JPH05182833A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
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- JPH05182833A JPH05182833A JP3359770A JP35977091A JPH05182833A JP H05182833 A JPH05182833 A JP H05182833A JP 3359770 A JP3359770 A JP 3359770A JP 35977091 A JP35977091 A JP 35977091A JP H05182833 A JPH05182833 A JP H05182833A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高いＱ値を有し、かつ小型化が可能となるイン
ダクタンス素子を提供する。 【構成】導線１の周囲に成膜技術による軟磁性薄膜２を
一体に形成してなる。
ダクタンス素子を提供する。 【構成】導線１の周囲に成膜技術による軟磁性薄膜２を
一体に形成してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョークコイル、イン
ダクタ、トランス等に用いる小型のインダクタンス素子
に関する。
ダクタ、トランス等に用いる小型のインダクタンス素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】高周波帯
域で使用されるノイズ除去、あるいは突入電流制限等を
目的とした小型のインダクタンス素子は、図９（ａ）に
示すように、フェライト粉体を成形することにより、中
心に穴２０を有するビーズ２１を作り、図９（ｂ）に示
すように、該ビーズ２１の穴２０に銅等でなる導線２２
を挿通した構造を有する。このインダクタンス素子はビ
ーズコアと称され、例えば電子回路の入出力ライン、あ
るいは電子部品の足に設けられる。また、図９（ｃ）に
示すものは、めがねコアと称されるもので、同様の製法
により、２個の穴２０を設けたビーズ２３の穴に２本の
導線２２を挿通してなるもので、小型チョークコイルや
トランスとして用いられるか、あるいは電子部品の足に
設けられる。
域で使用されるノイズ除去、あるいは突入電流制限等を
目的とした小型のインダクタンス素子は、図９（ａ）に
示すように、フェライト粉体を成形することにより、中
心に穴２０を有するビーズ２１を作り、図９（ｂ）に示
すように、該ビーズ２１の穴２０に銅等でなる導線２２
を挿通した構造を有する。このインダクタンス素子はビ
ーズコアと称され、例えば電子回路の入出力ライン、あ
るいは電子部品の足に設けられる。また、図９（ｃ）に
示すものは、めがねコアと称されるもので、同様の製法
により、２個の穴２０を設けたビーズ２３の穴に２本の
導線２２を挿通してなるもので、小型チョークコイルや
トランスとして用いられるか、あるいは電子部品の足に
設けられる。
【０００３】このような１ターンのインダクタンス素子
は、おおよそ最高３００ＭHz程度の高周波帯域まで使用
されているが、この従来構造では最近の高周波化、ディ
ジタル化、小型化の要求に対処することが困難である。
なぜならば、従来のインダクタンス素子は、前記のよう
にフェライト粉の成形によるので、ビーズ２１、２３と
して小型になれば形状の再現性が悪く、また、穴２０を
形成するためのピン状の金型が非常に細くなるので、成
形時にトラブルが発生しやすく、金型寿命も短くなる。
このため、直径が最小約３mm程度、穴２０の直径が最小
約０．７mm程度のものまでしか得られないのが現状であ
り、小型化への対応が困難であるという問題点があっ
た。また、バルク材料であるために透磁率が１００程度
のものしか得られず、Ｑ値が低いという問題点があっ
た。
は、おおよそ最高３００ＭHz程度の高周波帯域まで使用
されているが、この従来構造では最近の高周波化、ディ
ジタル化、小型化の要求に対処することが困難である。
なぜならば、従来のインダクタンス素子は、前記のよう
にフェライト粉の成形によるので、ビーズ２１、２３と
して小型になれば形状の再現性が悪く、また、穴２０を
形成するためのピン状の金型が非常に細くなるので、成
形時にトラブルが発生しやすく、金型寿命も短くなる。
このため、直径が最小約３mm程度、穴２０の直径が最小
約０．７mm程度のものまでしか得られないのが現状であ
り、小型化への対応が困難であるという問題点があっ
た。また、バルク材料であるために透磁率が１００程度
のものしか得られず、Ｑ値が低いという問題点があっ
た。
【０００４】従来の他のインダクタンス素子として、印
刷法等により導体と磁性体とを積層してチップ状にした
ものがあるが、製造工程が複雑化し、高価なものとなる
上、導体が細くなるので電気抵抗が大となり、コア損失
も大きくなるという問題点があった。
刷法等により導体と磁性体とを積層してチップ状にした
ものがあるが、製造工程が複雑化し、高価なものとなる
上、導体が細くなるので電気抵抗が大となり、コア損失
も大きくなるという問題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑み、高いＱ値を
有し、かつ小型化が可能となるインダクタンス素子を提
供することを目的とする。
有し、かつ小型化が可能となるインダクタンス素子を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明によるインダクタンス素子は、導線の周囲
に、めっきや真空成膜等の成膜技術による軟磁性薄膜を
一体に形成したことを特徴とする。
め、本発明によるインダクタンス素子は、導線の周囲
に、めっきや真空成膜等の成膜技術による軟磁性薄膜を
一体に形成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明のインダクタンス素子は、上述の構造を
有するものであり、導線を流れる電流によって発生した
磁界による磁束は、周囲の軟磁性薄膜を通り、インダク
タンス素子としての役目を果たし、導線が２本以上の場
合には、トランスとしての機能を発揮する。
有するものであり、導線を流れる電流によって発生した
磁界による磁束は、周囲の軟磁性薄膜を通り、インダク
タンス素子としての役目を果たし、導線が２本以上の場
合には、トランスとしての機能を発揮する。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ）は本発明によるインダクタンス素
子の一実施例を示す斜視図であり、銅や金等の導線１に
メッキ法あるいは真空成膜法により、パーマロイ、セン
ダスト、アモルファス磁性材、微細結晶合金材料、ある
いはこれらの多層膜でなる軟磁性薄膜２を形成してな
る。
子の一実施例を示す斜視図であり、銅や金等の導線１に
メッキ法あるいは真空成膜法により、パーマロイ、セン
ダスト、アモルファス磁性材、微細結晶合金材料、ある
いはこれらの多層膜でなる軟磁性薄膜２を形成してな
る。
【０００９】具体例について説明すると、直径が０．２
５mm、長さが３０cmの銅線を、下記の液組成のパーマロ
イめっき浴に浸漬し、２００O eの磁場を印加しながら、
めっき浴温度を４０℃、電流密度１Ａ／１００cm2 で３
０分めっきし、２９cmの長さに４μmの膜厚の軟磁性薄
膜２を形成した。
５mm、長さが３０cmの銅線を、下記の液組成のパーマロ
イめっき浴に浸漬し、２００O eの磁場を印加しながら、
めっき浴温度を４０℃、電流密度１Ａ／１００cm2 で３
０分めっきし、２９cmの長さに４μmの膜厚の軟磁性薄
膜２を形成した。
【００１０】（めっき浴組成） その後、インピーダンスアナライザー（ＨＰ４１９５
Ａ）によりインダクタンスＬを測定し、めっきしないも
のと比較した。その結果、周波数ｆ＝１０ＭHzにおける
インダクタンスＬおよびＱは、軟磁性薄膜２有りの場合
にＬ＝１．３μＨ、Ｑ＝８０、無しの場合Ｌ＝０．３μ
Ｈ、Ｑ＝３５であった。また、１００ｋHz〜３００ＭHz
について、インダクタンスＬとＱの周波数特性をしらべ
たところ、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示す結果を得た。
Ａ）によりインダクタンスＬを測定し、めっきしないも
のと比較した。その結果、周波数ｆ＝１０ＭHzにおける
インダクタンスＬおよびＱは、軟磁性薄膜２有りの場合
にＬ＝１．３μＨ、Ｑ＝８０、無しの場合Ｌ＝０．３μ
Ｈ、Ｑ＝３５であった。また、１００ｋHz〜３００ＭHz
について、インダクタンスＬとＱの周波数特性をしらべ
たところ、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示す結果を得た。
【００１１】上記の例においては導線１に軟磁性薄膜２
を直接形成したが、図１（Ｄ）に示すように、導線１の
周囲にＳｉ Ｏ2等の絶縁膜３を形成し、その上に軟磁性
薄膜２を形成すれば、軟磁性薄膜２での電流の流れを防
止して、特性の良いインダクタンス素子を得ることがで
きる。また、導線１が銅である場合には、絶縁膜２によ
り銅の薄膜２への拡散を防止できる。なお、銅の拡散を
防止するため、絶縁膜３の代わりに鉄やモリブデンのよ
うな金属膜を形成しても良い。
を直接形成したが、図１（Ｄ）に示すように、導線１の
周囲にＳｉ Ｏ2等の絶縁膜３を形成し、その上に軟磁性
薄膜２を形成すれば、軟磁性薄膜２での電流の流れを防
止して、特性の良いインダクタンス素子を得ることがで
きる。また、導線１が銅である場合には、絶縁膜２によ
り銅の薄膜２への拡散を防止できる。なお、銅の拡散を
防止するため、絶縁膜３の代わりに鉄やモリブデンのよ
うな金属膜を形成しても良い。
【００１２】また、上記の例では、軟磁性薄膜２を１層
形成した例について説明したが、図２（Ａ）に示すよう
に、絶縁膜３と軟磁性薄膜２とを多層に積層することに
より、渦電流損失を低下させた高周波使用に適したイン
ダクタンス素子が得られる。このような多層構造は、例
えば下記のような真空成膜により得ることができる。
形成した例について説明したが、図２（Ａ）に示すよう
に、絶縁膜３と軟磁性薄膜２とを多層に積層することに
より、渦電流損失を低下させた高周波使用に適したイン
ダクタンス素子が得られる。このような多層構造は、例
えば下記のような真空成膜により得ることができる。
【００１３】図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示した多層構造
を得るための真空成膜法の一例を示すもので、銅線１を
チャンバー４内で回転させながら赤外線ヒータ５により
３００℃程度に加熱して蒸着源６よりＳｉ Ｏ2を１５０
Åの厚みに形成し、その上にＮｉ80Ｆｅ20を０．４μｍ
の厚みに形成するという作業を交互に繰り返し、軟磁性
薄膜２の層数が１０層の多層膜を形成した。このような
多層膜を前記した３０ｃｍの長さの銅線に前記と同様の
長さに形成した場合、周波数ｆ＝１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬは１．３μＨ、ｆ＝３００ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬは１．２μＨとなり、図１に示した
１層の場合に比較して１０ＭＨｚ以上の周波数における
インダクタンスＬの低下が少ないという結果を得た。
を得るための真空成膜法の一例を示すもので、銅線１を
チャンバー４内で回転させながら赤外線ヒータ５により
３００℃程度に加熱して蒸着源６よりＳｉ Ｏ2を１５０
Åの厚みに形成し、その上にＮｉ80Ｆｅ20を０．４μｍ
の厚みに形成するという作業を交互に繰り返し、軟磁性
薄膜２の層数が１０層の多層膜を形成した。このような
多層膜を前記した３０ｃｍの長さの銅線に前記と同様の
長さに形成した場合、周波数ｆ＝１０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンスＬは１．３μＨ、ｆ＝３００ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬは１．２μＨとなり、図１に示した
１層の場合に比較して１０ＭＨｚ以上の周波数における
インダクタンスＬの低下が少ないという結果を得た。
【００１４】図３（Ａ）は本発明の他の実施例であり、
絶縁被膜を施した導線を合わせて軟磁性薄膜２で一体に
覆うことにより、小型コモンモードチョークコイルまた
はアイソレーショントランスとして使用できるインダク
タンス素子を構成したものである。この素子は、両端の
絶縁被覆を剥ぐことにより、インダクタンス素子として
用いることもできる。
絶縁被膜を施した導線を合わせて軟磁性薄膜２で一体に
覆うことにより、小型コモンモードチョークコイルまた
はアイソレーショントランスとして使用できるインダク
タンス素子を構成したものである。この素子は、両端の
絶縁被覆を剥ぐことにより、インダクタンス素子として
用いることもできる。
【００１５】図３（Ａ）の具体例について説明すると、
直径０．１ｍｍ、長さ１０ｃｍの２本の銅線が合体しか
つ絶縁されるように、図３（Ｂ）の断面図に示すよう
に、１０００Åの厚みのＳｉＯ2でなる絶縁膜３で一体
化した。なお、絶縁膜３は磁性膜作製時に加熱する必要
が無ければエポキシ樹脂等の有期系材料を用いても良
い。このように絶縁膜３を形成した後、銅線１を回転さ
せながら真空蒸着法でパーマロイ多層膜（ＳｉＯ2の厚
みが１５０Å、パーマロイの厚みが０．４μｍで１０
層）を４μｍの厚みで９ｃｍの長さに形成した。
直径０．１ｍｍ、長さ１０ｃｍの２本の銅線が合体しか
つ絶縁されるように、図３（Ｂ）の断面図に示すよう
に、１０００Åの厚みのＳｉＯ2でなる絶縁膜３で一体
化した。なお、絶縁膜３は磁性膜作製時に加熱する必要
が無ければエポキシ樹脂等の有期系材料を用いても良
い。このように絶縁膜３を形成した後、銅線１を回転さ
せながら真空蒸着法でパーマロイ多層膜（ＳｉＯ2の厚
みが１５０Å、パーマロイの厚みが０．４μｍで１０
層）を４μｍの厚みで９ｃｍの長さに形成した。
【００１６】その後、前記と同様の方法でインダクタン
スを測定した。その結果、周波数ｆ＝１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬおよびＱは、軟磁性薄膜２有りの場
合にＬ＝１．５μＨ、Ｑ＝５０、無しの場合Ｌ＝０．２
μＨ、Ｑ＝１０であった。また、１００ｋＨｚ〜３００
ＭＨｚについて、インダクタンスＬとＱの周波数特性を
しらべたところ、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示す結果を得
た。
スを測定した。その結果、周波数ｆ＝１０ＭＨｚにおけ
るインダクタンスＬおよびＱは、軟磁性薄膜２有りの場
合にＬ＝１．５μＨ、Ｑ＝５０、無しの場合Ｌ＝０．２
μＨ、Ｑ＝１０であった。また、１００ｋＨｚ〜３００
ＭＨｚについて、インダクタンスＬとＱの周波数特性を
しらべたところ、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示す結果を得
た。
【００１７】図４（Ａ）は本発明の他の実施例であり、
コイル状に導線１を巻き、その上に軟磁性薄膜２を形成
したものである。この構造によれば、導線１の総長を長
くとることができ、コンパクト化できる。
コイル状に導線１を巻き、その上に軟磁性薄膜２を形成
したものである。この構造によれば、導線１の総長を長
くとることができ、コンパクト化できる。
【００１８】図４（Ｂ）は本発明の他の実施例であり、
導線１の両端の曲成脚部ａを、セラミック等の絶縁材で
なる基板６に貫挿して固定し、脚部ａ以外の部分の表面
に真空成膜法により軟磁性薄膜２を形成したものであ
る。この実施例のインダクタンス素子は、両端の脚部ａ
の間隔が一定に設定され、印刷基板に搭載するインダク
タンス素子として用いる場合に好適である。
導線１の両端の曲成脚部ａを、セラミック等の絶縁材で
なる基板６に貫挿して固定し、脚部ａ以外の部分の表面
に真空成膜法により軟磁性薄膜２を形成したものであ
る。この実施例のインダクタンス素子は、両端の脚部ａ
の間隔が一定に設定され、印刷基板に搭載するインダク
タンス素子として用いる場合に好適である。
【００１９】図５は本発明をチップインダクタに適用し
た例であり、（ａ）に示すように、基板８の両端に電極
９を設けておき、また、両端近傍に台部８ａ、８ｂを形
成し、（ｂ）とそのＥ−Ｅ断面図である（ｃ）に示すよ
うに、両端の電極９と、台部８ａ、８ｂ上に間隔を置い
て形成した金属膜１０にワイヤボンディングにより導線
１をジグザグに結合し、（ｄ）とそのＦ−Ｆ断面図であ
る（ｅ）に示すように、導線１上にめっきにより軟磁性
薄膜２を形成したものである。
た例であり、（ａ）に示すように、基板８の両端に電極
９を設けておき、また、両端近傍に台部８ａ、８ｂを形
成し、（ｂ）とそのＥ−Ｅ断面図である（ｃ）に示すよ
うに、両端の電極９と、台部８ａ、８ｂ上に間隔を置い
て形成した金属膜１０にワイヤボンディングにより導線
１をジグザグに結合し、（ｄ）とそのＦ−Ｆ断面図であ
る（ｅ）に示すように、導線１上にめっきにより軟磁性
薄膜２を形成したものである。
【００２０】図５の実施例によれば、導線１の総長を長
くとることができ、コンパクト化でき、電極９を基板８
の側面ないしは底面に設けることにより、表面実装が可
能である。また、導線１が台部８ａ、８ｂにより浮かせ
てあるので、導線１の表裏に磁性薄膜２を形成できる。
なお、導線１の台部８ａ、８ｂへの接続は、図５（ｆ）
に示すように、台部８ａ、８ｂに溝１２を設けてその溝
１２に導線１の折り曲げ部を嵌め込み、必要に応じて樹
脂１１で固定する方法も採用できる。さらに、軟磁性薄
膜２を導線１の表面に形成した後、樹脂で台部８ａ、８
ｂ間の導線１を固定する構造も採用可能である。
くとることができ、コンパクト化でき、電極９を基板８
の側面ないしは底面に設けることにより、表面実装が可
能である。また、導線１が台部８ａ、８ｂにより浮かせ
てあるので、導線１の表裏に磁性薄膜２を形成できる。
なお、導線１の台部８ａ、８ｂへの接続は、図５（ｆ）
に示すように、台部８ａ、８ｂに溝１２を設けてその溝
１２に導線１の折り曲げ部を嵌め込み、必要に応じて樹
脂１１で固定する方法も採用できる。さらに、軟磁性薄
膜２を導線１の表面に形成した後、樹脂で台部８ａ、８
ｂ間の導線１を固定する構造も採用可能である。
【００２１】図６は本発明の他の実施例であり、２本の
導線１ａ、１ｂを図５と同様の基板８上に配置してコモ
ンモードチョークコイルまたはアイソレーショントラン
スを構成する例である。すなわち、（ａ）とその部分拡
大図である（ｂ）に示すように、基板８の４隅に電極９
ａ〜９ｄを形成すると共に、台部８ａ、８ｂ上には一方
の導線１ａ、１ｂをそれぞれボンディングする金属膜１
０ａ、１０ｂを設けておき、（ｃ）に示すように、ワイ
ヤボンディングにより、一方の導線１ａは電極９ａ、９
ｃ間に途中部分を台部８ａ、８ｂ間でジグザグに結合し
て固定し、他方の導線１ｂは電極９ｂ、９ｄ間に途中部
分を台部８ａ、８ｂ間で前記導線１ａに隣接するように
ジグザグに結合して固定し、次に（ｄ）に示すように、
軟磁性薄膜２を前記真空成膜法により形成する。このよ
うなコモンモードチョークコイルまたはトランスを構成
ずる場合においても、ジグザグ部の固定に樹脂あるいは
溝への嵌合構造を用いることができ、さらに、図３
（Ｂ）で示したように、あらかじめ２本の導線１の両端
以外の部分を絶縁膜３で一体化した構造としても良い。
導線１ａ、１ｂを図５と同様の基板８上に配置してコモ
ンモードチョークコイルまたはアイソレーショントラン
スを構成する例である。すなわち、（ａ）とその部分拡
大図である（ｂ）に示すように、基板８の４隅に電極９
ａ〜９ｄを形成すると共に、台部８ａ、８ｂ上には一方
の導線１ａ、１ｂをそれぞれボンディングする金属膜１
０ａ、１０ｂを設けておき、（ｃ）に示すように、ワイ
ヤボンディングにより、一方の導線１ａは電極９ａ、９
ｃ間に途中部分を台部８ａ、８ｂ間でジグザグに結合し
て固定し、他方の導線１ｂは電極９ｂ、９ｄ間に途中部
分を台部８ａ、８ｂ間で前記導線１ａに隣接するように
ジグザグに結合して固定し、次に（ｄ）に示すように、
軟磁性薄膜２を前記真空成膜法により形成する。このよ
うなコモンモードチョークコイルまたはトランスを構成
ずる場合においても、ジグザグ部の固定に樹脂あるいは
溝への嵌合構造を用いることができ、さらに、図３
（Ｂ）で示したように、あらかじめ２本の導線１の両端
以外の部分を絶縁膜３で一体化した構造としても良い。
【００２２】図７は本発明を変圧用トランスに適用した
例であり、（ａ）、（ｂ）に示すように、基板８の両端
に電極９ａ〜９ｈを形成しておき、（ｃ）のように、電
極９ａと９ｅ、９ｂと９ｆ、９ｃと９ｇ、９ｄと９ｈを
それぞれ導線１により接続し、基板１の裏面を利用した
導体パターンあるいは外部リード線１ｃにより、電極９
ｅと９ｂ、９ｆと９ｃとを接続し、４本の導線１の合わ
せ部分１２（この部分はより線にしてもよい）に軟磁性
薄膜２を被着すれば、電極９ｄと９ｈを一次側電極（ま
たは二次側電極）、９ａと９ｇとを二次側電極（または
一次側電極）としたした場合、巻き数比が１：３（また
は３：１）のトランスが得られる。
例であり、（ａ）、（ｂ）に示すように、基板８の両端
に電極９ａ〜９ｈを形成しておき、（ｃ）のように、電
極９ａと９ｅ、９ｂと９ｆ、９ｃと９ｇ、９ｄと９ｈを
それぞれ導線１により接続し、基板１の裏面を利用した
導体パターンあるいは外部リード線１ｃにより、電極９
ｅと９ｂ、９ｆと９ｃとを接続し、４本の導線１の合わ
せ部分１２（この部分はより線にしてもよい）に軟磁性
薄膜２を被着すれば、電極９ｄと９ｈを一次側電極（ま
たは二次側電極）、９ａと９ｇとを二次側電極（または
一次側電極）としたした場合、巻き数比が１：３（また
は３：１）のトランスが得られる。
【００２３】図８は本発明の他の実施例であり、（ａ）
のように基板８上に導線１を固定して真空成膜法によ
り、軟磁性薄膜２を形成することにより、（ｂ）に示す
ように、Ｇに示す範囲については軟磁性薄膜２を欠落さ
せ、これにより故意に薄膜２の周方向の透磁率を低下さ
せ、所望の特性が得られるようにしたものである。この
インダクタンス素子は、例えばギャップ付きチョークコ
イルとして用いることができる。
のように基板８上に導線１を固定して真空成膜法によ
り、軟磁性薄膜２を形成することにより、（ｂ）に示す
ように、Ｇに示す範囲については軟磁性薄膜２を欠落さ
せ、これにより故意に薄膜２の周方向の透磁率を低下さ
せ、所望の特性が得られるようにしたものである。この
インダクタンス素子は、例えばギャップ付きチョークコ
イルとして用いることができる。
【００２４】その他、本発明のインダクタンス素子は、
電子部品の端子となる脚部に適用する等種々の変形、付
加が可能である。また、本発明を実施する場合、上記各
実施例以外の目的に応じた成膜技術が用いられる。
電子部品の端子となる脚部に適用する等種々の変形、付
加が可能である。また、本発明を実施する場合、上記各
実施例以外の目的に応じた成膜技術が用いられる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、磁性材として、従来の
ようにフェライトの成形ビーズを用いるのではなく、成
膜技術により得られる軟磁性薄膜を用いたので、透磁率
の高い磁性材料を使用することが可能となり、非常に小
型でＱ値の高いインダクタンス素子を得ることができ
る。
ようにフェライトの成形ビーズを用いるのではなく、成
膜技術により得られる軟磁性薄膜を用いたので、透磁率
の高い磁性材料を使用することが可能となり、非常に小
型でＱ値の高いインダクタンス素子を得ることができ
る。
【図１】（Ａ）は本発明によるインダクタンス素子の一
実施例を製造工程と共に示す斜視図、（Ｂ）は該実施例
のインダクタンスの周波数特性図、（Ｃ）はＱの周波数
特性図、（Ｄ）は本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。
実施例を製造工程と共に示す斜視図、（Ｂ）は該実施例
のインダクタンスの周波数特性図、（Ｃ）はＱの周波数
特性図、（Ｄ）は本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。
【図２】（Ａ）本発明の他の実施例を示す断面図、
（Ｂ）は本実施例のインダクタンス素子の製造装置の概
略の説明図である。
（Ｂ）は本実施例のインダクタンス素子の製造装置の概
略の説明図である。
【図３】（Ａ）は本発明によるインダクタンス素子の他
の実施例を製造工程と共に示す斜視図、（Ｂ）は本実施
例の断面図、（Ｃ）は該実施例のインダクタンスの周波
数特性図、（Ｄ）はＱの周波数特性図である。。
の実施例を製造工程と共に示す斜視図、（Ｂ）は本実施
例の断面図、（Ｃ）は該実施例のインダクタンスの周波
数特性図、（Ｄ）はＱの周波数特性図である。。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例
を製造工程と共に示す斜視図である。
を製造工程と共に示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は本発明によるインダクタンス
素子の他の実施例を製造工程と共に示すもので、（ａ）
は基板の構成を示す斜視図、（ｂ）は導線結合後の状態
を示す斜視図、（ｃ）は（ｂ）のＥ−Ｅ断面図、（ｄ）
は磁性薄膜形成後の状態を示す平面図、（ｅ）は（ｄ）
のＦ−Ｆ断面図である。（ｆ）は導線と基板との結合構
造の他の例を示す斜視図である。
素子の他の実施例を製造工程と共に示すもので、（ａ）
は基板の構成を示す斜視図、（ｂ）は導線結合後の状態
を示す斜視図、（ｃ）は（ｂ）のＥ−Ｅ断面図、（ｄ）
は磁性薄膜形成後の状態を示す平面図、（ｅ）は（ｄ）
のＦ−Ｆ断面図である。（ｆ）は導線と基板との結合構
造の他の例を示す斜視図である。
【図６】本発明によるインダクタンス素子の他の実施例
を製造工程と共に示すもので、（ａ）は基板の構成を示
す斜視図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図、（ｃ）、
（ｄ）はそれぞれ導線結合後、磁性薄膜形成後の状態を
示す平面図である。
を製造工程と共に示すもので、（ａ）は基板の構成を示
す斜視図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図、（ｃ）、
（ｄ）はそれぞれ導線結合後、磁性薄膜形成後の状態を
示す平面図である。
【図７】本発明によるインダクタンス素子の他の実施例
を製造工程と共に示すもので、（ａ）は基板の構成を示
す斜視図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）、（ｄ）は
それぞれ導線結合後、磁性薄膜形成後の状態を示す平面
図である。
を製造工程と共に示すもので、（ａ）は基板の構成を示
す斜視図、（ｂ）は（ａ）の平面図、（ｃ）、（ｄ）は
それぞれ導線結合後、磁性薄膜形成後の状態を示す平面
図である。
【図８】本発明によるインダクタンス素子の他の実施例
を製造工程と共に示すもので、（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ導線結合後、磁性薄膜形成後の状態を示す斜視図であ
る。
を製造工程と共に示すもので、（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ導線結合後、磁性薄膜形成後の状態を示す斜視図であ
る。
【図９】（ａ）は従来のインダクタンス素子の構成要素
を示す斜視図、（ｂ）はその製品を示す斜視図、（ｃ）
は従来のインダクタンス素子の他の例を示す斜視図であ
る。
を示す斜視図、（ｂ）はその製品を示す斜視図、（ｃ）
は従来のインダクタンス素子の他の例を示す斜視図であ
る。
１、１ａ、１ｂ 導線 ２ 軟磁性薄膜 ３ 絶縁層 ４ チャンバー ５ ヒータ ６ 蒸着源 ７、８ 基板 ９、９ａ〜９ｈ 電極 １０、１０ａ、１０ｂ 金属膜 １１ 樹脂 １２ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】導線の周囲に成膜技術による軟磁性薄膜を
一体に形成してなることを特徴とするインダクタンス素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35977091A JP3202290B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35977091A JP3202290B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | インダクタンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182833A true JPH05182833A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3202290B2 JP3202290B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=18466207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35977091A Expired - Fee Related JP3202290B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202290B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021325A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 巻線型コモンモードチョークコイル |
| JP2009277902A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Kaho Kagi Kofun Yugenkoshi | ミニチョークコイル、およびその製造方法 |
| JP2011222617A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | インダクタ用線材およびインダクタ |
| JPWO2013046399A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-03-26 | 古河電気工業株式会社 | 電磁石用線材およびコイル |
| JP2017048435A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | ローム株式会社 | 複合メッキ膜およびその製造方法、および磁気デバイス、パワーモジュール |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5469216B2 (ja) * | 2012-07-31 | 2014-04-16 | ファナック株式会社 | バラ積みされた物品をロボットで取出す装置 |
-
1991
- 1991-12-28 JP JP35977091A patent/JP3202290B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2009021325A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 巻線型コモンモードチョークコイル |
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| JP2017048435A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | ローム株式会社 | 複合メッキ膜およびその製造方法、および磁気デバイス、パワーモジュール |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3202290B2 (ja) | 2001-08-27 |
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Legal Events
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