JPH05166968A - 半導体装置の実装構造 - Google Patents
半導体装置の実装構造Info
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- JPH05166968A JPH05166968A JP35346591A JP35346591A JPH05166968A JP H05166968 A JPH05166968 A JP H05166968A JP 35346591 A JP35346591 A JP 35346591A JP 35346591 A JP35346591 A JP 35346591A JP H05166968 A JPH05166968 A JP H05166968A
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の位置決めが容易で、回路設計が
自由な半導体装置の実装構造を提供する。 【構成】 アルミナ基板１０上にＡｌ系合金のろう材１
１を介して所定パターンのＡｌ等の層１２を形成する。
この層１２の一部にＮｉメッキ層１３を形成し、このＮ
ｉメッキ層１３上にはんだ１４を介してＩＣチップ１５
を装着する。このＩＣチップ１５と上記Ａｌ等の層１２
の所定部分とをＡｌ線１７で接続している。このため、
はんだ１４が流動しない。この結果、ＩＣチップ１５の
位置決めが容易である。また、Ａｌ線１７は、Ｎｉメッ
キされていないＡｌ等の層１２の面に接合されるので、
その配線方向が研磨方向に依存しない。この結果、回路
設計がＡｌ配線に制約されずに自由である。
自由な半導体装置の実装構造を提供する。 【構成】 アルミナ基板１０上にＡｌ系合金のろう材１
１を介して所定パターンのＡｌ等の層１２を形成する。
この層１２の一部にＮｉメッキ層１３を形成し、このＮ
ｉメッキ層１３上にはんだ１４を介してＩＣチップ１５
を装着する。このＩＣチップ１５と上記Ａｌ等の層１２
の所定部分とをＡｌ線１７で接続している。このため、
はんだ１４が流動しない。この結果、ＩＣチップ１５の
位置決めが容易である。また、Ａｌ線１７は、Ｎｉメッ
キされていないＡｌ等の層１２の面に接合されるので、
その配線方向が研磨方向に依存しない。この結果、回路
設計がＡｌ配線に制約されずに自由である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装構造
に関し、詳しくはニッケルメッキがアルミニウム等の層
の半導体装置の実装面のみに形成された半導体装置の実
装構造に関する。
に関し、詳しくはニッケルメッキがアルミニウム等の層
の半導体装置の実装面のみに形成された半導体装置の実
装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えばＩＣチップ等の半導体装置
を実装した装置は、図２に示すような構造のものが知ら
れていた。このものは、アルミナ焼結体からなるアルミ
ナ基板２１の表面に、所定共晶点温度（１０６５℃〜１
０８５℃）にまで加熱することにより直接Ｃｕ板２２を
融着したものである。この場合のＣｕ板２２は均一の厚
さであってその表面は平坦である。そして、このＣｕ板
２２をエッチングして複数部分に分離し、このＣｕ板２
２の表面に酸化防止のためニッケルメッキ層２３が形成
される。このＣｕ板２２は回路配線として用いられる。
その上にはんだ（Ｐｂ−Ｓｎ合金等）２４等を用いて、
ＩＣチップ２５が接合、搭載される。なお、図におい
て、２６はこのＩＣチップ２５に対してアイソレートさ
れてＣｕ板２２の上にはんだ２４を用いて接合された外
部出力用の端子である。更に、２７はこのＩＣチップ２
５と端子２６とを接続するためのアルミニウム製のボン
ディングワイヤである。このボンディングワイヤ２７は
ニッケルメッキ層２３に接合されており、その接合強度
を上げるため、Ｃｕ板２２の表面またはニッケルメッキ
面には研磨が施されている。
を実装した装置は、図２に示すような構造のものが知ら
れていた。このものは、アルミナ焼結体からなるアルミ
ナ基板２１の表面に、所定共晶点温度（１０６５℃〜１
０８５℃）にまで加熱することにより直接Ｃｕ板２２を
融着したものである。この場合のＣｕ板２２は均一の厚
さであってその表面は平坦である。そして、このＣｕ板
２２をエッチングして複数部分に分離し、このＣｕ板２
２の表面に酸化防止のためニッケルメッキ層２３が形成
される。このＣｕ板２２は回路配線として用いられる。
その上にはんだ（Ｐｂ−Ｓｎ合金等）２４等を用いて、
ＩＣチップ２５が接合、搭載される。なお、図におい
て、２６はこのＩＣチップ２５に対してアイソレートさ
れてＣｕ板２２の上にはんだ２４を用いて接合された外
部出力用の端子である。更に、２７はこのＩＣチップ２
５と端子２６とを接続するためのアルミニウム製のボン
ディングワイヤである。このボンディングワイヤ２７は
ニッケルメッキ層２３に接合されており、その接合強度
を上げるため、Ｃｕ板２２の表面またはニッケルメッキ
面には研磨が施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の実装構造にあっては、Ｃｕ板表面の酸化防
