JPH05240927A - 半導体素子解析装置 - Google Patents
半導体素子解析装置Info
- Publication number
- JPH05240927A JPH05240927A JP4076118A JP7611892A JPH05240927A JP H05240927 A JPH05240927 A JP H05240927A JP 4076118 A JP4076118 A JP 4076118A JP 7611892 A JP7611892 A JP 7611892A JP H05240927 A JPH05240927 A JP H05240927A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- analysis
- testers
- semiconductor element
- semiconductor elements
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＥＭ画像の任意の箇所を選択すると、他の
画像がスピーディーに切り換わり、しかも測定された動
作電圧波形等が正常か否かをデバイス設計者等の熟練者
でなくとも容易に判断できるようにする。 【構成】 動作が正常な基準用素子と解析対象となる解
析用素子とにテストパターンを供給するパターン発生部
200 と、２つの半導体素子のＳＥＭ画像を得ることがで
きる２つの電子ビームテスタ100A、100Bと、ＳＥＭ画像
を表示するモニタ部300 と、２つの電子ビームテスタ10
0A、100Bが２つの半導体素子の同等の箇所を表示するよ
うにコントロールするコントロール部400 とを有してい
る。
画像がスピーディーに切り換わり、しかも測定された動
作電圧波形等が正常か否かをデバイス設計者等の熟練者
でなくとも容易に判断できるようにする。 【構成】 動作が正常な基準用素子と解析対象となる解
析用素子とにテストパターンを供給するパターン発生部
200 と、２つの半導体素子のＳＥＭ画像を得ることがで
きる２つの電子ビームテスタ100A、100Bと、ＳＥＭ画像
を表示するモニタ部300 と、２つの電子ビームテスタ10
0A、100Bが２つの半導体素子の同等の箇所を表示するよ
うにコントロールするコントロール部400 とを有してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の動作電圧
波形を非接触で測定可能な半導体素子解析装置に関す
る。
波形を非接触で測定可能な半導体素子解析装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の半導体素子解析装置につ
いて図５〜図６を参照しつつ説明する。従来の半導体素
子解析装置には、電子ビームテスタ100 を用いたものが
ある。この電子ビームテスタ100 は、解析対象物たる半
導体素子500 に電子ビームを照射することによって生じ
た二次電子を二次電子検出器で検出してＳＥＭ画像600
を得るようになっている。かかる電子ビームテスタ100
は、ある位相での電位分布をコントラスト差として観察
することができるとともに、ある配線での電位変化を観
察することができる。
いて図５〜図６を参照しつつ説明する。従来の半導体素
子解析装置には、電子ビームテスタ100 を用いたものが
ある。この電子ビームテスタ100 は、解析対象物たる半
導体素子500 に電子ビームを照射することによって生じ
た二次電子を二次電子検出器で検出してＳＥＭ画像600
を得るようになっている。かかる電子ビームテスタ100
は、ある位相での電位分布をコントラスト差として観察
することができるとともに、ある配線での電位変化を観
察することができる。
【０００３】半導体素子500 にはパターン発生部200 か
らテストパターンが入力される。このテストパターンに
対する出力パターンを解析することによって半導体素子
500の解析が行われる。
らテストパターンが入力される。このテストパターンに
対する出力パターンを解析することによって半導体素子
500の解析が行われる。
【０００４】また、半導体素子解析装置のコントロール
部400 には、解析対象物たる半導体素子500 のレイアウ
ト図700 、回路図800 、各配線の接続情報、回路シミュ
レーションデータ、論理シミュレーションデータ等の設
定用、検証用データが予め入力されている。これらのデ
ータは、図６に示すように、半導体素子500 のＳＥＭ画
像600 とともにウインドウでモニタ部300 に表示され
る。また、このコントロール部400 は、モニタ部300 に
表示された画像、例えばＳＥＭ画像600 の任意の箇所を
選択すると、レイアウト図700 も前記箇所に対応する箇
所を表示するようになっている。また、ＳＥＭ画像600
における任意の配線を選択すると、その配線の動作電圧
波形が測定され、前記データから導かれる理想的な動作
電圧波形が実際の動作電圧波形とともに表示されるよう
になっている。
部400 には、解析対象物たる半導体素子500 のレイアウ
ト図700 、回路図800 、各配線の接続情報、回路シミュ
レーションデータ、論理シミュレーションデータ等の設
定用、検証用データが予め入力されている。これらのデ
ータは、図６に示すように、半導体素子500 のＳＥＭ画
像600 とともにウインドウでモニタ部300 に表示され
る。また、このコントロール部400 は、モニタ部300 に
表示された画像、例えばＳＥＭ画像600 の任意の箇所を
選択すると、レイアウト図700 も前記箇所に対応する箇
所を表示するようになっている。また、ＳＥＭ画像600
における任意の配線を選択すると、その配線の動作電圧
波形が測定され、前記データから導かれる理想的な動作
電圧波形が実際の動作電圧波形とともに表示されるよう
になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体素子解析装置には以下のような問題点がある。す
なわち、モニタ部に表示された回路図等の任意の箇所を
選択することによって、レイアウト図或いはＳＥＭ画像
において相当する箇所を同一画面上に表示することも可
能であるが、そのためには前記データの変換が必要にな
る。半導体素子が大規模になればなるほど、前記データ
の変換時間が長くなる。また、測定された半導体素子の
動作電圧波形が正常か否かの判断は、デバイス設計者又
は解析について熟知した者でなければ難しい。
半導体素子解析装置には以下のような問題点がある。す
なわち、モニタ部に表示された回路図等の任意の箇所を
選択することによって、レイアウト図或いはＳＥＭ画像
において相当する箇所を同一画面上に表示することも可
能であるが、そのためには前記データの変換が必要にな
る。半導体素子が大規模になればなるほど、前記データ
の変換時間が長くなる。また、測定された半導体素子の
動作電圧波形が正常か否かの判断は、デバイス設計者又
は解析について熟知した者でなければ難しい。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、ＳＥＭ画像の任意の箇所を選択すると、他の画像が
スピーディーに切り換わり、しかも測定された動作電圧
波形等が正常か否かをデバイス設計者等の熟練者でなく
とも判断することができる半導体素子解析装置を提供す
ることを目的としている。
で、ＳＥＭ画像の任意の箇所を選択すると、他の画像が
スピーディーに切り換わり、しかも測定された動作電圧
波形等が正常か否かをデバイス設計者等の熟練者でなく
とも判断することができる半導体素子解析装置を提供す
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
解析装置は、２つの半導体素子にテストパターンを供給
するパターン発生部と、前記半導体素子のＳＥＭ画像を
得ることができる２つの電子ビームテスタと、前記ＳＥ
Ｍ画像を表示するモニタ部と、前記２つの電子ビームテ
スタが２つの半導体素子の同等の箇所を表示するように
コントロールするコントロール部とを有している。
解析装置は、２つの半導体素子にテストパターンを供給
するパターン発生部と、前記半導体素子のＳＥＭ画像を
得ることができる２つの電子ビームテスタと、前記ＳＥ
Ｍ画像を表示するモニタ部と、前記２つの電子ビームテ
スタが２つの半導体素子の同等の箇所を表示するように
コントロールするコントロール部とを有している。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体素子解
析装置の概略的構成図、図２は２つの電子ビームテスタ
の概略的構成図、図３はモニタ部における表示の一例を
示す説明図、図４はこの半導体素子解析装置の他の使用
法を示す説明図である。
析装置の概略的構成図、図２は２つの電子ビームテスタ
の概略的構成図、図３はモニタ部における表示の一例を
示す説明図、図４はこの半導体素子解析装置の他の使用
法を示す説明図である。
【０００９】本実施例に係る半導体素子解析装置は、動
作が正常な基準用素子500Aと解析対象となる解析用素子
500Bとにテストパターンを供給するパターン発生部200
と、前記２つの半導体素子500A、500BのＳＥＭ画像600
A、600Bを得ることができる２つの電子ビームテスタ100
A、100Bと、前記ＳＥＭ画像600A、600Bを表示するモニ
タ部300 と、前記２つの電子ビームテスタ100A、100Bが
２つの半導体素子500A、500Bの同等の箇所を表示するよ
うにコントロールするコントロール部400 とを有してい
る。これらは、図外のホストコンピュータ等にＬＡＮで
接続されている。
作が正常な基準用素子500Aと解析対象となる解析用素子
500Bとにテストパターンを供給するパターン発生部200
と、前記２つの半導体素子500A、500BのＳＥＭ画像600
A、600Bを得ることができる２つの電子ビームテスタ100
A、100Bと、前記ＳＥＭ画像600A、600Bを表示するモニ
タ部300 と、前記２つの電子ビームテスタ100A、100Bが
２つの半導体素子500A、500Bの同等の箇所を表示するよ
うにコントロールするコントロール部400 とを有してい
る。これらは、図外のホストコンピュータ等にＬＡＮで
接続されている。
