JPH05226102A - 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料Info
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- JPH05226102A JPH05226102A JP2804992A JP2804992A JPH05226102A JP H05226102 A JPH05226102 A JP H05226102A JP 2804992 A JP2804992 A JP 2804992A JP 2804992 A JP2804992 A JP 2804992A JP H05226102 A JPH05226102 A JP H05226102A
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- epoxy resin
- molding material
- naphthol
- resin
- resin molding
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線板への実装の際、特定の前処理をするこ
となく、はんだ付けを行うことができる電子部品封止用
エポキシ樹脂成形材料を提供すること。 【構成】 主たる成分として（Ａ）１分子中に２個以上
のエポキシ基を持つエポキシ樹脂、（Ｂ）２−ナフトー
ルとフェノール類とアルデヒド類を金属触媒及び／又は
酸触媒の存在下で反応させて得られる変性フェノール樹
脂および、（Ｃ）６０体積％以上の無機充填剤からな
る。
となく、はんだ付けを行うことができる電子部品封止用
エポキシ樹脂成形材料を提供すること。 【構成】 主たる成分として（Ａ）１分子中に２個以上
のエポキシ基を持つエポキシ樹脂、（Ｂ）２−ナフトー
ルとフェノール類とアルデヒド類を金属触媒及び／又は
酸触媒の存在下で反応させて得られる変性フェノール樹
脂および、（Ｃ）６０体積％以上の無機充填剤からな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品封止用エポキシ
樹脂成形材料に関するもので、特に表面実装用プラスチ
ックパッケージＩＣが対象となる。
樹脂成形材料に関するもので、特に表面実装用プラスチ
ックパッケージＩＣが対象となる。
【０００２】
【従来の技術】従来から、トランジスタ、ＩＣなどの電
子部品封止の分野ではエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特
性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着
性などの諸特性にバランスがとれているためである。特
にオクソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノ
ールノボラック硬化剤の組み合わせは、これらのバラン
スに優れており、ＩＣ封止用成形材料のベース樹脂とし
て主流になっている。
子部品封止の分野ではエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特
性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着
性などの諸特性にバランスがとれているためである。特
にオクソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノ
ールノボラック硬化剤の組み合わせは、これらのバラン
スに優れており、ＩＣ封止用成形材料のベース樹脂とし
て主流になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子部品のプリ
ント配線板への高密度実装化が進んでいる。これに伴
い、電子部品は従来のピン挿入型のパッケージから表面
実装型のパッケージが主流になっている。ＩＣ、ＬＳＩ
などの表面実装型ＩＣは実装密度を高くし、実装高さを
低くするために薄型、小型のパッケージになっており、
素子のパッケージに対する占有体積が大きくなり、パッ
ケージの肉厚は非常に薄くなってきた。さらに、これら
のパッケージは従来のピン挿入型のものと実装方法が異
なっている。即ち、ピン挿入型パッケージはピンを配線
板に挿入した後、配線板裏面からはんだ付けを行うた
め、パッケージが直接高温にさらされることがなかっ
た。しかし、表面実装型ＩＣは配線板表面に仮止めを行
い、はんだバスやリフロー装置などで処理されるため、
直接はんだ付け温度にさらされる。この結果、ＩＣパッ
ケージが吸湿した場合、はんだ付け時に吸湿水分が急激
に膨張し、パッケージをクラックさせてしまう。現在、
この現象が表面実装型ＩＣに係わる大きな問題となって
いる。
ント配線板への高密度実装化が進んでいる。これに伴
い、電子部品は従来のピン挿入型のパッケージから表面
実装型のパッケージが主流になっている。ＩＣ、ＬＳＩ
などの表面実装型ＩＣは実装密度を高くし、実装高さを
低くするために薄型、小型のパッケージになっており、
素子のパッケージに対する占有体積が大きくなり、パッ
ケージの肉厚は非常に薄くなってきた。さらに、これら
のパッケージは従来のピン挿入型のものと実装方法が異
なっている。即ち、ピン挿入型パッケージはピンを配線
板に挿入した後、配線板裏面からはんだ付けを行うた
め、パッケージが直接高温にさらされることがなかっ
