量産に
適用できないという問題があった。
体製造ウェット処理装置でウェハ処理する場合、前述し
た第一の方法では、パーティクルが多いため製品の歩留
り低下を招いていた。また、第二の方法では、パーティ
クルが少ないという利点はあるが、カップに付着した純
水を洗い流すため薬液をウェハ１枚につき数秒間滴下し
ているので、例えば、ウェハ５０枚処理すると薬液が約
１０リットル減少し、薬液コストが高額となり、量産に
適用できないという問題があった。
【０００９】本発明は、パーティクルの少ない第二の方
法に着目し、かつ薬液の消費量の問題を解決しようとす
るものである。
法に着目し、かつ薬液の消費量の問題を解決しようとす
るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の枚葉式半導体製
造ウェット処理装置は、ウェハを保持し回転させるウェ
ハチャックと、ウェハに純水を滴下する純水ノズルと、
前記ウェハに薬液を滴下する薬液ノズルと、前記ウェハ
の周囲を囲むカップと、このカップに回収される前記薬
液を貯える温調槽と、前記ウェハチャックを前記カップ
の上あるいは下に上昇下降させる上昇・下降機構と、こ
の上昇・下降機構により前記ウェハチャックが前記カッ
プの上に上昇するとき前記カップの開口部を遮蔽する手
段とを備えている。また、前記遮蔽手段は前記カップの
外縁部が伸び開口部の大きさを略々前記ウェハチャック
の外形と同程度であることを特徴としている。さらに他
の前記遮蔽手段が前記カップの開口部を塞ぐ２枚の遮蔽
板と、この遮蔽板を互いに対向方向に移動する移動機構
とを有している。
造ウェット処理装置は、ウェハを保持し回転させるウェ
ハチャックと、ウェハに純水を滴下する純水ノズルと、
前記ウェハに薬液を滴下する薬液ノズルと、前記ウェハ
の周囲を囲むカップと、このカップに回収される前記薬
液を貯える温調槽と、前記ウェハチャックを前記カップ
の上あるいは下に上昇下降させる上昇・下降機構と、こ
の上昇・下降機構により前記ウェハチャックが前記カッ
プの上に上昇するとき前記カップの開口部を遮蔽する手
段とを備えている。また、前記遮蔽手段は前記カップの
外縁部が伸び開口部の大きさを略々前記ウェハチャック
の外形と同程度であることを特徴としている。さらに他
の前記遮蔽手段が前記カップの開口部を塞ぐ２枚の遮蔽
板と、この遮蔽板を互いに対向方向に移動する移動機構
とを有している。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第一実施例の枚葉
式半導体製造ウェット処理装置を示し、（ａ）は全体の
構成を示す模式断面図、（ｂ）は（ａ）のカップを拡大
して示す斜視図である。ドーム状のこの枚葉式半導体製
造ウェット処理装置は、図１（ｂ）に示すように、カッ
プ３の外縁部１９を伸ばし、カップの開口をウェハチャ
ックの外径と同程度に形成し、外縁部１９をドーム状に
したことである。また、ウェハチャック２を上昇・下降
させるための上昇・下降機構であるシリンダ２０を設け
たことである。それ以外は従来例と同じである。
る。図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第一実施例の枚葉
式半導体製造ウェット処理装置を示し、（ａ）は全体の
構成を示す模式断面図、（ｂ）は（ａ）のカップを拡大
して示す斜視図である。ドーム状のこの枚葉式半導体製
造ウェット処理装置は、図１（ｂ）に示すように、カッ
プ３の外縁部１９を伸ばし、カップの開口をウェハチャ
ックの外径と同程度に形成し、外縁部１９をドーム状に
したことである。また、ウェハチャック２を上昇・下降
させるための上昇・下降機構であるシリンダ２０を設け
たことである。それ以外は従来例と同じである。
【００１２】このようにカップ３の開口を小さくし、ウ
ェハチャック２の上昇機構を設けることによって、点線
で示したように、ウェハチャック２は外縁部１９の上方
まで上昇させ、飛散した純水を外縁部１９で受止め、カ
ップ３内に流入することを防止するのである。
ェハチャック２の上昇機構を設けることによって、点線
で示したように、ウェハチャック２は外縁部１９の上方
まで上昇させ、飛散した純水を外縁部１９で受止め、カ
ップ３内に流入することを防止するのである。
【００１３】従って、カップ３内に付着した純水を薬液
で洗い流す必要がなくなり、薬液の消費量を大幅に削減
することができる。結局、薬液をチャンバードレン１７
に排液する時間は、薬液と純水を同時に噴出する時間
（２秒間）のみになるので、薬液消費量は、従来の４分
の１、つまり、例えば、ウェハ５０枚処理で２．５リッ
トル程度と考えられる。
で洗い流す必要がなくなり、薬液の消費量を大幅に削減
することができる。結局、薬液をチャンバードレン１７
に排液する時間は、薬液と純水を同時に噴出する時間
（２秒間）のみになるので、薬液消費量は、従来の４分
の１、つまり、例えば、ウェハ５０枚処理で２．５リッ
トル程度と考えられる。
【００１４】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の一
実施例の枚葉式半導体製造ウェット処理装置を示し、
（ａ）は全体の構成を示す模式断面図、（ｂ）は（ａ）
のシャッタ機構を示す平面図である。この枚葉式半導体
製造ウェット処理装置は、図に示すように、前述の実施
例と同じカップ３の上昇・下降機構であるシリンダ２０
の他に、カップ３の開口を閉じるシャッタ機構を設けた
ことである。このシャッタ機構は、図２（ｂ）に示すよ
うに、２枚の遮蔽板１９ａと、この遮蔽板１９ａを移動
させてカップ３の開口を塞ぐシリンダ２１とを有してい
る。
実施例の枚葉式半導体製造ウェット処理装置を示し、
（ａ）は全体の構成を示す模式断面図、（ｂ）は（ａ）
のシャッタ機構を示す平面図である。この枚葉式半導体
製造ウェット処理装置は、図に示すように、前述の実施
例と同じカップ３の上昇・下降機構であるシリンダ２０
の他に、カップ３の開口を閉じるシャッタ機構を設けた
ことである。このシャッタ機構は、図２（ｂ）に示すよ
うに、２枚の遮蔽板１９ａと、この遮蔽板１９ａを移動
させてカップ３の開口を塞ぐシリンダ２１とを有してい
る。
【００１５】この装置で、ウェハ８に純水を滴下すると
きは、ウェハチャック２が上昇した後、左右からシリン
ダ２１に装着された遮蔽板１９ａがカップ３をおおうよ
うに移動する。また、純水を噴出しない時は、遮蔽板１
９は、カップ３の開口を開くように移動するようになっ
ている。
きは、ウェハチャック２が上昇した後、左右からシリン
ダ２１に装着された遮蔽板１９ａがカップ３をおおうよ
うに移動する。また、純水を噴出しない時は、遮蔽板１
９は、カップ３の開口を開くように移動するようになっ
ている。
【００１６】この実施例では、前述の実施例と比較し
て、カップ３上部の開口部が大きいので、カップ３内の
清掃作業性が良いという利点がある。
て、カップ３上部の開口部が大きいので、カップ３内の
清掃作業性が良いという利点がある。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、純水がカ
ップ内に入り込むことを阻止する手段を設け、カップに
薬液を流し込んでカップ内を洗浄する必要がなくなり、
薬液の使用量を低減出来るという効果が得られる。ま
た、ウェハ毎に薬液と純水を滴下して処理する方法を取
ることによってパーティクルの混入する機会がなくなる
という効果がある。
ップ内に入り込むことを阻止する手段を設け、カップに
薬液を流し込んでカップ内を洗浄する必要がなくなり、
薬液の使用量を低減出来るという効果が得られる。ま
た、ウェハ毎に薬液と純水を滴下して処理する方法を取
ることによってパーティクルの混入する機会がなくなる
という効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の枚葉式半導体製造ウェ
ット処理装置を示し、（ａ）は全体の構成を示す模式断
面図、（ｂ）は（ａ）のカップを拡大して示す斜視図で
ある。
ット処理装置を示し、（ａ）は全体の構成を示す模式断
面図、（ｂ）は（ａ）のカップを拡大して示す斜視図で
ある。
【図２】本発明の第２の実施例の枚葉式半導体製造ウェ
ット処理装置を示し、（ａ）は全体の構成を示す模式断
面図、（ｂ）は（ａ）におけるシャッタ機構を示す平面
図である。
ット処理装置を示し、（ａ）は全体の構成を示す模式断
面図、（ｂ）は（ａ）におけるシャッタ機構を示す平面
図である。
【図３】従来の枚葉式半導体製造ウエット処理装置の一
例を示す模式断面図である。
例を示す模式断面図である。
【図４】図３の枚葉式半導体製造ウエット処理装置の一
動作を説明するためのシーケンス図である。
動作を説明するためのシーケンス図である。
１ チャンバ ２ ウェハチャック ３ カップ ４ 薬液ノズル ５ 純水ノズル ６ カップポート ７ 回収ポート ８ ウェハ ９ 回収配管 １０ 温調槽 １１，１４ ポンプ １２ フィルタ １３ 薬液バルブ １５ 電子冷熱器 １６ 純水バルブ １７ チャンバドレーン １８ 回転機構部 １９ 外縁部 １９ａ 遮蔽板 ２０，２１ シリンダ
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハを保持し回転させるウェハチャッ
クと、ウェハに純水を滴下する純水ノズルと、前記ウェ
ハに薬液を滴下する薬液ノズルと、前記ウェハの周囲を
囲むカップと、このカップに回収される前記薬液を貯え
る温調槽と、前記ウェハチャックを前記カップの上ある
いは下に上昇下降させる上昇・下降機構と、この上昇・
下降機構により前記ウェハチャックが前記カップの上に
上昇するとき前記カップの開口部を遮蔽する手段とを備
えることを特徴とする枚葉式半導体製造ウェット処理装
置 - 【請求項２】 前記遮蔽手段は前記カップの外縁部が伸
び開口部の大きさを略々前記ウェハチャックの外形と同
程度であることを特徴とする請求項１記載の枚葉式半導
体製造ウェット処理装置。 - 【請求項３】 前記遮蔽手段が前記カップの開口部を塞
ぐ２枚の遮蔽板と、この遮蔽板を互いに対向方向に移動
する移動機構とを有していることを特徴とする請求項１
記載の枚葉式半導体製造ウェット処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45792A JPH05243202A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 枚葉式半導体製造ウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45792A JPH05243202A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 枚葉式半導体製造ウェット処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243202A true JPH05243202A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=11474330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP45792A Pending JPH05243202A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 枚葉式半導体製造ウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243202A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111487A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| DE102008044753A1 (de) | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substratbearbeitungsvorrichtung und Verfahren |
| US7584760B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| CN110340058A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-18 | 江苏蜀星饲料科技有限公司 | 一种饲料中药加工自动清洗的微感调节设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193251A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6331532B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1988-06-24 | Nippon Steel Corp | |
| JPH0271273A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | フォトレジスト現像装置 |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP45792A patent/JPH05243202A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331532B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1988-06-24 | Nippon Steel Corp | |
| JPS62193251A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0271273A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | フォトレジスト現像装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111487A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US7584760B2 (en) | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| DE102008044753A1 (de) | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substratbearbeitungsvorrichtung und Verfahren |
| US7749333B2 (en) | 2007-08-29 | 2010-07-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and method |
| CN110340058A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-18 | 江苏蜀星饲料科技有限公司 | 一种饲料中药加工自动清洗的微感调节设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980623 |