止のためＣｕ板の表面全面にニッケルメッキ層を形成し
ていた。この場合、はんだはニッケルとの接合性がよい
ため、はんだがニッケル表面で流動してしまい、半導体
装置を搭載してもその位置ずれが生じやすいという課題
があった。さらに、このニッケルメッキ層の所定部分
（配線等）とアルミニウム線（ボンディングワイヤ）と
の接合方向は、このメッキの研磨方向に依存していた。
すなわち、アルミニウム線の接合方向がメッキの研磨方
向と略平行であるときは、略直交のときより、アルミニ
ウム線とメッキ層との接合強度が低下してしまった。こ
のため、回路設計するとき上記研磨方向の制約を受ける
という課題があった。
半導体装置の実装構造にあっては、Ｃｕ板表面の酸化防
止のためＣｕ板の表面全面にニッケルメッキ層を形成し
ていた。この場合、はんだはニッケルとの接合性がよい
ため、はんだがニッケル表面で流動してしまい、半導体
装置を搭載してもその位置ずれが生じやすいという課題
があった。さらに、このニッケルメッキ層の所定部分
（配線等）とアルミニウム線（ボンディングワイヤ）と
の接合方向は、このメッキの研磨方向に依存していた。
すなわち、アルミニウム線の接合方向がメッキの研磨方
向と略平行であるときは、略直交のときより、アルミニ
ウム線とメッキ層との接合強度が低下してしまった。こ
のため、回路設計するとき上記研磨方向の制約を受ける
という課題があった。
【０００４】
【発明の目的】そこで、本発明は、半導体装置の位置決
めが容易で、回路設計が自由な半導体装置の実装構造を
提供することを、その目的としている。
めが容易で、回路設計が自由な半導体装置の実装構造を
提供することを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の実装構造においては、アルミ
ナ焼結体からなるセラミックス基板と、このセラミック
ス基板上にアルミニウム系合金のろう材を介して所定パ
ターンに形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合
金の層と、この層において半導体装置（回路部品）を実
装する部分の表面に形成されたニッケルメッキ層と、こ
のニッケルメッキ層上にはんだを介して装着された半導
体装置と、この半導体装置とニッケルメッキされていな
い上記アルミニウムまたはアルミニウム合金の層の所定
部分とを接続するアルミニウム線と、を備えたものであ
る。
に、本発明の半導体装置の実装構造においては、アルミ
ナ焼結体からなるセラミックス基板と、このセラミック
ス基板上にアルミニウム系合金のろう材を介して所定パ
ターンに形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合
金の層と、この層において半導体装置（回路部品）を実
装する部分の表面に形成されたニッケルメッキ層と、こ
のニッケルメッキ層上にはんだを介して装着された半導
体装置と、この半導体装置とニッケルメッキされていな
い上記アルミニウムまたはアルミニウム合金の層の所定
部分とを接続するアルミニウム線と、を備えたものであ
る。
【０００６】
【作用】上記のように構成された半導体装置の実装構造
は、半導体装置の実装面にのみニッケルメッキが形成さ
れており、その他の部分ははんだとは接合性のよくない
アルミニウムで形成されているので、はんだを被着して
もはんだはニッケルメッキ層上からアルミニウム上に流
れ出すことはない。この結果、半導体装置の位置決めが
簡単である。また、アルミニウム線は、ニッケルメッキ
されていないアルミニウム等の層の面に接合されるの
で、その接合方向は研磨方向に依存しない。この結果、
研磨方向に制約されないのでその回路設計を自由に行う
ことができる。
は、半導体装置の実装面にのみニッケルメッキが形成さ
れており、その他の部分ははんだとは接合性のよくない
アルミニウムで形成されているので、はんだを被着して
もはんだはニッケルメッキ層上からアルミニウム上に流
れ出すことはない。この結果、半導体装置の位置決めが
簡単である。また、アルミニウム線は、ニッケルメッキ
されていないアルミニウム等の層の面に接合されるの
で、その接合方向は研磨方向に依存しない。この結果、
研磨方向に制約されないのでその回路設計を自由に行う
ことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の実装構造の
実施例について、図面を参照して説明する。図１は本発
明の一実施例に係る半導体装置の実装構造の概略を示す
断面図である。
実施例について、図面を参照して説明する。図１は本発
明の一実施例に係る半導体装置の実装構造の概略を示す
断面図である。
【０００８】この図に示すように、純度が９６％のアル
ミナ焼結体であるアルミナ基板１０の上面には、例えば
アルミニウム製の回路形成用薄板１２が、アルミニウム
系ろう材１１により接着されている。なお、このアルミ
ナ基板１０に代えて、例えば窒化アルミニウムまたは炭
化ケイ素等のようなセラミックス板を使用してもよい。
この薄板１２はアルミナ基板１０上で所定のパターンに
形成されている。そして、この薄板１２の表面にはポリ