た。しかし、表面実装型ＩＣは配線板表面に仮止めを行
い、はんだバスやリフロー装置などで処理されるため、
直接はんだ付け温度にさらされる。この結果、ＩＣパッ
ケージが吸湿した場合、はんだ付け時に吸湿水分が急激
に膨張し、パッケージをクラックさせてしまう。現在、
この現象が表面実装型ＩＣに係わる大きな問題となって
いる。
【０００４】現行のベース樹脂組成で封止したＩＣパッ
ケージでは、上記の問題が避けられないため、ＩＣを防
湿梱包して出荷したり、配線板へ実装する前に予めＩＣ
を十分乾燥して使用するなどの方法がとられている。し
かし、これらの方法は手間がかかり、コストも高くな
る。本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、配線板
への実装の際、特定の前処理をすることなく、はんだ付
けを行うことができる電子部品封止用エポキシ樹脂成形
材料を提供しようとするものである。
ケージでは、上記の問題が避けられないため、ＩＣを防
湿梱包して出荷したり、配線板へ実装する前に予めＩＣ
を十分乾燥して使用するなどの方法がとられている。し
かし、これらの方法は手間がかかり、コストも高くな
る。本発明はかかる状況に鑑みなされたもので、配線板
への実装の際、特定の前処理をすることなく、はんだ付
けを行うことができる電子部品封止用エポキシ樹脂成形
材料を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹脂
の硬化剤として、特定の変性フェノール樹脂を配合する
ことにより上記の目的を達成しうることを見い出し、本
発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹脂
の硬化剤として、特定の変性フェノール樹脂を配合する
ことにより上記の目的を達成しうることを見い出し、本
発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明の電子部品封止用エポキ
シ樹脂成形材料は主成分として （Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を持つエポキシ
樹脂 （Ｂ）２−ナフトールとフェノール類とアルデヒド類を
金属触媒及び／又は酸触媒の存在下で反応させて得られ
る変性フェノール樹脂及び （Ｃ）６０体積％以上の無機充填剤からなることを特徴
とする。 本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、電子
部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されてい
るもので、それを例示すればフェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラ
ック樹脂をエポキシ化したもの、グリシジルアミン型エ
ポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂などがあり、これ
らを適宜何種類でも併用することができる。
シ樹脂成形材料は主成分として （Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を持つエポキシ
樹脂 （Ｂ）２−ナフトールとフェノール類とアルデヒド類を
金属触媒及び／又は酸触媒の存在下で反応させて得られ
る変性フェノール樹脂及び （Ｃ）６０体積％以上の無機充填剤からなることを特徴
とする。 本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、電子
部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されてい
るもので、それを例示すればフェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラ
ック樹脂をエポキシ化したもの、グリシジルアミン型エ
ポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂などがあり、これ
らを適宜何種類でも併用することができる。
【０００７】本発明の（Ｂ）の変性フェノール樹脂は、
２−ナフトール（Ｎ）とフェノール類とアルデヒド類を
金属触媒及び／又は酸触媒の存在下に反応させることに
より得られ、未反応ナフトール及び未反応フェノール類
を含む数平均分子量（Ｍｎ）が２００〜５００であり、
Ｍｗ／Ｍｎが１．７以下の多分散度を有する樹脂が好適
である。
２−ナフトール（Ｎ）とフェノール類とアルデヒド類を
金属触媒及び／又は酸触媒の存在下に反応させることに
より得られ、未反応ナフトール及び未反応フェノール類
を含む数平均分子量（Ｍｎ）が２００〜５００であり、
Ｍｗ／Ｍｎが１．７以下の多分散度を有する樹脂が好適
である。
【０００８】本発明で数平均分子量及び多分散度測定に
用いたＧＰＣ装置は日立製高速液体クロマトグラフィＬ
６０００及び、島津製作所製データ解析装置Ｃ−Ｒ４Ａ
である。ＧＰＣカラムとしては東ソー（株）Ｇ２０００
ＨXL＋Ｇ３０００ＨXLを使用した。試料濃度は０．２
％、移動相テトラヒドロフラン、流量１．０ml/minで測
定を行った。数平均分子量及び多分散度は標準ポリスチ
レンを用い、検量線を作成し、それを用いて計算した。
用いたＧＰＣ装置は日立製高速液体クロマトグラフィＬ
６０００及び、島津製作所製データ解析装置Ｃ−Ｒ４Ａ
である。ＧＰＣカラムとしては東ソー（株）Ｇ２０００
ＨXL＋Ｇ３０００ＨXLを使用した。試料濃度は０．２
％、移動相テトラヒドロフラン、流量１．０ml/minで測
定を行った。数平均分子量及び多分散度は標準ポリスチ
レンを用い、検量線を作成し、それを用いて計算した。
【０００９】本発明において、２−ナフトールとフェノ
ール類の反応モル比（Ｎ／Ｐ）は０．０５〜０．７とす
ることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜０．５で
ある。２−ナフトールの割合が上記範囲より小さいとナ
フトール変性の目的である低吸湿性、耐熱性（高ガラス
転移温度）に対して効果が少なく、割合が上記範囲より
大きい場合には未反応ナフトールの含有率が多くなり好
ましくない。アルデヒド類に対する２−ナフトールとフ
ェノール類の反応モル比｛Ｆ／（Ｎ＋Ｐ）｝は、０．３
〜１．０が好ましく、さらに好ましくは０．５〜０．８
である。アルデヒド類の割合が上記範囲より小さいと収
率が悪くなり、上記範囲より大きいと多分散度が大きく
なる。
ール類の反応モル比（Ｎ／Ｐ）は０．０５〜０．７とす
ることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜０．５で
ある。２−ナフトールの割合が上記範囲より小さいとナ
フトール変性の目的である低吸湿性、耐熱性（高ガラス
転移温度）に対して効果が少なく、割合が上記範囲より
大きい場合には未反応ナフトールの含有率が多くなり好
ましくない。アルデヒド類に対する２−ナフトールとフ
ェノール類の反応モル比｛Ｆ／（Ｎ＋Ｐ）｝は、０．３
〜１．０が好ましく、さらに好ましくは０．５〜０．８
である。アルデヒド類の割合が上記範囲より小さいと収
率が悪くなり、上記範囲より大きいと多分散度が大きく
なる。
【００１０】アルデヒド類としては、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルア
ルデヒドなどが用いられる。フェノール類は特に限定さ
れるものではなく、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−
クレゾール、ｐ−クレゾール、ブチルフェノール、キシ
レノール、ノニルフェノールなど通常のフェノール樹脂
合成に用いられるものであれば使用できるが、低吸湿性
を重視すればクレゾールなどのアルキルフェノール類が
好ましい。
ド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルア
ルデヒドなどが用いられる。フェノール類は特に限定さ
れるものではなく、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−
クレゾール、ｐ−クレゾール、ブチルフェノール、キシ
レノール、ノニルフェノールなど通常のフェノール樹脂
合成に用いられるものであれば使用できるが、低吸湿性
を重視すればクレゾールなどのアルキルフェノール類が
好ましい。
【００１１】次に、本発明の変性フェノール樹脂の製造
方法において、触媒として使用される金属元素として
は、マンガン、鉄、ニッケル、亜鉛などの遷移金属、ア
ルミニウム、ガリウムなどのＩＩＩＡ族元素、リンなど
のＶＡ族元素などが挙げられる。これらの金属は、これ
に限定されるものではなく、また反応系においては単独
または任意の２種類以上の混合物として使用できる。こ
の金属触媒は単独でも酸触媒と併用しても用いることが
できる。金属触媒と併用あるいは単独で用いる酸触媒と
しては、塩酸、硫酸、硝酸、ｐ−トルエンスルホン酸、
蓚酸、ギ酸、クエン酸などが用いられる。
方法において、触媒として使用される金属元素として
は、マンガン、鉄、ニッケル、亜鉛などの遷移金属、ア
ルミニウム、ガリウムなどのＩＩＩＡ族元素、リンなど
のＶＡ族元素などが挙げられる。これらの金属は、これ
に限定されるものではなく、また反応系においては単独
または任意の２種類以上の混合物として使用できる。こ
の金属触媒は単独でも酸触媒と併用しても用いることが
できる。金属触媒と併用あるいは単独で用いる酸触媒と
しては、塩酸、硫酸、硝酸、ｐ−トルエンスルホン酸、
蓚酸、ギ酸、クエン酸などが用いられる。
【００１２】本発明におけるナフトール樹脂の反応条件
については特に限定しないが、一般には１００〜１１０
℃の温度で還流下に実施するのが好ましい。還流反応時
間は使用した触媒の種類や量により異なるが、通常１〜
５０時間である。還流反応終了後、反応生成物を２３０
℃以下の温度で減圧脱水し、未反応物が所定の量になっ
た時に、生成樹脂を反応釜から取り出し冷却することに
よって、所望のナフトール樹脂が得られる。本発明に用
いられるエポキシ樹脂と（Ｂ）の変性フェノール樹脂の
当量比は、硬化性、耐熱性等の点から０．８〜１．３の
範囲が望ましい。
については特に限定しないが、一般には１００〜１１０
℃の温度で還流下に実施するのが好ましい。還流反応時
間は使用した触媒の種類や量により異なるが、通常１〜
５０時間である。還流反応終了後、反応生成物を２３０
℃以下の温度で減圧脱水し、未反応物が所定の量になっ
た時に、生成樹脂を反応釜から取り出し冷却することに
よって、所望のナフトール樹脂が得られる。本発明に用
いられるエポキシ樹脂と（Ｂ）の変性フェノール樹脂の
当量比は、硬化性、耐熱性等の点から０．８〜１．３の
範囲が望ましい。
【００１３】また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬
化反応を促進する硬化促進剤を使用することができる。
この硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジア
ミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミ
ン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミ
ノメチル）フェノールなどの三級アミン類、２−メチル
イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニ
ル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダ
ゾールなどのイミダゾール類、トリブチルホスフィン、
メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン
などの有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム
・テトラフェニルボレートなどのテトラ置換ホスホニウ
ム・テトラ置換ボレート、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホ
リン・テトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボ
ロン塩などがある。
化反応を促進する硬化促進剤を使用することができる。
この硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザビシ
クロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジア
ミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミ
ン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミ
ノメチル）フェノールなどの三級アミン類、２−メチル
イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニ
ル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダ
ゾールなどのイミダゾール類、トリブチルホスフィン、
メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン
などの有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム
・テトラフェニルボレートなどのテトラ置換ホスホニウ
ム・テトラ置換ボレート、２−エチル−４−メチルイミ
ダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホ
リン・テトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボ
ロン塩などがある。
【００１４】また、充填剤としては吸湿性低減及び強度
向上の観点から無機充填剤を用いることが必要である。
無機充填剤としては、結晶シリカ、溶融シリカ、アルミ
ナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、また
はこれらを球形化したビーズなどが挙げられ、１種類以
上用いることができる。充填剤の配合量としては、熱膨
張係数の低減、高温強度向上の観点から６０容量％以上
が必要であり、さらには６５容量％以上が好ましい。
向上の観点から無機充填剤を用いることが必要である。
無機充填剤としては、結晶シリカ、溶融シリカ、アルミ
ナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、また
はこれらを球形化したビーズなどが挙げられ、１種類以
上用いることができる。充填剤の配合量としては、熱膨
張係数の低減、高温強度向上の観点から６０容量％以上
が必要であり、さらには６５容量％以上が好ましい。
【００１５】その他の添加剤として高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックスなどの離型剤、カーボ
ンブラックなどの着色剤、エポキシシラン、アミノシラ
ン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキルシラン、
有機チタネート、アルミニウムアルコレートなどのカッ
プリング剤及び難燃剤などを用いることができる。以上
のような原材料を用いて成形材料を作製する一般的な方
法としては、所定の配合量の原材料をミキサー等によっ
て充分混合した後、ミキシングロール、押出機などによ
って混練し、冷却、粉砕することによって成形材料を得
ることができる。本発明で得られる成形材料を用いて、
電子部品を封止する方法としては、低圧トランスファー
成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形
法、圧縮成形法によっても可能である。
肪酸金属塩、エステル系ワックスなどの離型剤、カーボ
ンブラックなどの着色剤、エポキシシラン、アミノシラ
ン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキルシラン、
有機チタネート、アルミニウムアルコレートなどのカッ
プリング剤及び難燃剤などを用いることができる。以上
のような原材料を用いて成形材料を作製する一般的な方
法としては、所定の配合量の原材料をミキサー等によっ
て充分混合した後、ミキシングロール、押出機などによ
って混練し、冷却、粉砕することによって成形材料を得
ることができる。本発明で得られる成形材料を用いて、
電子部品を封止する方法としては、低圧トランスファー
成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形
法、圧縮成形法によっても可能である。
【００１６】
【作用】ＩＣパッケージがリフロー時に受けるダメージ
は、ＩＣの保管時に吸湿した水分がリフロー時に急激に
膨張することが原因であり、この結果、パッケージのク
ラック及び素子やリードフレームと樹脂界面の剥離を生
じる。従って、リフローに強い樹脂としては吸水率が低
いこと、高温で強度が高いこと、及び接着力が高いこと
が要求される。本発明の特徴であるエポキシ樹脂の硬化
剤は、骨格の剛直性、疎水性に優れたナフタレン骨格を
有する変性フェノール樹脂であり、これにより耐熱性、
吸湿特性に優れた組成物を得ることができたと推察でき
る。この効果により、耐リフロークラック性が向上した
と考えられる。さらに、変性フェノール樹脂の多分散度
を小さくし、数平均分子量を２００〜５００とすること
で、ナフタレン骨格を有するにも係わらず低粘度である
ため、成形時の流動性も良好な電子部品封止用エポキシ
樹脂成形材料を得られる。
は、ＩＣの保管時に吸湿した水分がリフロー時に急激に
膨張することが原因であり、この結果、パッケージのク
ラック及び素子やリードフレームと樹脂界面の剥離を生
じる。従って、リフローに強い樹脂としては吸水率が低
いこと、高温で強度が高いこと、及び接着力が高いこと
が要求される。本発明の特徴であるエポキシ樹脂の硬化
剤は、骨格の剛直性、疎水性に優れたナフタレン骨格を
有する変性フェノール樹脂であり、これにより耐熱性、
吸湿特性に優れた組成物を得ることができたと推察でき
る。この効果により、耐リフロークラック性が向上した
と考えられる。さらに、変性フェノール樹脂の多分散度
を小さくし、数平均分子量を２００〜５００とすること
で、ナフタレン骨格を有するにも係わらず低粘度である
ため、成形時の流動性も良好な電子部品封止用エポキシ
樹脂成形材料を得られる。
【００１７】
【実施例】以下実施例により本発明を説明するが、本発
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
硬化剤として使用するナフトール変性樹脂を表１、表２
に示す。これらの合成は攪拌機、冷却器、温度計を備え
た２Ｌのフラスコを用い、オイルバス中での還流反応で
行った。また、濃縮は減圧度７００mmＨｇで１８０℃の
条件で行った。
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
硬化剤として使用するナフトール変性樹脂を表１、表２
に示す。これらの合成は攪拌機、冷却器、温度計を備え
た２Ｌのフラスコを用い、オイルバス中での還流反応で
行った。また、濃縮は減圧度７００mmＨｇで１８０℃の
条件で行った。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１及び表２に示す実験番号（１）〜（１
６）の硬化剤を用いて実施例（１）〜（１６）のエポキ
シ樹脂成形材料を作製した。実施例の硬化剤以外の成分
としてはエポキシ当量２００、軟化点７３℃のオクソク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂８０重量部、臭素比
率５０重量％、エポキシ当量３７５の臭素化ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂２０重量部、トリフェニルホスフ
ィン（１．８重量部）、カルナバワックス（３重量
部）、カーボンブラック（１重量部）、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（４重量部）、石英ガラ
ス粉（７５重量％）を配合した。なお、硬化剤の配合量
は上記のエポキシ樹脂全量に対しエポキシ当量と水酸基
当量の比が１：１となる量を使用した。混練装置は１０
インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８０〜９０
℃、混練時間７〜１０分の条件で作製した。比較例とし
ては、２−ナフトール７２ｇ、フェノール４２３ｇ、３
７％ホルマリン１６２ｇ、８６％パラホルムアルデヒド
７７ｇ、金属アルミニウム０．３ｇ、蓚酸１．２５ｇを
仕込み、実施例と同様に３時間還流反応させた後、２０
０℃まで昇温しながら７００ｍｍＨｇで３時間減圧脱水
し、数平均分子量６３５、分散度２．６の樹脂を得た。
この樹脂を硬化剤として実施例と同様にエポキシ樹脂成
形材料を作製し、比較例（１）とした。また、水酸基当
量１０６、軟化点８３℃のフェノールノボラック樹脂を
硬化剤として実施例と同様にエポキシ樹脂成形材料を作
製し、比較例（２）とした。
６）の硬化剤を用いて実施例（１）〜（１６）のエポキ
シ樹脂成形材料を作製した。実施例の硬化剤以外の成分
としてはエポキシ当量２００、軟化点７３℃のオクソク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂８０重量部、臭素比
率５０重量％、エポキシ当量３７５の臭素化ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂２０重量部、トリフェニルホスフ
ィン（１．８重量部）、カルナバワックス（３重量
部）、カーボンブラック（１重量部）、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（４重量部）、石英ガラ
ス粉（７５重量％）を配合した。なお、硬化剤の配合量
は上記のエポキシ樹脂全量に対しエポキシ当量と水酸基
当量の比が１：１となる量を使用した。混練装置は１０
インチ径の加熱ロールを使用して、混練温度８０〜９０
℃、混練時間７〜１０分の条件で作製した。比較例とし
ては、２−ナフトール７２ｇ、フェノール４２３ｇ、３
７％ホルマリン１６２ｇ、８６％パラホルムアルデヒド
７７ｇ、金属アルミニウム０．３ｇ、蓚酸１．２５ｇを
仕込み、実施例と同様に３時間還流反応させた後、２０
０℃まで昇温しながら７００ｍｍＨｇで３時間減圧脱水
し、数平均分子量６３５、分散度２．６の樹脂を得た。
この樹脂を硬化剤として実施例と同様にエポキシ樹脂成
形材料を作製し、比較例（１）とした。また、水酸基当
量１０６、軟化点８３℃のフェノールノボラック樹脂を
硬化剤として実施例と同様にエポキシ樹脂成形材料を作
製し、比較例（２）とした。
【００２１】実施例（１）〜（１６）及び比較例（１）
〜（２）の特性を表３に、試験法の詳細を表４に示す。
〜（２）の特性を表３に、試験法の詳細を表４に示す。
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】実施例は何れも現行樹脂系の比較材（２）
と比べ接着強度が高く、吸水率も小さくなっており、こ
の結果、耐はんだ性及び耐湿性が格段に向上している。
さらに、実施例は大別して実施例（１）〜（８）の２−
ナフトール／ｐ−クレゾール系硬化剤と実施例（９）〜
（１６）の２−ナフトール／ｏ−クレゾール系硬化剤の
２系統になるが、２−ナフトール／ｐ−クレゾール系硬
化剤を用いた場合はガラス転移温度が比較的高くなり、
２−ナフトール／ｏ−クレゾール系硬化剤を用いた場合
は接着力が特に高くなる特長がある。比較例（１）も実
施例と同様な２−ナフトール／フェノール系硬化剤であ
るが、数平均分子量、分散度が大きいため、耐はんだ性
は良好であるが、スパイラルフローが低下するため、成
形性が悪くなる。
と比べ接着強度が高く、吸水率も小さくなっており、こ
の結果、耐はんだ性及び耐湿性が格段に向上している。
さらに、実施例は大別して実施例（１）〜（８）の２−
ナフトール／ｐ−クレゾール系硬化剤と実施例（９）〜
（１６）の２−ナフトール／ｏ−クレゾール系硬化剤の
２系統になるが、２−ナフトール／ｐ−クレゾール系硬
化剤を用いた場合はガラス転移温度が比較的高くなり、
２−ナフトール／ｏ−クレゾール系硬化剤を用いた場合
は接着力が特に高くなる特長がある。比較例（１）も実
施例と同様な２−ナフトール／フェノール系硬化剤であ
るが、数平均分子量、分散度が大きいため、耐はんだ性
は良好であるが、スパイラルフローが低下するため、成
形性が悪くなる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によって得られる電子部品封止用
エポキシ樹脂成形材料を用いてＩＣ、ＬＳＩなどの電子
部品を封止すれば、実施例で示したように、耐はんだ
性、耐湿性等の信頼性及び成形性にも優れた製品を得る
ことができ、その工業的価値は大である。
エポキシ樹脂成形材料を用いてＩＣ、ＬＳＩなどの電子
部品を封止すれば、実施例で示したように、耐はんだ
性、耐湿性等の信頼性及び成形性にも優れた製品を得る
ことができ、その工業的価値は大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 赤城 清一 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 斑目 健 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 主たる成分として （Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を持つエポキシ
樹脂 （Ｂ）２−ナフトールとフェノール類とアルデヒド類を
金属触媒及び／又は酸触媒の存在下で反応させて得られ
る変性フェノール樹脂および （Ｃ）６０体積％以上の無機充填剤 を含有することを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹
脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2804992A JPH05226102A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2804992A JPH05226102A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226102A true JPH05226102A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12237901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2804992A Pending JPH05226102A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226102A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610920A2 (en) * | 1993-02-12 | 1994-08-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Method of preparing naphthol-modified phenolic resin and epoxy resin molding material for sealing electronic parts |
| JP2002161196A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006518397A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-08-10 | トレスパ、インターナショナル、ベスローテン、フェンノートシャップ | フェノール樹脂、フェノール樹脂の使用、ならびにそれから成形した製品 |
| CN103000318A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-03-27 | 芜湖国睿兆伏电子股份有限公司 | 一种低感电阻 |
| WO2014050419A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | Dic株式会社 | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
| JP2014065791A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Dic Corp | クレゾール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP2804992A patent/JPH05226102A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610920A2 (en) * | 1993-02-12 | 1994-08-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Method of preparing naphthol-modified phenolic resin and epoxy resin molding material for sealing electronic parts |
| EP0610920A3 (en) * | 1993-02-12 | 1994-11-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | Method for the preparation of naphthol-modified phenolic resins as well as epoxy resin casting compound for the encapsulation of electronic components. |
| JP2002161196A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006518397A (ja) * | 2003-01-17 | 2006-08-10 | トレスパ、インターナショナル、ベスローテン、フェンノートシャップ | フェノール樹脂、フェノール樹脂の使用、ならびにそれから成形した製品 |
| WO2014050419A1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | Dic株式会社 | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
| JP2014065791A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Dic Corp | クレゾール−ナフトール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
| JP5532368B1 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-06-25 | Ｄｉｃ株式会社 | エポキシ樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びプリント配線基板 |
| CN104704021A (zh) * | 2012-09-25 | 2015-06-10 | Dic株式会社 | 环氧树脂、固化性树脂组合物、其固化物、以及印刷布线基板 |
| CN103000318A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-03-27 | 芜湖国睿兆伏电子股份有限公司 | 一种低感电阻 |
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