【００１０】基準用素子500Aと、解析用素子500Bとは同
一の半導体素子であって、基準用素子500Aはすでに各種
の検査を受けて動作が完全に正常であると確認されたも
のである。一方、解析用素子500Bは、動作が正常か否か
の検査を受けていない。これらの半導体素子500A、500B
は、モールド樹脂等の封止剤が除去・開封されて内部の
ＩＣチップが露出した状態にある。
一の半導体素子であって、基準用素子500Aはすでに各種
の検査を受けて動作が完全に正常であると確認されたも
のである。一方、解析用素子500Bは、動作が正常か否か
の検査を受けていない。これらの半導体素子500A、500B
は、モールド樹脂等の封止剤が除去・開封されて内部の
ＩＣチップが露出した状態にある。
【００１１】２つの電子ビームテスタ100A、100Bには全
く同等のものが用いられる。従って、基準用素子500Aが
セットされる電子ビームテスタ100Aの説明のみを行う。
この電子ビームテスタ100Aは、電子ビームを発生する電
子光学系110Aと、この電子光学系110AをＸ、Ｙ方向に移
動させるＸ−Ｙステージ120Aと、基準用素子500Aがセッ
トされるＩＣソケット230 と、基準用素子500Aからの二
次電子を検出する二次電子検出器 (図示省略) とを有し
ている。なお、この電子ビームテスタ100Aには、図示は
省略されているが、エネルギーフィルター等の他の部品
が設けられていることは勿論である。
く同等のものが用いられる。従って、基準用素子500Aが
セットされる電子ビームテスタ100Aの説明のみを行う。
この電子ビームテスタ100Aは、電子ビームを発生する電
子光学系110Aと、この電子光学系110AをＸ、Ｙ方向に移
動させるＸ−Ｙステージ120Aと、基準用素子500Aがセッ
トされるＩＣソケット230 と、基準用素子500Aからの二
次電子を検出する二次電子検出器 (図示省略) とを有し
ている。なお、この電子ビームテスタ100Aには、図示は
省略されているが、エネルギーフィルター等の他の部品
が設けられていることは勿論である。
【００１２】ＩＣソケット230 は、パターン発生部200
のテスタヘッド210 に設けられたパフォーマンスボード
220 に取り付けられている。かかるＩＣソケット230
は、筐体160Aの天面裏面側に設置されたケース130Aの内
部である試料室140Aに位置している。なお、図１におけ
る250 は、パターン発生部200 のモニタである。また、
前記試料室140Aの内部は図外の真空ポンプによって真空
に保たれている。
のテスタヘッド210 に設けられたパフォーマンスボード
220 に取り付けられている。かかるＩＣソケット230
は、筐体160Aの天面裏面側に設置されたケース130Aの内
部である試料室140Aに位置している。なお、図１におけ
る250 は、パターン発生部200 のモニタである。また、
前記試料室140Aの内部は図外の真空ポンプによって真空
に保たれている。
【００１３】前記ケース130Aの底面部には、Ｘ−Ｙステ
ージ120Aが取り付けられた金属ベロー150Aが設けられて
いる。また、当該Ｘ−Ｙステージ120Aには、電子光学系
110Aが設けられている。すなわち、Ｘ−Ｙステージ120A
を駆動させることにより、電子ビームを基準用素子500A
の任意の箇所に照射することができるのである。
ージ120Aが取り付けられた金属ベロー150Aが設けられて
いる。また、当該Ｘ−Ｙステージ120Aには、電子光学系
110Aが設けられている。すなわち、Ｘ−Ｙステージ120A
を駆動させることにより、電子ビームを基準用素子500A
の任意の箇所に照射することができるのである。
【００１４】このような電子ビームテスタ100Aで得られ
たＳＥＭ画像600Aは、モニタ部300に表示される。同時
に、他の電子ビームテスタ100Bで得られたＳＥＭ画像60
0Bも同じモニタ部300 に表示されるので、基準用素子50
0Aと解析用素子500Bとを容易に比較対照することができ
る。
たＳＥＭ画像600Aは、モニタ部300に表示される。同時
に、他の電子ビームテスタ100Bで得られたＳＥＭ画像60
0Bも同じモニタ部300 に表示されるので、基準用素子50
0Aと解析用素子500Bとを容易に比較対照することができ
る。
【００１５】また、モニタ部300 は、ＳＥＭ画像600A、
600Bのみならず、他のデータ、例えばレイアウト図、回
路図或いは任意の配線の作動電圧波形等が表示可能にな
っている。なお、モニタ部300 にいずれのデータを表示
するかは、オペレータの選択に委ねられている。
600Bのみならず、他のデータ、例えばレイアウト図、回
路図或いは任意の配線の作動電圧波形等が表示可能にな
っている。なお、モニタ部300 にいずれのデータを表示
するかは、オペレータの選択に委ねられている。
【００１６】コントロール部400 としては専用のハード
ウエアを用いてもよいが、本実施例では一般的なワーク
ステーションに専用のソフトウエアを組み込むことによ
ってコントロール部400 としている。このコントロール
部400 は、２つの電子ビームテスタ100A、100Bを連動さ
せるようになっている。すなわち、２つのＸ−Ｙステー
ジ120A、120Bの座標を共通にし、常に同一の座標に電子
ビームを照射するようにしているのである。
ウエアを用いてもよいが、本実施例では一般的なワーク
ステーションに専用のソフトウエアを組み込むことによ
ってコントロール部400 としている。このコントロール
部400 は、２つの電子ビームテスタ100A、100Bを連動さ
せるようになっている。すなわち、２つのＸ−Ｙステー
ジ120A、120Bの座標を共通にし、常に同一の座標に電子
ビームを照射するようにしているのである。
【００１７】このため、モニタ部300 に表示された一方
のＳＥＭ画像600Aの任意の箇所をカーソル等で指示する
と、他方のＳＥＭ画像600Bも指示された箇所に対応した
箇所を表示するようになっている。なお、逆の動作、す
なわち解析用素子500BのＳＥＭ画像600Bの任意の箇所を
選択すると、それに対応する基準用素子500AのＳＥＭ画
像600Aの箇所が表示されるようになっているのは勿論で
ある。
のＳＥＭ画像600Aの任意の箇所をカーソル等で指示する
と、他方のＳＥＭ画像600Bも指示された箇所に対応した
箇所を表示するようになっている。なお、逆の動作、す
なわち解析用素子500BのＳＥＭ画像600Bの任意の箇所を
選択すると、それに対応する基準用素子500AのＳＥＭ画
像600Aの箇所が表示されるようになっているのは勿論で
ある。
【００１８】また、ＳＥＭ画像600Aにおいて基準用素子
500Aの任意の配線を選択すると、この配線における動作
電圧波形が表示される。これと同時に他方のＳＥＭ画像
600B、すなわち解析用素子500Bの同等の配線における動
作電圧波形が同一ウインドウでモニタ部300 に表示され
る。これにより、解析用素子500Bの任意の配線の動作電
圧波形が正常か否かの判断が容易となる。
500Aの任意の配線を選択すると、この配線における動作
電圧波形が表示される。これと同時に他方のＳＥＭ画像
600B、すなわち解析用素子500Bの同等の配線における動
作電圧波形が同一ウインドウでモニタ部300 に表示され
る。これにより、解析用素子500Bの任意の配線の動作電
圧波形が正常か否かの判断が容易となる。
【００１９】モニタ部300 に表示されるデータの選択
は、オペレータの任意に委ねられるが、例えば図３に示
すように、基準用素子500AのＳＥＭ画像600A、解析用素
子500BのＳＥＭ画像600B、両ＳＥＭ画像600A、600Bで選
択された配線の動作電圧波形900 、両半導体素子500A、
500Bに与えられているテストパターン850 等を表示すれ
ば、解析が容易になる。
は、オペレータの任意に委ねられるが、例えば図３に示
すように、基準用素子500AのＳＥＭ画像600A、解析用素
子500BのＳＥＭ画像600B、両ＳＥＭ画像600A、600Bで選
択された配線の動作電圧波形900 、両半導体素子500A、
500Bに与えられているテストパターン850 等を表示すれ
ば、解析が容易になる。
【００２０】なお、上述した実施例では、基準用素子50
0Aと解析用素子500Bとに同一のテストパターンを入力す
るために、パターン発生部200 を１つしか用いなかった
が、２つの電子ビームテスタ100A、100Bを独立して使用
する場合には、２つのパターン発生部200 を用いること
ができる。すなわち、この場合には、従来の半導体素子
解析装置が２組あるのと同様になり、コントロール部40
0 は不要になる。
0Aと解析用素子500Bとに同一のテストパターンを入力す
るために、パターン発生部200 を１つしか用いなかった
が、２つの電子ビームテスタ100A、100Bを独立して使用
する場合には、２つのパターン発生部200 を用いること
ができる。すなわち、この場合には、従来の半導体素子
解析装置が２組あるのと同様になり、コントロール部40
0 は不要になる。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る半導体素子解析装置は、２
つの半導体素子にテストパターンを供給するパターン発
生部と、前記半導体素子のＳＥＭ画像を得ることができ
る２つの電子ビームテスタと、前記ＳＥＭ画像を表示す
るモニタ部と、前記２つの電子ビームテスタが２つの半
導体素子の同等の箇所を表示するようにコントロールす
るコントロール部とを備え、前記２つの半導体素子は動
作が正常な基準用素子と、解析対象となる解析用素子と
である。よって従来の半導体素子解析装置のようにデー
タの変換時間が必要ない。このため、一方の半導体素子
の任意の箇所を選択すれば、即座に他方の半導体素子の
対応する箇所を表示することができる。また、基準用素
子と解析用素子との同一配線の動作基準電圧を同時に表
示できるので、動作電圧波形等が正常か否かをデバイス
設計者等の熟練者でなくとも容易に判断することができ
る。
つの半導体素子にテストパターンを供給するパターン発
生部と、前記半導体素子のＳＥＭ画像を得ることができ
る２つの電子ビームテスタと、前記ＳＥＭ画像を表示す
るモニタ部と、前記２つの電子ビームテスタが２つの半
導体素子の同等の箇所を表示するようにコントロールす
るコントロール部とを備え、前記２つの半導体素子は動
作が正常な基準用素子と、解析対象となる解析用素子と
である。よって従来の半導体素子解析装置のようにデー
タの変換時間が必要ない。このため、一方の半導体素子
の任意の箇所を選択すれば、即座に他方の半導体素子の
対応する箇所を表示することができる。また、基準用素
子と解析用素子との同一配線の動作基準電圧を同時に表
示できるので、動作電圧波形等が正常か否かをデバイス
設計者等の熟練者でなくとも容易に判断することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体素子解析装置の
概略的構成図である。
概略的構成図である。
【図２】２つの電子ビームテスタの概略的構成図であ
る。
る。
【図３】モニタ部における表示の一例を示す説明図であ
る。
る。
【図４】この半導体素子解析装置の他の使用法を示す説
明図である。
明図である。
【図５】従来の半導体素子解析装置の概略的構成図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体素子解析装置のモニタ部における
表示の一例を示す説明図である。
表示の一例を示す説明図である。
【符号の説明】 100A、100B 電子ビームテスタ 200 パターン発生部 300 モニタ部 400 コントロール部 500A 基準用素子 500B 解析用素子 600A (基準用素子の) ＳＥＭ画像 600B (解析用素子の) ＳＥＭ画像
Claims (2)
- 【請求項１】 ２つの半導体素子にテストパターンを供
給するパターン発生部と、前記半導体素子のＳＥＭ画像
を得ることができる２つの電子ビームテスタと、前記Ｓ
ＥＭ画像を表示するモニタ部と、前記２つの電子ビーム
テスタが２つの半導体素子の同等の箇所を表示するよう
にコントロールするコントロール部とを具備したことを
特徴とする半導体素子解析装置。 - 【請求項２】 前記２つの半導体素子は、動作が正常な
基準用素子と、解析対象となる解析用素子とであること
を特徴とする半導体素子解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076118A JPH05240927A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体素子解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4076118A JPH05240927A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体素子解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05240927A true JPH05240927A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13596002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4076118A Pending JPH05240927A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 半導体素子解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05240927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0886841A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-04-02 | Advantest Corp | 荷電粒子ビームを用いるｉｃ欠陥検出方法及びその装置 |
| JPH0949865A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Nec Corp | 電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタ |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4076118A patent/JPH05240927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0886841A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-04-02 | Advantest Corp | 荷電粒子ビームを用いるｉｃ欠陥検出方法及びその装置 |
| JPH0949865A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Nec Corp | 電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタ |
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