JPH05152395A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH05152395A JPH05152395A JP33598091A JP33598091A JPH05152395A JP H05152395 A JPH05152395 A JP H05152395A JP 33598091 A JP33598091 A JP 33598091A JP 33598091 A JP33598091 A JP 33598091A JP H05152395 A JPH05152395 A JP H05152395A
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- Japan
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- electrode
- input
- chip
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置の特性検査に際しての寄
生インダクタンスを抑制し、高周波の特性検査を可能に
する。 【構成】 入力用及び出力用の各信号電極３，５に夫々
対応して設けられた各接地電極４，６を、ＩＣチップ２
の裏面に設けた電極９（或いは表面に設けた電極）を介
して相互電気接続し、接地の共通化を図る。このため、
特性検査時に、入力用及び出力用の各接地電極を外部に
おいて電気接続させる必要がなくなり、この外部接続に
際して生じる寄生インダクタンスを抑制し、高周波の特
性検査を可能とする。
生インダクタンスを抑制し、高周波の特性検査を可能に
する。 【構成】 入力用及び出力用の各信号電極３，５に夫々
対応して設けられた各接地電極４，６を、ＩＣチップ２
の裏面に設けた電極９（或いは表面に設けた電極）を介
して相互電気接続し、接地の共通化を図る。このため、
特性検査時に、入力用及び出力用の各接地電極を外部に
おいて電気接続させる必要がなくなり、この外部接続に
際して生じる寄生インダクタンスを抑制し、高周波の特
性検査を可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特にウェハ状で高周波測定を行う際に有効な入出力
用の電極を備えた半導体集積回路装置に関する。
し、特にウェハ状で高周波測定を行う際に有効な入出力
用の電極を備えた半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【産業上の利用分野】従来の半導体集積回路装置は、図
５に示すように、ＩＣチップ２Ｂの表面に入力用の信号
電極３及び接地電極４と、出力用の信号電極５及び接地
電極６を夫々設けており、ウェハ状態での高周波測定を
行う場合には、入力同軸線１０の入力信号探針１１を入
力信号電極３に接触させて信号を入力し、出力同軸線２
０の出力信号探針２１を出力信号電極５に接触させて信
号を出力している。又、各同軸線１０，２０に設けた入
力接地探針１２と出力接地探針２２を夫々の接地電極
４，６に接触させる。各同軸線１０，２０の接地探針１
２，２２は外被接地リング３０を介して相互に電気接続
されており、この外被接地リング３０を介して入力及び
出力の各接地電極４，６を共通接続して接地させてい
る。
５に示すように、ＩＣチップ２Ｂの表面に入力用の信号
電極３及び接地電極４と、出力用の信号電極５及び接地
電極６を夫々設けており、ウェハ状態での高周波測定を
行う場合には、入力同軸線１０の入力信号探針１１を入
力信号電極３に接触させて信号を入力し、出力同軸線２
０の出力信号探針２１を出力信号電極５に接触させて信
号を出力している。又、各同軸線１０，２０に設けた入
力接地探針１２と出力接地探針２２を夫々の接地電極
４，６に接触させる。各同軸線１０，２０の接地探針１
２，２２は外被接地リング３０を介して相互に電気接続
されており、この外被接地リング３０を介して入力及び
出力の各接地電極４，６を共通接続して接地させてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来におけ
る高周波測定では、入出力の各同軸線１０，２０に接続
された外被接地リング３０を介して入出力の各接地電極
４，６を相互接続しているため、この外被接地リング３
０に寄生するインダクタンスの影響を受け易く、高周波
帯、特に２ＧＨZ 帯以上の高周波の特性検査が困難であ
るという問題がある。又、入出力同軸線１０，２０の接
地探針１２，２２と接地電極４，６との接触抵抗のバラ
ツキにより、測定値が不安定になるという問題もある。
本発明の目的は、寄生インダクタンスを抑制し、高周波
の特性検査を可能にした半導体集積回路装置を提供する
ことにある。
る高周波測定では、入出力の各同軸線１０，２０に接続
された外被接地リング３０を介して入出力の各接地電極
４，６を相互接続しているため、この外被接地リング３
０に寄生するインダクタンスの影響を受け易く、高周波
帯、特に２ＧＨZ 帯以上の高周波の特性検査が困難であ
るという問題がある。又、入出力同軸線１０，２０の接
地探針１２，２２と接地電極４，６との接触抵抗のバラ
ツキにより、測定値が不安定になるという問題もある。
本発明の目的は、寄生インダクタンスを抑制し、高周波
の特性検査を可能にした半導体集積回路装置を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、入力用及び出力用の各信号電極に夫々対応して
設けられた各接地電極を、チップ表面又は裏面に設けた
電極で相互に電気接続する。例えば、各接地電極を夫々
貫通孔内の導電体を通してチップ裏面に設けた裏面電極
に接続し、この裏面電極介して相互に電気接続する。
装置は、入力用及び出力用の各信号電極に夫々対応して
設けられた各接地電極を、チップ表面又は裏面に設けた
電極で相互に電気接続する。例えば、各接地電極を夫々
貫通孔内の導電体を通してチップ裏面に設けた裏面電極
に接続し、この裏面電極介して相互に電気接続する。
【０００５】
【作用】半導体集積回路装置の特性検査時に、入力用及
び出力用の各接地電極を外部において電気接続させる必
要がなくなり、寄生インダクタンスを抑制し、高周波の
特性検査を可能とする。
び出力用の各接地電極を外部において電気接続させる必
要がなくなり、寄生インダクタンスを抑制し、高周波の
特性検査を可能とする。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図３は半導体ウェハ１の外観図であり、複数のＩＣ
チップ２が配列形成されている。図１は本発明の一実施
例のＩＣチップとプロービング状態を示す平面図であ
る。ＩＣチップ２の表面には入力信号電極３及び出力信
号電極５と、入力接地電極４及び出力接地電極６が夫々
対を成して配設されている。そして、両接地電極４，６
は、図２にＡ−Ａ線に沿う断面図を示すように、ＩＣチ
ップ２の厚さ方向に開設した貫通孔７内に設けた導電体
８を介してチップの裏面に設けた裏面電極９に夫々電気
接続し、この裏面電極９を介して相互に電気接続して接
地の共通化を行っている。
る。図３は半導体ウェハ１の外観図であり、複数のＩＣ
チップ２が配列形成されている。図１は本発明の一実施
例のＩＣチップとプロービング状態を示す平面図であ
る。ＩＣチップ２の表面には入力信号電極３及び出力信
号電極５と、入力接地電極４及び出力接地電極６が夫々
対を成して配設されている。そして、両接地電極４，６
は、図２にＡ−Ａ線に沿う断面図を示すように、ＩＣチ
ップ２の厚さ方向に開設した貫通孔７内に設けた導電体
８を介してチップの裏面に設けた裏面電極９に夫々電気
接続し、この裏面電極９を介して相互に電気接続して接
地の共通化を行っている。
【０００７】このＩＣチップ２に対して高周波の特性検
査を行うには、図示のように、ＩＣチップ２の表面側か
ら入力同軸線１０の入力信号探針１１を入力信号電極３
に接触させ、かつ入力接地探針１２を入力接地電極４に
接触させる。又、出力同軸線２０の出力信号探針２１は
出力信号電極５に接触させ、出力接地探針２２は出力接
地電極６に接触させる。これにより、各接地探針１２，
２２は、ＩＣチップ２の裏面電極９を介して相互に電気
接続されて接地の共通化が行われるため、従来のような
外被接地リングが不要となり、寄生インダクタンスを抑
制して高周波の特性検査を実現可能とする。
査を行うには、図示のように、ＩＣチップ２の表面側か
ら入力同軸線１０の入力信号探針１１を入力信号電極３
に接触させ、かつ入力接地探針１２を入力接地電極４に
接触させる。又、出力同軸線２０の出力信号探針２１は
出力信号電極５に接触させ、出力接地探針２２は出力接
地電極６に接触させる。これにより、各接地探針１２，
２２は、ＩＣチップ２の裏面電極９を介して相互に電気
接続されて接地の共通化が行われるため、従来のような
外被接地リングが不要となり、寄生インダクタンスを抑
制して高周波の特性検査を実現可能とする。
【０００８】図４は本発明の他の実施例におけるＩＣチ
ップとプロービング状態を示す平面図である。ここでは
ＩＣチップ２Ａの表面の周辺部に共通表面電極９Ａを枠
状に形成し、この共通表面電極９Ａに入力接地電極４と
出力接地電極６を一体的に形成して各接地電極４，６の
接地の共通化を図っている。この実施例においても、プ
ロービングに際しての外被接地リングが不要とされ、寄
生インダクタンスを抑制して高周波の特性検査が実現可
能となる。
ップとプロービング状態を示す平面図である。ここでは
ＩＣチップ２Ａの表面の周辺部に共通表面電極９Ａを枠
状に形成し、この共通表面電極９Ａに入力接地電極４と
出力接地電極６を一体的に形成して各接地電極４，６の
接地の共通化を図っている。この実施例においても、プ
ロービングに際しての外被接地リングが不要とされ、寄
生インダクタンスを抑制して高周波の特性検査が実現可
能となる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、入力用及
び出力用の各接地電極を、チップに設けた電極を介して
相互に電気接続しているので、両接地電極をチップ内に
おいて接地の共通化を図ることができ、外部探針による
寄生インダクタンスの影響を無くし、高周波の特性検査
を実現することができる。因みに、従来（約２ＧＨZ 帯
以下）の２〜３倍の高周波測定ができるようになる。
び出力用の各接地電極を、チップに設けた電極を介して
相互に電気接続しているので、両接地電極をチップ内に
おいて接地の共通化を図ることができ、外部探針による
寄生インダクタンスの影響を無くし、高周波の特性検査
を実現することができる。因みに、従来（約２ＧＨZ 帯
以下）の２〜３倍の高周波測定ができるようになる。
【図１】本発明の半導体集積回路装置の一実施例の平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の半導体集積回路装置を形成するウェハ
の平面図である。
の平面図である。
【図４】本発明の他の実施例の平面図である。
【図５】従来の半導体集積回路装置の平面図である。
１ 半導体ウェハ ２ ＩＣチップ ３ 入力信号電極 ４ 入力接地電極 ５ 出力信号電極 ６ 出力接地電極 ９ 裏面電極 ９Ａ 共通表面電極 １０ 入力同軸線 ２０ 出力同軸線
Claims (2)
- 【請求項１】 夫々対を成す入力用及び出力用の各信号
電極と接地電極とを備え、これらに高周波特性の検査用
探針が接触される半導体集積回路装置において、前記入
力接地電極と出力接地電極とを半導体集積回路装置のチ
ップ表面又は裏面に設けた電極を介して相互に電気接続
したことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 入力接地電極と出力接地電極を夫々貫通
孔内の導電体を通してチップ裏面に設けた裏面電極に接
続し、この裏面電極を介して各接地電極を相互に電気接
続してなる請求項１の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33598091A JPH05152395A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33598091A JPH05152395A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152395A true JPH05152395A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18294453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33598091A Pending JPH05152395A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152395A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7173433B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-02-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit property measurement method |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP33598091A patent/JPH05152395A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7173433B2 (en) | 2004-05-18 | 2007-02-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Circuit property measurement method |
| DE102005021247B4 (de) * | 2004-05-18 | 2007-09-27 | Mitsubishi Denki K.K. | Eigenschaftsmessverfahren für Hochfrequenzschaltung, Kalibriermuster und Kalibriervorrichtung |
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