JP2978812B2 - 半導体試験装置及びその試験方法 - Google Patents
半導体試験装置及びその試験方法Info
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- JP2978812B2 JP2978812B2 JP9040710A JP4071097A JP2978812B2 JP 2978812 B2 JP2978812 B2 JP 2978812B2 JP 9040710 A JP9040710 A JP 9040710A JP 4071097 A JP4071097 A JP 4071097A JP 2978812 B2 JP2978812 B2 JP 2978812B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体試験装置及び
その試験方法に関し、特に半導体集積回路等の製造工程
における電気特性試験用の半導体試験装置及びその試験
方法に関する。
その試験方法に関し、特に半導体集積回路等の製造工程
における電気特性試験用の半導体試験装置及びその試験
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体装置の製造工程における各
種試験の増大に伴い、その効率の向上が重要となってき
ている。また、ロット不良発生時等にその不良原因を直
ちに分析し迅速に対策する必要性が大きくなってきてい
る。
種試験の増大に伴い、その効率の向上が重要となってき
ている。また、ロット不良発生時等にその不良原因を直
ちに分析し迅速に対策する必要性が大きくなってきてい
る。
【０００３】従来、この種の試験を自動的に実施する半
導体試験装置は、この種のロット不良等の品質管理情報
を得るため試験結果得られた測定データを統計処理し表
示する機能を有していた。
導体試験装置は、この種のロット不良等の品質管理情報
を得るため試験結果得られた測定データを統計処理し表
示する機能を有していた。
【０００４】特開平３−６０３７号公報（文献１）ある
いは特開平３−１８５７４７号公報（文献２）記載の一
般的な従来の半導体試験装置をブロックで示す図４を参
照すると、この従来の半導体試験装置は、試験装置本体
である試験処理装置１と、予め設定した試験条件を記述
した磁気記録媒体等の形で供給されるテストプログラム
２と、被測定ウェハー５に試験信号ＴＣを供給し対応測
定データＴＤを収集する測定治具３と、ウェハー５をセ
ットするプロビーング部４とを備える。
いは特開平３−１８５７４７号公報（文献２）記載の一
般的な従来の半導体試験装置をブロックで示す図４を参
照すると、この従来の半導体試験装置は、試験装置本体
である試験処理装置１と、予め設定した試験条件を記述
した磁気記録媒体等の形で供給されるテストプログラム
２と、被測定ウェハー５に試験信号ＴＣを供給し対応測
定データＴＤを収集する測定治具３と、ウェハー５をセ
ットするプロビーング部４とを備える。
【０００５】試験処理装置１は、テストプログラム２の
記述にしたがい被測定ウェハー５に対して測定治具３を
介して試験信号ＴＣを供給し対応の測定データＴＤを収
集するＣＰＵ及び測定部を含む試験回路部１１と、測定
データＴＤを格納し格納データＭＤを出力する半導体メ
モリ及び磁気記録媒体等から成るデータ格納部１２と、
格納データＭＤについて統計的演算を行い処理データＤ
Ｐを出力するソフトウェアから成るデータ処理部１３
と、ＣＲＴや液晶デイスプレイ等から成り処理データＤ
Ｐを表示するデータ表示部１５とを備える。
記述にしたがい被測定ウェハー５に対して測定治具３を
介して試験信号ＴＣを供給し対応の測定データＴＤを収
集するＣＰＵ及び測定部を含む試験回路部１１と、測定
データＴＤを格納し格納データＭＤを出力する半導体メ
モリ及び磁気記録媒体等から成るデータ格納部１２と、
格納データＭＤについて統計的演算を行い処理データＤ
Ｐを出力するソフトウェアから成るデータ処理部１３
と、ＣＲＴや液晶デイスプレイ等から成り処理データＤ
Ｐを表示するデータ表示部１５とを備える。
【０００６】次に、図４及び試験手順をフローチャート
で示す図５を参照して、従来の半導体試験装置の動作及
びその試験方法について説明すると、まず測定治具３を
セットし（ステップＳ１）、被測定ウェハー５をセット
し（ステップＳ２）、テストプログラム２の読み込みを
行い（ステップＳ３）、次に試験回路部１１がテストプ
ログラム２にしたがい試験信号ＴＣを測定治具３を経由
してウェハー５に供給して試験を実施する（ステップＳ
１１）。この試験結果得られた測定データＴＤをデータ
格納部１２に格納する（ステップＳ１２）。この一連の
試験及び測定データ格納はウェハー５の全てのチップの
測定を完了するまで反復する（ステップＳ１３）。
で示す図５を参照して、従来の半導体試験装置の動作及
びその試験方法について説明すると、まず測定治具３を
セットし（ステップＳ１）、被測定ウェハー５をセット
し（ステップＳ２）、テストプログラム２の読み込みを
行い（ステップＳ３）、次に試験回路部１１がテストプ
ログラム２にしたがい試験信号ＴＣを測定治具３を経由
してウェハー５に供給して試験を実施する（ステップＳ
１１）。この試験結果得られた測定データＴＤをデータ
格納部１２に格納する（ステップＳ１２）。この一連の
試験及び測定データ格納はウェハー５の全てのチップの
測定を完了するまで反復する（ステップＳ１３）。
【０００７】また、データ処理部１３は格納データＭＤ
を予め設定した規格値に対応して製造ラインの工程能力
を含む統計処理し、試験規格に対する格納データＭＤの
特性分布図やロット管理図を作成するための処理データ
ＤＰを出力する。データ表示部１５は処理データＤＰを
任意に表示出来、ロット不良発生時等の不良原因の分析
等を行う場合に利用していた。
を予め設定した規格値に対応して製造ラインの工程能力
を含む統計処理し、試験規格に対する格納データＭＤの
特性分布図やロット管理図を作成するための処理データ
ＤＰを出力する。データ表示部１５は処理データＤＰを
任意に表示出来、ロット不良発生時等の不良原因の分析
等を行う場合に利用していた。
【０００８】例えば、製造ラインが規格を満足する製品
を出しているかを示す品質管理上の判断基準として次式
で示す工程能力指数Ｃｐがある。
を出しているかを示す品質管理上の判断基準として次式
で示す工程能力指数Ｃｐがある。
【０００９】 Ｃｐ＝Ｔ／（６σｐ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（１） 一般に規格幅Ｔは標準偏差σの８倍以上すなわち（１）
式でＣｐ≧１．３３であれば工程能力は十分とされてい
る。
式でＣｐ≧１．３３であれば工程能力は十分とされてい
る。
【００１０】この従来の半導体試験装置による半導体装
置の特性試験において、製品のロットや試験装置の個体
差により発振等が生じ測定値が不安定になるテスト項目
がある。これを事前に検出できないと良品を不良判定
し、歩留まりを低下させ、あるいはロット不良として処
理することになる。
置の特性試験において、製品のロットや試験装置の個体
差により発振等が生じ測定値が不安定になるテスト項目
がある。これを事前に検出できないと良品を不良判定
し、歩留まりを低下させ、あるいはロット不良として処
理することになる。
【００１１】従来この種のロット不良を防止するため、
ウェハー５の任意のペレットについてマニュアルチエッ
クを行い、それがパスすれば試験を実施し、不合格であ
れば試験を中止して原因探求を行っていた。
ウェハー５の任意のペレットについてマニュアルチエッ
クを行い、それがパスすれば試験を実施し、不合格であ
れば試験を中止して原因探求を行っていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
試験装置及びその試験方法は、試験装置や測定治具の発
振等の異常動作に起因して正常な測定値が得られない場
合は良品を不良と誤判定し、結果として歩留まり低下要
因となるという欠点があった。
試験装置及びその試験方法は、試験装置や測定治具の発
振等の異常動作に起因して正常な測定値が得られない場
合は良品を不良と誤判定し、結果として歩留まり低下要
因となるという欠点があった。
【００１３】また、上記異常動作を検出するため、被測
定ウェハーーの任意のペレットについてマニュアルチエ
ックを行い、それがパスすれば試験を実施し、不合格で
あれば試験を中止して原因探求を行っていたので、その
ための時間及び工数がかかるという欠点があった。
定ウェハーーの任意のペレットについてマニュアルチエ
ックを行い、それがパスすれば試験を実施し、不合格で
あれば試験を中止して原因探求を行っていたので、その
ための時間及び工数がかかるという欠点があった。
【００１４】本発明の目的は、試験装置や測定治具の発
振等の異常動作に起因する歩留まり低下要因を除去した
半導体試験装置を提供することにある。
振等の異常動作に起因する歩留まり低下要因を除去した
半導体試験装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体試験装置
は、被試験半導体ウェハーを載置し所定の試験接続を行
うプロービング部を用いて連続する製造ロットの被試験
半導体ウェハー上のチップを順次接続して予め設定した
試験条件を記述したテストプログラムにしたがい電気的
特性を測定し測定データを収集する試験回路部と、前記
測定データを格納するデータ格納部と格納した前記測定
データについて所定の統計的演算を行い製造ラインの品
質管理上の判断基準であり規格幅を標準偏差の６倍で除
した値である工程能力指数を含む処理データを出力する
データ処理部とを含む試験処理装置を備える半導体試験
装置において、前記試験処理装置が、前記試験回路部が
測定した半導体試験装置の正常動作確認用に同一製造ロ
ット単位当たり１チップの割合で選択した被反復測定チ
ップに対する所定回数の反復測定データから前記データ
処理部が算出した前記処理データに含まれる前記工程能
力指数の予め定めた判定値に対する大小の判定を実施し
判定結果に応答して試験の実行停止を制御する試験制御
信号を出力するデータ判定部を備えて構成されている。
は、被試験半導体ウェハーを載置し所定の試験接続を行
うプロービング部を用いて連続する製造ロットの被試験
半導体ウェハー上のチップを順次接続して予め設定した
試験条件を記述したテストプログラムにしたがい電気的
特性を測定し測定データを収集する試験回路部と、前記
測定データを格納するデータ格納部と格納した前記測定
データについて所定の統計的演算を行い製造ラインの品
質管理上の判断基準であり規格幅を標準偏差の６倍で除
した値である工程能力指数を含む処理データを出力する
データ処理部とを含む試験処理装置を備える半導体試験
装置において、前記試験処理装置が、前記試験回路部が
測定した半導体試験装置の正常動作確認用に同一製造ロ
ット単位当たり１チップの割合で選択した被反復測定チ
ップに対する所定回数の反復測定データから前記データ
処理部が算出した前記処理データに含まれる前記工程能
力指数の予め定めた判定値に対する大小の判定を実施し
判定結果に応答して試験の実行停止を制御する試験制御
信号を出力するデータ判定部を備えて構成されている。
【００１６】本発明の半導体試験方法は、被試験半導体
ウェハーを載置し所定の試験接続を行うプロービング部
を用いて連続する製造ロットの被試験半導体ウェハー上
のチップを順次接続して予め設定した試験条件を記述し
たテストプログラムにしたがい電気的特性を測定し測定
データを収集する半導体試験装置を用いる半導体試験方
法において、同一製造ロット単位当たり１チップの割合
で前記被試験半導体ウェハー上の任意のチップを前記半
導体試験装置の正常動作確認用の被反復測定チップとし
て選択するステップと、前記被測定チップに対する反復
測定回数を指定するステップと、前記被測定チップを前
記指定回数試験し測定データを収集するステップと、収
集した前記測定データについて所定の統計的演算を行い
製造ラインの品質管理上の判断基準であり規格幅を標準
偏差の６倍で除した値である工程能力指数を算出する工
程能力指数算出ステップと、前記工程能力指数算出ステ
ップで算出した前記工程能力指数の予め定めた判定値に
対する大小を判定する大小判定ステップと、前記大小判
定ステップでの判定結果、前記工程能力指数が前記判定
値より大きい場合は前記被試験半導体ウェハー全体の試
験を実施し、小さい場合は試験を停止するステップとを
含むことを特徴とするものである。
ウェハーを載置し所定の試験接続を行うプロービング部
を用いて連続する製造ロットの被試験半導体ウェハー上
のチップを順次接続して予め設定した試験条件を記述し
たテストプログラムにしたがい電気的特性を測定し測定
データを収集する半導体試験装置を用いる半導体試験方
法において、同一製造ロット単位当たり１チップの割合
で前記被試験半導体ウェハー上の任意のチップを前記半
導体試験装置の正常動作確認用の被反復測定チップとし
て選択するステップと、前記被測定チップに対する反復
測定回数を指定するステップと、前記被測定チップを前
記指定回数試験し測定データを収集するステップと、収
集した前記測定データについて所定の統計的演算を行い
製造ラインの品質管理上の判断基準であり規格幅を標準
偏差の６倍で除した値である工程能力指数を算出する工
程能力指数算出ステップと、前記工程能力指数算出ステ
ップで算出した前記工程能力指数の予め定めた判定値に
対する大小を判定する大小判定ステップと、前記大小判
定ステップでの判定結果、前記工程能力指数が前記判定
値より大きい場合は前記被試験半導体ウェハー全体の試
験を実施し、小さい場合は試験を停止するステップとを
含むことを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
を図４と共通の構成要素には共通の参照文字／数字を付
して同様にブロックで示す図１を参照すると、この図に
示す本実施の形態の半導体試験装置は、従来と共通のテ
ストプログラム２と、測定治具３と、被測定ウェハー５
とに加えて、従来と共通の試験回路部１１とデータ格納
部１２とデータ処理部１３とデータ表示部１５とに加え
てデータ処理部１３が算出した処理データＤＰに含む工
程能力指数Ｃｐの設定判定値に対する大小の判定を実施
し判定結果に応答して制御信号ＳＴを出力するソフトウ
ェア等から成るデータ判定部１４をさらに含む試験処理
装置１Ａと、プロビーング部４の代わりに制御信号ＳＴ
の供給に応答して測定作業の実行停止を行うプロビーン
グ部４Ａとを備える。
を図４と共通の構成要素には共通の参照文字／数字を付
して同様にブロックで示す図１を参照すると、この図に
示す本実施の形態の半導体試験装置は、従来と共通のテ
ストプログラム２と、測定治具３と、被測定ウェハー５
とに加えて、従来と共通の試験回路部１１とデータ格納
部１２とデータ処理部１３とデータ表示部１５とに加え
てデータ処理部１３が算出した処理データＤＰに含む工
程能力指数Ｃｐの設定判定値に対する大小の判定を実施
し判定結果に応答して制御信号ＳＴを出力するソフトウ
ェア等から成るデータ判定部１４をさらに含む試験処理
装置１Ａと、プロビーング部４の代わりに制御信号ＳＴ
の供給に応答して測定作業の実行停止を行うプロビーン
グ部４Ａとを備える。
【００１８】次に、図１及び試験手順をフローチャート
で示す図２を参照して本実施の形態の動作及びその試験
方法について説明すると、まず、従来と同様に、まず測
定治具３をセットし（ステップＳ１）、ウェハー５をセ
ットし（ステップＳ２）、テストプログラム２の読み込
みを行う（ステップＳ３）。
で示す図２を参照して本実施の形態の動作及びその試験
方法について説明すると、まず、従来と同様に、まず測
定治具３をセットし（ステップＳ１）、ウェハー５をセ
ットし（ステップＳ２）、テストプログラム２の読み込
みを行う（ステップＳ３）。
【００１９】次に、試験装置の正常動作確認のためウェ
ハー５の反復測定用の任意のチップを反復測定チップと
して選択し（ステップＳ４）その座標を入力する。ま
た、反復測定回数を例えば１００回と指定する（ステッ
プＳ５）。次に、プロビーング部４Ａのプローブを上記
測定対象チップの座標に移動して測定状態に設定し、試
験回路部１１はテストプログラム２をスタートし、指定
回数１００回の反復測定を実施する（ステップＳ６）。
このときの測定データＴＤをデータ格納部１２に順次格
納する（ステップＳ７）。この反復測定の終了時点で
（ステップＳ８）、データ処理部１３２はそれぞれの試
験項目毎に上述の（１）式で示す工程能力指数Ｃｐを算
出し（ステップＳ９）この工程能力指数Ｃｐを含む処理
データＤＰを出力する。
ハー５の反復測定用の任意のチップを反復測定チップと
して選択し（ステップＳ４）その座標を入力する。ま
た、反復測定回数を例えば１００回と指定する（ステッ
プＳ５）。次に、プロビーング部４Ａのプローブを上記
測定対象チップの座標に移動して測定状態に設定し、試
験回路部１１はテストプログラム２をスタートし、指定
回数１００回の反復測定を実施する（ステップＳ６）。
このときの測定データＴＤをデータ格納部１２に順次格
納する（ステップＳ７）。この反復測定の終了時点で
（ステップＳ８）、データ処理部１３２はそれぞれの試
験項目毎に上述の（１）式で示す工程能力指数Ｃｐを算
出し（ステップＳ９）この工程能力指数Ｃｐを含む処理
データＤＰを出力する。
【００２０】次ぎに、データ判定部１４は処理データＤ
Ｐに含む工程能力指数Ｃｐを予め設定した判定値と比較
し、その大小関係を判定する（ステップＳ１０）。この
判定値としては、上述のようにＣｐが１．３３以上のと
き工程能力が十分、すなわち、規格幅に対し測定値の分
散が十分小さいとされていることより１．３３以上例え
ば２．０に設定する。
Ｐに含む工程能力指数Ｃｐを予め設定した判定値と比較
し、その大小関係を判定する（ステップＳ１０）。この
判定値としては、上述のようにＣｐが１．３３以上のと
き工程能力が十分、すなわち、規格幅に対し測定値の分
散が十分小さいとされていることより１．３３以上例え
ば２．０に設定する。
【００２１】ステップＳ１０の判定結果、算出した工程
能力指数Ｃｐが判定値２．０より大きい場合には測定値
の分散が十分に小さい、すなわち、発振等の異常動作の
影響を受けずに正常に測定されていると判断できるの
で、ステップＳ１１に進み、全チップについて従来と同
様の試験を実施し、測定データを格納し（ステップＳ１
２）、この一連の試験及び測定データ格納をウェハー５
の全てのチップの測定を完了するまで反復する（ステッ
プＳ１３）。
能力指数Ｃｐが判定値２．０より大きい場合には測定値
の分散が十分に小さい、すなわち、発振等の異常動作の
影響を受けずに正常に測定されていると判断できるの
で、ステップＳ１１に進み、全チップについて従来と同
様の試験を実施し、測定データを格納し（ステップＳ１
２）、この一連の試験及び測定データ格納をウェハー５
の全てのチップの測定を完了するまで反復する（ステッ
プＳ１３）。
【００２２】しかし、ステップＳ１０の判定結果、算出
した工程能力指数Ｃｐが判定値２．０より小さい場合に
は測定値の分散が大きい、すなわち、発振等の異常動作
の影響により正常な測定がされていないと判断できるの
で、ステップＳ１４に進み、データ判定部１４は、測定
作業を停止させる制御信号ＳＴを出力してプロビーング
部４Ａを停止させる。また、同時にアラーム信号を出力
して試験作業者に知らせる（ステップＳ１５）。
した工程能力指数Ｃｐが判定値２．０より小さい場合に
は測定値の分散が大きい、すなわち、発振等の異常動作
の影響により正常な測定がされていないと判断できるの
で、ステップＳ１４に進み、データ判定部１４は、測定
作業を停止させる制御信号ＳＴを出力してプロビーング
部４Ａを停止させる。また、同時にアラーム信号を出力
して試験作業者に知らせる（ステップＳ１５）。
【００２３】通常、半導体ウェハーの製造工程は、１ロ
ットが５０枚程度の製造ロット単位で製造し、試験もこ
の製造ロット単位で実施する。したがって、この製造ロ
ットの途中で試験装置や試験環境を変更することは殆ど
ないので、上述の発振等の異常動作の影響も同一製造ロ
ットないでは同一と考えられる。そのため、任意に選択
する上記反復測定チップによる反復測定の実施頻度は製
造ロット単位当たり１チップで十分である。
ットが５０枚程度の製造ロット単位で製造し、試験もこ
の製造ロット単位で実施する。したがって、この製造ロ
ットの途中で試験装置や試験環境を変更することは殆ど
ないので、上述の発振等の異常動作の影響も同一製造ロ
ットないでは同一と考えられる。そのため、任意に選択
する上記反復測定チップによる反復測定の実施頻度は製
造ロット単位当たり１チップで十分である。
【００２４】次に、本発明の第２の実施の形態を図２と
共通の構成要素には共通の参照文字／数字を付して同様
にフローチャートで示す図３を参照すると、この図に示
す本実施の形態の前述の第１の実施の形態との相違点
は、テストプログラムの読み込み（ステップＳ３）の後
に反復測定チップを選択するステップＳ４の代わりに、
ウェハー５の任意のチップを測定するステップＳ２１
と、測定結果の所定規格に対する良否判定を実施するス
テップＳ２２と、不良の場合は測定作業を中止し、良の
場合は上記任意チップを反復測定チップとしてその座標
を記憶するステップＳ２３とを含むことである。これに
より、反復測定前に反復測定チップが良品であることを
確認できる。
共通の構成要素には共通の参照文字／数字を付して同様
にフローチャートで示す図３を参照すると、この図に示
す本実施の形態の前述の第１の実施の形態との相違点
は、テストプログラムの読み込み（ステップＳ３）の後
に反復測定チップを選択するステップＳ４の代わりに、
ウェハー５の任意のチップを測定するステップＳ２１
と、測定結果の所定規格に対する良否判定を実施するス
テップＳ２２と、不良の場合は測定作業を中止し、良の
場合は上記任意チップを反復測定チップとしてその座標
を記憶するステップＳ２３とを含むことである。これに
より、反復測定前に反復測定チップが良品であることを
確認できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体試
験装置及びその試験方法は、試験処理装置が、試験回路
部が測定した正常動作確認用の被反復測定チップの所定
回数の反復測定データからデータ処理部が算出した処理
データに含まれる工程能力指数の設定判定値に対する大
小の判定を実施し判定結果に応答して試験の実行停止を
制御するデータ判定部を備えるので、試験装置や測定治
具の発振等の異常動作に起因する工程能力指数の異常す
なわち正常測定不能状態を自動的に検出し、直ちに試験
を停止して原因探求可能な状態にできるので、良品を不
