JPH05230451A - 光刺戟性リン光体及びその放射線写真における用途 - Google Patents
光刺戟性リン光体及びその放射線写真における用途Info
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- JPH05230451A JPH05230451A JP4204508A JP20450892A JPH05230451A JP H05230451 A JPH05230451 A JP H05230451A JP 4204508 A JP4204508 A JP 4204508A JP 20450892 A JP20450892 A JP 20450892A JP H05230451 A JPH05230451 A JP H05230451A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光刺戟性リン光体として有用なハロシリケー
ト及びその放射線写真における用途を提供する。 【構成】 リン光体が、ホスト金属として少なくとも１
種のアルカリ土類金属を、ハロゲンとして、Ｃｌ，Ｂｒ
及びＩからなる群から選択した少なくとも１員を、ドー
プ剤として、Ｅｕ2+をそして共ドープ剤としてリチウム
を含む、光刺戟性Ｘ線エネルギー吸収性ハロシリケート
リン光体。
ト及びその放射線写真における用途を提供する。 【構成】 リン光体が、ホスト金属として少なくとも１
種のアルカリ土類金属を、ハロゲンとして、Ｃｌ，Ｂｒ
及びＩからなる群から選択した少なくとも１員を、ドー
プ剤として、Ｅｕ2+をそして共ドープ剤としてリチウム
を含む、光刺戟性Ｘ線エネルギー吸収性ハロシリケート
リン光体。
Description
【０００１】本発明は光刺戟性リン光体ならびに、前記
リン光体によりＸ線パターンを記録、再現する方法に関
するものである。
リン光体によりＸ線パターンを記録、再現する方法に関
するものである。
【０００２】Ｘ線により適当な物質を発光せしめ得るこ
とは公知である。Ｘ線の影響で発光現象を示す物質をリ
ン光体と称する。
とは公知である。Ｘ線の影響で発光現象を示す物質をリ
ン光体と称する。
【０００３】古典的な放射線写真法によれば、ハロゲン
化銀エマルジョンフィルムは、バインダー層に分布され
ていて、そのフィルムがＸ線による直接露光に対してよ
りも遥かにより敏感である蛍光にＸ線を変換するように
する微粒状リン光体を含む増感スクリーンと称されるシ
ート状要素と結合されている。
化銀エマルジョンフィルムは、バインダー層に分布され
ていて、そのフィルムがＸ線による直接露光に対してよ
りも遥かにより敏感である蛍光にＸ線を変換するように
する微粒状リン光体を含む増感スクリーンと称されるシ
ート状要素と結合されている。
【０００４】前記スクリーンに使用されるリン光体はＸ
線照射に際し、即発放出性を有しているが、Ｘ線照射を
遮断した後は、感知できる程の長時間放出は示さない筈
である。
線照射に際し、即発放出性を有しているが、Ｘ線照射を
遮断した後は、感知できる程の長時間放出は示さない筈
である。
【０００５】例えば、ＵＳ−Ｐ３８５９５２７や４２５
８２６４に開示されたＸ線パターン記録及び再現の他の
方法によれば、光刺戟性リン光体として公知の特殊な型
のリン光体が使用されており、これはあるパネル内に組
み込まれていて、入射パターンに従って変調されたＸ線
に露光されかつ、その結果、Ｘ線放射パターンから由来
するエネルギーをその中に一時的に蓄える。Ｘ線露光
後、しばらく間隔をおいて、可視または赤外線ビームが
パネルを走査して、貯蔵エネルギーを刺戟して光として
放出させ、この光は検知されかつ、可視画像を生じるよ
うに処理できる逐次電気信号に変換される。このため
に、刺戟可能リン光体は可及的多量の入射Ｘ線エネルギ
ーを貯蔵しかつ、走査ビームによって刺戟されるまで、
貯蔵されたエネルギーを可及的ゆるやかに放出すべきで
ある。換言すれば、リン光体のエネルギー貯蔵能力は高
くかつ、暗失活はゆるやかでなくてはならない。更にこ
の他、光刺戟の際の貯蔵エネルギーの放出は有効に進行
すべきであり、すなわち、貯蔵エネルギーの殆どすべて
が、適当な読取り時間内で、刺戟光の波長域から十分に
はずれた波長域を有する刺戟光として放出されるべきで
ある。実際上は、刺戟性リン光体は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ー（６３３ｎｍ）、ルビーレーザー（６９４ｎｍ）、周
波数二重ネオジウム、イットリウムアルミニウムガーネ
ットレーザー（５３２ｎｍ）またはアルゴンイオンレー
ザー（５１４．５ｎｍ）が放射される５００〜７００ｎ
ｍといった波長域において刺戟光に対する感度が高くな
くてはならない。これらの市販のレーザーの中で、アル
ゴンイオンレーザーは最も張力でありかつ、逐次露光
（走査）において、読取り時間を短縮する可能性を提供
する。
８２６４に開示されたＸ線パターン記録及び再現の他の
方法によれば、光刺戟性リン光体として公知の特殊な型
のリン光体が使用されており、これはあるパネル内に組
み込まれていて、入射パターンに従って変調されたＸ線
に露光されかつ、その結果、Ｘ線放射パターンから由来
するエネルギーをその中に一時的に蓄える。Ｘ線露光
後、しばらく間隔をおいて、可視または赤外線ビームが
パネルを走査して、貯蔵エネルギーを刺戟して光として
放出させ、この光は検知されかつ、可視画像を生じるよ
うに処理できる逐次電気信号に変換される。このため
に、刺戟可能リン光体は可及的多量の入射Ｘ線エネルギ
ーを貯蔵しかつ、走査ビームによって刺戟されるまで、
貯蔵されたエネルギーを可及的ゆるやかに放出すべきで
ある。換言すれば、リン光体のエネルギー貯蔵能力は高
くかつ、暗失活はゆるやかでなくてはならない。更にこ
の他、光刺戟の際の貯蔵エネルギーの放出は有効に進行
すべきであり、すなわち、貯蔵エネルギーの殆どすべて
が、適当な読取り時間内で、刺戟光の波長域から十分に
はずれた波長域を有する刺戟光として放出されるべきで
ある。実際上は、刺戟性リン光体は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ー（６３３ｎｍ）、ルビーレーザー（６９４ｎｍ）、周
波数二重ネオジウム、イットリウムアルミニウムガーネ
ットレーザー（５３２ｎｍ）またはアルゴンイオンレー
ザー（５１４．５ｎｍ）が放射される５００〜７００ｎ
ｍといった波長域において刺戟光に対する感度が高くな
くてはならない。これらの市販のレーザーの中で、アル
ゴンイオンレーザーは最も張力でありかつ、逐次露光
（走査）において、読取り時間を短縮する可能性を提供
する。
【０００６】リン光体の刺戟によって放出する光を、刺
戟光と称するが、その存在する波長域は好ましくは３０
０ないし５００ｎｍであり、この区域では光電子増倍管
の量子効率は高く（ ref. the periodical Radiology
, １９８３年９月号ｐ．８３４参照）かつ、刺戟光は
適当なある遮断フィルタによって刺戟光から効果的に分
離することができる。
戟光と称するが、その存在する波長域は好ましくは３０
０ないし５００ｎｍであり、この区域では光電子増倍管
の量子効率は高く（ ref. the periodical Radiology
, １９８３年９月号ｐ．８３４参照）かつ、刺戟光は
適当なある遮断フィルタによって刺戟光から効果的に分
離することができる。
【０００７】上記の定期刊行物に記載されているよう
に、刺戟性リン光体を含む画像プレートを反復使用し
て、単にこれに光を溢汪させて、これに含まれる残留エ
ネルギーを消すようにしてＸ線像を記憶させることがで
きる。
に、刺戟性リン光体を含む画像プレートを反復使用し
て、単にこれに光を溢汪させて、これに含まれる残留エ
ネルギーを消すようにしてＸ線像を記憶させることがで
きる。
【０００８】実用的なリン光体にとって重要なもう一つ
の特性はその化学的安定性であり、更に詳しくはその耐
湿性であり、つまり、吸湿性リン光体は、湿ってくると
発光力を失うことになるからである。
の特性はその化学的安定性であり、更に詳しくはその耐
湿性であり、つまり、吸湿性リン光体は、湿ってくると
発光力を失うことになるからである。
【０００９】ＵＳ−Ｐ４５８７０３６から分るように、
ある種のユーロピウムドーピングによるアルカリ土類ハ
ロゲン化フッ素（ＥＰ第００２１３４２号記載）は湿気
に敏感で、湿気によりそれらの蛍光力は低下する。
ある種のユーロピウムドーピングによるアルカリ土類ハ
ロゲン化フッ素（ＥＰ第００２１３４２号記載）は湿気
に敏感で、湿気によりそれらの蛍光力は低下する。
【００１０】公開された欧州特許出願第０３０４１２１
号には、Ｅｕ2+ 及び／またはＣｅ3+でドープした（活
性化した）ハロシリケートについて記載されているが、
これらは湿気に対して特に強くかつ、５１４．５ｎｍの
アルゴンイオンレーザー光による刺戟の場合、貯蔵され
たＸ線エネルギーの可視刺戟光への変換効率が高い。
号には、Ｅｕ2+ 及び／またはＣｅ3+でドープした（活
性化した）ハロシリケートについて記載されているが、
これらは湿気に対して特に強くかつ、５１４．５ｎｍの
アルゴンイオンレーザー光による刺戟の場合、貯蔵され
たＸ線エネルギーの可視刺戟光への変換効率が高い。
【００１１】ＵＳ−Ｐ５０３４６０７には、Ｅｕ2+また
はＣｅ3+でドープした（活性化した）ハロゲルマネート
と選択的にＮａ+ ，Ｋ+ またはＬｉ+ で共ドープしたハ
ロ（シリケート−ゲルマネート）リン光体について記載
されているが、これらは湿気に対して特別に強くかつ、
波長域が６００ｎｍ以上の光による刺戟の場合、したが
って、６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光の場合、貯蔵
Ｘ線エネルギーの可視刺戟光への変換効率が高い。
はＣｅ3+でドープした（活性化した）ハロゲルマネート
と選択的にＮａ+ ，Ｋ+ またはＬｉ+ で共ドープしたハ
ロ（シリケート−ゲルマネート）リン光体について記載
されているが、これらは湿気に対して特別に強くかつ、
波長域が６００ｎｍ以上の光による刺戟の場合、したが
って、６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光の場合、貯蔵
Ｘ線エネルギーの可視刺戟光への変換効率が高い。
【００１２】周知のように、殆どのリン光体には、その
実験式構造中に１種またはそれ以上のホスト金属と１種
のドープ剤すなわち活性剤が１種または数種の共ドープ
剤と混合して含まれている。このホスト金属は、リン光
体にＸ線阻止力を与えかつ、ドープ剤及び共ドープ剤と
協力してそのエネルギー貯蔵能力を決定する。蛍光放出
スペクトルと、刺戟時の吸収されたＸ線エネルギーの放
出蛍光への変換効率が決定されるのは主として、ドープ
剤と、選択的に存在する共ドープ剤によるものである。
実験式構造中に１種またはそれ以上のホスト金属と１種
のドープ剤すなわち活性剤が１種または数種の共ドープ
剤と混合して含まれている。このホスト金属は、リン光
体にＸ線阻止力を与えかつ、ドープ剤及び共ドープ剤と
協力してそのエネルギー貯蔵能力を決定する。蛍光放出
スペクトルと、刺戟時の吸収されたＸ線エネルギーの放
出蛍光への変換効率が決定されるのは主として、ドープ
剤と、選択的に存在する共ドープ剤によるものである。
【００１３】本発明の一つの目的は、貯蔵されたＸ線エ
ネルギーの刺戟による放出によるＸ線像の記録と再現の
過程における光刺戟性リン光体として特に有用な新しい
ハロシリケートを提供することである。
ネルギーの刺戟による放出によるＸ線像の記録と再現の
過程における光刺戟性リン光体として特に有用な新しい
ハロシリケートを提供することである。
【００１４】更に詳しくは、本発明の一つの目的は、非
吸湿性であって、かつ、波長が４８０ないし７００ｎｍ
の範囲の刺戟光により、従って、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
（６３３ｎｍ）、５１４．５ｎｍで放出されるアルゴン
イオンレーザー光及び／または波長数二重（５３２ｎ
ｍ）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光の刺戟光によって、効率よ
く放出することのできる吸収Ｘ線エネルギーの極めてゆ
るやかな暗失活を示す新ハロシリケート化合物を提供す
ることである。
吸湿性であって、かつ、波長が４８０ないし７００ｎｍ
の範囲の刺戟光により、従って、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光
（６３３ｎｍ）、５１４．５ｎｍで放出されるアルゴン
イオンレーザー光及び／または波長数二重（５３２ｎ
ｍ）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光の刺戟光によって、効率よ
く放出することのできる吸収Ｘ線エネルギーの極めてゆ
るやかな暗失活を示す新ハロシリケート化合物を提供す
ることである。
【００１５】本発明のもう一つの目的は、バインダー層
に分散された前記新リン光体を含むＸ線スクリーンまた
はパネルを提供することである。
に分散された前記新リン光体を含むＸ線スクリーンまた
はパネルを提供することである。
【００１６】本発明の更にもう一つの目的は、Ｘ線放射
線中に含まれるエネルギーを貯蔵するために前記新リン
光体が使用されかつ、前記エネルギーが、検出される蛍
光として光刺戟によって再び解放されるＸ線放射線のパ
ターンを記録し再現する方法を提供することである。
線中に含まれるエネルギーを貯蔵するために前記新リン
光体が使用されかつ、前記エネルギーが、検出される蛍
光として光刺戟によって再び解放されるＸ線放射線のパ
ターンを記録し再現する方法を提供することである。
【００１７】本発明のその他の目的と特長は下記の説明
から明かになるだろう。
から明かになるだろう。
【００１８】本発明によれば、光刺戟性Ｘ線エネルギー
吸収性ハロシリケートリン光体が提供されるが、その特
徴は、前記リン光体がホスト金属として少なくとも１種
のアルカリ土類金属を、ハロゲンとして、Ｃｌ，Ｂｒ，
及びＩからなる群から選択した１員を、ドープ剤として
Ｅｕ2+ をかつ共ドープ剤としてリチウムを含むことに
ある。
吸収性ハロシリケートリン光体が提供されるが、その特
徴は、前記リン光体がホスト金属として少なくとも１種
のアルカリ土類金属を、ハロゲンとして、Ｃｌ，Ｂｒ，
及びＩからなる群から選択した１員を、ドープ剤として
Ｅｕ2+ をかつ共ドープ剤としてリチウムを含むことに
ある。
【００１９】「シリケート」という用語は、けい素と酸
素からなるアニオンを含む化学化合物に適用される。
素からなるアニオンを含む化学化合物に適用される。
【００２０】本発明による特に有用なリン光体にはホス
ト金属として、Ｂａ，Ｓｒ及びＣａからなる群から選択
した少なくとも１種類のアルカリ土類金属が含まれてい
る。
ト金属として、Ｂａ，Ｓｒ及びＣａからなる群から選択
した少なくとも１種類のアルカリ土類金属が含まれてい
る。
【００２１】本発明による好ましいリン光体は次の実験
式： Ba5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z の範囲内にあり、式中Ｚはストロンチウムとカルシウム
からなる群から選択した少なくとも１種の共ホスト金属
であり、ｑは０ないし０．５の範囲内にあり、Ｘは臭素
及び／または塩素であり、ｎは０．０００１ないし０．
１５の範囲にあり、ｐは０ないし０．０１５の範囲にあ
り、ＤはＮａ+ ，Ｋ+ 及び、稀土類金属イオンでＥｕ2+
及びＣｅ3+以外のもの、例えばＹ3+からなる群から選択
した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｍは１または
３であり、また、ｚは２×１０-5ないし２×１０-1の範
囲にある。
式： Ba5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z の範囲内にあり、式中Ｚはストロンチウムとカルシウム
からなる群から選択した少なくとも１種の共ホスト金属
であり、ｑは０ないし０．５の範囲内にあり、Ｘは臭素
及び／または塩素であり、ｎは０．０００１ないし０．
１５の範囲にあり、ｐは０ないし０．０１５の範囲にあ
り、ＤはＮａ+ ，Ｋ+ 及び、稀土類金属イオンでＥｕ2+
及びＣｅ3+以外のもの、例えばＹ3+からなる群から選択
した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｍは１または
３であり、また、ｚは２×１０-5ないし２×１０-1の範
囲にある。
【００２２】本発明による他のリン光体は次の実験式： Sr5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z の範囲内にあり、式中、Ｚはバリウムとカルシウムから
なる群から選択した共ホスト金属の少なくとも１種であ
り、ｑは０ないし０．５の範囲にあり、Ｘは臭素及び／
または塩素であるが、しかし臭素が好ましく、ｎは０．
０００１ないし０．１５の範囲にあり、ｐは０ないし
０．０１５の範囲にあり、ＤはＮａ+ ，Ｋ+と、稀土類
金属イオンであるがＥｕ2+とＣｅ3+以外のもの例えばＹ
3+とからなる群から選択した少なくとも１種の共ドープ
剤であり、ｍは１または３であり、そして、ｚは２×１
０-5ないし２×１０-1の範囲にある。
なる群から選択した共ホスト金属の少なくとも１種であ
り、ｑは０ないし０．５の範囲にあり、Ｘは臭素及び／
または塩素であるが、しかし臭素が好ましく、ｎは０．
０００１ないし０．１５の範囲にあり、ｐは０ないし
０．０１５の範囲にあり、ＤはＮａ+ ，Ｋ+と、稀土類
金属イオンであるがＥｕ2+とＣｅ3+以外のもの例えばＹ
3+とからなる群から選択した少なくとも１種の共ドープ
剤であり、ｍは１または３であり、そして、ｚは２×１
０-5ないし２×１０-1の範囲にある。
【００２３】光刺戟によるＸ線像再現に特に有用な、本
発明によるリン光体は実験式(I) または(II)： (I) Ba5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z (II) Sr5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z の一つの範囲内にあり、式中Ｘは臭素及び／または塩素
であり、ｎは０．０００１ないし０．１５の範囲にあ
り、ｐは０ないし〜０．０１５の範囲にあり、ＤはＮａ
+ ，Ｋ+ 及び稀土類金属イオンでＥｕ2+及びＣｅ3+以外
のもの例えばＹ3+からなる群から選択した少なくとも１
種の共ドープ剤であり、ｍは１または３であり、そし
て、ｚは２×１０-5ないし２×１０-1の範囲にある。
発明によるリン光体は実験式(I) または(II)： (I) Ba5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z (II) Sr5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z の一つの範囲内にあり、式中Ｘは臭素及び／または塩素
であり、ｎは０．０００１ないし０．１５の範囲にあ
り、ｐは０ないし〜０．０１５の範囲にあり、ＤはＮａ
+ ，Ｋ+ 及び稀土類金属イオンでＥｕ2+及びＣｅ3+以外
のもの例えばＹ3+からなる群から選択した少なくとも１
種の共ドープ剤であり、ｍは１または３であり、そし
て、ｚは２×１０-5ないし２×１０-1の範囲にある。
【００２４】本発明による特に好ましい光刺戟性リン光
体は実験式(III) または(IV)： (III) Ba5-nSiO4X6 ， Eu2+ n ，Li2z (IV) Sr5-nSiO4Br6， Eu2+ n ，Li2z の一つの範囲内にあり、式中ｎは０．０００１ないし
０．１５の範囲にあり、Ｘは臭素及び／または塩素であ
り、そして、ｚは２×１０-5ないし〜２×１０-1の範囲
内にある。
体は実験式(III) または(IV)： (III) Ba5-nSiO4X6 ， Eu2+ n ，Li2z (IV) Sr5-nSiO4Br6， Eu2+ n ，Li2z の一つの範囲内にあり、式中ｎは０．０００１ないし
０．１５の範囲にあり、Ｘは臭素及び／または塩素であ
り、そして、ｚは２×１０-5ないし〜２×１０-1の範囲
内にある。
【００２５】本発明による光刺戟性リン光体はホスト金
属ハロゲン化化合物の（一つ）及び、熱分解により酸化
物にすることのできるホスト金属化合物の（一つ）、例
えば炭酸塩と混合したＥｕ2 Ｏ3 またはＥｕＦ3 を、Ｓ
ｉＯ2 （シリカ）と混合して、温度４５０ないし１１０
０℃で、せいぜい４０時間、少なくとも１回焼成するこ
とによって調製することができる。Ｅｕ2 Ｏ3 はハロゲ
ン化物及び／または他の共ドープ剤の酸化物、例えばＹ
2 Ｏ3 及び／またはＹＦ3 と焼成段階で混合して、使用
することができる。ＬｉＯＨ，Ｌｉ2 ＣＯ3 ，ＬｉＦ，
ＬｉＣｌ，ＬｉＢｒまたはＬｉＩのようなリチウム化合
物を添加するに当っては、少なくともその一部分が、上
記のリン光体の他の構成要素の生の混合物の最初の加熱
後に存在しているようにする。
属ハロゲン化化合物の（一つ）及び、熱分解により酸化
物にすることのできるホスト金属化合物の（一つ）、例
えば炭酸塩と混合したＥｕ2 Ｏ3 またはＥｕＦ3 を、Ｓ
ｉＯ2 （シリカ）と混合して、温度４５０ないし１１０
０℃で、せいぜい４０時間、少なくとも１回焼成するこ
とによって調製することができる。Ｅｕ2 Ｏ3 はハロゲ
ン化物及び／または他の共ドープ剤の酸化物、例えばＹ
2 Ｏ3 及び／またはＹＦ3 と焼成段階で混合して、使用
することができる。ＬｉＯＨ，Ｌｉ2 ＣＯ3 ，ＬｉＦ，
ＬｉＣｌ，ＬｉＢｒまたはＬｉＩのようなリチウム化合
物を添加するに当っては、少なくともその一部分が、上
記のリン光体の他の構成要素の生の混合物の最初の加熱
後に存在しているようにする。
【００２６】生混合物はＮ2 雰囲気において、４５０な
いし１０００℃の温度で最初の焼成を行う。最初の焼成
に次いで、リチウム化合物を、焼成し破砕した製品と混
合し、好ましくは数段階に分けて、還元性雰囲気で、５
００ないし１０００℃の温度で焼成を反復する。
いし１０００℃の温度で最初の焼成を行う。最初の焼成
に次いで、リチウム化合物を、焼成し破砕した製品と混
合し、好ましくは数段階に分けて、還元性雰囲気で、５
００ないし１０００℃の温度で焼成を反復する。
【００２７】本発明によれば、Ｘ線像を記録し再現する
方法が提供されるが、この方法は次の工程からなる： (1) 光刺戟性リン光体を像に従ってＸ線に露光する。 (2) 前記リン光体を可視光と赤外線から選択した刺戟性
の電磁放射線で光刺戟を行い、光刺戟で使用する放射線
とは波長特性が異なる電磁放射線を吸収Ｘ線に従って、
前記リン光体から放出するようにし、かつ、 (3) 段階(2) で加えられる光刺戟によって放出される光
を検知するが、その特徴は、前記リン光体が、上に定義
したように、リチウムドープしたハロシリケートリン光
体であることである。
方法が提供されるが、この方法は次の工程からなる： (1) 光刺戟性リン光体を像に従ってＸ線に露光する。 (2) 前記リン光体を可視光と赤外線から選択した刺戟性
の電磁放射線で光刺戟を行い、光刺戟で使用する放射線
とは波長特性が異なる電磁放射線を吸収Ｘ線に従って、
前記リン光体から放出するようにし、かつ、 (3) 段階(2) で加えられる光刺戟によって放出される光
を検知するが、その特徴は、前記リン光体が、上に定義
したように、リチウムドープしたハロシリケートリン光
体であることである。
【００２８】光刺戟は可視光、例えば波長域が４８０な
いし７００ｎｍのレーザー光で実施するのが好ましい。
好ましくは、光刺戟は、６３３ｎｍで放出するＨｅ−Ｎ
ｅレーザー、５１４．５ｎｍで放出するアルゴンイオン
レーザーまたは周波数二重Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの５３
２ｎｍのレーザー光の走査レーザービームで実施する。
いし７００ｎｍのレーザー光で実施するのが好ましい。
好ましくは、光刺戟は、６３３ｎｍで放出するＨｅ−Ｎ
ｅレーザー、５１４．５ｎｍで放出するアルゴンイオン
レーザーまたは周波数二重Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの５３
２ｎｍのレーザー光の走査レーザービームで実施する。
【００２９】実用的な実施態様では、光刺戟で放出され
る光を検知する以前に、刺戟光は、光刺戟の際放出され
る光に対して透過率が高い１基または数基の光学フィル
ターで濾光する。
る光を検知する以前に、刺戟光は、光刺戟の際放出され
る光に対して透過率が高い１基または数基の光学フィル
ターで濾光する。
【００３０】光刺戟で放出される光は、光エネルギーを
電気エネルギーに変換する変換器、例えば、計数化し、
記憶することのできる逐次電気信号を提供する光電管
（光電子増倍管）で検出するのが好ましい。これらの信
号は記憶した後、計数処理を施すことができる。デジタ
ル処理に含まれるものとしては、例えば、画像コントラ
スト強化、空間周波数増大、画像控除、画像追加及び特
定画像部分の輪郭決定がある。
電気エネルギーに変換する変換器、例えば、計数化し、
記憶することのできる逐次電気信号を提供する光電管
（光電子増倍管）で検出するのが好ましい。これらの信
号は記憶した後、計数処理を施すことができる。デジタ
ル処理に含まれるものとしては、例えば、画像コントラ
スト強化、空間周波数増大、画像控除、画像追加及び特
定画像部分の輪郭決定がある。
【００３１】記録されたＸ線画像の再現のための一つの
実施態様によれば、選択的に処理したデジタル信号はア
ナログ信号に変換され、これは、例えば音響光学的変調
器で、書込みレーザービームを変調するのに使用され
る。次に変調されたレーザー光線を使用して写真材料、
例えば、選択的に画像処理状態にあるＸ線像が上に再現
されるハロゲン化銀エマルジョンフィルムを走査する。
これに使用する前記実施態様と装置については例えば p
eriodical Radiology, １９８３年９月号ｐ．８３３〜
８３８を参照されたい。
実施態様によれば、選択的に処理したデジタル信号はア
ナログ信号に変換され、これは、例えば音響光学的変調
器で、書込みレーザービームを変調するのに使用され
る。次に変調されたレーザー光線を使用して写真材料、
例えば、選択的に画像処理状態にあるＸ線像が上に再現
されるハロゲン化銀エマルジョンフィルムを走査する。
これに使用する前記実施態様と装置については例えば p
eriodical Radiology, １９８３年９月号ｐ．８３３〜
８３８を参照されたい。
【００３２】別の実施態様によれば、光刺戟によって求
めた光によって、対応する電気信号のアナログ−デジタ
ル変換によって得られたデジタル信号は陰極線管上に表
示される。表示する前に、信号はコンピューター処理し
てもよい。従来の画像処理技術を適用して、画像の信号
対ノイズ比を改善し、そして、放射線写真の粗または細
の画像特色について画像品質を向上させることができ
る。
めた光によって、対応する電気信号のアナログ−デジタ
ル変換によって得られたデジタル信号は陰極線管上に表
示される。表示する前に、信号はコンピューター処理し
てもよい。従来の画像処理技術を適用して、画像の信号
対ノイズ比を改善し、そして、放射線写真の粗または細
の画像特色について画像品質を向上させることができ
る。
【００３３】本発明による前記方法に使用するために
は、光刺戟性リン光体は、好ましくはあるバインダー層
に分散した状態で適用されるが、このバインダー層は支
持してもよければ自己支持体であってもよく、またＸ線
像記憶パネルと称するスクリーンすなわちパネルを形成
している。
は、光刺戟性リン光体は、好ましくはあるバインダー層
に分散した状態で適用されるが、このバインダー層は支
持してもよければ自己支持体であってもよく、またＸ線
像記憶パネルと称するスクリーンすなわちパネルを形成
している。
【００３４】前記リン光体を分散状態で混入しているバ
インダー層を形成するための適当なバインダーはフィル
ム形成有機ポリマー、例えばブチル酸酢酸セルローズ、
（メタ）アクリル酸ポリアルキル、例えばポリ（メタク
リル酸メチル）、ポリビニル−ｎ−ブチラル例えば、合
衆国特許明細書３０４３７１０に記載されているように
コポリ（酢酸ビニル／塩化ビニル）及びコポリ（アクリ
ロニトリル／ブタジエン／スチレン）またはコポリ（塩
化ビニル／酢酸ビニル／ビニルアルコール）またはこれ
らの混合物である。
インダー層を形成するための適当なバインダーはフィル
ム形成有機ポリマー、例えばブチル酸酢酸セルローズ、
（メタ）アクリル酸ポリアルキル、例えばポリ（メタク
リル酸メチル）、ポリビニル−ｎ−ブチラル例えば、合
衆国特許明細書３０４３７１０に記載されているように
コポリ（酢酸ビニル／塩化ビニル）及びコポリ（アクリ
ロニトリル／ブタジエン／スチレン）またはコポリ（塩
化ビニル／酢酸ビニル／ビニルアルコール）またはこれ
らの混合物である。
【００３５】好ましいのは、最低量のバインダーを使用
して、高いＸ線エネルギーの吸収を得ることである。し
かし、極めて少量の結合剤では、得られる層が脆弱にす
ぎるという結果になりかねないし、したがって、一つの
妥協を実施せねばならない。リン光体の掩蔽範囲は３０
０ないし１５００ｇ／ｍ2 であることが好ましい。
して、高いＸ線エネルギーの吸収を得ることである。し
かし、極めて少量の結合剤では、得られる層が脆弱にす
ぎるという結果になりかねないし、したがって、一つの
妥協を実施せねばならない。リン光体の掩蔽範囲は３０
０ないし１５００ｇ／ｍ2 であることが好ましい。
【００３６】一つの好ましい実施態様によれば、リン光
体層は一つの支持シート上に支持された層として使用さ
れる。適当な支持材料はフィルムを形成する有機樹脂、
例えば、テレフタル酸ポリエチレンで構成されるが、し
かし、紙の支持体や厚紙であって、選択的に、アルファ
オレフィン樹脂層のような樹脂層で被覆したものも格別
に有用である。ガラスや金属の支持体も使用することが
できる。リン光体層の厚さは、０．０５ないし０．５ｍ
ｍの範囲にあるのが好ましい。
体層は一つの支持シート上に支持された層として使用さ
れる。適当な支持材料はフィルムを形成する有機樹脂、
例えば、テレフタル酸ポリエチレンで構成されるが、し
かし、紙の支持体や厚紙であって、選択的に、アルファ
オレフィン樹脂層のような樹脂層で被覆したものも格別
に有用である。ガラスや金属の支持体も使用することが
できる。リン光体層の厚さは、０．０５ないし０．５ｍ
