JPH05226206A - 半導体製造装置の性能管理方法 - Google Patents
半導体製造装置の性能管理方法Info
- Publication number
- JPH05226206A JPH05226206A JP2937092A JP2937092A JPH05226206A JP H05226206 A JPH05226206 A JP H05226206A JP 2937092 A JP2937092 A JP 2937092A JP 2937092 A JP2937092 A JP 2937092A JP H05226206 A JPH05226206 A JP H05226206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor manufacturing
- computer
- value
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 49
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Landscapes
- General Factory Administration (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】コンピュータにより半導体製造装置の性能管理
を行い、異常の半導体製造装置での製造作業を行えない
ようにする。また半導体製造装置の異常状態での生産を
未然に防止する。 【構成】端末装置３は測定器３ａで測定した加工作業前
の測定評価用ウェーハの測定値をコンピュータ１に送信
する。コンピュータ１は測定値を初期値として記憶装置
１ａに記録する。端末装置３は半導体製造装置ｃで加工
作業後に測定器３ａで測定したウェーハ測定値を後測定
値としてコンピュータ１に送信する。コンピュータ１は
後測定値と初期値とで性能値を算出し半導体製造装置ｃ
の基準値と比較し、性能値が基準値を外れた場合は半導
体製造装置ｃでは作業開始を不可能な状態にする。また
性能値の基準値に対する傾向を管理し性能値が上向き又
は下向き傾向にある場合も作業開始を不可能な状態にす
る。
を行い、異常の半導体製造装置での製造作業を行えない
ようにする。また半導体製造装置の異常状態での生産を
未然に防止する。 【構成】端末装置３は測定器３ａで測定した加工作業前
の測定評価用ウェーハの測定値をコンピュータ１に送信
する。コンピュータ１は測定値を初期値として記憶装置
１ａに記録する。端末装置３は半導体製造装置ｃで加工
作業後に測定器３ａで測定したウェーハ測定値を後測定
値としてコンピュータ１に送信する。コンピュータ１は
後測定値と初期値とで性能値を算出し半導体製造装置ｃ
の基準値と比較し、性能値が基準値を外れた場合は半導
体製造装置ｃでは作業開始を不可能な状態にする。また
性能値の基準値に対する傾向を管理し性能値が上向き又
は下向き傾向にある場合も作業開始を不可能な状態にす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の性能管
理方法に関し、特にコンピュータと端末装置を利用して
構成したコンピュータシステムによる管理方法に関する
ものである。
理方法に関し、特にコンピュータと端末装置を利用して
構成したコンピュータシステムによる管理方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置の性能管理方法
は、人間が半導体製造装置でウェーハを加工作業する前
に、測定評価用ウェーハを用いて半導体製造装置毎に管
理しなければならい項目を測定器により測定し、その測
定結果を測定結果記録用紙に記入し、次いで、この測定
評価用ウェーハを使用して加工作業を行った後に再度測
定評価用ウェーハを測定し、この加工作業を行った後の
測定評価用ウェーハ測定結果と先に測定結果記録用紙に
記入した加工作業する前の測定評価用ウェーハ測定結果
とで性能値を計算し、半導体製造装置の基準値と比較
し、基準値に対する傾向を管理し、半導体製造装置が正
常に機能しているか否かを判定していた。
は、人間が半導体製造装置でウェーハを加工作業する前
に、測定評価用ウェーハを用いて半導体製造装置毎に管
理しなければならい項目を測定器により測定し、その測
定結果を測定結果記録用紙に記入し、次いで、この測定
評価用ウェーハを使用して加工作業を行った後に再度測
定評価用ウェーハを測定し、この加工作業を行った後の
測定評価用ウェーハ測定結果と先に測定結果記録用紙に
記入した加工作業する前の測定評価用ウェーハ測定結果
とで性能値を計算し、半導体製造装置の基準値と比較
し、基準値に対する傾向を管理し、半導体製造装置が正
常に機能しているか否かを判定していた。
【０００３】例えば、半導体製造装置が拡散装置の場
合、まず測定評価用ウェーハを投入し、このウェーハに
規定の厚さの酸化膜が形成されるかどうか、あるいはそ
の増減傾向はどうか等を管理することによって、拡散装
置が正常に機能しているかどうかを判定していた。
合、まず測定評価用ウェーハを投入し、このウェーハに
規定の厚さの酸化膜が形成されるかどうか、あるいはそ
の増減傾向はどうか等を管理することによって、拡散装
置が正常に機能しているかどうかを判定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体製造装置の性能管理方法では、人間による管理の為
にウェーハ測定結果を測定結果記録用紙に記入する際に
間違えた値を記入したり、ウェーハの加工作業を行った
後のウェーハ測定結果とウェーハを加工作業する前のウ
ェーハ測定結果とで性能値を求める計算を間違えたりす
る人為的なミスが発生し、半導体製造装置が異常である
にもかかわらず本作業を開始してしまうことがあった。
導体製造装置の性能管理方法では、人間による管理の為
にウェーハ測定結果を測定結果記録用紙に記入する際に
間違えた値を記入したり、ウェーハの加工作業を行った
後のウェーハ測定結果とウェーハを加工作業する前のウ
ェーハ測定結果とで性能値を求める計算を間違えたりす
る人為的なミスが発生し、半導体製造装置が異常である
にもかかわらず本作業を開始してしまうことがあった。
【０００５】本発明は、上記の人為的ミスをなくし半導
体製造装置の状態を監視するコンピュータシステムを用
いた性能管理方法を提供することにある。
体製造装置の状態を監視するコンピュータシステムを用
いた性能管理方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
の性能管理方法は、ある限定された範囲の収集を行う端
末装置と、いくつかの端末を統括するコンピュータと、
それらを結ぶ通信手段と、コンピュータには情報を蓄積
する手段と、端末装置には情報を出力する機能をもち、
半導体製造装置でウェーハを加工作業する前に、測定評
価用ウェーハを用いて半導体製造装置毎に管理しなけれ
ばならない項目を測定器により測定し、端末装置よりこ
のウェーハ測定結果をコンピュータに送信し、コンピュ
ータは記憶装置に一端ウェーハ測定結果を初期値として
記録し、次いで前記測定評価用ウェーハを使用し半導体
製造装置で加工作業を行った後に再度測定評価用ウェー
ハを測定し、端末装置よりウェーハ測定結果をコンピュ
ータに送信し、コンピュータは半導体製造装置でウェー
ハの加工作業を行った後のウェーハ測定結果と半導体製
造装置でウェーハを加工作業する前のウェーハ測定結果
とで性能値を算出し、半導体製造装置の基準値と性能値
を比較しかつ基準値に対する傾向を管理し、半導体製造
装置が正常に機能しているか否かを判定し、正常でない
ときは半導体製造装置の作業の開始を不可能な状態にす
る。
の性能管理方法は、ある限定された範囲の収集を行う端
末装置と、いくつかの端末を統括するコンピュータと、
それらを結ぶ通信手段と、コンピュータには情報を蓄積
する手段と、端末装置には情報を出力する機能をもち、
半導体製造装置でウェーハを加工作業する前に、測定評
価用ウェーハを用いて半導体製造装置毎に管理しなけれ
ばならない項目を測定器により測定し、端末装置よりこ
のウェーハ測定結果をコンピュータに送信し、コンピュ
ータは記憶装置に一端ウェーハ測定結果を初期値として
記録し、次いで前記測定評価用ウェーハを使用し半導体
製造装置で加工作業を行った後に再度測定評価用ウェー
ハを測定し、端末装置よりウェーハ測定結果をコンピュ
ータに送信し、コンピュータは半導体製造装置でウェー
ハの加工作業を行った後のウェーハ測定結果と半導体製
造装置でウェーハを加工作業する前のウェーハ測定結果
とで性能値を算出し、半導体製造装置の基準値と性能値
を比較しかつ基準値に対する傾向を管理し、半導体製造
装置が正常に機能しているか否かを判定し、正常でない
ときは半導体製造装置の作業の開始を不可能な状態にす
る。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のブロック図である。コン
ピュータ１は、端末装置３に通信回線２で接続されてい
る。さらにこの端末装置３には測定器３ａと出力装置３
ｂが接続されている。また端末装置３と同じように、半
導体製造装置ｃの作業の開始と終了をコンピュータに送
信する機能を持つ端末装置ｂ，ｂ１…ｂｎが通信回線２
で接続されている。さらに端末装置ｂ，ｂ１…ｂｎには
半導体製造装置ｃ，ｃ１…ｃｎが接続され、またコンピ
ュータ１には記憶装置１ａ，１ｂ，１ｃが接続されてい
る。
る。図１は本発明の一実施例のブロック図である。コン
ピュータ１は、端末装置３に通信回線２で接続されてい
る。さらにこの端末装置３には測定器３ａと出力装置３
ｂが接続されている。また端末装置３と同じように、半
導体製造装置ｃの作業の開始と終了をコンピュータに送
信する機能を持つ端末装置ｂ，ｂ１…ｂｎが通信回線２
で接続されている。さらに端末装置ｂ，ｂ１…ｂｎには
半導体製造装置ｃ，ｃ１…ｃｎが接続され、またコンピ
ュータ１には記憶装置１ａ，１ｂ，１ｃが接続されてい
る。
【０００８】端末装置３は半導体製造装置ｃでウェーハ
を加工作業する前に、測定評価用ウェーハで半導体製造
装置毎に管理しなければならない項目を測定器３ａによ
り測定し、端末装置３はこのウェーハ測定結果をコンピ
ュータ１に送信し、コンピュータ１は管理番号を採番
し、記憶装置１ａに一旦ウェーハ測定結果を初期値とし
て管理番号と共に記録し、記録した管理番号を端末装置
３に送信する。端末装置３は送信された管理番号と測定
評価用ウェーハの測定結果を出力装置３ｂに出力する。
を加工作業する前に、測定評価用ウェーハで半導体製造
装置毎に管理しなければならない項目を測定器３ａによ
り測定し、端末装置３はこのウェーハ測定結果をコンピ
ュータ１に送信し、コンピュータ１は管理番号を採番
し、記憶装置１ａに一旦ウェーハ測定結果を初期値とし
て管理番号と共に記録し、記録した管理番号を端末装置
３に送信する。端末装置３は送信された管理番号と測定
評価用ウェーハの測定結果を出力装置３ｂに出力する。
【０００９】次いで、測定器３ａにより測定済みの測定
評価用ウェーハを使用し半導体製造装置ｃで加工作業を
行った後、再度この測定評価用ウェーハを測定し、端末
装置３よりウェーハ測定結果を管理番号とともにコンピ
ュータ１に送信する。コンピュータ１は管理番号をもと
にウェーハを半導体製造装置ｃで加工作業する前のウェ
ーハ測定結果を記憶装置１ａより検索し、ウェーハの加
工作業を行った後のウェーハ測定結果とウェーハを半導
体製造装置ｃで加工作業する前のウェーハ測定結果とで
性能値を算出し、記憶装置１ｂに記録されている半導体
製造装置ｃの基準値と性能値とを比較し、性能値が基準
値を外れている場合は、半導体製造装置ｃの異常とみな
し記憶装置１ｃ又は記憶装置ｄに半導体製造装置ｃが異
常であるという情報を記録する。また性能値の傾向を管
理し、性能値が定められた回数連続して上向き又は下向
き傾向にある場合は半導体製造装置ｃの性能値が異常傾
向にあることを端末装置３に表示し、半導体製造装置ｃ
の点検指示を行うとともに半導体製造装置ｃが異常とみ
なし、記憶装置１ｃに半導体製造装置ｃが異常であると
いう情報を記録する。
評価用ウェーハを使用し半導体製造装置ｃで加工作業を
行った後、再度この測定評価用ウェーハを測定し、端末
装置３よりウェーハ測定結果を管理番号とともにコンピ
ュータ１に送信する。コンピュータ１は管理番号をもと
にウェーハを半導体製造装置ｃで加工作業する前のウェ
ーハ測定結果を記憶装置１ａより検索し、ウェーハの加
工作業を行った後のウェーハ測定結果とウェーハを半導
体製造装置ｃで加工作業する前のウェーハ測定結果とで
性能値を算出し、記憶装置１ｂに記録されている半導体
製造装置ｃの基準値と性能値とを比較し、性能値が基準
値を外れている場合は、半導体製造装置ｃの異常とみな
し記憶装置１ｃ又は記憶装置ｄに半導体製造装置ｃが異
常であるという情報を記録する。また性能値の傾向を管
理し、性能値が定められた回数連続して上向き又は下向
き傾向にある場合は半導体製造装置ｃの性能値が異常傾
向にあることを端末装置３に表示し、半導体製造装置ｃ
の点検指示を行うとともに半導体製造装置ｃが異常とみ
なし、記憶装置１ｃに半導体製造装置ｃが異常であると
いう情報を記録する。
【００１０】半導体製造装置ｃで本作業を開始する為に
端末装置ｂから作業開始報告が送信された場合、コンピ
ュータ１または端末装置ｂは作業を開始する半導体製造
装置ｃが記憶装置１ｃ又は記憶装置ｄに異常として記録
されているか否かを確認し、記録されていれば半導体製
造装置ｃの作業開始を不可能にする。コンピュータ１又
は端末装置ｂは半導体製造装置ｃの異常解除指示が行わ
れるまで半導体製造装置ｃの作業開始報告を不可能にす
る。
端末装置ｂから作業開始報告が送信された場合、コンピ
ュータ１または端末装置ｂは作業を開始する半導体製造
装置ｃが記憶装置１ｃ又は記憶装置ｄに異常として記録
されているか否かを確認し、記録されていれば半導体製
造装置ｃの作業開始を不可能にする。コンピュータ１又
は端末装置ｂは半導体製造装置ｃの異常解除指示が行わ
れるまで半導体製造装置ｃの作業開始報告を不可能にす
る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体製
造装置の性能管理をコンピュータによって管理すること
によって、人間によって算出していた性能値の計算を間
違うことがなくなり、コンピュータが異常と判断した場
合は、半導体製造装置の作業を開始することが出来なく
なり、半導体生産装置が異常であるにもかかわらず作業
を開始してしまうことがなくなり、正確な半導体製造装
置の状態を管理することが出来る。また傾向の管理も同
時に行っているため半導体生産装置の異常を未然に発見
でき、異常と判断される前に半導体製造装置の点検が出
来る。
造装置の性能管理をコンピュータによって管理すること
によって、人間によって算出していた性能値の計算を間
違うことがなくなり、コンピュータが異常と判断した場
合は、半導体製造装置の作業を開始することが出来なく
なり、半導体生産装置が異常であるにもかかわらず作業
を開始してしまうことがなくなり、正確な半導体製造装
置の状態を管理することが出来る。また傾向の管理も同
時に行っているため半導体生産装置の異常を未然に発見
でき、異常と判断される前に半導体製造装置の点検が出
来る。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
１ コンピュータ １ａ，１ｂ，１ｃ 記憶装置 ２ 通信回路 ３，ｂ，ｂ１…ｂｎ 端末装置 ３ａ 測定器 ３ｂ 出力装置 ｃ，ｃ１，ｃｎ 半導体製造装置 ｄ，ｄ１，…ｄｎ 記憶装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製造装置でウェーハを加工作業す
る前に、測定評価用ウェーハを用いて半導体製造装置毎
に管理しなければならない項目を測定器により測定し、
端末装置よりこのウェーハ測定結果をコンピュータに送
信し、コンピュータは記憶装置に一旦ウェーハ測定結果
を初期値として記録し、次いで前記測定評価用ウェーハ
を使用し加工作業を行った後に再度測定評価用ウェーハ
を測定し、端末装置よりウェーハ測定結果をコンピュー
タに送信し、コンピュータはウェーハの加工作業を行っ
た後のウェーハ測定結果とウェーハを加工する前のウェ
ーハ測定結果とで性能値を算出し、半導体製造装置の基
準値と性能値を比較しかつ基準値に対する傾向を管理
し、半導体製造装置が正常に機能しているか否かを判定
し、正常でないときは半導体製造装置の作業開始を不可
能な状態にすることを特徴とする半導体製造装置の性能
管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2937092A JP2742169B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 半導体製造装置の性能管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2937092A JP2742169B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 半導体製造装置の性能管理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226206A true JPH05226206A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2742169B2 JP2742169B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=12274266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2937092A Expired - Fee Related JP2742169B2 (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 半導体製造装置の性能管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742169B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8571703B2 (en) * | 2007-09-18 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | System, method and storage medium for controlling a processing system |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2937092A patent/JP2742169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8571703B2 (en) * | 2007-09-18 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | System, method and storage medium for controlling a processing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742169B2 (ja) | 1998-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020193891A1 (en) | Apparatus for diagnosing failure in equipment using signals relating to the equipment | |
| EP0500056A1 (en) | Monitored burn-in system | |
| JPH05226206A (ja) | 半導体製造装置の性能管理方法 | |
| CN106449464A (zh) | 晶圆测试方法 | |
| JP2716288B2 (ja) | 半導体回路試験方式 | |
| EP0424825B1 (en) | Method for measuring DC current/voltage characteristic of semi-conductor device | |
| JP3327324B2 (ja) | 非接触式ｉｃカードの故障判定方法および装置 | |
| JP2868462B2 (ja) | 半導体集積回路テスト方法およびテスト制御装置 | |
| JP2007248200A (ja) | 半導体試験装置の保守システムおよび保守方法 | |
| JP2004031381A (ja) | 半導体製造装置及びその診断装置ならびに半導体製造装置の運用システム | |
| JPS6014376B2 (ja) | 試験装置 | |
| JP2978812B2 (ja) | 半導体試験装置及びその試験方法 | |
| KR100576819B1 (ko) | 반도체 공정설비의 공정데이터 관리 시스템 | |
| JPS60251405A (ja) | 計測装置の群管理制御システム | |
| JP3578523B2 (ja) | 品質管理方法 | |
| JP3133048B2 (ja) | 自己検診機能を備えた半導体ハンドリング装置及び半導体ハンドリング装置の自己検診方法 | |
| JP2822738B2 (ja) | 半導体ｉｃの検査方法 | |
| JPH0697257A (ja) | 半導体装置の電気的特性検査装置 | |
| JPH0719824B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
| JPH11330184A (ja) | ウエハテスト方法 | |
| CN116230570A (zh) | 一种晶圆测厚系统及方法 | |
| JPH08153486A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS584940A (ja) | 半導体装置テストシステム | |
| JPH05240886A (ja) | 電圧変動試験確認方式 | |
| JPH02108134A (ja) | 自動試験方式 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971224 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |