JPH05182954A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05182954A JPH05182954A JP4000540A JP54092A JPH05182954A JP H05182954 A JPH05182954 A JP H05182954A JP 4000540 A JP4000540 A JP 4000540A JP 54092 A JP54092 A JP 54092A JP H05182954 A JPH05182954 A JP H05182954A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- reducing atmosphere
- bpsg film
- film
- heat treatment
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 PSG 膜のアニールに関し，異物の付着や析出
の防止と処理数の増加を目的とする。 【構成】 基板上に被着されたりん珪酸ガラス(PSG) 膜
の熱処理を還元雰囲気中で行う工程を有するように構成
する。
の防止と処理数の増加を目的とする。 【構成】 基板上に被着されたりん珪酸ガラス(PSG) 膜
の熱処理を還元雰囲気中で行う工程を有するように構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り, 特にりん珪酸ガラス(PSG) 膜の熱処理方法に関す
る。
係り, 特にりん珪酸ガラス(PSG) 膜の熱処理方法に関す
る。
【０００２】近年, デバイスの微細かに伴い, プロセス
の低温化が要求されている。そのため，層間絶縁膜等に
用いられるPSG 膜, 特に段差被覆改善のためにメルトし
やすいボロンドープのBPSG膜のアニール（段差をなだら
かにするための熱処理）温度も下げる必要があるが，り
ん元素をリッチに含むB-P-Si-O系化合物からなる異物粒
子が析出し，デバイス性能低下の原因となっていた。そ
こで，粒子の析出を防ぎ且つアニール温度を下げる熱処
理方法が必要となる。
の低温化が要求されている。そのため，層間絶縁膜等に
用いられるPSG 膜, 特に段差被覆改善のためにメルトし
やすいボロンドープのBPSG膜のアニール（段差をなだら
かにするための熱処理）温度も下げる必要があるが，り
ん元素をリッチに含むB-P-Si-O系化合物からなる異物粒
子が析出し，デバイス性能低下の原因となっていた。そ
こで，粒子の析出を防ぎ且つアニール温度を下げる熱処
理方法が必要となる。
【０００３】
【従来の技術】図２は従来例によるBPSG膜のアニールを
説明する断面図である。図において，１は炉心管，２は
ガス導入口，３はキャップ一体型石英ステージ，４はガ
ス排出口，５はヒータ，６はステージ上に保持されたウ
エハである。
説明する断面図である。図において，１は炉心管，２は
ガス導入口，３はキャップ一体型石英ステージ，４はガ
ス排出口，５はヒータ，６はステージ上に保持されたウ
エハである。
【０００４】従来のBPSG膜のアニールは，炉内の空気を
窒素(N2)で置換し，空気が残らないようにウエハ間隔を
広げた状態で窒素の流量(50 〜100 SLM)を大きくして,
粒子の析出を抑えていた。
窒素(N2)で置換し，空気が残らないようにウエハ間隔を
広げた状態で窒素の流量(50 〜100 SLM)を大きくして,
粒子の析出を抑えていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例では窒素の置換
を完全にするためウエハの間隔を開けたため処理数が減
り，また使用する窒素の流量が多く，外気に触れるキャ
ップとウエハを保持するステージを一体化したキャップ
一体型石英ステージを用いたため塵の付着が多くなり，
また粒子の析出も多発していた。
を完全にするためウエハの間隔を開けたため処理数が減
り，また使用する窒素の流量が多く，外気に触れるキャ
ップとウエハを保持するステージを一体化したキャップ
一体型石英ステージを用いたため塵の付着が多くなり，
また粒子の析出も多発していた。
【０００６】本発明はPSG 膜のアニールにおいて，異物
の付着や析出の防止と処理数の増加を目的とする。
の付着や析出の防止と処理数の増加を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，基板
上に被着されたりん珪酸ガラス(PSG) 膜の熱処理を還元
雰囲気中で行う工程を有する半導体装置の製造方法によ
り達成される。
上に被着されたりん珪酸ガラス(PSG) 膜の熱処理を還元
雰囲気中で行う工程を有する半導体装置の製造方法によ
り達成される。
【０００８】
【作用】本発明者は従来例の装置を用いてBPSG膜のアニ
ール方法を種々実験した結果，還元雰囲気中で熱処理す
ると，処理するウエハ枚数を増やしても異物の析出が抑
えられることを見出した。
ール方法を種々実験した結果，還元雰囲気中で熱処理す
ると，処理するウエハ枚数を増やしても異物の析出が抑
えられることを見出した。
【０００９】還元雰囲気中で熱処理すると，処理数を増
加でき且つ異物の析出が防止できる理由は以下のように
考えられる。BPSG膜の表面のダングリングボンドに一度
外方拡散したりん(P) をリッチに含む析出物が再付着す
ると考えられるので，このダングリングボンドをなくす
ることにより再付着が防止できる。N2は不活性なガスで
あるためBPSG膜の表面でN 終端にはなりにくいので，N2
にH2を混合して還元雰囲気にすれば, H 終端ができ再付
着が起こらない。
加でき且つ異物の析出が防止できる理由は以下のように
考えられる。BPSG膜の表面のダングリングボンドに一度
外方拡散したりん(P) をリッチに含む析出物が再付着す
ると考えられるので，このダングリングボンドをなくす
ることにより再付着が防止できる。N2は不活性なガスで
あるためBPSG膜の表面でN 終端にはなりにくいので，N2
にH2を混合して還元雰囲気にすれば, H 終端ができ再付
着が起こらない。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例によるBPSG膜のアニー
ルを説明する断面図である。還元雰囲気として水素(H2)
と窒素を混合したフォーミングガスを用い，次の条件で
アニールした。
ルを説明する断面図である。還元雰囲気として水素(H2)
と窒素を混合したフォーミングガスを用い，次の条件で
アニールした。
【００１１】 ガス流量： H2３％のN2 10 SLM 加熱温度： 850 ℃ 加熱時間： 20 分 ウエハ数： 150 枚 同間隔 ： 3.573 mm 実施例によるアニール後の異物数を従来例と対比して次
に示す。
に示す。
【００１２】 ここで，Ｓ(0.2〜0.3 μｍ），Ｍ(0.3〜1.0 μｍ），Ｌ
(1.0μｍ以上）は異物の大中小を示す。また，測定器は
WM-3 (TOPCOM 社製) を用いた。
(1.0μｍ以上）は異物の大中小を示す。また，測定器は
WM-3 (TOPCOM 社製) を用いた。
【００１３】比較のための従来例は, 加熱温度, 時間は
実施例と同じで次の条件で行った。 ガス流量： N2 10 SLM ウエハ数： 100 枚 同間隔 ： 4.76 mm 前記のように，ウエハ間隔は従来例では4.76 mm である
のに対し，実施例では3.573 mmである。
実施例と同じで次の条件で行った。 ガス流量： N2 10 SLM ウエハ数： 100 枚 同間隔 ： 4.76 mm 前記のように，ウエハ間隔は従来例では4.76 mm である
のに対し，実施例では3.573 mmである。
【００１４】実施例では還元ガスとして，水素と窒素の
混合ガスを用いたが，水素のみ，または水素とその他の
不活性ガスの混合ガスを用いてもよい。あるいは，水素
と酸素を反応させて得たウエット雰囲気を用いてもよ
い。
混合ガスを用いたが，水素のみ，または水素とその他の
不活性ガスの混合ガスを用いてもよい。あるいは，水素
と酸素を反応させて得たウエット雰囲気を用いてもよ
い。
【００１５】実施例ではメルトしやすいBPSG膜について
説明したが, ボロンをドープしないPSG 膜についても本
発明は同様の効果が得られる。
説明したが, ボロンをドープしないPSG 膜についても本
発明は同様の効果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば，PSG 膜のアニールにお
いて異物の付着や析出を防止でき，処理数を増加するこ
とができた。この結果，処理のスループットを上げ，異
物による製造歩留と品質の低下を抑制することができ
た。
いて異物の付着や析出を防止でき，処理数を増加するこ
とができた。この結果，処理のスループットを上げ，異
物による製造歩留と品質の低下を抑制することができ
た。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例によるBPSG膜のアニールを説
明する断面図
明する断面図
【図２】 従来例によるBPSG膜のアニールを説明する断
面図
面図
１ 炉心管 ２ ガス導入口 ３ キャップ一体型石英ステージ ４ ガス排出口 ５ ヒータ ６ ステージ上に保持されたウエハ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に被着されたりん珪酸ガラス(PS
G) 膜の熱処理を還元雰囲気中で行う工程を有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000540A JPH05182954A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4000540A JPH05182954A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182954A true JPH05182954A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11476580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4000540A Withdrawn JPH05182954A (ja) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182954A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625063Y2 (ja) * | 1983-02-21 | 1987-02-05 | ||
| JPH01124832U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-25 | ||
| JPH01290812A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 自動除塵装置 |
| JPH0336308A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-18 | Ebara Koki Kk | 除塵装置 |
-
1992
- 1992-01-07 JP JP4000540A patent/JPH05182954A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625063Y2 (ja) * | 1983-02-21 | 1987-02-05 | ||
| JPH01124832U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-25 | ||
| JPH01290812A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 自動除塵装置 |
| JPH0336308A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-18 | Ebara Koki Kk | 除塵装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |