JPH05175815A - ダンピング回路 - Google Patents
ダンピング回路Info
- Publication number
- JPH05175815A JPH05175815A JP3339245A JP33924591A JPH05175815A JP H05175815 A JPH05175815 A JP H05175815A JP 3339245 A JP3339245 A JP 3339245A JP 33924591 A JP33924591 A JP 33924591A JP H05175815 A JPH05175815 A JP H05175815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- coil
- emitter
- trs
- npn
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
- H01F7/18—Circuit arrangements for obtaining desired operating characteristics, e.g. for slow operation, for sequential energisation of windings, for high-speed energisation of windings
- H01F7/1805—Circuit arrangements for holding the operation of electromagnets or for holding the armature in attracted position with reduced energising current
- H01F7/1811—Circuit arrangements for holding the operation of electromagnets or for holding the armature in attracted position with reduced energising current demagnetising upon switching off, removing residual magnetism
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 エミッタホロワ回路を成すPNP型トランジ
スタ2a,2dとレベルシフタ段を介して直流結合して
いる、上記PNP型トランジスタ2a,2dとエミッタ
接合面積が等しいNPN型トランジスタ2b,2cと、
該NPN型トランジスタ2b,2cのエミッタに接続さ
れるシャント抵抗3b,3cとから構成される回路を2
つ組み合わせ、コイル1に対して互いに極性が反対で、
並列に接続する。 【効果】 コイルの両端にかかる電圧及びシャント抵抗
が同一の場合に、ダイオードブリッジを用いた従来回路
よりも、振動をダンピングする能力を大きくすることが
可能である。
スタ2a,2dとレベルシフタ段を介して直流結合して
いる、上記PNP型トランジスタ2a,2dとエミッタ
接合面積が等しいNPN型トランジスタ2b,2cと、
該NPN型トランジスタ2b,2cのエミッタに接続さ
れるシャント抵抗3b,3cとから構成される回路を2
つ組み合わせ、コイル1に対して互いに極性が反対で、
並列に接続する。 【効果】 コイルの両端にかかる電圧及びシャント抵抗
が同一の場合に、ダイオードブリッジを用いた従来回路
よりも、振動をダンピングする能力を大きくすることが
可能である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性体の磁化方向を変
えるためのコイルのスイッチング時に起る振動をダンピ
ングするための技術に関するものである。
えるためのコイルのスイッチング時に起る振動をダンピ
ングするための技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のダンピング回路を示す。
従来は、図2において、点Dから点Cへ電流が流れるこ
とによりコイル11の両端に発生する逆起電力をダイオ
ード15bとシャント抵抗13によってダンピングして
いる。また、点Cから点Dへ電流が流れることによりコ
イル11の両端に発生する逆起電力を同様にダイオード
15aとシャント抵抗13によってダンピングしてい
る。
従来は、図2において、点Dから点Cへ電流が流れるこ
とによりコイル11の両端に発生する逆起電力をダイオ
ード15bとシャント抵抗13によってダンピングして
いる。また、点Cから点Dへ電流が流れることによりコ
イル11の両端に発生する逆起電力を同様にダイオード
15aとシャント抵抗13によってダンピングしてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記に示すように、従
来は、ダイオードを用いてシャント抵抗に電流を流し、
ダンピングを行うがダイオードブリッジを用いてダンピ
ングを行う場合、シャント抵抗に流す電流を調整するこ
とは困難である。
来は、ダイオードを用いてシャント抵抗に電流を流し、
ダンピングを行うがダイオードブリッジを用いてダンピ
ングを行う場合、シャント抵抗に流す電流を調整するこ
とは困難である。
【0004】本発明は、コイルの両端にかかる電圧及び
シャント抵抗を同じとした場合、従来のダイオードブリ
ッジを用いたダンピング回路に比べてより大きな電流を
シャント抵抗に流す手段を提供することを目的とする。
シャント抵抗を同じとした場合、従来のダイオードブリ
ッジを用いたダンピング回路に比べてより大きな電流を
シャント抵抗に流す手段を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のダンピング回路
は、エミッタホロワ回路を成す第1トランジスタと、該
第1トランジスタとレベルシフタ段を介して直流結合さ
れた該第1トランジスタとエミッタ接合面積が等しく、
極性が逆である第2トランジスタと、該第2トランジス
タのエミッタに接続されたシャント抵抗とから成る第1
ダンピング手段及び第2ダンピング手段がコイルに対
し、互いに極性を逆に並列接続されていることを特徴と
するものである。
は、エミッタホロワ回路を成す第1トランジスタと、該
第1トランジスタとレベルシフタ段を介して直流結合さ
れた該第1トランジスタとエミッタ接合面積が等しく、
極性が逆である第2トランジスタと、該第2トランジス
タのエミッタに接続されたシャント抵抗とから成る第1
ダンピング手段及び第2ダンピング手段がコイルに対
し、互いに極性を逆に並列接続されていることを特徴と
するものである。
【0006】
【作用】上記構成を有するダンピング回路を用いた場
合、図1の本発明の一実施例の回路構成図に示すよう
に、点Aの電位をviaとすると点Fの電位v01は v01=via−(−VBE+I2・R1+VBE) =Via−I2・R1 となる。
合、図1の本発明の一実施例の回路構成図に示すよう
に、点Aの電位をviaとすると点Fの電位v01は v01=via−(−VBE+I2・R1+VBE) =Via−I2・R1 となる。
【0007】このためシャント抵抗R2に流れる電流I
01は I01=(via−I2・R1)/R2 となる。
01は I01=(via−I2・R1)/R2 となる。
【0008】一方、従来のダンピング回路を用いた場
合、図2に示すように、点Cの電位をvicとすると点G
の電位v02は、 v02=vic−VF となり、このためシャント抵抗R5に流れる電流I02は I02=(vic−VF)/R5 となる。上記電位viaとvicとは同電位である。
合、図2に示すように、点Cの電位をvicとすると点G
の電位v02は、 v02=vic−VF となり、このためシャント抵抗R5に流れる電流I02は I02=(vic−VF)/R5 となる。上記電位viaとvicとは同電位である。
【0009】よって、シャント抵抗R2,R5をR2=R5
とした場合、VFは固定されているが、I2・R1はI2の
値を変化させることができるため、VFの値よりI2・R
1を小さくすることが可能である。
とした場合、VFは固定されているが、I2・R1はI2の
値を変化させることができるため、VFの値よりI2・R
1を小さくすることが可能である。
【0010】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【0011】図1は本発明の一実施例の回路構成を示
し、1はコイル、2a,2dはPNP型トランジスタ、
2b,2cはNPN型トランジスタ、3a,3dはレベ
ルシフト段を構成する抵抗、3b,3cはシャント抵
抗、4a,4dはPNP型トランジスタ2a,2dのエ
ミッタへ電流を供給する定電流源、4b,4cはレベル
シフト段を構成する定電流源を示す。PNP型トランジ
スタ2a,2dのエミッタ接合面積は、NPN型トラン
ジスタ2b,2cのエミッタ接合面積に等しいので両ベ
ース・エミッタ電圧VPBE,VNBEは等しい。PNP型ト
ランジスタ2aのベース及びコレクタがそれぞれコイル
1の両端点A及び点Bと接続しており、定電流源4aよ
りエミッタへ電流が供給される。また、PNP型トラン
ジスタ2aのエミッタとNPN型トランジスタ2bのベ
ースとが抵抗3a及び定電流源4bからなるレベルシフ
ト段を介して直流結合により接続されている。またNP
N型トランジスタ2bのコレクタはコイルの端点Aと接
続され、エミッタはシャント抵抗3bと接続されてお
り、シャント抵抗3bの他端はコイルの端点Bと接続さ
れている。
し、1はコイル、2a,2dはPNP型トランジスタ、
2b,2cはNPN型トランジスタ、3a,3dはレベ
ルシフト段を構成する抵抗、3b,3cはシャント抵
抗、4a,4dはPNP型トランジスタ2a,2dのエ
ミッタへ電流を供給する定電流源、4b,4cはレベル
シフト段を構成する定電流源を示す。PNP型トランジ
スタ2a,2dのエミッタ接合面積は、NPN型トラン
ジスタ2b,2cのエミッタ接合面積に等しいので両ベ
ース・エミッタ電圧VPBE,VNBEは等しい。PNP型ト
ランジスタ2aのベース及びコレクタがそれぞれコイル
1の両端点A及び点Bと接続しており、定電流源4aよ
りエミッタへ電流が供給される。また、PNP型トラン
ジスタ2aのエミッタとNPN型トランジスタ2bのベ
ースとが抵抗3a及び定電流源4bからなるレベルシフ
ト段を介して直流結合により接続されている。またNP
N型トランジスタ2bのコレクタはコイルの端点Aと接
続され、エミッタはシャント抵抗3bと接続されてお
り、シャント抵抗3bの他端はコイルの端点Bと接続さ
れている。
【0012】本発明は、上記構成の回路と、上記構成と
同一でコイルに対して反対の極性を有する回路とをコイ
ルに対して並列に接続することを特徴とする。
同一でコイルに対して反対の極性を有する回路とをコイ
ルに対して並列に接続することを特徴とする。
【0013】次に、ダンピング動作について説明する。
図1において、点Bから点Aへのコイルによる逆起電力
に対しては、NPN型トランジスタ2bとシャント抵抗
3bによりダンピングを行う。
図1において、点Bから点Aへのコイルによる逆起電力
に対しては、NPN型トランジスタ2bとシャント抵抗
3bによりダンピングを行う。
【0014】まず、抵抗3aと定電流源4bからなるレ
ベルシフト段により、NPN型トランジスタ2bをオン
させる。この時点AからのNPN型トランジスタ2bの
エミッタレベルVAEは、PNP型トランジスタ2aのベ
ース・エミッタ電圧VPBEと抵抗3aに電流I2が流れる
ことによって生じる電圧R1・I2とNPN型トランジス
タ2bのベース・エミッタ電圧VNBEとから、 VAE=−VPBE+R1・I2+VNBE となり、VPBE=VNBEより VAE=R1・I2 となる。
ベルシフト段により、NPN型トランジスタ2bをオン
させる。この時点AからのNPN型トランジスタ2bの
エミッタレベルVAEは、PNP型トランジスタ2aのベ
ース・エミッタ電圧VPBEと抵抗3aに電流I2が流れる
ことによって生じる電圧R1・I2とNPN型トランジス
タ2bのベース・エミッタ電圧VNBEとから、 VAE=−VPBE+R1・I2+VNBE となり、VPBE=VNBEより VAE=R1・I2 となる。
【0015】よって、定電流源I2を小さくすることに
より、シャント抵抗3bに流れる電流がより大きくな
り、従来よりも点Bから点Aへのコイルによるスイッチ
ング時の振動をダンピングする。同様に、点Aから点B
へのコイルによる逆起電力は、シャント抵抗3cとNP
N型トランジスタ2cとによりダンピングする。
より、シャント抵抗3bに流れる電流がより大きくな
り、従来よりも点Bから点Aへのコイルによるスイッチ
ング時の振動をダンピングする。同様に、点Aから点B
へのコイルによる逆起電力は、シャント抵抗3cとNP
N型トランジスタ2cとによりダンピングする。
【0016】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
いることにより、コイルの両端にかかる電圧及びシャン
ト抵抗が同一の場合には、ダイオードブリッジを用いた
従来の回路よりも、振動をダンピングする能力を大きく
することが可能となる。
いることにより、コイルの両端にかかる電圧及びシャン
ト抵抗が同一の場合には、ダイオードブリッジを用いた
従来の回路よりも、振動をダンピングする能力を大きく
することが可能となる。
【図1】本発明の一実施例の回路構成図である。
【図2】従来のダイオードブリッジを用いたダンピング
回路図である。
回路図である。
1 コイル 2a,2d PNP型トランジスタ 2b,2c NPN型トランジスタ 3a,3d 抵抗 3b,3c シャント抵抗 4a,4b,4c,4d 定電流源
Claims (1)
- 【請求項1】 エミッタホロワ回路を成す第1トランジ
スタと、該第1トランジスタとレベルシフタ段を介して
直流結合された該第1トランジスタとエミッタ接合面積
が等しく、極性が逆である第2トランジスタと、該第2
トランジスタのエミッタに接続されたシャント抵抗とか
ら成る第1ダンピング手段及び第2ダンピング手段がコ
イルに対し、互いに極性を逆に並列接続されていること
を特徴とするダンピング回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3339245A JP3009953B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | ダンピング回路 |
US07/995,000 US5402301A (en) | 1991-12-24 | 1992-12-22 | Damping circuit providing capability of adjusting current flowing through damping component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3339245A JP3009953B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | ダンピング回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05175815A true JPH05175815A (ja) | 1993-07-13 |
JP3009953B2 JP3009953B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=18325634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3339245A Expired - Fee Related JP3009953B2 (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | ダンピング回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5402301A (ja) |
JP (1) | JP3009953B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6434026B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Multiple output power supply circuit |
DE102004009279A1 (de) | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Robert Bosch Gmbh | Scheibenwischvorrichtung, insbesondere für ein Kraftfahrzeug |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1937114B2 (de) * | 1969-07-22 | 1974-08-29 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Anordnung zur Auskopplung eines Ausgangssignals und zur Unterdrückung von Spannungsspitzen |
US3705333A (en) * | 1972-02-09 | 1972-12-05 | Ibm | Adjustable active clamp circuit for high speed solenoid operation |
DE2638178C2 (de) * | 1976-08-25 | 1986-01-02 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schutzvorrichtung für integrierte Schaltungen gegen Überspannungen |
JPS54159157A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Toshiba Corp | Drive circuit for inductive load |
DE3517490A1 (de) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schutzeinrichtung fuer einen elektromagnetischen verbraucher |
US5012384A (en) * | 1990-02-20 | 1991-04-30 | Advanced Micro Device, Inc. | Load circuit for a differential driver |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP3339245A patent/JP3009953B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-22 US US07/995,000 patent/US5402301A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3009953B2 (ja) | 2000-02-14 |
US5402301A (en) | 1995-03-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071203 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 9 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |