JPH05206439A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH05206439A JPH05206439A JP4159292A JP15929292A JPH05206439A JP H05206439 A JPH05206439 A JP H05206439A JP 4159292 A JP4159292 A JP 4159292A JP 15929292 A JP15929292 A JP 15929292A JP H05206439 A JPH05206439 A JP H05206439A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 50
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
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- 230000005570 vertical transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、垂直ＣＣＤの面積効率を高め
て、水平ＣＣＤと出力増幅器の駆動周波数を高めること
なく水平解像度を増加させて、高解像度を得ることので
きる固体撮像素子を提供することを目的とする。 【構成】 この発明は、ＣＣＤ形固体撮像素子におい
て、光ダイオード１１ａ，１１ｂが２列に配列されて構
成された感光部と、感光部から発生した電荷を垂直ＣＣ
Ｄチャンネル１７に伝送する伝達ゲート１５ａ，１５ｂ
と、伝達ゲート１５ａ，１５ｂを介して伝送された電荷
を駆動パルスにより水平ＣＣＤチャンネル１９へ伝送す
る垂直ＣＣＤチャンネル１７と、垂直ＣＣＤチャンネル
１７から伝送された電荷を出力部へ伝送する水平ＣＣＤ
チャンネル１９と、水平ＣＣＤチャンネル１９により順
次伝送された電荷量を変換して出力する出力増幅器２１
を備えられて構成される。
て、水平ＣＣＤと出力増幅器の駆動周波数を高めること
なく水平解像度を増加させて、高解像度を得ることので
きる固体撮像素子を提供することを目的とする。 【構成】 この発明は、ＣＣＤ形固体撮像素子におい
て、光ダイオード１１ａ，１１ｂが２列に配列されて構
成された感光部と、感光部から発生した電荷を垂直ＣＣ
Ｄチャンネル１７に伝送する伝達ゲート１５ａ，１５ｂ
と、伝達ゲート１５ａ，１５ｂを介して伝送された電荷
を駆動パルスにより水平ＣＣＤチャンネル１９へ伝送す
る垂直ＣＣＤチャンネル１７と、垂直ＣＣＤチャンネル
１７から伝送された電荷を出力部へ伝送する水平ＣＣＤ
チャンネル１９と、水平ＣＣＤチャンネル１９により順
次伝送された電荷量を変換して出力する出力増幅器２１
を備えられて構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像素子に関
し、特にインタライン伝送（Inter Line Transfer ）方
式のＣＣＤ形固体撮像素子における光ダイオードと垂直
ＣＣＤチャンネルの構造及び配列を変えて構成すること
により水平解像度を増加させて高解像度を得ることので
きる固体撮像素子に関する。
し、特にインタライン伝送（Inter Line Transfer ）方
式のＣＣＤ形固体撮像素子における光ダイオードと垂直
ＣＣＤチャンネルの構造及び配列を変えて構成すること
により水平解像度を増加させて高解像度を得ることので
きる固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子は、光ダイオードに入射す
る光により発生された信号が、伝送電荷結合素子を介し
て検出領域へ伝送されて映像を構成する素子である。現
在の一般的であるビデオ信号処理は、飛越走査（Interl
aced Scanning ）方式を使用している。即ち、初め奇数
フィールドでは上から１、３、５…の順で走査し、次に
偶数フィールドでは２、４、６…の順で走査して、１フ
レームが完成されるようになっている。従って、固体撮
像素子は、この規格に合うように上下の光ダイオードの
信号を合わせて出力し、この時偶数フィールドと奇数フ
ィールドで上下の光ダイオード信号を組み合せて出力す
ることにより飛越走査方式を実現するものが一般的であ
る。
る光により発生された信号が、伝送電荷結合素子を介し
て検出領域へ伝送されて映像を構成する素子である。現
在の一般的であるビデオ信号処理は、飛越走査（Interl
aced Scanning ）方式を使用している。即ち、初め奇数
フィールドでは上から１、３、５…の順で走査し、次に
偶数フィールドでは２、４、６…の順で走査して、１フ
レームが完成されるようになっている。従って、固体撮
像素子は、この規格に合うように上下の光ダイオードの
信号を合わせて出力し、この時偶数フィールドと奇数フ
ィールドで上下の光ダイオード信号を組み合せて出力す
ることにより飛越走査方式を実現するものが一般的であ
る。
【０００３】このような電荷伝送結合素子（Charge Cou
pled Device ；以下ＣＣＤという）形固体撮像素子にお
いて、１９８８年１１月号のIEEE Transactions on El
ectron Devices(Vol.35,No.11)に発表された“Generati
on Mechanism and Elimination of Fixed Pattern Nois
e in Dual-Channel Horizontal-CCD Register ImageSen
sor”と、１９９１年のIEEE International Solid Stat
e Circuits Conference,PP.208 〜209 に発表された
“Ａ １／３−inch ４１０，０００−Pixel CCD Imag
e Sensor with Feedback Field-Plate Amplifier”で提
案された方式によれば、高解像度を得るために多画素化
することにより水平伝送ＣＣＤの駆動周波数が高められ
て、駆動回路の能力が不足して伝送効率が低下するよう
になるので、水平ＣＣＤの周波数を下げるために２個の
水平ＣＣＤを利用して水平ＣＣＤを２段にした構成を採
用していた。
pled Device ；以下ＣＣＤという）形固体撮像素子にお
いて、１９８８年１１月号のIEEE Transactions on El
ectron Devices(Vol.35,No.11)に発表された“Generati
on Mechanism and Elimination of Fixed Pattern Nois
e in Dual-Channel Horizontal-CCD Register ImageSen
sor”と、１９９１年のIEEE International Solid Stat
e Circuits Conference,PP.208 〜209 に発表された
“Ａ １／３−inch ４１０，０００−Pixel CCD Imag
e Sensor with Feedback Field-Plate Amplifier”で提
案された方式によれば、高解像度を得るために多画素化
することにより水平伝送ＣＣＤの駆動周波数が高められ
て、駆動回路の能力が不足して伝送効率が低下するよう
になるので、水平ＣＣＤの周波数を下げるために２個の
水平ＣＣＤを利用して水平ＣＣＤを２段にした構成を採
用していた。
【０００４】上記参考文献に示すごとく、ＣＣＤの電荷
を取り扱う能力の向上と電荷伝送能力の向上及び出力増
幅器の最適化によって多画素化を解決しているが、定め
られた面積内で達成しなければならないという問題点が
あった。また、水平ＣＣＤを２段とする場合において
も、２個の水平ＣＣＤの特性差異と出力増幅器の特性差
異により、固定パターンの雑音が発生される問題点があ
った。
を取り扱う能力の向上と電荷伝送能力の向上及び出力増
幅器の最適化によって多画素化を解決しているが、定め
られた面積内で達成しなければならないという問題点が
あった。また、水平ＣＣＤを２段とする場合において
も、２個の水平ＣＣＤの特性差異と出力増幅器の特性差
異により、固定パターンの雑音が発生される問題点があ
った。
【０００５】図４は、従来の固体撮像素子のインタライ
ン伝送アレーを示す構成図である。
ン伝送アレーを示す構成図である。
【０００６】図４（Ａ）は光ダイオード１の配列と垂直
電荷伝送手段である垂直ＣＣＤチャンネル３の位置を示
す配置図である。
電荷伝送手段である垂直ＣＣＤチャンネル３の位置を示
す配置図である。
【０００７】固体撮像素子は、感光部である光ダイオー
ド１に入射された光により各画素に発生された電荷が、
隣に設けられた伝送部である各垂直ＣＣＤチャンネル３
へ同時に移動される。伝送部である垂直ＣＣＤチャンネ
ル３では２個の電極が設けられ、各電極に所定のパルス
電圧を印加することにより移動電荷を下方向へ矢印のよ
うに伝送させる。この時、下方側へ移動される電荷は、
各垂直ＣＣＤチャンネル３から並行して移動するように
なる。この間に、光ダイオード１は次の信号を蓄積する
状態になる。
ド１に入射された光により各画素に発生された電荷が、
隣に設けられた伝送部である各垂直ＣＣＤチャンネル３
へ同時に移動される。伝送部である垂直ＣＣＤチャンネ
ル３では２個の電極が設けられ、各電極に所定のパルス
電圧を印加することにより移動電荷を下方向へ矢印のよ
うに伝送させる。この時、下方側へ移動される電荷は、
各垂直ＣＣＤチャンネル３から並行して移動するように
なる。この間に、光ダイオード１は次の信号を蓄積する
状態になる。
【０００８】垂直ＣＣＤチャンネル３の下方側には水平
ＣＣＤチャンネル５が設けられてあって、下方側へ移動
された電荷が水平ＣＣＤチャンネル５へ伝送された後、
出力アンプ７を介して順次出力される。
ＣＣＤチャンネル５が設けられてあって、下方側へ移動
された電荷が水平ＣＣＤチャンネル５へ伝送された後、
出力アンプ７を介して順次出力される。
【０００９】図４（Ｂ），同図（Ｃ）は、同図（Ａ）に
図示したように構成されてなる固体撮像素子の信号出力
時における画面上の位置と光ダイオード出力との関係を
示す図である。
図示したように構成されてなる固体撮像素子の信号出力
時における画面上の位置と光ダイオード出力との関係を
示す図である。
【００１０】光電変換部である光ダイオード１に蓄積さ
れた電荷は、２画素ずつ混合されて奇数フィールド及び
偶数フィールド毎に組み合せが異なるようにして出力さ
れる。例えば、奇数フィールドで５２＋５５、５８＋６
１の信号を出力すると、偶数フィールドでは５５＋５８
の信号を出力する。これは、フィールド毎に一度ずつ光
ダイオード１の信号が出力されて上下の信号が加えられ
るので、水平方向の解像度を増加させるためには、一定
なチップ面積内に多数の光ダイオードの集積化が要求さ
れるので、光ダイオード１の個数を２倍にしなければな
らない。
れた電荷は、２画素ずつ混合されて奇数フィールド及び
偶数フィールド毎に組み合せが異なるようにして出力さ
れる。例えば、奇数フィールドで５２＋５５、５８＋６
１の信号を出力すると、偶数フィールドでは５５＋５８
の信号を出力する。これは、フィールド毎に一度ずつ光
ダイオード１の信号が出力されて上下の信号が加えられ
るので、水平方向の解像度を増加させるためには、一定
なチップ面積内に多数の光ダイオードの集積化が要求さ
れるので、光ダイオード１の個数を２倍にしなければな
らない。
【００１１】このようにすると、垂直ＣＣＤチャンネル
３と光ダイオード１の面積が制限されるという問題点が
あった。また、水平ＣＣＤチャンネルの駆動周波数が高
められて、出力時に高周波動作が要求されるという問題
点があった。
３と光ダイオード１の面積が制限されるという問題点が
あった。また、水平ＣＣＤチャンネルの駆動周波数が高
められて、出力時に高周波動作が要求されるという問題
点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記の問
題点を解決するために、光ダイオードと垂直ＣＣＤチャ
ンネルの構造及び配列を異なるように構成することによ
り垂直ＣＣＤの面積効率を高めて、水平ＣＣＤと出力増
幅器の駆動周波数を高めることなく水平解像度を増加さ
せて、高解像度を得ることのできる固体撮像素子を提供
することを目的とする。
題点を解決するために、光ダイオードと垂直ＣＣＤチャ
ンネルの構造及び配列を異なるように構成することによ
り垂直ＣＣＤの面積効率を高めて、水平ＣＣＤと出力増
幅器の駆動周波数を高めることなく水平解像度を増加さ
せて、高解像度を得ることのできる固体撮像素子を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するために、ＣＣＤ形固体撮像素子において、光
ダイオードが２列に配列されて構成された感光部と、感
光部から発生した電荷を垂直ＣＣＤチャンネルに伝送す
る伝達ゲートと、伝達ゲートを介して伝送された電荷を
駆動パルスにより水平ＣＣＤチャンネルへ伝送する垂直
ＣＣＤチャンネルと、垂直ＣＣＤチャンネルから伝送さ
れた電荷を出力部へ伝送する水平ＣＣＤチャンネルと、
水平ＣＣＤチャンネルにより順次伝送された電荷量を変
換して出力する出力増幅器を備えて構成される。
を達成するために、ＣＣＤ形固体撮像素子において、光
ダイオードが２列に配列されて構成された感光部と、感
光部から発生した電荷を垂直ＣＣＤチャンネルに伝送す
る伝達ゲートと、伝達ゲートを介して伝送された電荷を
駆動パルスにより水平ＣＣＤチャンネルへ伝送する垂直
ＣＣＤチャンネルと、垂直ＣＣＤチャンネルから伝送さ
れた電荷を出力部へ伝送する水平ＣＣＤチャンネルと、
水平ＣＣＤチャンネルにより順次伝送された電荷量を変
換して出力する出力増幅器を備えて構成される。
【００１４】
【実施例】以下、この発明を添付の図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】図１はこの発明による固体撮像素子の単位
画素の構造を示す図である。
画素の構造を示す図である。
【００１６】図１に示す固体撮像素子は、画素と画素間
を分けるためのチャンネルストップ領域１３と、チャン
ネルストップ領域１３により取り囲まれた光ダイオード
１１ａ、１１ｂと、光ダイオード１１ａ、１１ｂから発
生した電荷を隣に設けられた伝送部である各垂直ＣＣＤ
チャンネル１７へ移動させる伝達ゲート１５ａ、１５ｂ
及び伝送部である垂直ＣＣＤチャンネル１７とで構成さ
れている。
を分けるためのチャンネルストップ領域１３と、チャン
ネルストップ領域１３により取り囲まれた光ダイオード
１１ａ、１１ｂと、光ダイオード１１ａ、１１ｂから発
生した電荷を隣に設けられた伝送部である各垂直ＣＣＤ
チャンネル１７へ移動させる伝達ゲート１５ａ、１５ｂ
及び伝送部である垂直ＣＣＤチャンネル１７とで構成さ
れている。
【００１７】上記から、光ダイオード１１ａ、１１ｂは
チャンネルストップ領域１３により水平方向に分けられ
ており、各々分けられた伝達ゲート１５ａ、１５ｂによ
り両側に隣接するように形成された垂直伝送部である垂
直ＣＣＤチャンネル１７と結合されている。上記のよう
に、一つの光ダイオード１１ａ、１１ｂを水平方向に分
けて２列に配列し、上記光ダイオード１１ａ、１１ｂか
ら発生された電荷を、両側に各々分けられて形成された
伝達ゲート１５ａ、１５ｂを介して垂直ＣＣＤチャンネ
ル１７へ伝送する。上記から、領域３０、４０は互いに
分けられたゲート構造領域を示すもので、上記伝達ゲー
ト１５ａはゲート構造領域３０に含まれ、伝達ゲート１
５ｂはゲート構造領域４０に含まれる。
チャンネルストップ領域１３により水平方向に分けられ
ており、各々分けられた伝達ゲート１５ａ、１５ｂによ
り両側に隣接するように形成された垂直伝送部である垂
直ＣＣＤチャンネル１７と結合されている。上記のよう
に、一つの光ダイオード１１ａ、１１ｂを水平方向に分
けて２列に配列し、上記光ダイオード１１ａ、１１ｂか
ら発生された電荷を、両側に各々分けられて形成された
伝達ゲート１５ａ、１５ｂを介して垂直ＣＣＤチャンネ
ル１７へ伝送する。上記から、領域３０、４０は互いに
分けられたゲート構造領域を示すもので、上記伝達ゲー
ト１５ａはゲート構造領域３０に含まれ、伝達ゲート１
５ｂはゲート構造領域４０に含まれる。
【００１８】図２は、上記図１に示す固体撮像素子の単
位画素の回路図である。
位画素の回路図である。
【００１９】図２において、感光部である光ダイオード
１１ａ、１１ｂは光の強さに比例する電荷量を発生する
機能を持ち、上記発生された電荷は両側に形成された伝
達ゲート１５ａ、１５ｂを介して両側に形成された垂直
ＣＣＤチャンネル１７に伝達される。上記垂直ＣＣＤチ
ャンネル１７は駆動パルスにより光ダイオード１１ａ、
１１ｂから発生された電荷を水平電荷伝送ＣＣＤチャン
ネル１９へ伝送する役割をする。
１１ａ、１１ｂは光の強さに比例する電荷量を発生する
機能を持ち、上記発生された電荷は両側に形成された伝
達ゲート１５ａ、１５ｂを介して両側に形成された垂直
ＣＣＤチャンネル１７に伝達される。上記垂直ＣＣＤチ
ャンネル１７は駆動パルスにより光ダイオード１１ａ、
１１ｂから発生された電荷を水平電荷伝送ＣＣＤチャン
ネル１９へ伝送する役割をする。
【００２０】上記伝送部である垂直ＣＣＤチャンネル１
７に設けられている電極に所定のパルス電圧を印加する
ことにより、駆動パルスにより垂直ＣＣＤチャンネル１
７に移動された電荷を水平ＣＣＤチャンネル１９へ伝送
させる。この時、移動された電荷は各垂直ＣＣＤチャン
ネル１７から並行して移動するようになる。この間に、
光ダイオード１１ａ、１１ｂは次の信号を蓄積する状態
となる。上記水平ＣＣＤチャンネル１９は駆動パルスに
より垂直ＣＣＤチャンネル１７から伝送された電荷を出
力部２１へ伝送する。水平ＣＣＤチャンネル１９により
順次伝送された電荷量は出力部２１により信号電荷量に
比例する電圧に変換されて出力される。
７に設けられている電極に所定のパルス電圧を印加する
ことにより、駆動パルスにより垂直ＣＣＤチャンネル１
７に移動された電荷を水平ＣＣＤチャンネル１９へ伝送
させる。この時、移動された電荷は各垂直ＣＣＤチャン
ネル１７から並行して移動するようになる。この間に、
光ダイオード１１ａ、１１ｂは次の信号を蓄積する状態
となる。上記水平ＣＣＤチャンネル１９は駆動パルスに
より垂直ＣＣＤチャンネル１７から伝送された電荷を出
力部２１へ伝送する。水平ＣＣＤチャンネル１９により
順次伝送された電荷量は出力部２１により信号電荷量に
比例する電圧に変換されて出力される。
【００２１】上記において、伝達ゲート１５ａはゲート
構造領域３０に含まれ、かつ伝達ゲート１５ｂはゲート
構造領域４０に含まれているので、上記光ダイオード１
１ａ、１１ｂの信号、電荷を個別に出力することができ
るようになる。従って、奇数フィールドと偶数フィール
ド伝送時に、一方の光ダイオードの電荷だけを読出して
出力することができる。
構造領域３０に含まれ、かつ伝達ゲート１５ｂはゲート
構造領域４０に含まれているので、上記光ダイオード１
１ａ、１１ｂの信号、電荷を個別に出力することができ
るようになる。従って、奇数フィールドと偶数フィール
ド伝送時に、一方の光ダイオードの電荷だけを読出して
出力することができる。
【００２２】図３（Ａ）は感光部である光ダイオード３
１の配列と垂直電荷伝送部である垂直ＣＣＤチャンネル
３３の位置を示す配置図である。
１の配列と垂直電荷伝送部である垂直ＣＣＤチャンネル
３３の位置を示す配置図である。
【００２３】各画素から発生した電荷は、図３（Ａ）に
図示したように、上下の光ダイオード３１の信号を組み
合わせて出力し、この時、偶数フィールドと奇数フィー
ルドが読められるように光ダイオード３１が分けられて
固定される。即ち、従来の構造では、光ダイオードの信
号が各フィールド毎に一度ずつ出力されて上下の光ダイ
オード信号と加えられるのに対して、この発明によって
改善された構造では、フィールド毎に異なる光ダイオー
ド信号が同時に復調出力することができるので、１フレ
ーム毎に一度ずつ読むことができる。この時、偶数フィ
ールドと奇数フィールドの光ダイオードは各々水平方向
で位置が異なって形成されているので、出力信号は図３
（Ｂ）に図示したように出力画面が得られる。
図示したように、上下の光ダイオード３１の信号を組み
合わせて出力し、この時、偶数フィールドと奇数フィー
ルドが読められるように光ダイオード３１が分けられて
固定される。即ち、従来の構造では、光ダイオードの信
号が各フィールド毎に一度ずつ出力されて上下の光ダイ
オード信号と加えられるのに対して、この発明によって
改善された構造では、フィールド毎に異なる光ダイオー
ド信号が同時に復調出力することができるので、１フレ
ーム毎に一度ずつ読むことができる。この時、偶数フィ
ールドと奇数フィールドの光ダイオードは各々水平方向
で位置が異なって形成されているので、出力信号は図３
（Ｂ）に図示したように出力画面が得られる。
【００２４】上述のごとく、この発明は、既存のインタ
ラインＣＣＤ形固体撮像素子の構造が光ダイオードと各
光ダイオードに対応する垂直電荷伝送チャンネルの一定
な方向に位置した伝達ゲートにより結合することによっ
て、一つの光ダイオードを水平方向に二つに分けて光ダ
イオードを２列に配列し、２列に配列されて形成された
感光部を垂直ＣＣＤチャンネルの両側に配置して、奇数
フィールド信号と偶数フィールド信号の伝送時に、一方
の光ダイオードだけの信号を読めるように光ダイオード
の位置を異なって配置して構成することができる。
ラインＣＣＤ形固体撮像素子の構造が光ダイオードと各
光ダイオードに対応する垂直電荷伝送チャンネルの一定
な方向に位置した伝達ゲートにより結合することによっ
て、一つの光ダイオードを水平方向に二つに分けて光ダ
イオードを２列に配列し、２列に配列されて形成された
感光部を垂直ＣＣＤチャンネルの両側に配置して、奇数
フィールド信号と偶数フィールド信号の伝送時に、一方
の光ダイオードだけの信号を読めるように光ダイオード
の位置を異なって配置して構成することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、既存の構造で一つの光ダイオードを二つに分けて２
列に配列形成した感光部と、上記光ダイオードを垂直Ｃ
ＣＤチャンネルの両側に位置して光ダイオードと垂直Ｃ
ＣＤチャンネルの配置を異なって構成することにより、
垂直電荷伝送装置から出力部に到達するまで駆動パルス
の周波数や容量をほとんど変えることなく水平方向の解
像度を増加させて高解像度を得ることができる効果があ
る。
ば、既存の構造で一つの光ダイオードを二つに分けて２
列に配列形成した感光部と、上記光ダイオードを垂直Ｃ
ＣＤチャンネルの両側に位置して光ダイオードと垂直Ｃ
ＣＤチャンネルの配置を異なって構成することにより、
垂直電荷伝送装置から出力部に到達するまで駆動パルス
の周波数や容量をほとんど変えることなく水平方向の解
像度を増加させて高解像度を得ることができる効果があ
る。
【図１】この発明による固体撮像素子の単位画素の構造
図である。
図である。
【図２】図１に示す固体撮像素子の単位画素構造の回路
図である。
図である。
【図３】この発明によるインタライン伝送方式構造で光
ダイオードの配列と出力信号が画面上に表現される位置
との関係を示す図である。
ダイオードの配列と出力信号が画面上に表現される位置
との関係を示す図である。
【図４】従来のインタライン伝送方式構造の光ダイオー
ドの配列と出力信号が画面上に表現される位置との関係
を示す図である。
ドの配列と出力信号が画面上に表現される位置との関係
を示す図である。
１１ａ，１１ｂ 光ダイオード １３ チャンネルストップ領域 １５ａ，１５ｂ 伝達ゲート １７ 垂直ＣＣＤチャンネル １９ 水平ＣＣＤチャンネル ３０ ゲート構造領域 ４０ ゲート構造領域
Claims (7)
- 【請求項１】 ＣＣＤ形固体撮像素子において、 光ダイオードが２列に配列されて構成された感光部と、 感光部から発生した電荷を垂直ＣＣＤチャンネルで伝送
する伝達ゲートと、 伝達ゲートを介して伝送された電荷を駆動パルスにより
水平ＣＣＤチャンネルへ伝送する垂直ＣＣＤチャンネル
と、 垂直ＣＣＤチャンネルから伝送された電荷を出力部へ伝
送する水平ＣＣＤチャンネルと水平ＣＣＤチャンネルに
より順次伝送された電荷量を変換して出力する出力増幅
器とを有することを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 上記感光部は、チャンネルストップ領域
により分けられてなることを特徴とする請求項１記載の
固体撮像素子。 - 【請求項３】 上記光ダイオードは、垂直ＣＣＤチャン
ネルの両側に位置してなることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像素子。 - 【請求項４】 上記光ダイオードと隣接した垂直ＣＣＤ
チャンネルは、各々分けられて両側に形成された伝達ゲ
ートにより結合されてなることを特徴とする請求項１記
載の固体撮像素子。 - 【請求項５】 上記固体撮像素子は、奇数フィールドの
画素信号と偶数フィールドの画素信号を個別に読み出し
出力してなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
素子。 - 【請求項６】 上記固体撮像素子は、偶数フィールドと
奇数フィールドの画素信号の伝送時において一方の光ダ
イオードの信号だけを読み出してなることを特徴とする
請求項１記載の固体撮像素子。 - 【請求項７】 上記固体撮像素子は、駆動パルスの周波
数や容量をほとんど変えることなく水平解像度を増加さ
せて高解像度を得ることを特徴とする請求項１記載の固
体撮像素子。
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