シング等の機械的研磨が施されている。これは、薄板１
２の表面の酸化膜を除去するために行っている。
ミナ焼結体であるアルミナ基板１０の上面には、例えば
アルミニウム製の回路形成用薄板１２が、アルミニウム
系ろう材１１により接着されている。なお、このアルミ
ナ基板１０に代えて、例えば窒化アルミニウムまたは炭
化ケイ素等のようなセラミックス板を使用してもよい。
この薄板１２はアルミナ基板１０上で所定のパターンに
形成されている。そして、この薄板１２の表面にはポリ
シング等の機械的研磨が施されている。これは、薄板１
２の表面の酸化膜を除去するために行っている。
【０００９】薄板１２の上面の一部、すなわち半導体装
置や回路部品の実装面には、厚さ５μｍのニッケルメッ
キ層１３が被着されている。そして、このニッケルメッ
キ層１３には半導体装置（例えばＩＣチップ１５）、回
路部品（例えば外部出力用端子１６）が、Ｐｂ−Ｓｎ合
金のはんだ１４を用いてそれぞれ搭載されている。そし
て、超音波エネルギーを用いて、ＩＣチップ１５のパッ
ドと上記薄板１２の回路パターンの所定部分とが直径２
５〜５００μｍの純度９９.９９％のアルミニウム線１
７で接続されている。この結果、ＩＣチップ１５は端子
１６に接続されている。
置や回路部品の実装面には、厚さ５μｍのニッケルメッ
キ層１３が被着されている。そして、このニッケルメッ
キ層１３には半導体装置（例えばＩＣチップ１５）、回
路部品（例えば外部出力用端子１６）が、Ｐｂ−Ｓｎ合
金のはんだ１４を用いてそれぞれ搭載されている。そし
て、超音波エネルギーを用いて、ＩＣチップ１５のパッ
ドと上記薄板１２の回路パターンの所定部分とが直径２
５〜５００μｍの純度９９.９９％のアルミニウム線１
７で接続されている。この結果、ＩＣチップ１５は端子
１６に接続されている。
【００１０】アルミナ基板１０の下面全面には、例えば
アルミニウム製のヒートシンク接合用薄板１８が上記ろ
う材１１と同一成分のろう材１１により接着されてい
る。薄板１８の表面にはポリシング等の機械的研磨が施
されている。これは、薄板１８の表面の酸化膜を除去す
るために行っている。また、上記薄板１８の下面全面に
も厚さ５μｍのニッケルメッキ層１３が被着されてい
る。さらに、ヒートシンク１９がＰｂ−Ｓｎ合金のはん
だ１４を介してこのニッケルメッキ層１３に接合されて
いる。
アルミニウム製のヒートシンク接合用薄板１８が上記ろ
う材１１と同一成分のろう材１１により接着されてい
る。薄板１８の表面にはポリシング等の機械的研磨が施
されている。これは、薄板１８の表面の酸化膜を除去す
るために行っている。また、上記薄板１８の下面全面に
も厚さ５μｍのニッケルメッキ層１３が被着されてい
る。さらに、ヒートシンク１９がＰｂ−Ｓｎ合金のはん
だ１４を介してこのニッケルメッキ層１３に接合されて
いる。
【００１１】なお、上記アルミニウム系ろう材１１とし
ては、例えばＡｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、
Ａｌ−Ｇｅ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合
金等が使用される。そして、上記薄板１２、薄板１８、
ヒートシンク１９としては、純アルミニウムの他にも、
例えばＡｌ−２.５％（重量％、以下同じ）Ｍｇ−０.２
％Ｃｒ合金、Ａｌ−１％Ｍｎ合金、Ａｌ−０.０２％Ｎ
ｉ合金、Ａｌ−０.００５％Ｂ合金、Ａｌ−２０〜４５
％Ｓｉ合金等を用いることができる。
ては、例えばＡｌ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、
Ａｌ−Ｇｅ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合
金等が使用される。そして、上記薄板１２、薄板１８、
ヒートシンク１９としては、純アルミニウムの他にも、
例えばＡｌ−２.５％（重量％、以下同じ）Ｍｇ−０.２
％Ｃｒ合金、Ａｌ−１％Ｍｎ合金、Ａｌ−０.０２％Ｎ
ｉ合金、Ａｌ−０.００５％Ｂ合金、Ａｌ−２０〜４５
％Ｓｉ合金等を用いることができる。
【００１２】以下、基板中に割れが発生するまでの熱サ
イクル数の測定結果を表１に示す。エッチングにより回
路を形成したアルミニウム製の薄板１２を、アルミニウ
ム系ろう材１１を介して、アルミナ基板１０の表面にろ
う付けする。この後、ＩＣチップ１５、外部出力用端子
１６等をはんだ付けするための薄板１２の所定部分にの
みＮｉメッキする。この部分メッキ構造の基板を用いて
熱サイクル試験を行う。比較のために、同様にアルミナ
基板表面にろう付けされたアルミニウム製の薄板の全面
にＮｉメッキした構造の基板の熱サイクル試験も行う。
熱サイクルは−６５℃にて３０分間持続した後、２００
℃にて３０分間持続したものを１サイクルとした。全面
にＮｉメッキした場合（従来例）は、Ｎｉメッキ層に発
生する熱応力が、アルミニウム製の回路形成用薄板とア
ルミナ基板との接合端部に集中して作用する。この結
果、この接合端部の界面からアルミナ板内に向かって割
れが比較的早期に生じた。しかし、本発明に係る部分Ｎ
ｉメッキを施した構造では、従来例に比べＮｉメッキ面
が少ないので、割れ発生をなくすことができた。
イクル数の測定結果を表１に示す。エッチングにより回
路を形成したアルミニウム製の薄板１２を、アルミニウ
ム系ろう材１１を介して、アルミナ基板１０の表面にろ
う付けする。この後、ＩＣチップ１５、外部出力用端子
１６等をはんだ付けするための薄板１２の所定部分にの
みＮｉメッキする。この部分メッキ構造の基板を用いて
熱サイクル試験を行う。比較のために、同様にアルミナ
基板表面にろう付けされたアルミニウム製の薄板の全面
にＮｉメッキした構造の基板の熱サイクル試験も行う。
熱サイクルは−６５℃にて３０分間持続した後、２００
℃にて３０分間持続したものを１サイクルとした。全面
にＮｉメッキした場合（従来例）は、Ｎｉメッキ層に発
生する熱応力が、アルミニウム製の回路形成用薄板とア
ルミナ基板との接合端部に集中して作用する。この結
果、この接合端部の界面からアルミナ板内に向かって割
れが比較的早期に生じた。しかし、本発明に係る部分Ｎ
ｉメッキを施した構造では、従来例に比べＮｉメッキ面
が少ないので、割れ発生をなくすことができた。
【００１３】
【表１】
【００１４】また、このように所定パターンのアルミニ
ウム等の薄板上において、ＩＣチップ、端子等の半導体
装置や回路部品の実装面にのみ、ニッケルメッキを施
し、このニッケルメッキ層上に、はんだを介して半導体
装置や部品を実装した場合、そのはんだの表面張力によ
り、はんだがニッケルメッキ面より流れ出ることはな
い。この結果、実装時の半導体装置等の位置決めが容易
である。また、上記実施例では、ニッケルメッキされて
ないアルミニウム等の薄板の面にアルミニウム線を直接
超音波ボンディングしているため、この薄板面に対する
アルミニウム線の接合強度は、この薄板の面の研磨方向
に依存することはない。さらに、超音波ボンディングの
条件において、そのボンディング荷重と超音波出力との
範囲を広くとることができる。すなわち、ニッケルメッ
キ面にアルミニウム線を超音波ボンディングしたときよ
りも広い範囲の条件を用いて超音波ボンディングを行う
ことができる。なお、アルミニウム等の薄板は、銅薄板
のように酸化が進まないので、全面にニッケルメッキを
行う必要はない。
ウム等の薄板上において、ＩＣチップ、端子等の半導体
装置や回路部品の実装面にのみ、ニッケルメッキを施
し、このニッケルメッキ層上に、はんだを介して半導体
装置や部品を実装した場合、そのはんだの表面張力によ
り、はんだがニッケルメッキ面より流れ出ることはな
い。この結果、実装時の半導体装置等の位置決めが容易
である。また、上記実施例では、ニッケルメッキされて
ないアルミニウム等の薄板の面にアルミニウム線を直接
超音波ボンディングしているため、この薄板面に対する
アルミニウム線の接合強度は、この薄板の面の研磨方向
に依存することはない。さらに、超音波ボンディングの
条件において、そのボンディング荷重と超音波出力との
範囲を広くとることができる。すなわち、ニッケルメッ
キ面にアルミニウム線を超音波ボンディングしたときよ
りも広い範囲の条件を用いて超音波ボンディングを行う
ことができる。なお、アルミニウム等の薄板は、銅薄板
のように酸化が進まないので、全面にニッケルメッキを
行う必要はない。
【００１５】なお、上記実施例にあっては、アルミナ基
板１０の下面に、薄板１８とニッケルメッキ層１３とは
んだ１４とを介してヒートシンク１９を接合している
が、これらの薄板１８、ニッケルメッキ層１３、はんだ
１４を介在させることなく、薄板１８と同じ材料のヒー
トシンク１９をアルミナ基板１０下面に直接ろう材１１
を介して接着してもよい。
板１０の下面に、薄板１８とニッケルメッキ層１３とは
んだ１４とを介してヒートシンク１９を接合している
が、これらの薄板１８、ニッケルメッキ層１３、はんだ
１４を介在させることなく、薄板１８と同じ材料のヒー
トシンク１９をアルミナ基板１０下面に直接ろう材１１
を介して接着してもよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明は以上説明してきたように構成さ
れているので、半導体装置の位置決めを容易に行うこと
ができる。また、回路設計を自由に行うことができる。
また、酸化防止のための回路基板全面に対してニッケル
メッキを行う必要がない。さらに、アルミナ基板に割れ
等の欠陥発生を防止することができる。
れているので、半導体装置の位置決めを容易に行うこと
ができる。また、回路設計を自由に行うことができる。
また、酸化防止のための回路基板全面に対してニッケル
メッキを行う必要がない。さらに、アルミナ基板に割れ
等の欠陥発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の実装構造
の断面図である。
の断面図である。
【図２】従来例の半導体装置の実装構造の断面図であ
る。
る。
１０ アルミナ基板 １１ アルミニウム系ろう材 １２ アルミニウム製の回路形成用薄板 １３ ニッケルメッキ層 １４ はんだ １５ ＩＣチップ １７ アルミニウム線
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミナ焼結体からなるセラミックス基
板と、 このセラミックス基板上にアルミニウム系のろう材を介
して所定パターンに形成されたアルミニウムまたはアル
ミニウム合金の層と、 この層において半導体装置を実装する部分の表面に形成
されたニッケルメッキ層と、 このニッケルメッキ層上にはんだを介して装着された半
導体装置と、 この半導体装置とニッケルメッキされていない上記アル
ミニウムまたはアルミニウム合金の層の所定部分とを接
続するアルミニウム線と、を備えたことを特徴とする半
導体装置の実装構造。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35346591A JP2884872B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP35346591A JP2884872B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置の実装構造 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH05166968A true JPH05166968A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2884872B2 JP2884872B2 (ja) | 1999-04-19 |
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ID=18431035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35346591A Expired - Lifetime JP2884872B2 (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置の実装構造 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884872B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426154B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board |
| WO2005032225A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | セラミック回路基板、その製造方法およびパワーモジュール |
| JP2007036263A (ja) * | 2001-03-01 | 2007-02-08 | Dowa Holdings Co Ltd | 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール |
| JP2013020983A (ja) * | 2012-10-15 | 2013-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | ターミナル、モータ及び電気機器 |
| JP2015153922A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP35346591A patent/JP2884872B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426154B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board |
| JP2007036263A (ja) * | 2001-03-01 | 2007-02-08 | Dowa Holdings Co Ltd | 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール |
| WO2005032225A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | セラミック回路基板、その製造方法およびパワーモジュール |
| US7482685B2 (en) | 2003-09-25 | 2009-01-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board, method for making the same, and power module |
| JP2013020983A (ja) * | 2012-10-15 | 2013-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | ターミナル、モータ及び電気機器 |
| JP2015153922A (ja) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2884872B2 (ja) | 1999-04-19 |
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