JPS606147B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS606147B2 JPS606147B2 JP54157980A JP15798079A JPS606147B2 JP S606147 B2 JPS606147 B2 JP S606147B2 JP 54157980 A JP54157980 A JP 54157980A JP 15798079 A JP15798079 A JP 15798079A JP S606147 B2 JPS606147 B2 JP S606147B2
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- signal
- state imaging
- photosensitive
- imaging device
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/156—CCD or CID colour image sensors
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は解像度を向上せしめた固体撮像装置に関する。
固体撮像装置はその製造上の困難さのため多画素化を行
なうことが難しい。第１図は従来のインターライン・ト
ランスフア撮像方式ＣＣＤ（ＣｈａｎｇｅＣｏｕｐｌｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ）の構造及びセル構成を示すもので、こ
れを用いて従釆装置の問題点を説明する。
なうことが難しい。第１図は従来のインターライン・ト
ランスフア撮像方式ＣＣＤ（ＣｈａｎｇｅＣｏｕｐｌｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ）の構造及びセル構成を示すもので、こ
れを用いて従釆装置の問題点を説明する。
同図ａは１セルの断面構造を説明するための図である。
例えばシリコン（Ｓｉ）によるＰ型半導体基板１上にＣ
ＣＤの埋込みチャネルを形成しているＮ＋層２一１，２
−２と過剰信号電荷を除去するためのオーバ・フロ−ド
レイン（以後ＯＦＤと呼ぶ）のＮＨ層３が設けられてお
り、このＮ＋＋層の両側には信号電荷（電子）に対して
電位バリャーとなるＰ層４、Ｐ十層５が設けられている
。
例えばシリコン（Ｓｉ）によるＰ型半導体基板１上にＣ
ＣＤの埋込みチャネルを形成しているＮ＋層２一１，２
−２と過剰信号電荷を除去するためのオーバ・フロ−ド
レイン（以後ＯＦＤと呼ぶ）のＮＨ層３が設けられてお
り、このＮ＋＋層の両側には信号電荷（電子）に対して
電位バリャーとなるＰ層４、Ｐ十層５が設けられている
。
そして前記埋込チャネルのＮ十層２−１，２一２の上に
はゲートＳｉ０２膜７一１，７−２を介して例えば第１
層目多結晶シリコン電極８一１，８−２が設けられる。
そして、このデバイスが２層の多結晶シリコンより電極
が構成されている場合、前記第１層０目多結晶シリコン
電極８−１，８−２上にＳｉ０２膜９−１，９−２を介
して第２層目多結晶シリコン電極１０一１，１０−２が
形成される。そして、その上に例えばＣＶＤＳｉ０２膜
１ １が、さらにこのＣＶＤＳｉ０２膜１ １上に例え
ば酸化スズタ（Ｓｎ０２）膜１２が形成され、そしてこ
のＳぬ２膜１２上に光シールド及びＳｎ０２膜１ ２に
信号電荷を蓄積するための電圧印加の２つの機能を有し
たアルミニウム（Ｎ）電極１３一１，１３−２が設けら
れる。この場合、半導体基板１への光入射は０前記ムー
電極１３一１，１３一２にあげられた窓１４によりなさ
れ、これにより生成された信号電荷は前記半導体基板１
上の前記Ｓの２電極１２よりなるＭＯＳキャパンタによ
り前記半導体基板１表面６に蓄積される。第１図ｂにこ
れらセルの配置構成図を示す。同図に示されるように電
極Ｅ，．，Ｅ，２，Ｅ，３，Ｅ１４，Ｅ２１，Ｅ２２，
Ｅ２３，Ｅ凶，Ｅ３１，Ｅ礎，Ｅ３３，Ｅ３４，Ｅ４，
，Ｅ班，Ｅ４３，Ｅ４４よりなるＣＣＤ１ ５一１，１
５一２とＭＯＳキヤパシタＰ，．，Ｐ′，．，Ｐ８，Ｐ
′，２，Ｐ２，，Ｐ′２，，Ｐ凶， Ｐ′２よりなる感
光部１６−１，１６−２とＯＦＤ１７一１，１７−２よ
り構成され、水平方向においては１画素ピッチはＣＣＤ
１５−１、感光部１６−１、ＯＦＤ１７−１よりなる長
さで決められる。
はゲートＳｉ０２膜７一１，７−２を介して例えば第１
層目多結晶シリコン電極８一１，８−２が設けられる。
そして、このデバイスが２層の多結晶シリコンより電極
が構成されている場合、前記第１層０目多結晶シリコン
電極８−１，８−２上にＳｉ０２膜９−１，９−２を介
して第２層目多結晶シリコン電極１０一１，１０−２が
形成される。そして、その上に例えばＣＶＤＳｉ０２膜
１ １が、さらにこのＣＶＤＳｉ０２膜１ １上に例え
ば酸化スズタ（Ｓｎ０２）膜１２が形成され、そしてこ
のＳぬ２膜１２上に光シールド及びＳｎ０２膜１ ２に
信号電荷を蓄積するための電圧印加の２つの機能を有し
たアルミニウム（Ｎ）電極１３一１，１３−２が設けら
れる。この場合、半導体基板１への光入射は０前記ムー
電極１３一１，１３一２にあげられた窓１４によりなさ
れ、これにより生成された信号電荷は前記半導体基板１
上の前記Ｓの２電極１２よりなるＭＯＳキャパンタによ
り前記半導体基板１表面６に蓄積される。第１図ｂにこ
れらセルの配置構成図を示す。同図に示されるように電
極Ｅ，．，Ｅ，２，Ｅ，３，Ｅ１４，Ｅ２１，Ｅ２２，
Ｅ２３，Ｅ凶，Ｅ３１，Ｅ礎，Ｅ３３，Ｅ３４，Ｅ４，
，Ｅ班，Ｅ４３，Ｅ４４よりなるＣＣＤ１ ５一１，１
５一２とＭＯＳキヤパシタＰ，．，Ｐ′，．，Ｐ８，Ｐ
′，２，Ｐ２，，Ｐ′２，，Ｐ凶， Ｐ′２よりなる感
光部１６−１，１６−２とＯＦＤ１７一１，１７−２よ
り構成され、水平方向においては１画素ピッチはＣＣＤ
１５−１、感光部１６−１、ＯＦＤ１７−１よりなる長
さで決められる。
なお第１図のインターライン・トランスフア糠像万式Ｃ
ＣＤにおいてＭＯＳキヤパシターＰ，．，Ｐ′，．，Ｐ
，２，Ｐ′，２，Ｐ幻， Ｐ‘ａ， Ｐ２２，Ｐ′２２
に蓄積された信号電荷は標準走査方式に適合させて動作
させた場合、Ａフィールドでは第１図ｂ中実線で示され
た様にＭＯＳキャパシタＰ，．，Ｐ位，Ｐａ， Ｐ２２
の信号電荷がＣＣＤ亀５一１，１５一２に移され、譲出
される。
ＣＤにおいてＭＯＳキヤパシターＰ，．，Ｐ′，．，Ｐ
，２，Ｐ′，２，Ｐ幻， Ｐ‘ａ， Ｐ２２，Ｐ′２２
に蓄積された信号電荷は標準走査方式に適合させて動作
させた場合、Ａフィールドでは第１図ｂ中実線で示され
た様にＭＯＳキャパシタＰ，．，Ｐ位，Ｐａ， Ｐ２２
の信号電荷がＣＣＤ亀５一１，１５一２に移され、譲出
される。
そしてＢフィールド目には図中点線で示されたようにＭ
ＯＳキヤパシターＰ′，．，Ｐ′，２，Ｐ′２，，Ｐ′
２２の信号電荷がＣＣＤ１５一１，１５−２に読出され
る。このようにＣＣＤ１５一１，１５−２は感光部１６
一１，１６−２にある信号電荷を読出すため、そしてＯ
ＦＤ１７−１，１７一２は感光部１６−１，１６−２に
過剰に蓄積された信号電荷を除去するため、この固体撮
像装置においては両者とも不可欠である。しかしながら
、現在、固体撮像装置の多画素化において問題なのは、
水平方向の高密度化である。即ち、第１図に示すように
感光部１６一１，１６一２の両側にＣＣＤ１５−１，１
５−２と〇ＦＤ１７−１，１７−２が形成されているた
めこの固体撮像装置の多画素化を困難にしている。本発
明は上記の点に鑑みなされたもので、間体撮像装置のセ
ルの様成及び構造を改良して多画素化を可能とし、さら
にその後の信号処理により解像度を大幅に向上させた園
体撮像装置を提供することを目的とする。
ＯＳキヤパシターＰ′，．，Ｐ′，２，Ｐ′２，，Ｐ′
２２の信号電荷がＣＣＤ１５一１，１５−２に読出され
る。このようにＣＣＤ１５一１，１５−２は感光部１６
一１，１６−２にある信号電荷を読出すため、そしてＯ
ＦＤ１７−１，１７一２は感光部１６−１，１６−２に
過剰に蓄積された信号電荷を除去するため、この固体撮
像装置においては両者とも不可欠である。しかしながら
、現在、固体撮像装置の多画素化において問題なのは、
水平方向の高密度化である。即ち、第１図に示すように
感光部１６一１，１６一２の両側にＣＣＤ１５−１，１
５−２と〇ＦＤ１７−１，１７−２が形成されているた
めこの固体撮像装置の多画素化を困難にしている。本発
明は上記の点に鑑みなされたもので、間体撮像装置のセ
ルの様成及び構造を改良して多画素化を可能とし、さら
にその後の信号処理により解像度を大幅に向上させた園
体撮像装置を提供することを目的とする。
即ち本発明は議出し部を再生画像上の水平方向に対応し
た方向に２個連続して設けるとともにその両側に感光セ
ルを隣接して設けてこれら議出し部及び感光セルを一単
位としてこれを周期的に配列して撮像素子を構成し、前
記謙出し部の両側に隣接して設けられた前記感光セルの
信号より合成された新たな信号を、再生画像上での前記
講出し部に対応した位置に加えることにより前記水平方
向の解像度を大幅に向上せしめた固体撮像装置である。
第２図を用いて本発明の一実施例を説明する。
た方向に２個連続して設けるとともにその両側に感光セ
ルを隣接して設けてこれら議出し部及び感光セルを一単
位としてこれを周期的に配列して撮像素子を構成し、前
記謙出し部の両側に隣接して設けられた前記感光セルの
信号より合成された新たな信号を、再生画像上での前記
講出し部に対応した位置に加えることにより前記水平方
向の解像度を大幅に向上せしめた固体撮像装置である。
第２図を用いて本発明の一実施例を説明する。
これは第１図と同様にィンタ−ライン・トランスフア撮
像方式ＣＣＤである。同図ａに示すように電極Ｔ，．，
Ｔ８，Ｔ，３，Ｔ，４，Ｔ２，，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ２
４・ｒ３１，Ｔ斑，Ｔ３３，ｒ３４，Ｔ山，Ｔ４２，Ｔ
＆，ｒ４４・ｒ５１，Ｔ斑，Ｔ５３，Ｔ５４，Ｔの，Ｔ
６２，Ｔ鰭，ｒ６４「 Ｔ７１，Ｔね，Ｔ７３，Ｔ７４
，Ｔ幻？ Ｔ８２，Ｔ囚，Ｔ８４，Ｔ８５よりなるＣＣ
Ｄ１ ８一１，１８−２，１８−３，１８−４と第１図
と同様なＭＯＳキャパシタＳ，．，Ｓ′，．？ Ｓ，２
，Ｓ′位，Ｓ２，，Ｓ′２．，Ｓ２２，Ｓ′２２，Ｓ３
，，Ｓ′３，，Ｓ３２，Ｓ′３２，Ｓ４，，Ｓ′４，，
Ｓ４２，Ｓ′４２よりなる感光部１９−１，１９一２，
１９一３，１９−４とＯＦＤ２０−１，２ ０一２より
なり、そして図中に示すごとく水平方向においてト２列
のＣＣＤ１８−１と１８−２そして１８一３と１８一４
を連続して配列せしめ、次にＯＦＤ２０一１，２０−２
の両側に感光部亀９一１，１９−２，１９−３，１９一
４を設ける。このようなセル構造を有した撮像素子では
ＭＯＳキヤパシターＳＩ・，Ｓ′１１，ＳＩ２，Ｓ′１
２・Ｓａ，Ｓ′公，Ｓ礎，Ｓ′２・Ｓ肌Ｓ′肌Ｓ３２，
Ｓ′３２、Ｓ小Ｓ′小Ｓ側 Ｓ′４２に蓄積された信
号電荷は各フィールドにおいて第１図と同様に隣接した
ＣＣＤ１８一１，１８−２，１８一３，１８−４に移さ
れ読出すことができる。ここにおいてＣＣＤ１８一１，
１８−２，１８−３，１８−４は光シールドされている
。同図ｂはａ図に示した撮像素子上に色フィル夕を接着
せしめ、１個の糠像素子にて力ラー撮像ができるように
したもので、赤色フィルタＲ，．，Ｒ２，，Ｒ３，、緑
色フィルタＧ，．，Ｇ，２，Ｇ２，，Ｇ２２，０３，，
○３２、青色フィルタＢ，，Ｂ２，，Ｂ地 ＆，の配置
図を示したものである。
像方式ＣＣＤである。同図ａに示すように電極Ｔ，．，
Ｔ８，Ｔ，３，Ｔ，４，Ｔ２，，Ｔ２２，Ｔ２３，Ｔ２
４・ｒ３１，Ｔ斑，Ｔ３３，ｒ３４，Ｔ山，Ｔ４２，Ｔ
＆，ｒ４４・ｒ５１，Ｔ斑，Ｔ５３，Ｔ５４，Ｔの，Ｔ
６２，Ｔ鰭，ｒ６４「 Ｔ７１，Ｔね，Ｔ７３，Ｔ７４
，Ｔ幻？ Ｔ８２，Ｔ囚，Ｔ８４，Ｔ８５よりなるＣＣ
Ｄ１ ８一１，１８−２，１８−３，１８−４と第１図
と同様なＭＯＳキャパシタＳ，．，Ｓ′，．？ Ｓ，２
，Ｓ′位，Ｓ２，，Ｓ′２．，Ｓ２２，Ｓ′２２，Ｓ３
，，Ｓ′３，，Ｓ３２，Ｓ′３２，Ｓ４，，Ｓ′４，，
Ｓ４２，Ｓ′４２よりなる感光部１９−１，１９一２，
１９一３，１９−４とＯＦＤ２０−１，２ ０一２より
なり、そして図中に示すごとく水平方向においてト２列
のＣＣＤ１８−１と１８−２そして１８一３と１８一４
を連続して配列せしめ、次にＯＦＤ２０一１，２０−２
の両側に感光部亀９一１，１９−２，１９−３，１９一
４を設ける。このようなセル構造を有した撮像素子では
ＭＯＳキヤパシターＳＩ・，Ｓ′１１，ＳＩ２，Ｓ′１
２・Ｓａ，Ｓ′公，Ｓ礎，Ｓ′２・Ｓ肌Ｓ′肌Ｓ３２，
Ｓ′３２、Ｓ小Ｓ′小Ｓ側 Ｓ′４２に蓄積された信
号電荷は各フィールドにおいて第１図と同様に隣接した
ＣＣＤ１８一１，１８−２，１８一３，１８−４に移さ
れ読出すことができる。ここにおいてＣＣＤ１８一１，
１８−２，１８−３，１８−４は光シールドされている
。同図ｂはａ図に示した撮像素子上に色フィル夕を接着
せしめ、１個の糠像素子にて力ラー撮像ができるように
したもので、赤色フィルタＲ，．，Ｒ２，，Ｒ３，、緑
色フィルタＧ，．，Ｇ，２，Ｇ２，，Ｇ２２，０３，，
○３２、青色フィルタＢ，，Ｂ２，，Ｂ地 ＆，の配置
図を示したものである。
該色フィルタＲ，．，Ｒ２１，Ｒ３１，ＧＩ・，ＧＩ２
，Ｇ幻，Ｇ２２，Ｇの，Ｇ３２，Ｂ，，＆，，＆，，Ｂ
幻を図ａに示した各ＭＯＳキヤパシタＳ，，，Ｓ′，．
，Ｓ，２，Ｓ′，２，Ｓ２２，Ｓ′２２，Ｓ３，，Ｓ′
３，，Ｓ３２，Ｓ′８２，Ｓ則 Ｓ′４，，Ｓ′舵に一
致せしめて貼り合せている。この貼合せ関係については
例えば１９７９年テレビジョン学会誌７月号ＰＰ５３０
−ＰＰ５３５「ＣＣＤ単板カラーカメラの実験的検討」
に詳しく述べられている。この場合「図ａに表示されて
いるＭＯＳキヤバシタＳ，．，Ｓ′，．，Ｓ，２，Ｓ′
，２，Ｓ幻，Ｓ′２１，Ｓ２２，Ｓ’２２，Ｓ乳，Ｓ′
紅，Ｓ舷，Ｓ′滋，Ｓ小Ｓ′小Ｓ４２，Ｓ′蟹配置は図
ｂにおいて１点鎖線で囲まれた領域であり、例えば緑色
フィルタＧ２，はＭＯＳキャパシターＳ，．とＳ′，．
上に置かれている。同様にＲ２，はＳ，２とＳ′８、Ｒ
３・はＳ２，とＳ′２，、Ｇ３・はＳ滋とＳ′２２、Ｇ
４．はＳ３．とＳ′紅、＆．はＳ３２とＳ′３２、＆，
はＳ４，とＳ′４，「 Ｇ５，はＳ４２とＳ′４２であ
る。そして、図ａにおけるＣＣＤ１８−１，１８一２，
１８一３，１８−４、感光部１９一１，１９一２，１９
Ｊ−３，１９一４，ＯＦＤ２０−１，２０−２の水．
平方向の幅を図ｂに示すよう色フィルタ配置にするよう
にする。この場合、図ｂ中点線で示す場所ＸＩ・，Ｘ１
２，Ｘ１３，Ｘ１４，Ｘな，Ｘ２２，Ｘ粉，Ｘ２４，Ｘ
３，，Ｘ８２，Ｘ３３，Ｘ３４は図ａにおけるＣＣＤ１
８一１，１８一２，１８−３，１８一４の場所であり
、従って空間的にはこの場所Ｘ・，，Ｘ・２，Ｘ・３，
Ｘ，４，Ｘ２，，Ｘ２２，Ｘ凶，Ｘ２４，Ｘ，，Ｘ２，
ん３，Ｘ４には感光部がない。このような色フィル夕を
貼り合せた撮像素子において「図ｂに示した色フルタ配
置の２行ごと同時に並行して信号電荷を読み出す。固体
撮像装置を用いた単板式カラーカメラでは人間にとって
一番解像度がある緑信号を得るための画素数を多くし、
緑信号で高城の輝度信号を形成させる方法を多く用いて
いる。本発明では前記の２行ずつ同時に取り出した信号
列において緑信号だけをサンプリングして緑信号を得る
に際し、前記再生画像上空間的に感光部のない場所ＸＩ
・，Ｘ１２，Ｘ１３，Ｘ１４，Ｘ幻，Ｘ２２，Ｘ凶，Ｘ
２４，Ｘ３・，Ｘ３２，Ｘ３３，Ｘ桝に対応する場所に
隣接した緑色に重み付けを行なって合成した信号を加え
る。例えば同図ｃに示すように図ｂの上２行を同時に講
出したＡＮ信号において場所Ｘ，．とＸ，２に対応した
ところにＧ三号塾１・そして同様にＸ８とＸＡに対して
Ｇ三三三空、Ｘ２．とＸ２に対応して三千；三×蟹とＸ
凶と対応してＧ主三；≧の信号を入れる。これにより実
際に感光部のない場所に周辺画素の情報を含んだ凝偽信
号を作り出せることになり水平方向の解像度が向上され
る。以上本発明の提供する固体撮像装置においては図ｂ
に示すような空間的に感度のない場所Ｘ，．，Ｘ１２，
Ｘ１３，Ｘ１４，Ｘ２１，Ｘ２，Ｘ２３，Ｘ似，Ｘ３１
・Ｘ３２，Ｘ３３，Ｘ３４の水平方向における幅を感度
のある画素Ｂ，．，Ｂ２，，＆，，耳，，Ｂ５，，Ｇ，
．，ＧＭ，Ｇ２１，Ｇ２２，Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ山，Ｇ
５１，Ｇ斑，ＲＩ・，Ｒ２，，Ｒ３，，Ｒ小 Ｒ５，と
ほぼ同等にするために図ａのごとく信号電荷論出し部で
あるＣＣＤ１８一１，１８−２，１８一３，１８一４を
２つづつ連続して配列せしめている。
，Ｇ幻，Ｇ２２，Ｇの，Ｇ３２，Ｂ，，＆，，＆，，Ｂ
幻を図ａに示した各ＭＯＳキヤパシタＳ，，，Ｓ′，．
，Ｓ，２，Ｓ′，２，Ｓ２２，Ｓ′２２，Ｓ３，，Ｓ′
３，，Ｓ３２，Ｓ′８２，Ｓ則 Ｓ′４，，Ｓ′舵に一
致せしめて貼り合せている。この貼合せ関係については
例えば１９７９年テレビジョン学会誌７月号ＰＰ５３０
−ＰＰ５３５「ＣＣＤ単板カラーカメラの実験的検討」
に詳しく述べられている。この場合「図ａに表示されて
いるＭＯＳキヤバシタＳ，．，Ｓ′，．，Ｓ，２，Ｓ′
，２，Ｓ幻，Ｓ′２１，Ｓ２２，Ｓ’２２，Ｓ乳，Ｓ′
紅，Ｓ舷，Ｓ′滋，Ｓ小Ｓ′小Ｓ４２，Ｓ′蟹配置は図
ｂにおいて１点鎖線で囲まれた領域であり、例えば緑色
フィルタＧ２，はＭＯＳキャパシターＳ，．とＳ′，．
上に置かれている。同様にＲ２，はＳ，２とＳ′８、Ｒ
３・はＳ２，とＳ′２，、Ｇ３・はＳ滋とＳ′２２、Ｇ
４．はＳ３．とＳ′紅、＆．はＳ３２とＳ′３２、＆，
はＳ４，とＳ′４，「 Ｇ５，はＳ４２とＳ′４２であ
る。そして、図ａにおけるＣＣＤ１８−１，１８一２，
１８一３，１８−４、感光部１９一１，１９一２，１９
Ｊ−３，１９一４，ＯＦＤ２０−１，２０−２の水．
平方向の幅を図ｂに示すよう色フィルタ配置にするよう
にする。この場合、図ｂ中点線で示す場所ＸＩ・，Ｘ１
２，Ｘ１３，Ｘ１４，Ｘな，Ｘ２２，Ｘ粉，Ｘ２４，Ｘ
３，，Ｘ８２，Ｘ３３，Ｘ３４は図ａにおけるＣＣＤ１
８一１，１８一２，１８−３，１８一４の場所であり
、従って空間的にはこの場所Ｘ・，，Ｘ・２，Ｘ・３，
Ｘ，４，Ｘ２，，Ｘ２２，Ｘ凶，Ｘ２４，Ｘ，，Ｘ２，
ん３，Ｘ４には感光部がない。このような色フィル夕を
貼り合せた撮像素子において「図ｂに示した色フルタ配
置の２行ごと同時に並行して信号電荷を読み出す。固体
撮像装置を用いた単板式カラーカメラでは人間にとって
一番解像度がある緑信号を得るための画素数を多くし、
緑信号で高城の輝度信号を形成させる方法を多く用いて
いる。本発明では前記の２行ずつ同時に取り出した信号
列において緑信号だけをサンプリングして緑信号を得る
に際し、前記再生画像上空間的に感光部のない場所ＸＩ
・，Ｘ１２，Ｘ１３，Ｘ１４，Ｘ幻，Ｘ２２，Ｘ凶，Ｘ
２４，Ｘ３・，Ｘ３２，Ｘ３３，Ｘ桝に対応する場所に
隣接した緑色に重み付けを行なって合成した信号を加え
る。例えば同図ｃに示すように図ｂの上２行を同時に講
出したＡＮ信号において場所Ｘ，．とＸ，２に対応した
ところにＧ三号塾１・そして同様にＸ８とＸＡに対して
Ｇ三三三空、Ｘ２．とＸ２に対応して三千；三×蟹とＸ
凶と対応してＧ主三；≧の信号を入れる。これにより実
際に感光部のない場所に周辺画素の情報を含んだ凝偽信
号を作り出せることになり水平方向の解像度が向上され
る。以上本発明の提供する固体撮像装置においては図ｂ
に示すような空間的に感度のない場所Ｘ，．，Ｘ１２，
Ｘ１３，Ｘ１４，Ｘ２１，Ｘ２，Ｘ２３，Ｘ似，Ｘ３１
・Ｘ３２，Ｘ３３，Ｘ３４の水平方向における幅を感度
のある画素Ｂ，．，Ｂ２，，＆，，耳，，Ｂ５，，Ｇ，
．，ＧＭ，Ｇ２１，Ｇ２２，Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ山，Ｇ
５１，Ｇ斑，ＲＩ・，Ｒ２，，Ｒ３，，Ｒ小 Ｒ５，と
ほぼ同等にするために図ａのごとく信号電荷論出し部で
あるＣＣＤ１８一１，１８−２，１８一３，１８一４を
２つづつ連続して配列せしめている。
これによりＯＦＤ２０一１，２０一２は第１図の従来の
ものがＣＣＤ１５一１，１５−２、感光部１６−１，１
６一２、ＯＦＤ１７一１，１７−２の各１つづつにより
水平方向の１画素を構成していたのに対して、本発明で
は２画素で○ＦＤＩつでよいため素子自身の多画素化が
可能になっており、かつ上記説明したごとき信号処理に
より更に高解像度化ができることになり、総合的に本発
明は従来と比較として大幅に解像度を向上せしめた固体
撮像装置を提供することができる。第３図は本発明の他
の一実施例であり、白黒カメラとして用いた場合である
。
ものがＣＣＤ１５一１，１５−２、感光部１６−１，１
６一２、ＯＦＤ１７一１，１７−２の各１つづつにより
水平方向の１画素を構成していたのに対して、本発明で
は２画素で○ＦＤＩつでよいため素子自身の多画素化が
可能になっており、かつ上記説明したごとき信号処理に
より更に高解像度化ができることになり、総合的に本発
明は従来と比較として大幅に解像度を向上せしめた固体
撮像装置を提供することができる。第３図は本発明の他
の一実施例であり、白黒カメラとして用いた場合である
。
第２図ａの撮像素子を用いて白黒カメラを作るとその画
素配置は第３図ａに示されるようになる。
素配置は第３図ａに示されるようになる。
各画素Ｃ，．，Ｃ艦，Ｃ，３，Ｃ，４、Ｃ２，，Ｃ２２
，Ｃ２３，Ｃ２４・Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ蟹，Ｃ３４・Ｃ
一，Ｃ４２，Ｃ４８，Ｃ４４、Ｇ，，Ｃ母，ＣＳ，ＣＳ
の空間的に感度のない場所Ｙ，．，Ｙ８， Ｙ，３，Ｙ
，４、Ｙ２・，Ｙ２２，Ｙ２３，Ｙ２４が形成される。
この級像素子からの得られる信号列において、前記感度
のない場所Ｙ，．，Ｙ，２，Ｙ，３，Ｙ，４、Ｙ２，，
Ｙ２， Ｙ豹， Ｙ松に対応したところに同図ｂ‘こ示
したごとく水平方向にいて、両側の信号を合成した信号
Ｃ主羊毛，Ｃ・２十Ｃ幻２’ＣＩ３十Ｃ２３ ＣＩ４十
Ｃ雄 Ｃ３１十Ｃ４１ ＣＩ４十Ｃ２４−− −−「「
，「「，２’２・ タＣ３・十Ｃ４・Ｃ滋十Ｃ班Ｃ細十Ｃ軸Ｃ三千ヂ三を加
え「「’「「’「「’ることによって水平方向の解像度
を向上せしめることとができる。
，Ｃ２３，Ｃ２４・Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ蟹，Ｃ３４・Ｃ
一，Ｃ４２，Ｃ４８，Ｃ４４、Ｇ，，Ｃ母，ＣＳ，ＣＳ
の空間的に感度のない場所Ｙ，．，Ｙ８， Ｙ，３，Ｙ
，４、Ｙ２・，Ｙ２２，Ｙ２３，Ｙ２４が形成される。
この級像素子からの得られる信号列において、前記感度
のない場所Ｙ，．，Ｙ，２，Ｙ，３，Ｙ，４、Ｙ２，，
Ｙ２， Ｙ豹， Ｙ松に対応したところに同図ｂ‘こ示
したごとく水平方向にいて、両側の信号を合成した信号
Ｃ主羊毛，Ｃ・２十Ｃ幻２’ＣＩ３十Ｃ２３ ＣＩ４十
Ｃ雄 Ｃ３１十Ｃ４１ ＣＩ４十Ｃ２４−− −−「「
，「「，２’２・ タＣ３・十Ｃ４・Ｃ滋十Ｃ班Ｃ細十Ｃ軸Ｃ三千ヂ三を加
え「「’「「’「「’ることによって水平方向の解像度
を向上せしめることとができる。
又同図ｃに示すように前記第２図と同様に両側斜め方向
に隣接した信号より合成ひされた信号Ｃ三与望・，ＣＩ
３十Ｃ２ＣＩ４十Ｃ数「「’「「’Ｃ班＋Ｃ４・Ｃ斑十
Ｃ像Ｃ紬壱Ｃ４３を加えても同様の２’２’解像度向上
の効果を得ることができる。
に隣接した信号より合成ひされた信号Ｃ三与望・，ＣＩ
３十Ｃ２ＣＩ４十Ｃ数「「’「「’Ｃ班＋Ｃ４・Ｃ斑十
Ｃ像Ｃ紬壱Ｃ４３を加えても同様の２’２’解像度向上
の効果を得ることができる。
又、本発明は前記第２、第３図のごときインターライン
トラスフア撮像方式ＣＣＤでなく例えばＭ．Ｈｅ肌ｓ等
によるｌＥＥＥ Ｔねｎｓ．ｏｎ ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ
ｅｖｉｃｅｓ Ｖｏｌ．ＥＤ−２５、Ｎｏ．２、ＰＰ１
３５−１３９「ＴｈｅＲｅＳｉＳｔｉＶｅ ＧａｔｅＣ
ＴＤ ＡＪｅａ一１ｍａｇｅＳｅｎｓｏｒ」に記載され
ているようなＲｅｓｉｓｔｉｖｅＧａｔｅＣＴＤ‘こも
適用できる。
トラスフア撮像方式ＣＣＤでなく例えばＭ．Ｈｅ肌ｓ等
によるｌＥＥＥ Ｔねｎｓ．ｏｎ ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ
ｅｖｉｃｅｓ Ｖｏｌ．ＥＤ−２５、Ｎｏ．２、ＰＰ１
３５−１３９「ＴｈｅＲｅＳｉＳｔｉＶｅ ＧａｔｅＣ
ＴＤ ＡＪｅａ一１ｍａｇｅＳｅｎｓｏｒ」に記載され
ているようなＲｅｓｉｓｔｉｖｅＧａｔｅＣＴＤ‘こも
適用できる。
第４図に該ＲｅｓｉｓｔｉｖｅＧａｔｅＣＴＤに本発明
を適用した一実施例を示す。
を適用した一実施例を示す。
同図に示すごとく光入射により信号電荷を蓄積する感光
セルＺ，．，乙２，乙３、Ｚ２，，Ｚ２２，Ｚ３、Ｚ，
，Ｚ辺，Ｚ幻、Ｚ４，，乙２，Ｚ３、Ｚ５，，Ｚ剛Ｚ斑
、Ｚの，Ｚ６２，Ｚ６３よりなる感光部２２一１，２２
一２，２２一３，２２−４，２２一５，２２−６が２列
ずつ水平方向において連続して配列せしめ、前記感光部
２２一１，２２一２，２２−３，２２一４，２２一５，
２２−６の間に例えば読出し部である多結晶シコリン鰭
極よりなる抵抗性電極２３−亀，２３一２，２３一３，
２３−４，２３一５，２３一６をこれも２電極ずつ連続
して配列させることによりち第２、第３図と同様な画素
配置を実現させることができ、第２、第３図で説明した
同様な方法で抵抗性電極２３−１，２３一２， ２３一
３，２３一４の部分に隣接した画素の情報より合成され
た信号を凝偽的に形成させて水平方向の解像度を向上せ
しめることができる。なお図中実線矢印は感光セル乙，
？ Ｚ，２，Ｚ，３、Ｚ，，Ｚ２，Ｚ豹、Ｚ４，，Ｚ４
２，Ｚ３、Ｚ，，Ｚ２，Ｚ３、Ｚ，，Ｚ２，Ｚ斑の信号
電荷を論出し部２３−１，２３一２，２３一３，２３一
４，２３一５，２３−６へ転送する方向を示している。
以上説明したように「本発明は固体撮像装置において非
常に大きい問題である高解像度化に対して非常に有効で
ある。そして第２，３，４図で説明したごと〈本発明は
カラー、白黒カメラ両者に対して用いることができる利
点がある。又、カラー緑像の場合、第２図で単板式につ
いてのみ説明したが、例えば３板式として用いるときは
第３図で説明した白黒のときと同じ処理を赤Ｒ、緑Ｇ、
青Ｂ用素子各々に対して行うことによって高解像度力ラ
ー撮像を行うことができる。
セルＺ，．，乙２，乙３、Ｚ２，，Ｚ２２，Ｚ３、Ｚ，
，Ｚ辺，Ｚ幻、Ｚ４，，乙２，Ｚ３、Ｚ５，，Ｚ剛Ｚ斑
、Ｚの，Ｚ６２，Ｚ６３よりなる感光部２２一１，２２
一２，２２一３，２２−４，２２一５，２２−６が２列
ずつ水平方向において連続して配列せしめ、前記感光部
２２一１，２２一２，２２−３，２２一４，２２一５，
２２−６の間に例えば読出し部である多結晶シコリン鰭
極よりなる抵抗性電極２３−亀，２３一２，２３一３，
２３−４，２３一５，２３一６をこれも２電極ずつ連続
して配列させることによりち第２、第３図と同様な画素
配置を実現させることができ、第２、第３図で説明した
同様な方法で抵抗性電極２３−１，２３一２， ２３一
３，２３一４の部分に隣接した画素の情報より合成され
た信号を凝偽的に形成させて水平方向の解像度を向上せ
しめることができる。なお図中実線矢印は感光セル乙，
？ Ｚ，２，Ｚ，３、Ｚ，，Ｚ２，Ｚ豹、Ｚ４，，Ｚ４
２，Ｚ３、Ｚ，，Ｚ２，Ｚ３、Ｚ，，Ｚ２，Ｚ斑の信号
電荷を論出し部２３−１，２３一２，２３一３，２３一
４，２３一５，２３−６へ転送する方向を示している。
以上説明したように「本発明は固体撮像装置において非
常に大きい問題である高解像度化に対して非常に有効で
ある。そして第２，３，４図で説明したごと〈本発明は
カラー、白黒カメラ両者に対して用いることができる利
点がある。又、カラー緑像の場合、第２図で単板式につ
いてのみ説明したが、例えば３板式として用いるときは
第３図で説明した白黒のときと同じ処理を赤Ｒ、緑Ｇ、
青Ｂ用素子各々に対して行うことによって高解像度力ラ
ー撮像を行うことができる。
そして、この３板式に対して例えばテレビジョン学会誌
、昭和５４年７月号ＰＰ５１６−ＰＰ５２２の「丈ＣＤ
カラーカメラの一方式」に記載されている空間絵画ずら
し撮像方式を加えると更に高解像度を達成できる。第２
図を用いたインターライン・トランスフア糠像方式ＣＣ
Ｄの説明においてＭＯＳキャパシタＳＩＩ；Ｓ′１１，
ＳＩ２，Ｓ′１２・Ｓａ，Ｓ′幻，Ｓ礎，Ｓ′囚、Ｓの
，Ｓ′の，Ｓ３２，Ｓ′３２、Ｓり，Ｓ′小Ｓ４２，
Ｓ′４２に蓄積された信号電荷をＣＣＤ１８−１，１８
一２，１８−３，１８一４，１８−５に転送するに際し
、同図ａ中実線と点線矢印で示すものをＡ，Ｂ２フィー
ルドで別々に行なう場合について述べたが、これはこの
ようなフレーム蓄積モードだけでなく、フィールド蓄積
モードでもなんら本発明の効果を損なわせることはない
。
、昭和５４年７月号ＰＰ５１６−ＰＰ５２２の「丈ＣＤ
カラーカメラの一方式」に記載されている空間絵画ずら
し撮像方式を加えると更に高解像度を達成できる。第２
図を用いたインターライン・トランスフア糠像方式ＣＣ
Ｄの説明においてＭＯＳキャパシタＳＩＩ；Ｓ′１１，
ＳＩ２，Ｓ′１２・Ｓａ，Ｓ′幻，Ｓ礎，Ｓ′囚、Ｓの
，Ｓ′の，Ｓ３２，Ｓ′３２、Ｓり，Ｓ′小Ｓ４２，
Ｓ′４２に蓄積された信号電荷をＣＣＤ１８−１，１８
一２，１８−３，１８一４，１８−５に転送するに際し
、同図ａ中実線と点線矢印で示すものをＡ，Ｂ２フィー
ルドで別々に行なう場合について述べたが、これはこの
ようなフレーム蓄積モードだけでなく、フィールド蓄積
モードでもなんら本発明の効果を損なわせることはない
。
又、第２図の単板カラー糠像において同図ｂのごときＲ
、Ｇ「Ｂ色フィル夕を用いた配置について説明を行なっ
たが、他の例えば補色フィル夕を用いた場合でもよい。
、Ｇ「Ｂ色フィル夕を用いた配置について説明を行なっ
たが、他の例えば補色フィル夕を用いた場合でもよい。
即ち本発明は意図して撮像素子上に糠像素子自体従釆よ
り多画素化を可能にせしめた空間的に感度のない場所を
設け、前述した信号処理で信号列中に前記空間的に感度
のない場所に対応したところに隣接した信号により合成
された信号を加えることを特徴としているため、他のフ
ィルタ配置でも同様な効果が得られることは容易に理解
できるであろう。さらに第２図の説明は感光部としてＭ
ＯＳキャパシターを用いたものについて行なたが、これ
はＰＮ接合でもよい。
り多画素化を可能にせしめた空間的に感度のない場所を
設け、前述した信号処理で信号列中に前記空間的に感度
のない場所に対応したところに隣接した信号により合成
された信号を加えることを特徴としているため、他のフ
ィルタ配置でも同様な効果が得られることは容易に理解
できるであろう。さらに第２図の説明は感光部としてＭ
ＯＳキャパシターを用いたものについて行なたが、これ
はＰＮ接合でもよい。
そして、シリコン以外の半導体基板を用いた場合にも本
発明は適用できる。
発明は適用できる。
第１図は従来の固体撮像装置の要部断面とセル配置構成
を示す図、第２９ ３，４図は各々本発明の実施例を示
す図である。 亀：半導体基板、２一１，２一２三ＣＣＤの埋込みチャ
ネル層、３：オーバ。 フロードレィン（ＯＦＤ）〜 ４，５：バリヤＰ＋層ト
８一１，８一２，】０−１，１０一２：多結晶シリコ
ン電極、７−・’７−２，９−・；９−２，，蔓：Ｓｉ
。２膜、１２ 三Ｓｎ０２膜、１ ３一１９ 亀３−２
：山電極、１５−１，１５一２，１８一翼，１８−２，
１８−３，１８山４，２３一１，２３一２：信号電荷謙
出し部、１６−１，１６−２，１９−１，１９−２，１
９−３，１９−４，２２−１，２２−２，２２−３，２
２−４，２２−５，２２−６：感光部、１７一ｉ，１７
−２，２０−１，２０−２：ＯＦＤ。 第１図 第３図 第２図 第４図
を示す図、第２９ ３，４図は各々本発明の実施例を示
す図である。 亀：半導体基板、２一１，２一２三ＣＣＤの埋込みチャ
ネル層、３：オーバ。 フロードレィン（ＯＦＤ）〜 ４，５：バリヤＰ＋層ト
８一１，８一２，】０−１，１０一２：多結晶シリコ
ン電極、７−・’７−２，９−・；９−２，，蔓：Ｓｉ
。２膜、１２ 三Ｓｎ０２膜、１ ３一１９ 亀３−２
：山電極、１５−１，１５一２，１８一翼，１８−２，
１８−３，１８山４，２３一１，２３一２：信号電荷謙
出し部、１６−１，１６−２，１９−１，１９−２，１
９−３，１９−４，２２−１，２２−２，２２−３，２
２−４，２２−５，２２−６：感光部、１７一ｉ，１７
−２，２０−１，２０−２：ＯＦＤ。 第１図 第３図 第２図 第４図
Claims (1)
- １ 読出し部を再生画像上の水平方向に対応した方向に
２個連続して設けるとともにその両側に感光セルを隣接
して設けてこれら読出し部及び感光セルを一単位として
これを周期的に配列して撮像素子を構成し、前記読出し
部の両側に隣接して設けられた前記感光セルの信号より
合成された新たな信号を再生画像上での前記読出し部に
対応した位置に加えるようにしたことを特徴とする固体
撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54157980A JPS606147B2 (ja) | 1979-12-07 | 1979-12-07 | 固体撮像装置 |
| US06/212,434 US4367492A (en) | 1979-12-07 | 1980-12-03 | Solid state image sensor |
| DE8080107646T DE3067899D1 (en) | 1979-12-07 | 1980-12-04 | Solid state image sensor |
| EP80107646A EP0030375B1 (en) | 1979-12-07 | 1980-12-04 | Solid state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54157980A JPS606147B2 (ja) | 1979-12-07 | 1979-12-07 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5680969A JPS5680969A (en) | 1981-07-02 |
| JPS606147B2 true JPS606147B2 (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15661613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54157980A Expired JPS606147B2 (ja) | 1979-12-07 | 1979-12-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4367492A (ja) |
| EP (1) | EP0030375B1 (ja) |
| JP (1) | JPS606147B2 (ja) |
| DE (1) | DE3067899D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0026904A3 (en) * | 1979-10-04 | 1981-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image pick-up device |
| JPS5856458U (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-16 | 株式会社日立製作所 | カラ−固体撮像装置 |
| US4454541A (en) * | 1982-06-14 | 1984-06-12 | Rca Corporation | Charge coupled device based blemish detection system and method |
| JPS5915370A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-26 | Canon Inc | 信号処理装置 |
| US4521106A (en) * | 1982-08-18 | 1985-06-04 | Eastman Kodak Company | Image sensor and rangefinder device with background subtraction using interlaced analog shift register |
| US4528596A (en) * | 1982-11-30 | 1985-07-09 | Rca Corporation | Suppression of edge effects arising in CCD imager field registers |
| DE3437561A1 (de) * | 1983-10-13 | 1985-04-25 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildaufnahmevorrichtung |
| US4642678A (en) * | 1984-09-10 | 1987-02-10 | Eastman Kodak Company | Signal processing method and apparatus for producing interpolated chrominance values in a sampled color image signal |
| JPS61189064A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蓄積型イメ−ジセンサ− |
| US5187569A (en) * | 1989-03-03 | 1993-02-16 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device and electronic still camera using same |
| KR930002818B1 (ko) * | 1990-05-11 | 1993-04-10 | 금성일렉트론주식회사 | Ccd 영상소자 |
| KR930009132A (ko) * | 1991-10-04 | 1993-05-22 | 김광호 | 고체 촬영 소자 |
| JPH05283670A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の電荷読出し方法 |
| US6770860B1 (en) | 2000-02-14 | 2004-08-03 | Dalsa, Inc. | Dual line integrating line scan sensor |
| JP4468657B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2010-05-26 | オリンパス株式会社 | 撮像素子 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5154731A (ja) * | 1974-10-16 | 1976-05-14 | Gen Corp | |
| US4117510A (en) * | 1974-09-25 | 1978-09-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state color imaging apparatus |
| JPS5732547B2 (ja) * | 1974-12-25 | 1982-07-12 | ||
| JPS5937629B2 (ja) * | 1975-01-30 | 1984-09-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像体 |
| DE2542156C3 (de) * | 1975-09-22 | 1978-08-03 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Eindimensionaler optoelektronischer Sensor |
| JPS5396720A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Solid image pickup element |
| FR2420889A1 (fr) * | 1978-03-24 | 1979-10-19 | Thomson Csf | Dispositif pour la lecture d'une cible de prise de vues en rayonnement electromagnetique et ensemble constitue d'une cible de prise de vues et d'un tel dispositif de lecture |
| US4200892A (en) * | 1978-03-27 | 1980-04-29 | Rca Corporation | Solid state image sensor |
| JPS5535536A (en) * | 1978-09-06 | 1980-03-12 | Hitachi Ltd | Solid color image pickup device |
| JPS5578680A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state pickup device |
-
1979
- 1979-12-07 JP JP54157980A patent/JPS606147B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-12-03 US US06/212,434 patent/US4367492A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-12-04 EP EP80107646A patent/EP0030375B1/en not_active Expired
- 1980-12-04 DE DE8080107646T patent/DE3067899D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0030375A1 (en) | 1981-06-17 |
| US4367492A (en) | 1983-01-04 |
| DE3067899D1 (en) | 1984-06-20 |
| EP0030375B1 (en) | 1984-05-16 |
| JPS5680969A (en) | 1981-07-02 |
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