JP2017048435A - 複合メッキ膜およびその製造方法、および磁気デバイス、パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態に係る複合メッキ膜16Aは、図1に示すように、Ni、Fe、若しくはCoの内の少なくとも1つの軟磁性体34と、軟磁性体34の酸化物または水酸化物を少なくとも一部に有する粒界部36とを備える。
実施の形態に係る複合メッキ膜の製造方法を説明する模式的構成は、図2に示すように表される。また、実施の形態に係る複合メッキ膜の製造方法において適用される電流波形は、模式的に図3に示すように表される。
(A)軟磁性金属元素を含むメッキ液26中に電極(陽極となるアノード28A、陰極となるカソード30K)を浸漬し、アノード28A・カソード30K間に、パルス電源32を接続する。
Mn++ne-→M(金属析出) (1)
図3において、相対的に高い電流密度の第2電流密度J2における電解時(第2電流密度J2の印加時間パルス幅T2に対応)は、上記の金属析出に加えて、水(H2O)の電気分解が起こっている。すなわち、水溶液系の電解液に浸漬したカソード電極に相対的に高い還元電位を印加すると、ある電位でH2Oの電気分解が始まる。ここで、H2Oの電気分解に伴う化学反応式は、(2)式で表すことができる。
2H2O+2e-→H2+2OH- (2)
ここで発生した水酸化物イオンOH-により、メッキ膜表面のpHが上昇し、Ni、Fe、若しくはCoの金属イオンが加水分解することで、メッキ膜表面近傍に金属水酸化物が生成する。その結果、これら金属水酸化物がメッキ膜中に共析することで、複合メッキ膜16が形成される。ここで、Ni、Fe、若しくはCoの金属イオンの加水分解により水酸化物が形成される化学反応式は、軟磁性金属元素をMで表すと、(3)式で表すことができる。
Mx++xOH-→M(OH)x (3)
この水酸化物の形成により、複合メッキ膜16の抵抗率が増大する。
2M(OH)x→2MOx/2+xH2O (4)
絶縁性を向上させるための添加物であるB、P、S、C、若しくはNなどの非金属元素の原料となる各種化合物が、メッキ液26に添加されていても良い。ホウ素化合物としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウムやアルキルアミンボランなどを適用可能である。リン化合物としては、例えば、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸などを適用可能である。硫黄化合物としては、例えば、チオ尿素やチオ硫酸ナトリウムなどを適用可能である。炭素化合物としては、例えば、シュウ酸や各種有機化合物などを適用可能である。窒素化合物としては、例えば、硝酸塩や各種有機化合物などを適用可能である。
実施の形態に係る複合メッキ膜の製造方法においては、NiFe複合メッキ膜16を形成する際に、複数の電解条件を備えた交流電解を用い、NiFeのバルク膜を成長させる工程と、NiFeの水酸化物を巻き込みながらNiFe膜形成を行う工程を周期的に行うことで、NiFe水酸化化合物を粒界部36に偏析させた複合メッキ膜16を形成する。
被析出体としては、例えば、銅(Cu)板、ステンレス板、チタン(Ti)板、白金(Pt)板、その他メッキ技術分野で適用可能な材料を用いることができる。Cu板、ステンレス板、Ti板、Pt板などは、導電性の基板である。但し、例えば、アルミニウム(Al)板、亜鉛(Zn)板などの酸性水溶液に溶解する電極は、使用することができない。一方、Cuなどの導電性のシード層を表面に形成していれば、シリコン(Si)基板やセラミックス基板上にも複合メッキ膜16を形成可能である。このため、Cuシード層で表面コーティングしたSi基板、セラミックス基板なども適用可能である。
元素の水酸化を主に担う電解条件と、軟磁性体形成を担う電解条件とを含む複数の電解条件を有する交流電解を用いることで、複数のメッキ液を用意せずに、複合メッキ膜内部への絶縁性化合物の導入を効率的に行うことができる。
実施の形態に係る複合メッキ膜であって、別の模式的断面構造は、図5に示すように表される。
実施の形態に係る複合メッキ膜の断面SEM写真例は、図6に示すように表される。
実施の形態に係る複合メッキ膜の交流磁化特性例(比透磁率μrの周波数特性例)は、図7に示すように表される。
実施の形態に係る複合メッキ膜の直流磁化特性例は、図8に示すように表される。
―巻線コイル構造のインダクタンス素子―
実施の形態に係る複合メッキ膜16を適用した磁気デバイス52として、巻線コイル構造のインダクタンス素子の模式的鳥瞰構造は、図9に示すように表される。
実施の形態に係る複合メッキ膜16を適用した磁気デバイスとして、巻線コイル構造のインダクタンス素子の製造方法を図10〜図13を参照して説明する。
ここで、絶縁層18としては、SiO2を適用可能である。形成技術としては、例えば化学的気相堆積(CVD:Chemical Vapor Deposition)法を用いることができる。絶縁層18は、複合メッキ膜16の上面および側面、シード層12の側面、およびセラミックス基板10上に堆積されている。
実施の形態に係る複合メッキ膜を適用した磁気デバイス54として、トランスの模式的鳥瞰構造は、図14(a)に示すように表され、図14(a)に示すトランスの等価回路構成は、図14(b)に示すように表される。
(a)まず、図15に示すように、磁性材被覆対象の金属配線122A・122Bの表面に、絶縁層118A・118Bを形成する。絶縁層118A・118Bには、例えば、ポリウレタンが適用可能である。金属配線122A・122Bには、例えば、Cuが適用可能である。
―ハーフブリッジ回路構成―
実施の形態に係る複合メッキ膜を適用した磁気デバイスを搭載したパワーモジュールであって、ハーフブリッジ回路の模式的回路構成は、図16に示すように表される。
実施の形態に係る複合メッキ膜を適用した磁気デバイスを搭載したパワーモジュールの模式的平面パターン構成は、図17に示すように表される。
実施の形態に係る複合メッキ膜を適用した磁気デバイスを搭載したパワーモジュールの別の模式的平面パターン構成は、図19に示すように表される。
上記のように、実施の形態およびその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
12、20、121A、121B…シード層
14…レジスト層
16、16A、16B、116…複合メッキ膜
18、118A、118B、212…絶縁層
22…金属パターン(Cuメッキ層)
24、124…パッシベーション層
26…メッキ液
28A…アノード電極
30K…カソード電極(被析出体)
32…パルス電源
34…軟磁性体
351、352、…、35n-1、35n…高抵抗層
36…粒界面(粒界部)
37、371、372、…、37n-1、37n…軟磁性層
50…磁気デバイス部
52、54、214…磁気デバイス
1201、1204、120n(EP)…電極パターン
122A、122B…金属配線
1401、1404…信号基板
200…パワーモジュール
202、206、2061、2062、2063…Cu箔層
204…絶縁基板
208、2201、2202…半田層
210…金属層
2161、2181…第1電極
2162、2182…第2電極
224…セラミックス基板
Q1、Q4…半導体デバイス(SiC−MOSFET)
J1…第1電流密度
J2…第2電流密度
T1…第1電流密度の印加時間パルス幅
T2…第2電流密度の印加時間パルス幅
LT…浴温
B…磁束密度
BS…飽和磁束密度
H…磁場(磁界)
HC、HC1…保磁力
μ、μ1…透磁率
μr…比透磁率
P…正側電力端子
N…負側電力端子
O…出力端子
S1、S4…ソース
D1、D4…ドレイン
SST1、SST4…ソースセンス
CS1、CS2…電流センス端子
CL1、CL2…電流センスパッド電極
GT1、GT4…ゲート端子
SST1、SST4…ソースセンス端子
SL1、SL4…ソースセンス用信号配線パターン
GL1、GL4…ゲート用信号配線パターン
GW1、GW4…ゲート用ワイヤ
SSW1、SSW4…ソースセンス用ワイヤ
BWS1、BWS4…ソース用ボンディングワイヤ
BWC1、BWC2…ボンディングワイヤ
P1、P2…電極
Claims (12)
- ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、若しくはコバルト(Co)の内の少なくとも1つの軟磁性体と、
前記軟磁性体の酸化物または水酸化物を少なくとも一部に有する粒界部と
を有する軟磁性層を備えることを特徴とする複合メッキ膜。 - 前記複合メッキ膜は、ホウ素(B)、リン(P)、硫黄(S)、炭素(C)、若しくは窒素(N)の内の少なくとも1つの非金属元素、若しくはこれらの組み合わせを更に有することを特徴とする請求項1に記載の複合メッキ膜。
- 前記粒界部は、前記非金属元素の少なくとも一部を有することを特徴とする請求項2に記載の複合メッキ膜。
- 前記軟磁性層と積層化され、前記軟磁性体の酸化物または水酸化物を有する高抵抗層を備えることを特徴とする請求項1〜3にいずれか1項に記載の複合メッキ膜。
- 前記高抵抗層は、B、P、S、C、若しくはNの内の少なくとも1つの非金属元素、若しくはこれらの組み合わせを更に有することを特徴とする請求項4に記載の複合メッキ膜。
- Ni、Fe、若しくはCoの内の少なくとも1つの軟磁性体と、前記軟磁性体の酸化物または水酸化物を少なくとも一部に有する粒界部とを有する軟磁性層を備える複合メッキ膜と、
前記複合メッキ膜の表面に形成された凹部と、
前記凹部の表面を覆うように形成された絶縁層と、
前記凹部に埋め込まれた金属パターンと
を備えることを特徴とする磁気デバイス。 - 金属配線と、
前記金属配線の周囲を覆うように形成された絶縁層と、
前記絶縁層の周囲に形成されたシード層と、
Ni、Fe、若しくはCoの内の少なくとも1つの軟磁性体と、前記軟磁性体の酸化物または水酸化物を少なくとも一部に有する粒界部とを有する軟磁性層を備え、前記シード層上に形成された複合メッキ膜と
を備えることを特徴とする磁気デバイス。 - 請求項6または7に記載の磁気デバイスを内蔵し、前記磁気デバイスは、電流を検知可能であることを特徴とするパワーモジュール。
- 主基板と、
前記主基板上に配置され、正側電力端子に接続された第1電極パターンと、
前記主基板上に配置され、負側電力端子に接続された第2電極パターンと、
前記主基板上に配置され、出力端子に接続された第3電極パターンと、
前記第1電極パターン上に第1ドレインが配置された第1パワートランジスタと、
前記第3電極パターン上に第2ドレインが配置された第2パワートランジスタと、
前記主基板上に配置された磁気デバイス部と
を備え、
前記磁気デバイス部は、請求項1〜5のいずれか1項に記載の複合メッキ膜を備え、前記第1電極パターン、前記第2電極パターン若しくは前記第3電極パターンのいずれかに導通する電流によって発生する磁束を、前記磁気デバイス部の電極と接続された電流センスパッド電極の間の導通電流によって検出可能であることを特徴とするパワーモジュール。 - Ni、Fe、若しくはCoの内の少なくとも1つの元素を有するメッキ液を形成する工程と、
前記メッキ液中にカソードとなる被析出体とアノードとを浸漬させる工程と、
前記メッキ液をメッキ膜成膜温度に保持する工程と、
前記被析出体と前記アノード電極との間に複数の電解条件を発生させて前記元素を含む複合メッキ膜を前記被析出体に析出させる複合メッキ膜形成工程と
を有し、
前記複合メッキ膜形成工程において、前記複数の電解条件のうち、少なくとも1つの電解条件における前記カソードの電極電位が水の分解電位よりも高く、前記元素を水酸化させる工程を有することを特徴とする複合メッキ膜の製造方法。 - 前記メッキ液は、B、P、S、C、若しくはNの内の少なくとも1つの非金属元素、若しくはこれらの組み合わせを有する添加物を含有することを特徴とする請求項10に記載の複合メッキ膜の製造方法。
- 前記複合メッキ膜形成工程後、前記メッキ膜を不活性ガス雰囲気中において、メッキ膜成膜温度以上再結晶温度未満でアニールする工程を更に有することを特徴とする請求項10または11に記載の複合メッキ膜の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155428A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | アルディーテック株式会社 | 半導体チップ集積装置の製造方法、半導体チップ集積装置、半導体チップインクおよび半導体チップインク吐出装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555036A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Tdk Corp | 軟磁性薄膜およびその製造方法、軟磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気ヘツド |