ｍの範囲にあるのが好ましい。
【００３７】光刺戟性リン光体スクリーンの調製のため
リン光体粒子はバインダー溶液に密に分散され、次に、
支持体に被覆しそして乾かす。本リン光体バインダー層
の被覆は、任意の普通の方法、例えば、スプレー、浸漬
被覆またはドクターブレード被覆によって実施すること
ができる。被覆の後、被覆混合物の溶剤（複数）は蒸
発、例えば、熱風流（６０℃）中で乾かして除去する。
リン光体粒子はバインダー溶液に密に分散され、次に、
支持体に被覆しそして乾かす。本リン光体バインダー層
の被覆は、任意の普通の方法、例えば、スプレー、浸漬
被覆またはドクターブレード被覆によって実施すること
ができる。被覆の後、被覆混合物の溶剤（複数）は蒸
発、例えば、熱風流（６０℃）中で乾かして除去する。
【００３８】超音波処理を利用して詰込み密度を改善し
かつ、リン光体−バインダーの複合体の脱気を実施する
ことができる。保護被覆を選択的に利用する前に、リン
光体−バインダー層はロールかけして、詰込み密度を改
善してもよい（すなわち、乾燥被覆ｃｍ3 あたりのリン
光体のグラム数）。
かつ、リン光体−バインダーの複合体の脱気を実施する
ことができる。保護被覆を選択的に利用する前に、リン
光体−バインダー層はロールかけして、詰込み密度を改
善してもよい（すなわち、乾燥被覆ｃｍ3 あたりのリン
光体のグラム数）。
【００３９】選択的には、一つの光反射層をリン光体含
有層とその支持体の間に設けて、光刺戟により放出され
る光の出力を増加させるようにする。このような光反射
層には、バインダー中に分散させた白色顔料粒子、例え
ば酸化チタン粒子が含まれていてもよく、あるいは、こ
の層は蒸着金属層、例えばアルミニウム層で構成されて
いてもよく。あるいは、刺戟性放射線を吸収するが、し
かし、例えばＵＳ−Ｐ４３８０７０２に記載のように放
出光を反射する着色顔料層であってもよい。
有層とその支持体の間に設けて、光刺戟により放出され
る光の出力を増加させるようにする。このような光反射
層には、バインダー中に分散させた白色顔料粒子、例え
ば酸化チタン粒子が含まれていてもよく、あるいは、こ
の層は蒸着金属層、例えばアルミニウム層で構成されて
いてもよく。あるいは、刺戟性放射線を吸収するが、し
かし、例えばＵＳ−Ｐ４３８０７０２に記載のように放
出光を反射する着色顔料層であってもよい。
【００４０】選択的には、ある光吸収層をリン光体含有
層とその支持体の間、またはその支持体自体内に設けて
リン光体含有層と支持体の界面における光の反射を防止
し、かつ、これにより光刺戟性リン光体スクリーンの分
離能を向上せしめるようにする。
層とその支持体の間、またはその支持体自体内に設けて
リン光体含有層と支持体の界面における光の反射を防止
し、かつ、これにより光刺戟性リン光体スクリーンの分
離能を向上せしめるようにする。
【００４１】工業用放射線写真法、例えば、金属物体の
非破壊試験（ＮＤＴ）に応用される方法では、医療用Ｘ
線利用よりも多くのエネルギーの高いＸ線とガンマ線が
使用されるが、金属部分の原子番号が４６ないし８３
（ＵＳ−Ｐ３８７２３０９参照）である金属層または金
属支持体と、Ｘ線増感スクリーン中の蛍光リン光体層と
を組合せることが有利であることが判明した。金属層ま
たは支持体は、工業用Ｘ線装置によって放出される極め
て高エネルギーのＸ線とガンマー線よりも高い効率で隣
接リン光体層に吸収される低エネルギーの二次Ｘ線と光
電子の放出体として働く。この種のスクリーン構造体を
工業用刺戟性放射性写真に応用すると、貯蔵用リン光体
層にはより多くのエネルギーが堆積し、したがって、次
後、光刺戟によってより多くのエネルギーを解放するこ
とができる。
非破壊試験（ＮＤＴ）に応用される方法では、医療用Ｘ
線利用よりも多くのエネルギーの高いＸ線とガンマ線が
使用されるが、金属部分の原子番号が４６ないし８３
（ＵＳ−Ｐ３８７２３０９参照）である金属層または金
属支持体と、Ｘ線増感スクリーン中の蛍光リン光体層と
を組合せることが有利であることが判明した。金属層ま
たは支持体は、工業用Ｘ線装置によって放出される極め
て高エネルギーのＸ線とガンマー線よりも高い効率で隣
接リン光体層に吸収される低エネルギーの二次Ｘ線と光
電子の放出体として働く。この種のスクリーン構造体を
工業用刺戟性放射性写真に応用すると、貯蔵用リン光体
層にはより多くのエネルギーが堆積し、したがって、次
後、光刺戟によってより多くのエネルギーを解放するこ
とができる。
【００４２】本発明によるハロシリケートリン光体を含
むリン光体スクリーンについて、それらの光−物理的特
性の確認のため幾つかの測定を実施した。
むリン光体スクリーンについて、それらの光−物理的特
性の確認のため幾つかの測定を実施した。
【００４３】最初の測定において、Ｘ線励起のもとでの
リン光体の“即発”放出スペクトルを測定する。測定は
分光蛍光計で実施するが、この場合、Ｘ線照射による励
起は、１１０ｋＶｐで操作するＸ線源で実施する。連続
的にＸ線励起を行う際、放出光は光電子増倍管に結合し
た単色光器で走査する。この放出スペクトルは光刺戟の
際に得られるものと同様であり、かつ、刺戟光から蛍光
放出光を分離するのにはどのフィルターを用いるべきか
を判定するのに利用される。以後に説明する各測定で
は、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを使用して、本リン光体を刺戟
することとする。Ｈｅ−Ｎｅレーザーの刺戟光を刺戟の
際に放出される蛍光から分離するために、５ｍｍ ＨＯ
ＹＡ Ｂ３９０フィルターを使用するが、その透過スペ
クトルについては日本、東京、ＨＯＹＡ（株）発行のＨ
ＯＹＡカラーフィルターガラスカタログＮｒ．８５０３
Ｅに記載されている。前記フィルターは蛍光放出光も一
部吸収するので、全放出力を知るために一つの減衰係数
を決定した。
リン光体の“即発”放出スペクトルを測定する。測定は
分光蛍光計で実施するが、この場合、Ｘ線照射による励
起は、１１０ｋＶｐで操作するＸ線源で実施する。連続
的にＸ線励起を行う際、放出光は光電子増倍管に結合し
た単色光器で走査する。この放出スペクトルは光刺戟の
際に得られるものと同様であり、かつ、刺戟光から蛍光
放出光を分離するのにはどのフィルターを用いるべきか
を判定するのに利用される。以後に説明する各測定で
は、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを使用して、本リン光体を刺戟
することとする。Ｈｅ−Ｎｅレーザーの刺戟光を刺戟の
際に放出される蛍光から分離するために、５ｍｍ ＨＯ
ＹＡ Ｂ３９０フィルターを使用するが、その透過スペ
クトルについては日本、東京、ＨＯＹＡ（株）発行のＨ
ＯＹＡカラーフィルターガラスカタログＮｒ．８５０３
Ｅに記載されている。前記フィルターは蛍光放出光も一
部吸収するので、全放出力を知るために一つの減衰係数
を決定した。
【００４４】第二の測定では、与えられたＸ線線量への
露光の際、貯蔵された全光刺戟性エネルギー（Ｅ0 ）を
確認する。Ｘ線励起に先立って、リン光体スクリーンに
尚存在している残留エネルギーを照射により除去する。
消去時の光励起を回避するため、４３５ｎｍ以下の全波
長を除去するカットフィルターＳＣＨＯＴＴ ＧＧ４３
５を光刺戟性光を放出するランプと、リン光体スクリー
ンの間に配置する。リン光体スクリーンを次に、８５ｋ
Ｖｐ及び２０ｍＡで操作するＸ線源で励起する。この目
的のため、西独のジーメンス社のＭＯＮＯＤＯＲ Ｘ線
源を使用してよろしい。低エネルギーＸ線は２１ｍｍ厚
さのアルミプレートで濾過して取去り、Ｘ線スペクトル
を硬化する。Ｘ線励起の後、リン光体スクリーンは暗い
中を測定装置へ移す。この装置で、レーザー光を使用し
て、Ｘ線を照射したリン光体スクリーンを光刺戟する。
このような測定に使用するレーザーはＨｅ−Ｎｅ（６３
３ｎｍ）レーザーである。
露光の際、貯蔵された全光刺戟性エネルギー（Ｅ0 ）を
確認する。Ｘ線励起に先立って、リン光体スクリーンに
尚存在している残留エネルギーを照射により除去する。
消去時の光励起を回避するため、４３５ｎｍ以下の全波
長を除去するカットフィルターＳＣＨＯＴＴ ＧＧ４３
５を光刺戟性光を放出するランプと、リン光体スクリー
ンの間に配置する。リン光体スクリーンを次に、８５ｋ
Ｖｐ及び２０ｍＡで操作するＸ線源で励起する。この目
的のため、西独のジーメンス社のＭＯＮＯＤＯＲ Ｘ線
源を使用してよろしい。低エネルギーＸ線は２１ｍｍ厚
さのアルミプレートで濾過して取去り、Ｘ線スペクトル
を硬化する。Ｘ線励起の後、リン光体スクリーンは暗い
中を測定装置へ移す。この装置で、レーザー光を使用し
て、Ｘ線を照射したリン光体スクリーンを光刺戟する。
このような測定に使用するレーザーはＨｅ−Ｎｅ（６３
３ｎｍ）レーザーである。
【００４５】レーザー光学装置に含まれるものは電子シ
ャッター、ビーム拡大器及び２基のフィルターである。
光電子増倍管（ Hamamatsu R ２１３９８）が光刺戟に
よって放出された光を集め、そして、相当する電流を出
す。測定手順はＨＰ６９４４多重プログラマーに接続さ
れた Hewlett Packard ＨＰ９８２６コンピューター
で制御する。ある電流−電圧変換器で増幅した後、ＴＥ
ＫＴＲＯＮＩＸ ７Ｄ２０デジタルオシロスコープに、
得られた光電流が現れる。電子シャッターが開くと、レ
ーザービームはリン光体スクリーンを刺戟し、そして、
デジタルオシロスコープがスタートする。リン光体スク
リーンと接触して置かれたピンホールを用いてリン光体
スクリーンの僅か７ｍｍ2 だけの面積が露光される。レ
ーザー力（２２ｍＷ）の僅か３／４がスクーリン表面に
到達する。このようにして、刺戟ビームの強さは更に均
一となる。赤色フィルター（３ｍｍ ＳＣＨＯＴＴ Ｏ
Ｇ５９０）がレーザーの前面にぢかに置かれていて、レ
ーザー発光の弱い紫外成分を除去する。光電子増倍管か
らの信号振幅は光刺戟性光の強さならびに放出された光
刺戟性エネルギーとは一次的関係にある。信号は指数的
に減少すると仮定する。信号曲線が入力されると、オシ
ロスコープは再度始動し、一定であって入力に無関係な
誤差成分として定義される片寄りを測定する。この片寄
りを控除した後、信号が最大値のｌ／ｅに達する点が計
算される。曲線の下の積分を次に出発
ャッター、ビーム拡大器及び２基のフィルターである。
光電子増倍管（ Hamamatsu R ２１３９８）が光刺戟に
よって放出された光を集め、そして、相当する電流を出
す。測定手順はＨＰ６９４４多重プログラマーに接続さ
れた Hewlett Packard ＨＰ９８２６コンピューター
で制御する。ある電流−電圧変換器で増幅した後、ＴＥ
ＫＴＲＯＮＩＸ ７Ｄ２０デジタルオシロスコープに、
得られた光電流が現れる。電子シャッターが開くと、レ
ーザービームはリン光体スクリーンを刺戟し、そして、
デジタルオシロスコープがスタートする。リン光体スク
リーンと接触して置かれたピンホールを用いてリン光体
スクリーンの僅か７ｍｍ2 だけの面積が露光される。レ
ーザー力（２２ｍＷ）の僅か３／４がスクーリン表面に
到達する。このようにして、刺戟ビームの強さは更に均
一となる。赤色フィルター（３ｍｍ ＳＣＨＯＴＴ Ｏ
Ｇ５９０）がレーザーの前面にぢかに置かれていて、レ
ーザー発光の弱い紫外成分を除去する。光電子増倍管か
らの信号振幅は光刺戟性光の強さならびに放出された光
刺戟性エネルギーとは一次的関係にある。信号は指数的
に減少すると仮定する。信号曲線が入力されると、オシ
ロスコープは再度始動し、一定であって入力に無関係な
誤差成分として定義される片寄りを測定する。この片寄
りを控除した後、信号が最大値のｌ／ｅに達する点が計
算される。曲線の下の積分を次に出発
【数１】 で書き表されるが式中、Ａは振幅、τは時間定数、ｔは
刺戟時間、そしてｅは自然対数の底である。
刺戟時間、そしてｅは自然対数の底である。
【００４６】ｔ＝τで、貯蔵エネルギーの６３％が放出
された。前記結果を得るために、コンピューターが、装
置の感度で積分を反復する。光電子増倍管と増幅器の感
度は、したがって、光電子増倍管の陽極−陰極電圧の関
数として測定せねばならないし、また、リン光体の放出
スペクトルと分離フィルターの透過スペクトルのたたみ
こみを計算せねばならない。
された。前記結果を得るために、コンピューターが、装
置の感度で積分を反復する。光電子増倍管と増幅器の感
度は、したがって、光電子増倍管の陽極−陰極電圧の関
数として測定せねばならないし、また、リン光体の放出
スペクトルと分離フィルターの透過スペクトルのたたみ
こみを計算せねばならない。
【００４７】放出光はあらゆる方向にばらまかれるの
で、放出光のほんの一部分のみが、光電子増倍管によっ
て検出される。パネルと光電子増倍管の位置は、全放出
の１０％が光電子増倍管によって検出されるようになっ
ている。
で、放出光のほんの一部分のみが、光電子増倍管によっ
て検出される。パネルと光電子増倍管の位置は、全放出
の１０％が光電子増倍管によって検出されるようになっ
ている。
【００４８】これらの修正がすべて実施された後で、Ｘ
線変換効率に対する値がｐＪ／ｍｍ2 ／ｍＲの単位で求
められる。露光されたリン光体の量について修正するた
めに、この値をスクリーンの厚さで割って、Ｘ線変換効
率がｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲの単位で求められるようにす
る。
線変換効率に対する値がｐＪ／ｍｍ2 ／ｍＲの単位で求
められる。露光されたリン光体の量について修正するた
めに、この値をスクリーンの厚さで割って、Ｘ線変換効
率がｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲの単位で求められるようにす
る。
【００４９】前記結果を左右するものはスクリーンの厚
さであるから、すべての測定は比較可能にするためには
同じリン光体掩蔽で実施せねばならない。
さであるから、すべての測定は比較可能にするためには
同じリン光体掩蔽で実施せねばならない。
【００５０】光刺戟性エネルギーは、貯蔵エネルギーの
６３％の放出を刺戟するに必要なエネルギーと定義す
る。加えられる光刺戟性エネルギーはμＪ／ｍｍ2 で表
す。
６３％の放出を刺戟するに必要なエネルギーと定義す
る。加えられる光刺戟性エネルギーはμＪ／ｍｍ2 で表
す。
【００５１】第三の測定では、リン光体サンプルの暗失
活特性が明にされる。この目的のために、光刺戟性エネ
ルギーの、与えられたＸ線線量に露光の際貯えられた量
は、前記露光後１５，６０または３００分に測定され
た。第二の測定についての上記の測定と分析の手順が適
用される。
活特性が明にされる。この目的のために、光刺戟性エネ
ルギーの、与えられたＸ線線量に露光の際貯えられた量
は、前記露光後１５，６０または３００分に測定され
た。第二の測定についての上記の測定と分析の手順が適
用される。
【００５２】本発明による刺戟性のリン光体スクリーン
は医療ならびに工業用放射線写真におけるその用途は別
として、オートラジオグラフィーにも同様に有用であ
る。
は医療ならびに工業用放射線写真におけるその用途は別
として、オートラジオグラフィーにも同様に有用であ
る。
【００５３】従来のオートラジオグラフィーでは、ある
物体内の、放射性物質の、写真記録を形成するに当って
は、その中で直接に、または、現像を経て放射性パター
ンの記録を形成する写真材料と接触して物体を置く。本
発明によるオートラジオグラフィーでは、放射性物体は
本発明による刺戟性リン光体スクリーンと接触して、ま
たは近接して置き、従って、リン光体はこの物体の放射
性パターンのエネルギーを貯蔵する。貯蔵されたエネル
ギーは蛍光光線として光刺戟により解放され、放出光は
検出され、例えば、写真材料または陰極線管への画像貯
蔵及び再現のために利用される。
物体内の、放射性物質の、写真記録を形成するに当って
は、その中で直接に、または、現像を経て放射性パター
ンの記録を形成する写真材料と接触して物体を置く。本
発明によるオートラジオグラフィーでは、放射性物体は
本発明による刺戟性リン光体スクリーンと接触して、ま
たは近接して置き、従って、リン光体はこの物体の放射
性パターンのエネルギーを貯蔵する。貯蔵されたエネル
ギーは蛍光光線として光刺戟により解放され、放出光は
検出され、例えば、写真材料または陰極線管への画像貯
蔵及び再現のために利用される。
【００５４】本発明は下記の実施例によって例示するが
本発明をこれで制限するものではない。
本発明をこれで制限するものではない。
【００５５】比、部分及び百分率は、別途指示なき限り
重量による。
重量による。
【００５６】実施例 １及び ２及び比較用実施例 ３
【００５７】Ba4.985-zEu0.015SiO4Br6 ： Li2z （ｚ＝
５×１０-3または１．５×１０-2）（ｚは比較実施例３
ではゼロを表す）。
５×１０-3または１．５×１０-2）（ｚは比較実施例３
ではゼロを表す）。
【００５８】下記の成分の計量結果はこの通りであっ
た。 ＢａＢｒ2 ・２Ｈ2 Ｏ ５４１．７ｇ ＢａＣＯ3 、０．４７％ Ｈ2 Ｏ １８７ｇ Ｅｕ2 Ｏ3 、３．３３％ Ｈ2 Ｏ １．３２ｇ ＳｉＯ2 、１．８９％ Ｈ2 Ｏ ３０．６ｇ
た。 ＢａＢｒ2 ・２Ｈ2 Ｏ ５４１．７ｇ ＢａＣＯ3 、０．４７％ Ｈ2 Ｏ １８７ｇ Ｅｕ2 Ｏ3 、３．３３％ Ｈ2 Ｏ １．３２ｇ ＳｉＯ2 、１．８９％ Ｈ2 Ｏ ３０．６ｇ
【００５９】前記成分は緊密に混合しかつ破砕した。そ
の後、混合物を２個の５００ｍｌ容器に分配した。各容
器に、４個の１．５ｃｍの球と１８０ｍｌの無水エタノ
ールを加えかつ、混合物は、遊星ボールミル中で１５分
間粉砕した。粉砕後、生の混合物は乾燥器に入れ、一
晩、７０ないし８０℃で乾燥した。
の後、混合物を２個の５００ｍｌ容器に分配した。各容
器に、４個の１．５ｃｍの球と１８０ｍｌの無水エタノ
ールを加えかつ、混合物は、遊星ボールミル中で１５分
間粉砕した。粉砕後、生の混合物は乾燥器に入れ、一
晩、７０ないし８０℃で乾燥した。
【００６０】５０ｇの生の混合物に最初の焼成を行っ
た。焼成は８００℃で、毎分１ｌのＮ2 気流中で実施し
た。９０分後、粉末は炉から取出し、粉砕しそして再
度、同じ条件で９０分間焼成を行った。
た。焼成は８００℃で、毎分１ｌのＮ2 気流中で実施し
た。９０分後、粉末は炉から取出し、粉砕しそして再
度、同じ条件で９０分間焼成を行った。
【００６１】実施例１の材料調製のために、１．４６×
１０-3ｇのＬｉＯＨを１５ｇの最初の焼成材料と密に混
合し、この混合物を再度、還元性雰囲気で焼成した。
１０-3ｇのＬｉＯＨを１５ｇの最初の焼成材料と密に混
合し、この混合物を再度、還元性雰囲気で焼成した。
【００６２】実施例２の材料調製のために、４．３８×
１０-3ｇのＬｉＯＨを１５ｇの最初の焼成材料と密に混
合し、この混合物を再度、還元性雰囲気で焼成した。
１０-3ｇのＬｉＯＨを１５ｇの最初の焼成材料と密に混
合し、この混合物を再度、還元性雰囲気で焼成した。
【００６３】比較実施例３の材料調製のために、１５ｇ
の最初の焼成材料に、ＬｉＯＨの全くない還元性雰囲気
中で焼成を実施した。
の最初の焼成材料に、ＬｉＯＨの全くない還元性雰囲気
中で焼成を実施した。
【００６４】８００℃で実施した焼成に適用した還元性
雰囲気は５／９５容量％の混合割合のＨ2 とＮ2 の混合
ガスで構成された。
雰囲気は５／９５容量％の混合割合のＨ2 とＮ2 の混合
ガスで構成された。
【００６５】各粉末サンプルは２時間で２回、かつ９０
分で２回焼成した。２回の焼成の間で、各粉末をモルタ
ルで粉砕した。
分で２回焼成した。２回の焼成の間で、各粉末をモルタ
ルで粉砕した。
【００６６】得られた３種のサンプルの“即時”放出ス
ペクトルは同じであった。この“即時”放出スペクトル
は光刺戟の際放出される蛍光光線のスペクトルと同じで
ありかつ、図１に示してあるが、同図には相対的光放出
強さＲＥをｎｍで示す波長に対してプロットしてある。
ペクトルは同じであった。この“即時”放出スペクトル
は光刺戟の際放出される蛍光光線のスペクトルと同じで
ありかつ、図１に示してあるが、同図には相対的光放出
強さＲＥをｎｍで示す波長に対してプロットしてある。
【００６７】次に各リン光体サンプルを、アクリル酸ポ
リエチルの酢酸エチル溶液を含むバインダー溶液に分散
した。得られた各分散液を、テレフタル酸ポリエチレン
の１００μ厚さの透明シート上に被覆して、被覆重量を
５００ｇ／ｍ2 とした。次にスクリーンを用いて、それ
らのリン光体のエネルギー貯蔵特性を確認した。Ｈｅ−
Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）に露光して一切の残留貯
蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを与えられた
Ｘ線線量で照射し、次にＨｅ−Ｎｅレーザーで刺戟し
た。変換効率は、Ｘ線照射とリン光体スクリーンの読取
りの間の時間経過の関数として測定した。
リエチルの酢酸エチル溶液を含むバインダー溶液に分散
した。得られた各分散液を、テレフタル酸ポリエチレン
の１００μ厚さの透明シート上に被覆して、被覆重量を
５００ｇ／ｍ2 とした。次にスクリーンを用いて、それ
らのリン光体のエネルギー貯蔵特性を確認した。Ｈｅ−
Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）に露光して一切の残留貯
蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを与えられた
Ｘ線線量で照射し、次にＨｅ−Ｎｅレーザーで刺戟し
た。変換効率は、Ｘ線照射とリン光体スクリーンの読取
りの間の時間経過の関数として測定した。
【００６８】図２には、ｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲで表す変換
効率（Ｃ．Ｅ．）が、Ｘ線照射と、夫々曲線１，２及び
３に対応する実施例１，２及び比較実施例３のスクリー
ンの読取りとの間の、分で表す時間の関数としてプロッ
トされている。
効率（Ｃ．Ｅ．）が、Ｘ線照射と、夫々曲線１，２及び
３に対応する実施例１，２及び比較実施例３のスクリー
ンの読取りとの間の、分で表す時間の関数としてプロッ
トされている。
【００６９】図２から明らかなことだが、ドープ剤とし
てＬｉを含む実施例１と２に例示されているような本発
明によるリン光体の暗失活の挙動は、比較用実施例３に
例示されているようなリチウムを含まないかようなリン
光体の挙動よりもはるかに良好である。
てＬｉを含む実施例１と２に例示されているような本発
明によるリン光体の暗失活の挙動は、比較用実施例３に
例示されているようなリチウムを含まないかようなリン
光体の挙動よりもはるかに良好である。
【００７０】実施例 ４と５と比較実施例 ６
【００７１】実施例４のリン光体の調製に際し、４．５
１×１０-3ｇのＬｉＣＯ3 を、実施例１により最初の焼
成を施した生の混合物１５ｇと密に混合した。このよう
にして求めた混合物を再度、還元雰囲気中で焼成した。
１×１０-3ｇのＬｉＣＯ3 を、実施例１により最初の焼
成を施した生の混合物１５ｇと密に混合した。このよう
にして求めた混合物を再度、還元雰囲気中で焼成した。
【００７２】実施例５のリン光体の調製に際して、１．
３５×１０-2ｇのＬｉＣＯ3 を、実施例１に従って最初
の焼成を施しておいた生の混合物１５ｇと密に混合し
た。このようにして求めた混合物を、再び、還元性雰囲
気中で焼成した。
３５×１０-2ｇのＬｉＣＯ3 を、実施例１に従って最初
の焼成を施しておいた生の混合物１５ｇと密に混合し
た。このようにして求めた混合物を、再び、還元性雰囲
気中で焼成した。
【００７３】比較実施例６のリン光体の調製に際して
は、前記最初の焼成生混合物１５ｇに、ＬｉＣＯ3 のな
い還元性焼成を実施した。
は、前記最初の焼成生混合物１５ｇに、ＬｉＣＯ3 のな
い還元性焼成を実施した。
【００７４】リン光体サンプルの還元性焼成はＨ2 とＮ
2 の５／９５容量％の混合物からなる雰囲気中で、８０
０℃で実施した。
2 の５／９５容量％の混合物からなる雰囲気中で、８０
０℃で実施した。
【００７５】リン光体サンプルは２時間、４回焼成し、
かつ一連の２焼成の間で、粉末はモルタルで粉砕した。
かつ一連の２焼成の間で、粉末はモルタルで粉砕した。
【００７６】各スクリーンは実施例１，２及び比較実施
例３について述べたように作成した。
例３について述べたように作成した。
【００７７】図３においては、ｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲで表
した変換効率（Ｃ．Ｅ．）を、Ｘ線照射と、夫々曲線
４，５及び６に対応する実施例４，５及び比較実施例６
のスクリーンの読取りとの間の、分で示した経過時間の
関数としてプロットする。
した変換効率（Ｃ．Ｅ．）を、Ｘ線照射と、夫々曲線
４，５及び６に対応する実施例４，５及び比較実施例６
のスクリーンの読取りとの間の、分で示した経過時間の
関数としてプロットする。
【００７８】図３から明らかなことだが、ドープ剤とし
てＬｉを含む、実施例４と５に例示したような、本発明
によるリン光体の暗失活挙動は、比較実施例３に例示し
たようなリチウムを含まないこのようなリン光体の挙動
よりもはるかに良好である。
てＬｉを含む、実施例４と５に例示したような、本発明
によるリン光体の暗失活挙動は、比較実施例３に例示し
たようなリチウムを含まないこのようなリン光体の挙動
よりもはるかに良好である。
【００７９】実施例 ７，８，９及び１０と、比較実施
例 １１
例 １１
【００８０】Ba4.985-zEu0.015SiO4Br6 ： Li2z （ｚ＝
１．５×１０-2）（ｚは比較実施例３ではゼロを表
す）。
１．５×１０-2）（ｚは比較実施例３ではゼロを表
す）。
【００８１】以下の成分の検量結果は下記の様であっ
た。 ＢａＢｒ2 ・２Ｈ2 Ｏ ５４１．７ｇ ＢａＣＯ3 、０．４７％ Ｈ2 Ｏ １８７ｇ Ｅｕ2 Ｏ3 、３．３３％ Ｈ2 Ｏ １．３２ｇ ＳｉＯ2 、１．８９％ Ｈ2 Ｏ ３０．６ｇ
た。 ＢａＢｒ2 ・２Ｈ2 Ｏ ５４１．７ｇ ＢａＣＯ3 、０．４７％ Ｈ2 Ｏ １８７ｇ Ｅｕ2 Ｏ3 、３．３３％ Ｈ2 Ｏ １．３２ｇ ＳｉＯ2 、１．８９％ Ｈ2 Ｏ ３０．６ｇ
【００８２】前記成分は密に混合して粉砕した。その
後、混合物は５００ｍｌの２基の容器に配分した。各容
器に、１．５ｃｍの球を４個と、１８０ｍｌの無水エタ
ノールを添加し、各混合物は、遊星ボールミルで１５分
間粉砕した。粉砕後、生の混合物は乾燥炉に入れ、一
晩、７０ないし８０℃で乾燥した。
後、混合物は５００ｍｌの２基の容器に配分した。各容
器に、１．５ｃｍの球を４個と、１８０ｍｌの無水エタ
ノールを添加し、各混合物は、遊星ボールミルで１５分
間粉砕した。粉砕後、生の混合物は乾燥炉に入れ、一
晩、７０ないし８０℃で乾燥した。
【００８３】５０ｇの生の混合物に最初の焼成を実施し
た。焼成は８００℃で、毎分１ｌのＮ2 気流中で実施し
た。９０分後、粉末を炉から取出し、粉砕しそして、再
度、同じ条件で、９０分間焼成した。
た。焼成は８００℃で、毎分１ｌのＮ2 気流中で実施し
た。９０分後、粉末を炉から取出し、粉砕しそして、再
度、同じ条件で、９０分間焼成した。
【００８４】実施例７と８の材料を調製するために、夫
々４．６７×１０-3ｇのＬｉＦと７．３６×１０-3ｇの
ＬｉＣｌを最初に焼成した材料１５ｇと密に混合し、混
合物は、再び、還元性雰囲気中で焼成した。
々４．６７×１０-3ｇのＬｉＦと７．３６×１０-3ｇの
ＬｉＣｌを最初に焼成した材料１５ｇと密に混合し、混
合物は、再び、還元性雰囲気中で焼成した。
【００８５】実施例９と１０の材料の調製のために、
１．５６×１０-2ｇのＬｉＢｒと２．４１×１０-2ｇの
ＬｉＩを、最初に焼成した材料の１５ｇと密に混合し、
それらの混合物を再度、還元性雰囲気中で焼成した。
１．５６×１０-2ｇのＬｉＢｒと２．４１×１０-2ｇの
ＬｉＩを、最初に焼成した材料の１５ｇと密に混合し、
それらの混合物を再度、還元性雰囲気中で焼成した。
【００８６】比較実施例１１の材料を調製するために、
最初に焼成した材料１５ｇに、リチウム化合物の全くな
い還元性雰囲気中で焼成を実施した。
最初に焼成した材料１５ｇに、リチウム化合物の全くな
い還元性雰囲気中で焼成を実施した。
【００８７】８００℃で実施した焼成に適用した還元性
雰囲気は、Ｈ2 とＮ2 が５／９５容量％の混合ガスで構
成された。
雰囲気は、Ｈ2 とＮ2 が５／９５容量％の混合ガスで構
成された。
【００８８】各粉末サンプルは、２時間、４回焼成し
た。２回の焼成の間で、粉末はモルタルで粉砕した。
た。２回の焼成の間で、粉末はモルタルで粉砕した。
【００８９】得られた５サンプルの“即時”放出スペク
トルは同じであった。この即時放出スペクトルは光刺戟
において放出される蛍光光線のスペクトルと同じであ
り、かつ図１に示してあるが、図中、相対的光放出強さ
ＲＥはｎｍで示す波長に対してプロットしてある。
トルは同じであった。この即時放出スペクトルは光刺戟
において放出される蛍光光線のスペクトルと同じであ
り、かつ図１に示してあるが、図中、相対的光放出強さ
ＲＥはｎｍで示す波長に対してプロットしてある。
【００９０】次に、各リン光体サンプルはアクリル酸ポ
リエチルの酢酸エチル溶液を含むバインダー溶液に分散
させた。求めた各分散体はテレフタル酸ポリエチレンの
厚さ１００μの透明シート上に被覆して、被覆重さを５
００ｇ／ｍ2 とした。次に各スクリーンを用いて、これ
らのリン光体のエネルギー貯蔵特性を確認することとし
た。Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）に露光して一
切の残留貯蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを
Ｘ線の与えられた線量で照射し、そして次にＨｅ−Ｎｅ
レーザーで刺戟した。変換効率は、Ｘ線照射とリン光体
スクリーンの読取りとの間の経過時間の関数として測定
した。
リエチルの酢酸エチル溶液を含むバインダー溶液に分散
させた。求めた各分散体はテレフタル酸ポリエチレンの
厚さ１００μの透明シート上に被覆して、被覆重さを５
００ｇ／ｍ2 とした。次に各スクリーンを用いて、これ
らのリン光体のエネルギー貯蔵特性を確認することとし
た。Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）に露光して一
切の残留貯蔵エネルギーを消去した後、各スクリーンを
Ｘ線の与えられた線量で照射し、そして次にＨｅ−Ｎｅ
レーザーで刺戟した。変換効率は、Ｘ線照射とリン光体
スクリーンの読取りとの間の経過時間の関数として測定
した。
【００９１】図４では、ｐＪ／ｍｍ3 ／ｍＲで表す変換
効率（Ｃ．Ｅ．）を、Ｘ線照射と、夫々、曲線７，８，
９，１０及び１１に対応する実施例７ないし１０と比較
実施例１１のスクリーンの読取りとの間の、分で示した
時間の関数としてプロットしてある。
効率（Ｃ．Ｅ．）を、Ｘ線照射と、夫々、曲線７，８，
９，１０及び１１に対応する実施例７ないし１０と比較
実施例１１のスクリーンの読取りとの間の、分で示した
時間の関数としてプロットしてある。
【００９２】この図４から明らかなことだが、ドープ剤
としてＬｉを含む実施例７ないし１０に例示のような本
発明によるリン光体の暗失活挙動は、比較実施例１１に
例示のようなリチウムを含まないこのようなリン光体の
挙動よりもはるかに良好である。
としてＬｉを含む実施例７ないし１０に例示のような本
発明によるリン光体の暗失活挙動は、比較実施例１１に
例示のようなリチウムを含まないこのようなリン光体の
挙動よりもはるかに良好である。
【図１】相対的光放出強さＲＥと波長（ｎｍ）との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図２】Ｘ線照射と、曲線１，２及び３に夫々対応する
実施例１，２及び比較実施例３のスクリーンの読取りと
の関係を、縦軸に変換効率（Ｃ．Ｅ．）、横軸に時間
（分）で示す図である。
実施例１，２及び比較実施例３のスクリーンの読取りと
の関係を、縦軸に変換効率（Ｃ．Ｅ．）、横軸に時間
（分）で示す図である。
【図３】Ｘ線照射と、曲線４，５及び６に夫々対応する
実施例４，５及び比較実施例６のスクリーンの読取りと
の関係を、縦軸に変換効率（Ｃ．Ｅ．）、横軸に時間
（分）で示す図である。
実施例４，５及び比較実施例６のスクリーンの読取りと
の関係を、縦軸に変換効率（Ｃ．Ｅ．）、横軸に時間
（分）で示す図である。
【図４】Ｘ線照射と、曲線７，８，９，１０及び１１に
夫々対応する実施例７乃至１０及び比較実施例１１のス
クリーンの読取りとの関係を、縦軸に変換効率（Ｃ．
Ｅ．）、横軸に時間（分）で示す図である。
夫々対応する実施例７乃至１０及び比較実施例１１のス
クリーンの読取りとの関係を、縦軸に変換効率（Ｃ．
Ｅ．）、横軸に時間（分）で示す図である。
Claims (16)
- 【請求項１】 光刺戟性Ｘ線エネルギー吸収性ハロシリ
ケートリン光体において、前記リン光体が、ホスト金属
として少なくとも１種のアルカリ土類金属、ハロゲンと
してＣｌ，Ｂｒ及びＩからなる群から選択した少なくと
も１員ドープ剤としてＥｕ2+及び共ドープ剤としてリチ
ウムを含有することを特徴とするリン光体。 - 【請求項２】 前記リン光体が、ホスト金属としてＢ
ａ，Ｓｒ及びＣａからなる群から選択した少なくとも１
種のアルカリ土類金属を含有することを特徴とする請求
項１のリン光体。 - 【請求項３】 前記リン光体が、下記実験式： Ba5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z （式中Ｚはストロンチウム及びカルシウムからなる群か
ら選択した少なくとも１種の共ホスト金属であり、ｑは
０〜０．５の範囲にあり、Ｘは臭素及び／または塩素で
あり、ｎは０．０００１〜０．１５の範囲にあり、ｐは
０〜０．０１５の範囲にあり、ＤはＥｕ2+及びＣｅ3+以
外の稀土類金属イオン及びＮａ+ ，Ｋ+ からなる群から
選択した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｍは１ま
たは３であり、ｚは２×１０-5〜２×１０-2の範囲にあ
る）の範囲内にあることを特徴とする請求項１のリン光
体。 - 【請求項４】 前記リン光体が、下記実験式： Sr5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z （式中Ｚはバリウム及びカルシウムからなる群から選択
した少なくとも１種の共ホスト金属であり、ｑは０〜
０．５の範囲にあり、Ｘは臭素であり、ｎは０．０００
１〜０．１５の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の範囲
にあり、ＤはＥｕ2+及びＣｅ3+以外の稀土類金属イオン
及びＮａ+ ，Ｋ+ からなる群から選択した少なくとも１
種の共ドープ剤であり、ｍは１または３であり、ｚは２
×１０-5〜２×１０-2の範囲にある）の範囲内にあるこ
とを特徴とする請求項１のリン光体。 - 【請求項５】 前記リン光体が、下記実験式(I) または
(II)： (I) Ba5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z (II) Sr5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z （式中Ｘは臭素及び／または塩素であり、ｎは０．００
０１〜０．１５の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の範
囲にあり、ＤはＥｕ2+及びＣｅ3+以外の稀土類金属イオ
ン及びＮａ+ ，Ｋ+ からなる群から選択した少なくとも
１種の共ドープ剤であり、ｍは１または３であり、ｚは
２×１０-5〜２×１０-2の範囲にある）の一つの範囲内
にあることを特徴とする請求項１のリン光体。 - 【請求項６】 前記リン光体が、下記実験式(III) また
は(IV)： (III) Ba5-nSiO4X6 ， Eu2+ n ，Li2z (IV) Sr5-nSiO4Br6， Eu2+ n ，Li2z （式中ｎは０．０００１〜０．１５の範囲にあり、Ｘは
臭素及び／または塩素であり、ｚは２×１０-5〜２×１
０-2の範囲にある）の一つの範囲内にあることを特徴と
する請求項１のリン光体。 - 【請求項７】 (1) 光刺戟性リン光体をＸ線に像に従っ
て露光する工程。 (2) 前記リン光体を可視光及び赤外光から選択した刺戟
性電磁放射線で光刺戟し、吸収されたＸ線に従って前記
リン光体から、光刺戟に使用した放射線とは波長特性に
おいて異なる電磁放射線を放出させる工程、及び (3) 工程(2) で適用した光刺戟により放出された光を検
出する工程。 を含むＸ線像を記録及び再現する方法において、前記リ
ン光体が、ホスト金属として少なくとも１種のアルカリ
土類金属、ハロゲンとしてＣｌ，Ｂｒ及びＩからなる群
から選択した少なくとも１員、ドープ剤としてＥｕ2+
及び共ドープ剤としてリチウムを含有するハロシリケー
トリン光体であることを特徴とする方法。 - 【請求項８】 前記リン光体が、ホスト金属としてＢ
ａ，Ｓｒ及びＣａからなる群から選択した少なくとも１
種のアルカリ土類金属を含有することを特徴とする請求
項７の方法。 - 【請求項９】 前記リン光体が、下記実験式： Ba5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z （式中Ｚはストロンチウム及びカルシウムからなる群か
ら選択した少なくとも１種の共ホスト金属であり、ｑは
０〜０．５の範囲にあり、Ｘは臭素及び／または塩素で
あり、ｎは０．０００１〜０．１５の範囲にあり、ｐは
０〜０．０１５の範囲にあり、ＤはＥｕ2+及びＣｅ3+以
外の稀土類金属イオン及びＮａ+ ，Ｋ+ からなる群から
選択した少なくとも１種の共ドープ剤であり、ｍは１ま
たは３であり、ｚは２×１０-5〜２×１０-2の範囲にあ
る）の範囲内にあることを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項１０】 前記リン光体が、下記実験式： Sr5-(n+p+q+z)ZqSiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z （式中Ｚはバリウム及びカルシウムからなる群から選択
した少なくとも１種の共ホスト金属であり、ｑは０〜
０．５の範囲にあり、Ｘは臭素であり、ｎは０．０００
１〜０．１５の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の範囲
にあり、ＤはＥｕ2+及びＣｅ3+以外の稀土類金属イオン
及びＮａ+ ，Ｋ+ からなる群から選択した少なくとも１
種の共ドープ剤であり、ｍは１または３であり、ｚは２
×１０-5〜２×１０-2の範囲にある）の範囲内にあるこ
とを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項１１】 前記リン光体が、下記実験式(I) また
は(II)： (I) Ba5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z (II) Sr5-(n+p+z)SiO4X6 ： Eu2+ n ，Dm+ 2p/m ，Li2z （式中Ｘは臭素及び／または塩素であり、ｎは０．００
０１〜０．１５の範囲にあり、ｐは０〜０．０１５の範
囲にあり、ＤはＥｕ2+及びＣｅ3+以外の稀土類金属イオ
ン及びＮａ+ ，Ｋ+ からなる群から選択した少なくとも
１種の共ドープ剤であり、ｍは１または３であり、ｚは
２×１０-5〜２×１０-2の範囲にある）の一つの範囲内
にあることを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項１２】 前記リン光体が、下記実験式(III) ま
たは(IV)： (III) Ba5-nSiO4X6 ， Eu2+ n ，Li2z (IV) Sr5-nSiO4Br6， Eu2+ n ，Li2z （式中ｎは０．０００１〜０．１５の範囲にあり、Ｘは
臭素及び／または塩素であり、ｚは２×１０-5〜２×１
０-2の範囲にある）の一つの範囲内にあることを特徴と
する請求項７の方法。 - 【請求項１３】 光刺戟を４８０〜７００ｎｍの範囲の
可視光で行うことを特徴とする請求項１〜１２の何れか
１項の方法。 - 【請求項１４】 光刺戟を６３３ｎｍで放出するＨｅ−
Ｎｅレーザー、５１４．５ｎｍで放出するアルゴンイオ
ンレーザーのレーザービームまたは、周波数二重Ｎｄ：
ＹＡＧレーザーの５３２ｎｍレーザービームで行うこと
を特徴とする請求項１３の方法。 - 【請求項１５】 光刺戟によって放出される前記光を検
出する前に、光刺戟時に放出される光に対し高透過性を
有する一つ以上の光学フィルターで刺戟光を濾光するこ
とを特徴とする請求項７〜１４の何れか１項の方法。 - 【請求項１６】 光刺戟時に放出される光を、光電子的
に検出し、そしてデジタル化され、貯蔵され、陰極線管
上に表示されまたは写真材料を走査するための書き込み
レーザービームを変調するため使用される電気信号を生
ぜしめることを特徴とする請求項７〜１５の何れか１項
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL91201762.1 | 1991-07-08 | ||
| EP91201762 | 1991-07-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230451A true JPH05230451A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=8207760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4204508A Pending JPH05230451A (ja) | 1991-07-08 | 1992-07-07 | 光刺戟性リン光体及びその放射線写真における用途 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5358668A (ja) |
| EP (1) | EP0522619B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05230451A (ja) |
| DE (1) | DE69204923T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023019B2 (en) | 2001-09-03 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| KR20170094352A (ko) * | 2014-12-12 | 2017-08-17 | 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 | 인광체 조성물 및 그 조명 장치 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0747908B1 (en) | 1995-06-01 | 1998-12-02 | Agfa-Gevaert N.V. | A novel class of stabilizing compounds for phosphor screens |
| EP0752782A1 (en) | 1995-07-07 | 1997-01-08 | Agfa-Gevaert N.V. | Adjustment of the position of a scan line in a light beam scanning apparatus |
| JPH09221336A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-08-26 | Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan | 輝尽発光ガラス組成物 |
| EP0846962B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-05-30 | Agfa-Gevaert N.V. | An x-ray image detector and read out apparatus |
| JP4431400B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2010-03-10 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 発光装置及び燐光体組成物 |
| KR100511562B1 (ko) * | 2003-01-29 | 2005-09-02 | 한국화학연구원 | 백색 발광 다이오드 및 능동 발광형 액정 디스플레이에 적용되는 스트론튬실리케이트계 황색 형광체와 이의 제조방법 |
| EP4310553A1 (en) | 2022-07-19 | 2024-01-24 | Agfa Nv | Dosimeter based on nano-sized phosphor particles |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2432039B1 (ja) * | 1978-07-28 | 1981-08-14 | Rhone Poulenc Ind | |
| US5140163A (en) * | 1987-08-17 | 1992-08-18 | Agfa-Gevaert, N.V. | Reproduction of X-ray images with photostimulable phosphor |
| EP0304121B1 (en) * | 1987-08-17 | 1991-07-24 | Agfa-Gevaert N.V. | Reproduction of x-ray images with a photostimulable phosphor |
| IT1233432B (it) * | 1987-12-22 | 1992-03-31 | Minnesota Mining & Mfg | Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, apparato usante detto metodo, pannello per la memorizzazione della immagine di una radiazione e fosfori fotostimolabili |
| DE68905107T2 (de) * | 1988-08-05 | 1993-09-16 | Agfa Gevaert Nv | Reproduktion von roentgenbildern mit einem photostimulierbaren leuchtstoff. |
| DE69002470T2 (de) * | 1989-02-07 | 1994-03-03 | Agfa Gevaert Nv | Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff. |
| EP0415469B1 (en) * | 1989-09-01 | 1993-11-24 | Agfa-Gevaert N.V. | Phosphor preparation |
| US5099490A (en) * | 1990-07-16 | 1992-03-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for reducing energy losses in laser crystals |
-
1992
- 1992-06-17 US US07/899,852 patent/US5358668A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-18 EP EP92201781A patent/EP0522619B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-18 DE DE69204923T patent/DE69204923T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-07 JP JP4204508A patent/JPH05230451A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7023019B2 (en) | 2001-09-03 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7422504B2 (en) | 2001-09-03 | 2008-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7592639B2 (en) | 2001-09-03 | 2009-09-22 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7629620B2 (en) | 2001-09-03 | 2009-12-08 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| US7772769B2 (en) | 2001-09-03 | 2010-08-10 | Panasonic Corporation | Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device |
| USRE47453E1 (en) | 2001-09-03 | 2019-06-25 | Panasonic Corporation | Luminescent layer and light-emitting semiconductor device |
| KR20170094352A (ko) * | 2014-12-12 | 2017-08-17 | 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 | 인광체 조성물 및 그 조명 장치 |
| JP2018501349A (ja) * | 2014-12-12 | 2018-01-18 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 蛍光体組成物及びその照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE69204923D1 (de) | 1995-10-26 |
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