良と判定することによる歩留り低下要因を除去するとと
もに、処理時間及び工数を大幅に低減できるという効果
がある。
験装置及びその試験方法は、試験処理装置が、試験回路
部が測定した正常動作確認用の被反復測定チップの所定
回数の反復測定データからデータ処理部が算出した処理
データに含まれる工程能力指数の設定判定値に対する大
小の判定を実施し判定結果に応答して試験の実行停止を
制御するデータ判定部を備えるので、試験装置や測定治
具の発振等の異常動作に起因する工程能力指数の異常す
なわち正常測定不能状態を自動的に検出し、直ちに試験
を停止して原因探求可能な状態にできるので、良品を不
良と判定することによる歩留り低下要因を除去するとと
もに、処理時間及び工数を大幅に低減できるという効果
がある。
【図１】本発明の半導体試験装置の第１の実施の形態を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】本実施の形態の半導体試験方法を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図３】本発明の半導体試験方法の第２の実施の形態を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図４】従来の半導体試験装置の一例を示すブロック図
である。
である。
【図５】従来の半導体試験方法を示すフローチャートで
ある。
ある。
１，１Ａ 試験処理装置 ２ テストプログラム ３ 測定治具 ４，４Ａ プロビーング部 ５ ウェハー １１ 試験回路部 １２ データ格納部 １３ データ処理部 １４ データ判定部 １５ データ表示部
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−6037（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−354663（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−249335（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−205119（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−264923（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−78019（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−171754（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−52247（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−171522（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−125567（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−178576（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−46044（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−282478（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−104043（ＪＰ，Ａ) 特公 平７−61599（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 31/317
Claims (4)
- 【請求項１】 被試験半導体ウェハーを載置し所定の試
験接続を行うプロービング部を用いて連続する製造ロッ
トの被試験半導体ウェハー上のチップを順次接続して予
め設定した試験条件を記述したテストプログラムにした
がい電気的特性を測定し測定データを収集する試験回路
部と、前記測定データを格納するデータ格納部と格納し
た前記測定データについて所定の統計的演算を行い製造
ラインの品質管理上の判断基準であり規格幅を標準偏差
の６倍で除した値である工程能力指数を含む処理データ
を出力するデータ処理部とを含む試験処理装置を備える
半導体試験装置において、 前記試験処理装置が、前記試験回路部が測定した半導体
試験装置の正常動作確認用に同一製造ロット単位当たり
１チップの割合で選択した被反復測定チップに対する所
定回数の反復測定データから前記データ処理部が算出し
た前記処理データに含まれる前記工程能力指数の予め定
めた判定値に対する大小の判定を実施し判定結果に応答
して試験の実行停止を制御する試験制御信号を出力する
データ判定部を備えることを特徴とする半導体試験装
置。 - 【請求項２】 前記プロービング部が、前記試験制御信
号の供給に応答して測定作業の実行停止を行うことを特
徴とする請求項１記載の半導体試験装置。 - 【請求項３】 被試験半導体ウェハーを載置し所定の試
験接続を行うプロービング部を用いて連続する製造ロッ
トの被試験半導体ウェハー上のチップを順次接続して予
め設定した試験条件を記述したテストプログラムにした
がい電気的特性を測定し測定データを収集する半導体試
験装置を用いる半導体試験方法において、同一製造ロット単位当たり１チップの割合で 前記被試験
半導体ウェハー上の任意のチップを前記半導体試験装置
の正常動作確認用の被反復測定チップとして選択するス
テップと、 前記被測定チップに対する反復測定回数を指定するステ
ップと、 前記被測定チップを前記指定回数試験し測定データを収
集するステップと、 収集した前記測定データについて所定の統計的演算を行
い製造ラインの品質管理上の判断基準であり規格幅を標
準偏差の６倍で除した値である工程能力指数を算出する
工程能力指数算出ステップと、 前記工程能力指数算出ステップで算出した前記工程能力
指数の予め定めた判定値に対する大小を判定する大小判
定ステップと、 前記大小判定ステップでの判定結果、前記工程能力指数
が前記判定値より大きい場合は前記被試験半導体ウェハ
ー全体の試験を実施し、小さい場合は試験を停止するス
テップとを含む半導体試験方法。 - 【請求項４】 前記反復測定回数を指定するステップの
前に前記被測定チップの良否判定のための測定を実施し
良であればこの反復測定回数を指定するステップに進む
ことを特徴とする請求項３記載の半導体試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040710A JP2978812B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体試験装置及びその試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040710A JP2978812B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体試験装置及びその試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242225A JPH10242225A (ja) | 1998-09-11 |
| JP2978812B2 true JP2978812B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=12588147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040710A Expired - Fee Related JP2978812B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体試験装置及びその試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978812B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060012A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Fuji Electric Systems Co Ltd | プラント監視装置およびプラント監視方法 |
| JP2019144104A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品搬送装置および電子部品検査装置 |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP9040710A patent/JP2978812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10242225A (ja) | 1998-09-11 |
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