JP2822738B2 - 半導体ｉｃの検査方法 - Google Patents
半導体ｉｃの検査方法Info
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- JP2822738B2 JP2822738B2 JP716092A JP716092A JP2822738B2 JP 2822738 B2 JP2822738 B2 JP 2822738B2 JP 716092 A JP716092 A JP 716092A JP 716092 A JP716092 A JP 716092A JP 2822738 B2 JP2822738 B2 JP 2822738B2
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- JP
- Japan
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- test
- inspection
- replacement
- semiconductor
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＩＣの検査方法に
関し、特に半導体ウェーハに形成された半導体ＩＣの検
査方法に関する。
関し、特に半導体ウェーハに形成された半導体ＩＣの検
査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハ上のＩＣ部の検査
は、図３に示すように、まず、ＩＣテスタを用いて第
１の検査を実施し、冗長回路に置換すれば良品となる不
良箇所の置換情報を収集し、トリーマと呼ばれる置換
装置で不良箇所の置換を実施した後に、再びＩＣテス
タを用いて第２の検査を実施し、検査終了直後に不良
品にマーキングを実施していた。これらについては特開
平１−３１２８４５に詳記されている。
は、図３に示すように、まず、ＩＣテスタを用いて第
１の検査を実施し、冗長回路に置換すれば良品となる不
良箇所の置換情報を収集し、トリーマと呼ばれる置換
装置で不良箇所の置換を実施した後に、再びＩＣテス
タを用いて第２の検査を実施し、検査終了直後に不良
品にマーキングを実施していた。これらについては特開
平１−３１２８４５に詳記されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ＩＣ
の検査方法では次のような問題があった。まず第１の検
査においてＩＣテスタの故障やプローブ・カードと呼ば
れる測定用探針群と半導体ＩＣの電極パッドとの接触不
良の為に置換情報収集が正しく得られなかったり、トリ
ーマの故障や置換する為のヒューズを焼き切るレーザパ
ワーの調整不良の為に完全に置換できない。
の検査方法では次のような問題があった。まず第１の検
査においてＩＣテスタの故障やプローブ・カードと呼ば
れる測定用探針群と半導体ＩＣの電極パッドとの接触不
良の為に置換情報収集が正しく得られなかったり、トリ
ーマの故障や置換する為のヒューズを焼き切るレーザパ
ワーの調整不良の為に完全に置換できない。
【０００４】また第２の検査装置の故障やプローブ・カ
ードを電極パッドの接触不良の為に正しい検査ができな
かったりした場合に、誤判断して良否を不良品としてマ
ーキングしてしまっていた。また、作業者が置換情報と
１−１対応で一致していなければならない半導体ウェー
ハを間違ってトリーマに設置したり、逆に対応する置換
情報の代りに別キャリアの情報設定したりするミスもあ
った。
ードを電極パッドの接触不良の為に正しい検査ができな
かったりした場合に、誤判断して良否を不良品としてマ
ーキングしてしまっていた。また、作業者が置換情報と
１−１対応で一致していなければならない半導体ウェー
ハを間違ってトリーマに設置したり、逆に対応する置換
情報の代りに別キャリアの情報設定したりするミスもあ
った。
【０００５】従って、置換すれば良品になるべき半導体
ＩＣが実際に良品に判定される割合である「置換成功
率」が低くなり、歩留が低下して多大な損失であった。
ＩＣが実際に良品に判定される割合である「置換成功
率」が低くなり、歩留が低下して多大な損失であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェー
ハ上にそれぞれ冗長回路を含み形成された複数のＩＣを
それぞれ検査する第１の検査を実施し、その結果により
不良となったＩＣの不良箇所を前記冗長回路にそれぞれ
置換する置換処理を実施し、その後に再検査する第２の
検査を実施し、その結果により不良となったＩＣ部にマ
ーキングを実施する、半導体ＩＣの検査方法において、
前記第２の検査の終了後、前記第１の検査および前記第
２の検査の結果に基づき前記置換処理の置換成功率を半
導体ウェーハごとに計算し、予め設定された値に対して
前記置換成功率が達しない場合にアラームを発してい
る。
ハ上にそれぞれ冗長回路を含み形成された複数のＩＣを
それぞれ検査する第１の検査を実施し、その結果により
不良となったＩＣの不良箇所を前記冗長回路にそれぞれ
置換する置換処理を実施し、その後に再検査する第２の
検査を実施し、その結果により不良となったＩＣ部にマ
ーキングを実施する、半導体ＩＣの検査方法において、
前記第２の検査の終了後、前記第１の検査および前記第
２の検査の結果に基づき前記置換処理の置換成功率を半
導体ウェーハごとに計算し、予め設定された値に対して
前記置換成功率が達しない場合にアラームを発してい
る。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するために示す検査
のフロー図であり、図２は本実施例に用いる検査システ
ムのブロック図である。
る。図１は本発明の一実施例を説明するために示す検査
のフロー図であり、図２は本実施例に用いる検査システ
ムのブロック図である。
【０００８】次に図１，図２を用いて説明する。まず、
半導体ウェーハ上の各ＩＣに対して、ＩＣテスタ１Ａ
を使用して第１の検査を実施する。この検査により収集
された不良箇所の置換情報Ｓ６はトリーマ２に送られ、
トリーマ２によりの不良箇所の置換が行なわれる。
半導体ウェーハ上の各ＩＣに対して、ＩＣテスタ１Ａ
を使用して第１の検査を実施する。この検査により収集
された不良箇所の置換情報Ｓ６はトリーマ２に送られ、
トリーマ２によりの不良箇所の置換が行なわれる。
【０００９】次に、ＩＣテスタ１Ｂを使用しての第２
のＳ７は置換成功率判定部３に入力し、置換成功率が計
算される。予じめ置換成功率の基準値が設定されてお
り、両方の値が置換成功率判定部３に入力される。置
換成功率判定部３では置換成功率と設定値との比較を行
う。
のＳ７は置換成功率判定部３に入力し、置換成功率が計
算される。予じめ置換成功率の基準値が設定されてお
り、両方の値が置換成功率判定部３に入力される。置
換成功率判定部３では置換成功率と設定値との比較を行
う。
【００１０】この比較の結果（置換成功率２設定値）な
らば、マーキング・プローバ４に検査結果７を送り、
マーキングを実施する。また、（置換成功率〈設定値）
ならば、アラームを発する。また、アラームを発せら
れたウェーハのみ、再度の第１の検査に戻り、〜
のフローを繰返す。
らば、マーキング・プローバ４に検査結果７を送り、
マーキングを実施する。また、（置換成功率〈設定値）
ならば、アラームを発する。また、アラームを発せら
れたウェーハのみ、再度の第１の検査に戻り、〜
のフローを繰返す。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウェーハ上の不良ＩＣ部にマーキングをする前に、
第１の検査、第２の検査およびトリーマの置換の実施に
ついて、置換成功率を見ることにより異常を検出するこ
とができる。
導体ウェーハ上の不良ＩＣ部にマーキングをする前に、
第１の検査、第２の検査およびトリーマの置換の実施に
ついて、置換成功率を見ることにより異常を検出するこ
とができる。
【００１２】また、作業ミスによるウェーハの間違い
や、置換情報のトリーマへの設定間違いも検出すること
ができる。この為、良品を不良と判断してマーキングす
ることが少くなり、歩留の低下を防止できる。
や、置換情報のトリーマへの設定間違いも検出すること
ができる。この為、良品を不良と判断してマーキングす
ることが少くなり、歩留の低下を防止できる。
【図１】本発明の一実施例を説明するために示す検査フ
ロー図である。
ロー図である。
【図２】図１の検査フローに用いる検査システムのブロ
ック図である。
ック図である。
【図３】従来の半導体ＩＣの検査方法の一例を説明する
ために示す検査フロー図である。
ために示す検査フロー図である。
１Ａ，１Ｂ ＩＣテスタ ２ トリーマ ３ 置換成功率判定部 ４ マーキング・プローバ Ｓ５ 検査結果 Ｓ６ 置換情報 Ｓ７ 検査結果
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ上にそれぞれ冗長回路を
含み形成された複数のＩＣをそれぞれ検査する第１の検
査を実施し、その結果により不良となったＩＣの不良箇
所を前記冗長回路にそれぞれ置換する置換処理を実施
し、その後に再検査する第２の検査を実施し、その結果
により不良となったＩＣ部にマーキングを実施する、半
導体ＩＣの検査方法において、 前記第２の検査の終了後、前記第１の検査および前記第
２の検査の結果に基づき前記置換処理の置換成功率を半
導体ウェーハごとに計算し、予め設定された値に対して
前記置換成功率が達しない場合にアラームを発すること
を特徴とする、半導体ＩＣの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP716092A JP2822738B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体ｉｃの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP716092A JP2822738B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体ｉｃの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211213A JPH05211213A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2822738B2 true JP2822738B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=11658326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP716092A Expired - Fee Related JP2822738B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体ｉｃの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822738B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105204377A (zh) * | 2014-06-18 | 2015-12-30 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改进产品标准的方法 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP716092A patent/JP2822738B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05211213A (ja) | 1993-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980804 |
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