JPH05175388A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents

半導体装置用リードフレームの製造方法

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JPH05175388A
JPH05175388A JP3355773A JP35577391A JPH05175388A JP H05175388 A JPH05175388 A JP H05175388A JP 3355773 A JP3355773 A JP 3355773A JP 35577391 A JP35577391 A JP 35577391A JP H05175388 A JPH05175388 A JP H05175388A
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JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
lead
frame
etching
manufacturing
Prior art date
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Pending
Application number
JP3355773A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Suzuki
勝美 鈴木
Manabu Sato
学 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH05175388A publication Critical patent/JPH05175388A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、多ピン化の促進を妨げずに、生産
性の向上,製造時間の短縮化,及びコストダウンを図る
ことを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置用リードフレームの製造
方法は、エッチング法によって搬送用基準穴3,及びイ
ンナーリード部4を形成し、その後、プレス加工によっ
て外枠6,及びアウターリード部5を形成し、かつ、エ
ッチングにおけるレジスト2の形成をドライフィルムの
ラミネートで行うようにした構成を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リードフレ
ームの製造方法に関し、特に、多ピン化に対応し得るも
のを安価に、かつ、短時間で提供できる半導体装置用リ
ードフレームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年のIC(半導体素子)の高密度化,
高集積化に伴って、リードフレームの多ピン化が進んで
おり、現在では200ピン以上のリードフレームも実用
化の域に入っている。リードフレームの多ピン化には、
リードの微細化と精密化が要求され、限られた平面積内
に如何に細いリードを形成するかということが大きな課
題となっている。
【0003】すなわち、図6に示される一般的構成を有
するリードフレームにおいて、アウターリード10から
素子配置部12に向けて密集配置されたインナーリード
11を如何に微細に、かつ、精密に形成するかというこ
とが多ピン化における重要な課題となっている。一方、
アウターリード10は搬送用基準穴を有する外枠(図示
せず)によって支持されているが、この外枠とアウター
リード10はリードフレームの規格によってサイズ,形
状等が決められ、一般的に共通化されている。
【0004】従来、このような多ピン化傾向に対応する
ため、リードフレームをフォトエッチングによって製造
している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置用リードフレームの製造方法によると、ICチップ
によってインナーリードのサイズ,形状等がそれぞれ異
なり、そのたびにフォトマスクの設計変更を行う必要が
あったが、共通化されたアウターリードや外枠もフォト
エッチングによって形成しているため、外枠とアウター
リードも含めたフォトマスクを製作しなければならず、
フォトマスクの製造に人手や多大な時間を費やす。ま
た、エッチング液の消費を早め、プレスで製造するより
もコストアップになるという不都合がある。
【0006】また、フォトエッチングとプレスを併用し
て行うリードフレームの製造方法も提案されているが、
エッチングする際のフォトレジストの塗布,及び乾燥等
の作業が煩雑であり、製造時間も増大するという不都合
がある。
【0007】従って、本発明の目的は多ピン化の促進を
妨げずに、生産性の向上,製造時間の短縮化,及びコス
トダウンを図ることができる半導体装置用リードフレー
ムの製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、多ピン化の促進を妨げずに、生産性の向上,製造時
間の短縮化,及びコストダウンを図るため、エッチング
法によって搬送用基準穴,及びインナーリード部を形成
し、その後、プレス加工によって外枠,及びアウターリ
ード部を形成し、かつ、エッチングにおけるレジストの
形成をドライフィルムのラミネートで行うようにした半
導体装置用リードフレームの製造方法を提供するもので
ある。
【0010】
【作用】本発明は、ICチップによって異なったパター
ンを有するインナーリード部と搬送用基準穴をエッチン
グによって、また、共通化されているアウターリード部
と、外枠をプレス加工によってそれぞれ形成しているた
め、エッチング液の長寿命化が図れる。また、エッチン
グ用フォトマスクの製作も容易となり、製造時間の削
減,及び生産性の向上を図ることができる。このため、
コストダウンを図ることができる。また、エッチングに
おけるレジストの形成をドライフィルムのラミネートで
行うようにしたため、塗布や乾燥等の煩雑な作業から解
消され、更に生産性の向上を図ることができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
の製造方法について添付図面を参照しつつ詳細に説明す
る。
【0012】図1,及び図2は本発明の一実施例を示
し、図1には、各製造工程における断面の構成が、ま
た、図2には、そのフローチャートが示されている。ま
ず、厚さ0.15mmのFe−Ni系合金,或いはFe
−Ni−Co系合金製のエッチングフレーム材1を用意
し(図1の(a))、脱脂洗浄後、その両面に厚さ15〜3
5μmのドライルフィルムフォトレジスト2をラミネー
トする(図1の(b))。
【0013】ICチップに基づいて予め製作したフォト
マスクを介してドライフィルムフォトレジスト2を露光
し、更に現像してインナーリード部と搬送用基準穴を形
成するためのフォトレジストパターンを形成する(図1
の(c))。
【0014】次に、このフォトレジストパターンをマス
クにしてエッチングし、不要部分を除去することにより
エッチングフレーム材1にインナーリード部4と搬送用
基準穴3を形成する。(図1の(d))。
【0015】この後、ドライフィルムフットレジスト2
が付着したまま、搬送用基準穴3を利用してプレス加工
を行い、所定の部分を打ち抜いてアウターリード5と外
枠を形成する(図1の(e))。
【0016】最後に、ドライフィルムフットレジスト2
を専用の剥離液によって除去して、リードフレームを製
造する(図1の(f))。
【0017】図3には、上記製造方法によって製造され
たリードフレームが示されている。このリードフレーム
は、ICチップによって異なったパターンを有するイン
ナーリード部4と搬送用基準穴3をエッチングによっ
て、また、共通化されているアウターリード部5と、外
枠6をプレス加工によってそれぞれ形成しているため、
エッチング液の長寿命化が図れる。また、エッチング用
フォトマスクの製作も容易となり、製造時間の削減,及
び生産性の向上を図ることができる。このため、コスト
ダウンを図ることができる。また、レジストは塗布では
なくラミネートによって形成されるため、塗布に伴う煩
雑な作業から解消され、生産性を向上させることができ
る。
【0018】図4,及び図5は、本発明の第2の実施例
に係り、アウターリード部が厚くてインナーリード部が
薄い異形断面状のリードフレームの製造方法を示してい
る。この実施例においても第1の実施例と同様で、異形
状フレーム材7の上部にドライルフィルムフォトレジス
ト2をラミネートし(図3の(b))、ドライフィルムフォ
トレジスト2を露光し、更に現像してインナーリード部
と搬送用基準穴を形成するためのフォトレジストパター
ンを形成し(図3の(c))、当該フォトレジストパターン
をマスクにしてエッチングして、不要部分を除去するこ
とにより異形状グフレーム材7にインナーリード部4と
搬送用基準穴3を形成し(図3の(d))、この後、ドライ
フィルムフットレジスト2が付着したまま、搬送用基準
穴3を利用してプレス加工を行い、所定の部分を打ち抜
いてアウターリード5と外枠を形成し(図3の(e))、最
後に、ドライフィルムフットレジスト3を専用の剥離液
によって除去して、異形断面状のリードフレームを製造
する(図3の(f))。
【0019】このように製造された異形断面状のリード
フレームにおいては、アウターリード部5の厚みをだす
ことができ、その強度を高めることができる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置用リードフレームの製造方法によると、エッチング法
によって搬送用基準穴,及びインナーリード部を形成
し、その後、プレス加工によって外枠,及びアウターリ
ード部を形成し、かつ、エッチングにおけるレジストの
形成をドライフィルムのラミネートで行うようにしたた
め、多ピン化の促進を妨げずに、生産性の向上,製造時
間の短縮化,及びコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す断面図。
【図2】本発明の第1の実施例における製造フローを示
すチャート。
【図3】第1の実施例によって得られたリードフレーム
の構成を示す説明図。
【図4】本発明の第2の実施例を示す断面図。
【図5】本発明の第2の実施例における製造フローを示
すチャート。
【図6】リードフレームの一般的構成を示す説明図。
【符号の説明】
1 エックングフレーム材 2 ドライフィルムフォトレジスト 3 搬
送用基準穴 4 インナーリード部 5 ア
ウターリード部 6 外枠 7 異
形状フレーム材 10 アウターリード部 11 イ
ンナーリード部 12 素子固定部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレーム用金属基板に外枠,搬送
    用基準穴,インナーリード部,及びアウターリード部等
    を形成する半導体装置用リードフレームの製造方法にお
    いて、 前記搬送用基準穴,及び前記インナーリード部をフォト
    エッチングによって形成するエッチング工程と、 前記外枠,及び前記アウターリード部をプレス加工によ
    って形成するプレス工程を含み、 前記エッチング工程は、前記リードフレーム用金属板に
    フォトレジスト用ドライフィルムをラミネートする工程
    と、 前記フォトレジスト用ドライフィルムを現像,露光して
    パターン化する工程を有することを特徴とする半導体装
    置用リードフレームの製造方法。
JP3355773A 1991-12-21 1991-12-21 半導体装置用リードフレームの製造方法 Pending JPH05175388A (ja)

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JP (1) JPH05175388A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339274A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR100973289B1 (ko) * 2005-02-22 2010-07-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 패키지의 제조방법

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KR100973289B1 (ko) * 2005-02-22 2010-07-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 패키지의 제조방법
JP2006339274A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

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