JPH05182833A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-23 | Tdk Corp | インダクタンス素子 |
JPH05190327A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Tdk Corp | 磁性薄膜およびその製造方法 |
JPH05263170A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Hitachi Ltd | 磁性合金膜及びその製造方法 |
JPH06132128A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 非晶質軟磁性積層膜 |
JPH1174126A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-03-16 | Lucent Technol Inc | 小型磁気パワーデバイス用接着層とその製造方法 |
JP2001329381A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-27 | Tdk Corp | めっき液、機能性薄膜および機能性薄膜の製造方法 |
JP2004218068A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-08-05 | Univ Waseda | 軟磁性薄膜の製造方法及び軟磁性薄膜 |
US20080003760A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Gardner Donald S | Magnetic vias for inductors and transformers in integrated circuits |
JP2009182168A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス |
JP2012065431A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Aisin Aw Co Ltd | インバータ装置 |
JP2014531742A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-11-27 | ジョージア テック リサーチ コーポレーション | 接着剤を用いて積層したナノコンポジット膜を使用する磁気装置 |
-
2015
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0555036A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Tdk Corp | 軟磁性薄膜およびその製造方法、軟磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気ヘツド |
JPH05182833A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-23 | Tdk Corp | インダクタンス素子 |
JPH05190327A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Tdk Corp | 磁性薄膜およびその製造方法 |
JPH05263170A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Hitachi Ltd | 磁性合金膜及びその製造方法 |
JPH06132128A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 非晶質軟磁性積層膜 |
JPH1174126A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-03-16 | Lucent Technol Inc | 小型磁気パワーデバイス用接着層とその製造方法 |
JP2001329381A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-27 | Tdk Corp | めっき液、機能性薄膜および機能性薄膜の製造方法 |
JP2004218068A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-08-05 | Univ Waseda | 軟磁性薄膜の製造方法及び軟磁性薄膜 |
US20080003760A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Gardner Donald S | Magnetic vias for inductors and transformers in integrated circuits |
JP2009182168A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tdk Corp | 磁性薄膜および薄膜磁気デバイス |
JP2012065431A (ja) * | 2010-09-15 | 2012-03-29 | Aisin Aw Co Ltd | インバータ装置 |
JP2014531742A (ja) * | 2011-08-16 | 2014-11-27 | ジョージア テック リサーチ コーポレーション | 接着剤を用いて積層したナノコンポジット膜を使用する磁気装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020155428A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | アルディーテック株式会社 | 半導体チップ集積装置の製造方法、半導体チップ集積装置、半導体チップインクおよび半導体チップインク吐出装置 |
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