JPH05211252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05211252A JPH05211252A JP9257A JP5792A JPH05211252A JP H05211252 A JPH05211252 A JP H05211252A JP 9257 A JP9257 A JP 9257A JP 5792 A JP5792 A JP 5792A JP H05211252 A JPH05211252 A JP H05211252A
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- bonding
- bonding wires
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- semiconductor device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】近年、半導体素子の集積度の向上に伴い、ボン
ディング線本数も増加しており、隣接するボンディング
線の距離を１００μｍ以下に近接して配線し、また立体
交差線も必要な状況となっている。このような状況のも
と、モールド封止工程において、成形圧力によるボンデ
ィング線変形を抑制することが不可欠である。 【構成】本発明の半導体装置と製造方法は、半導体素子
をリードフレームアイランドにマウントし、半導体素子
とリードフレームとをボンディング線で電気的に接続し
た後、少なくともボンディング線をシリコン樹脂または
ポリイミド樹脂またはゲル状エポキシ樹脂で被覆する工
程とエポキシ系樹脂でモールド封止する工程とを含んで
いる。
ディング線本数も増加しており、隣接するボンディング
線の距離を１００μｍ以下に近接して配線し、また立体
交差線も必要な状況となっている。このような状況のも
と、モールド封止工程において、成形圧力によるボンデ
ィング線変形を抑制することが不可欠である。 【構成】本発明の半導体装置と製造方法は、半導体素子
をリードフレームアイランドにマウントし、半導体素子
とリードフレームとをボンディング線で電気的に接続し
た後、少なくともボンディング線をシリコン樹脂または
ポリイミド樹脂またはゲル状エポキシ樹脂で被覆する工
程とエポキシ系樹脂でモールド封止する工程とを含んで
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に集積度が高くボンディング線の本数の多い半
導体装置の製造方法に関する。
関し、特に集積度が高くボンディング線の本数の多い半
導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の集積度は日進月
歩の勢いで向上しており、それに伴い、ボンディング線
の本数も増加しつづけている。従来の半導体装置におい
てもボンディング線の本数が１半導体素子当り１００本
を越えるものもめずらしくない状況である。
歩の勢いで向上しており、それに伴い、ボンディング線
の本数も増加しつづけている。従来の半導体装置におい
てもボンディング線の本数が１半導体素子当り１００本
を越えるものもめずらしくない状況である。
【０００３】従来の半導体装置は、図３に示すように、
リードフレームアイランド３２上に半導体素子３１がマ
ウントされ、さらに半導体素子３１とリードフレーム３
３とが複数のボンディング線３４によって電気的に接続
され、さらに少くとも半導体素子３１及びボンディング
線３４を被覆するようにエポキシ系樹脂３５でモールド
封止された構造をしていた。このような半導体装置は、
少なくとも半導体素子をリードフレームアイランドにマ
ウント工程と、半導体素子とリードフレームとを電気的
に接続するボンディング工程と、半導体素子とボンディ
ング線をエポキシ樹脂でモールド封止するモールド工程
とを含んだ製造工程によって製造されていた。
リードフレームアイランド３２上に半導体素子３１がマ
ウントされ、さらに半導体素子３１とリードフレーム３
３とが複数のボンディング線３４によって電気的に接続
され、さらに少くとも半導体素子３１及びボンディング
線３４を被覆するようにエポキシ系樹脂３５でモールド
封止された構造をしていた。このような半導体装置は、
少なくとも半導体素子をリードフレームアイランドにマ
ウント工程と、半導体素子とリードフレームとを電気的
に接続するボンディング工程と、半導体素子とボンディ
ング線をエポキシ樹脂でモールド封止するモールド工程
とを含んだ製造工程によって製造されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造方法においては、特にモールド封止工程における
樹脂の成形圧力のため、ボンディング線に変形が生じる
ことがある。そのため、隣接するボンディング線間の距
離以下にならないように配線されていた。従来の半導体
装置の製造方法では、通常隣接するボンディング線の距
離は２００μｍ以上保ち、かつ立体交差しないように配
線されていた。
の製造方法においては、特にモールド封止工程における
樹脂の成形圧力のため、ボンディング線に変形が生じる
ことがある。そのため、隣接するボンディング線間の距
離以下にならないように配線されていた。従来の半導体
装置の製造方法では、通常隣接するボンディング線の距
離は２００μｍ以上保ち、かつ立体交差しないように配
線されていた。
【０００５】しかしながら、近年の集積度の向上に伴う
ボンディング線本数の増加傾向のもとでは、隣接するボ
ンディング線の距離を１００μｍ以下に近く配線し、か
つまた立体交差配線が必要となってきている。
ボンディング線本数の増加傾向のもとでは、隣接するボ
ンディング線の距離を１００μｍ以下に近く配線し、か
つまた立体交差配線が必要となってきている。
【０００６】残念ながら従来の半導体装置の製造方法で
は、モールド封止工程においてボンディング線変形のた
めに隣接するボンディング線の接触等のトラブルが生じ
るため、ボンディング線密度を上げられない問題点があ
った。
は、モールド封止工程においてボンディング線変形のた
めに隣接するボンディング線の接触等のトラブルが生じ
るため、ボンディング線密度を上げられない問題点があ
った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法では、半導体素子をリードフレームアイランドに
マウントし、半導体素子とリードフレームとをボンディ
ング線で電気的に接続した後、少なくともボンディング
線をシリコン樹脂またはポリイミド樹脂または、ゲル状
エポキシ樹脂で被覆する工程と、エポキシ系樹脂でモー
ルド封止する工程とを含んでいる。
造方法では、半導体素子をリードフレームアイランドに
マウントし、半導体素子とリードフレームとをボンディ
ング線で電気的に接続した後、少なくともボンディング
線をシリコン樹脂またはポリイミド樹脂または、ゲル状
エポキシ樹脂で被覆する工程と、エポキシ系樹脂でモー
ルド封止する工程とを含んでいる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の半導体装置の製造方法を
用いて製造した一実施例である半導体装置の断面構造図
である。ここで、半導体素子１１はリードフレームアイ
ランド１２上にマウントされており、リードフレーム１
３とボンディング線１４で電気的に接続されている。ボ
ンディング線１４は、シリコン樹脂１５で被覆され、さ
らに半導体素子１１及びボンディング線１４を含む全体
をエポキシ系樹脂１６でモールド封止されている。
用いて製造した一実施例である半導体装置の断面構造図
である。ここで、半導体素子１１はリードフレームアイ
ランド１２上にマウントされており、リードフレーム１
３とボンディング線１４で電気的に接続されている。ボ
ンディング線１４は、シリコン樹脂１５で被覆され、さ
らに半導体素子１１及びボンディング線１４を含む全体
をエポキシ系樹脂１６でモールド封止されている。
【００１０】以上説明した半導体装置は、マウント工程
及びボンディング工程の後に少なくともボンディング線
１４をシリコン樹脂１５で被覆する工程と、半導体素子
１１及びボンディング線１４を含む全体をエポキシ樹脂
１６でモールド封止する工程を経ることによって実現で
きる。
及びボンディング工程の後に少なくともボンディング線
１４をシリコン樹脂１５で被覆する工程と、半導体素子
１１及びボンディング線１４を含む全体をエポキシ樹脂
１６でモールド封止する工程を経ることによって実現で
きる。
【００１１】このような製造方法にすることにより、特
にモールド封止工程での樹脂成形圧力を、シリコン樹脂
１５で緩和して、ボンディング線１４にかかる圧力を小
さく抑えることができる。したがって、モールド封止工
程におけるボンディング線１４の変形を抑制でき、隣接
するボンディング線間の距離を１００μｍ程度以下にし
ても、またボンディング線の立体交差配線をしても、ボ
ンディング線同士の接触等のトラブルを回避することが
できる。このため、ボンディング線の配線密度を上げら
れ１半導体素子当り１００本を越えるような高い集積度
の半導体素子に生産性の高いモールド封止を適用するこ
とができる。
にモールド封止工程での樹脂成形圧力を、シリコン樹脂
１５で緩和して、ボンディング線１４にかかる圧力を小
さく抑えることができる。したがって、モールド封止工
程におけるボンディング線１４の変形を抑制でき、隣接
するボンディング線間の距離を１００μｍ程度以下にし
ても、またボンディング線の立体交差配線をしても、ボ
ンディング線同士の接触等のトラブルを回避することが
できる。このため、ボンディング線の配線密度を上げら
れ１半導体素子当り１００本を越えるような高い集積度
の半導体素子に生産性の高いモールド封止を適用するこ
とができる。
【００１２】尚、本実施例においては、ボンディング線
１４を被覆する樹脂としてシリコン樹脂用いたが、ポリ
イミド樹脂またはゲル状エポキシ樹脂でも同様の効果を
得ることができる。また、ボンディング線をシリコン樹
脂またはポリイミド樹脂またはゲル状エポキシ樹脂で被
覆する工程の後、樹脂の硬化を促進するためのキュアー
工程を経た後、エポキシ系樹脂でモールド封止する場合
にも同様の効果を得ることができる。
１４を被覆する樹脂としてシリコン樹脂用いたが、ポリ
イミド樹脂またはゲル状エポキシ樹脂でも同様の効果を
得ることができる。また、ボンディング線をシリコン樹
脂またはポリイミド樹脂またはゲル状エポキシ樹脂で被
覆する工程の後、樹脂の硬化を促進するためのキュアー
工程を経た後、エポキシ系樹脂でモールド封止する場合
にも同様の効果を得ることができる。
【００１３】図２は本発明によって製造された半導体装
置の第２の実施例を示す図である。ここで、半導体素子
２１は、リードフレームアイランド２２上にマウントさ
れ、さらにリードフレーム２３とボンディング線２４で
電気的に接続されている。また、図中２５は、ポリイミ
ド樹脂であり、配線密度の高い領域のボンディング線の
みを被覆し、さらに全体をエポキシ系樹脂２６でモール
ド封止している。
置の第２の実施例を示す図である。ここで、半導体素子
２１は、リードフレームアイランド２２上にマウントさ
れ、さらにリードフレーム２３とボンディング線２４で
電気的に接続されている。また、図中２５は、ポリイミ
ド樹脂であり、配線密度の高い領域のボンディング線の
みを被覆し、さらに全体をエポキシ系樹脂２６でモール
ド封止している。
【００１４】このように配線密度の高い領域のボンディ
ング線のみを、シリコン樹脂またはポリイミド樹脂また
はゲル状エポキシ樹脂で被覆する工程を経た後、エポキ
シ系樹脂でモールド封止する工程を行なうことによって
も、モールド工程でのボンディング線変形による隣接す
るボンディング線変形による隣接するボンディング線の
接触等のトラブルを防止することができる。
ング線のみを、シリコン樹脂またはポリイミド樹脂また
はゲル状エポキシ樹脂で被覆する工程を経た後、エポキ
シ系樹脂でモールド封止する工程を行なうことによって
も、モールド工程でのボンディング線変形による隣接す
るボンディング線変形による隣接するボンディング線の
接触等のトラブルを防止することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造法では、半導体素子をリードフレームアイラン
ドにマウントし、半導体素子とリードフレームとをボン
ディング線で電気的に接続した後、少なくともボンディ
ング線をシリコン樹脂またはポリイミド樹脂またはゲル
状エポキシ樹脂で被覆する工程と、エポキシ系樹脂でモ
ールド封止する工程とを含んでいるので、モールド工程
で樹脂の封止圧力によるボンディング線の変形を抑える
ことができる。そのため、隣接するボンディング線の距
離を１００μｍ以下にすることも可能で、高密度のボン
ディング配線が必要な半導体装置のモールド封止品を提
供できるという効果を有する。
置の製造法では、半導体素子をリードフレームアイラン
ドにマウントし、半導体素子とリードフレームとをボン
ディング線で電気的に接続した後、少なくともボンディ
ング線をシリコン樹脂またはポリイミド樹脂またはゲル
状エポキシ樹脂で被覆する工程と、エポキシ系樹脂でモ
ールド封止する工程とを含んでいるので、モールド工程
で樹脂の封止圧力によるボンディング線の変形を抑える
ことができる。そのため、隣接するボンディング線の距
離を１００μｍ以下にすることも可能で、高密度のボン
ディング配線が必要な半導体装置のモールド封止品を提
供できるという効果を有する。
【図１】本発明により製造された半導体装置を示す図。
【図２】本発明より製造された半導体装置の透視図。
【図３】従来の半導体装置を示す図。
１１，２１，３１ 半導体素子 １２，２２，３２ リードフレームアイランド １３，２３，３３ リードフレーム １４，２４，３４ ボンディング線 １５ シリコン樹脂 ２５ ポリイミド樹脂 １６，２６，３５ エポキシ系樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームアイランド上に半導体素
子を載置・固定し、少なくとも複数のボンディング線を
半導体素子に接続し、エポキシ系樹脂でモールド封止す
る半導体装置の製造方法において、少なくとも該ボンデ
ィング線をシリコン樹脂またはポリイミド樹脂またはゲ
ル状エポキシ樹脂で被覆する工程と、エポキシ系樹脂で
モールド封止する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257A JPH05211252A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257A JPH05211252A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211252A true JPH05211252A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11463591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9257A Withdrawn JPH05211252A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211252A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100270817B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2000-11-01 | 이해영 | 초고주파소자 실장 패키지 및 그 패키지에 사용되는 본딩와이어의 기생효과 감소방법 |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP9257A patent/JPH05211252A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100270817B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2000-11-01 | 이해영 | 초고주파소자 실장 패키지 및 그 패키지에 사용되는 본딩와이어의 기생효과 감소방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |