JPH05144884A - ２層ｔａｂの製造方法 - Google Patents
２層ｔａｂの製造方法Info
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- JPH05144884A JPH05144884A JP33445591A JP33445591A JPH05144884A JP H05144884 A JPH05144884 A JP H05144884A JP 33445591 A JP33445591 A JP 33445591A JP 33445591 A JP33445591 A JP 33445591A JP H05144884 A JPH05144884 A JP H05144884A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード幅が微小になったときでもリードに十
分な機械的強度を持たせることができるような２層ＴＡ
Ｂの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 絶縁性樹脂フィルム上に形成された下地金属
層上に第１の金属よりなる金属層を形成し、該第１の金
属層上に第２の金属層を形成後、さらに該第２の金属層
上に該第１の金属層を形成することを特徴とするもので
あり、さらに該第１の金属層上に該第２の金属を形成す
る工程、または該第２の金属層上に該第１の金属層を形
成する工程を少なくとも一回以上繰り返し、該第１の金
属層と該第２の金属層を交互に形成することを特徴とす
る。
分な機械的強度を持たせることができるような２層ＴＡ
Ｂの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 絶縁性樹脂フィルム上に形成された下地金属
層上に第１の金属よりなる金属層を形成し、該第１の金
属層上に第２の金属層を形成後、さらに該第２の金属層
上に該第１の金属層を形成することを特徴とするもので
あり、さらに該第１の金属層上に該第２の金属を形成す
る工程、または該第２の金属層上に該第１の金属層を形
成する工程を少なくとも一回以上繰り返し、該第１の金
属層と該第２の金属層を交互に形成することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は２層ＴＡＢの製造方法に
係り、特に機械的強度の優れたファインピッチな金属パ
ターンを有する２層ＴＡＢの製造方法に関するものであ
る。
係り、特に機械的強度の優れたファインピッチな金属パ
ターンを有する２層ＴＡＢの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス産業界において
は、低価格、高信頼性を有する多機能装置の開発が急速
に進められており、これによる、高機能、高密度素子の
出現に伴って、高信頼性、多機能を有し、且つ軽量、薄
型の小型デバイスに対する要求が高まってきている。そ
して、これに伴って新しい素子実装技術開発が日増しに
重要性を加えつつあり、特にＩＣパッケージにおける多
様化と小型化が重要な課題として開発が進められてい
る。また、このような素子実装技術の進歩によって小型
ＩＣパッケージにおける多ピン化の要望に応え得るよう
な微小ピン間隔のテープキャリアの出現が求められてい
る。
は、低価格、高信頼性を有する多機能装置の開発が急速
に進められており、これによる、高機能、高密度素子の
出現に伴って、高信頼性、多機能を有し、且つ軽量、薄
型の小型デバイスに対する要求が高まってきている。そ
して、これに伴って新しい素子実装技術開発が日増しに
重要性を加えつつあり、特にＩＣパッケージにおける多
様化と小型化が重要な課題として開発が進められてい
る。また、このような素子実装技術の進歩によって小型
ＩＣパッケージにおける多ピン化の要望に応え得るよう
な微小ピン間隔のテープキャリアの出現が求められてい
る。
【０００３】ＴＡＢはテープ状に形成されたポリイミド
樹脂フィルム等の電気絶縁性を有する合成樹脂基板上に
多数のボンディング用金属の細密リードパターンを施し
たものであり、その特徴としては、テストピッドを保有
しているので、ボンディング後にボンディング不良やチ
ップ不良等の欠陥を実装する前に発見することができ、
またワイヤーボンディングに比べてＩＣパッドの大きさ
が小さくて済み、一層の多ピン化を行なうことが可能で
あるなどその利点が多い。
樹脂フィルム等の電気絶縁性を有する合成樹脂基板上に
多数のボンディング用金属の細密リードパターンを施し
たものであり、その特徴としては、テストピッドを保有
しているので、ボンディング後にボンディング不良やチ
ップ不良等の欠陥を実装する前に発見することができ、
またワイヤーボンディングに比べてＩＣパッドの大きさ
が小さくて済み、一層の多ピン化を行なうことが可能で
あるなどその利点が多い。
【０００４】ＴＡＢは、その構造上から１層ＴＡＢ、２
層ＴＡＢおよび３層ＴＡＢの３種類に大別される。１層
ＴＡＢはパターニング処理を施した銅箔等の金属テープ
のみによって構成されたものをいうが、金属層自体の厚
みが精々数十μｍ程度であるために機械的強度に乏し
く、施し得るピン数に限界があるので高密度化に適さな
い。この１層ＴＡＢの欠点を補うためにプラスチックフ
ィルム基板上に接着剤を用いて、金属箔を貼り合わせた
後、金属箔上にパターニング処理を施した３層ＴＡＢが
開発されたが、この３層ＴＡＢにおいては中間層として
使用する接着剤の影響によって、基板にポリイミド樹脂
のような絶縁性の高いプラスチックフィルムを使用して
いても、ピン間の絶縁性を十分確保できないという欠点
がある。
層ＴＡＢおよび３層ＴＡＢの３種類に大別される。１層
ＴＡＢはパターニング処理を施した銅箔等の金属テープ
のみによって構成されたものをいうが、金属層自体の厚
みが精々数十μｍ程度であるために機械的強度に乏し
く、施し得るピン数に限界があるので高密度化に適さな
い。この１層ＴＡＢの欠点を補うためにプラスチックフ
ィルム基板上に接着剤を用いて、金属箔を貼り合わせた
後、金属箔上にパターニング処理を施した３層ＴＡＢが
開発されたが、この３層ＴＡＢにおいては中間層として
使用する接着剤の影響によって、基板にポリイミド樹脂
のような絶縁性の高いプラスチックフィルムを使用して
いても、ピン間の絶縁性を十分確保できないという欠点
がある。
【０００５】２層ＴＡＢは、プラスチック表面に接着剤
によらずスパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によって
直接金属層を形成されて、これにパターニング処理を施
したものであって、接着剤を使用していないので、電気
絶縁性についての問題を生ずることなく安定して使用で
きるので将来性が期待されている。
によらずスパッタ法、真空蒸着法、めっき法等によって
直接金属層を形成されて、これにパターニング処理を施
したものであって、接着剤を使用していないので、電気
絶縁性についての問題を生ずることなく安定して使用で
きるので将来性が期待されている。
【０００６】２層ＴＡＢの製造方法の概略を述べると、
先ずプラスチックフィルム基板表面に前記したようなス
パッタ法、真空蒸着法のような乾式表面処理法、または
無電解めっき法のような湿式表面処理法を用いて金属層
を被着させる。通常この場合プラスチックフィルムとし
ては、電気絶縁性が高く、また熱的安定性に優れたポリ
イミド樹脂が使用され、また被着金属層には銅が使用さ
れる。
先ずプラスチックフィルム基板表面に前記したようなス
パッタ法、真空蒸着法のような乾式表面処理法、または
無電解めっき法のような湿式表面処理法を用いて金属層
を被着させる。通常この場合プラスチックフィルムとし
ては、電気絶縁性が高く、また熱的安定性に優れたポリ
イミド樹脂が使用され、また被着金属層には銅が使用さ
れる。
【０００７】次に、金属層の表面にパターニング処理を
施すことによってリードを形成するのであるが、これに
は形成するリードの厚さ以上の厚さに感光性レジストを
塗布しておき、所望のリードパターンを有するマスキン
グを施して、レジストに光照射を行なうことにより、レ
ジスト上に露光部と非露光部によるパターンを形成し、
その後これに現像を施すことによって、非露光部または
露光部を選択的に溶解除去することによってレジストが
除去された部分、即ち金属層が露出した部分に電気めっ
きによりレジストの厚みかそれ以上の厚みにまで金属を
析出させ、最後にレジストを溶解除去することによっ
て、所望のリードパターンを有する２層ＴＡＢを得るこ
とができる。
施すことによってリードを形成するのであるが、これに
は形成するリードの厚さ以上の厚さに感光性レジストを
塗布しておき、所望のリードパターンを有するマスキン
グを施して、レジストに光照射を行なうことにより、レ
ジスト上に露光部と非露光部によるパターンを形成し、
その後これに現像を施すことによって、非露光部または
露光部を選択的に溶解除去することによってレジストが
除去された部分、即ち金属層が露出した部分に電気めっ
きによりレジストの厚みかそれ以上の厚みにまで金属を
析出させ、最後にレジストを溶解除去することによっ
て、所望のリードパターンを有する２層ＴＡＢを得るこ
とができる。
【０００８】このようにして得られた２層ＴＡＢをＩＣ
チップの連続ボンディングに使用するためには、テープ
送り用のスプロケットホール、リードの先端部を露出さ
せてＩＣチップと接合させるためのデバイスホール、リ
ード後端部を外部回路に接続するためのＯＬＢホールを
化学的エッチングによって形成させる必要がある。
チップの連続ボンディングに使用するためには、テープ
送り用のスプロケットホール、リードの先端部を露出さ
せてＩＣチップと接合させるためのデバイスホール、リ
ード後端部を外部回路に接続するためのＯＬＢホールを
化学的エッチングによって形成させる必要がある。
【０００９】上記したように２層ＴＡＢの製造工程にお
いては、リードの形成を感光性フォトレジストを用いた
リソグラフィー法と電気めっき法を併用したセミアディ
ティブ法で行なうのが一般的である。このセミアディテ
ィブ法によるリード形成法はエッチング法を用いてリー
ド形成が行なわれるサブトラクティブ法に比べて、リー
ド断面の形状が方形となり、サブトラクティブ法による
台形状の断面を有するリードに対し、同じリード幅であ
れば、リード自体の強度や有効断面積においてより優れ
ている。
いては、リードの形成を感光性フォトレジストを用いた
リソグラフィー法と電気めっき法を併用したセミアディ
ティブ法で行なうのが一般的である。このセミアディテ
ィブ法によるリード形成法はエッチング法を用いてリー
ド形成が行なわれるサブトラクティブ法に比べて、リー
ド断面の形状が方形となり、サブトラクティブ法による
台形状の断面を有するリードに対し、同じリード幅であ
れば、リード自体の強度や有効断面積においてより優れ
ている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近の
実装技術における高密度化、微細化への進歩によって、
回路形成にはさらなるファインパターン化が要求され、
現在では、リード／スペース＝５０／５０μｍが限界で
あるといわれているものの数年後には４０μｍ以下とな
ることが予想されている。ＴＡＢではリードを形成する
金属は電気伝導性、コストなどの点から銅が一般的に用
いられているが、銅は延性には優れているものの、抗張
力は劣っているためにリードのファイン化に伴い、デバ
イスホール等に露出したリード先端部分は機械的強度が
劣り、特にＩＣチップへのボンディング工程においてリ
ードの曲がりや折れ、撚り等が発生する可能性がある。
実装技術における高密度化、微細化への進歩によって、
回路形成にはさらなるファインパターン化が要求され、
現在では、リード／スペース＝５０／５０μｍが限界で
あるといわれているものの数年後には４０μｍ以下とな
ることが予想されている。ＴＡＢではリードを形成する
金属は電気伝導性、コストなどの点から銅が一般的に用
いられているが、銅は延性には優れているものの、抗張
力は劣っているためにリードのファイン化に伴い、デバ
イスホール等に露出したリード先端部分は機械的強度が
劣り、特にＩＣチップへのボンディング工程においてリ
ードの曲がりや折れ、撚り等が発生する可能性がある。
【００１１】本発明は、２層ＴＡＢにおける上記の問題
点を解決して、リード幅が微小になったときでもリード
に十分な機械的強度を持たせることができるような２層
ＴＡＢの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
点を解決して、リード幅が微小になったときでもリード
に十分な機械的強度を持たせることができるような２層
ＴＡＢの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の２層ＴＡＢ製造方法は、絶縁性樹脂フィル
ム上に形成された下地金属層上に第１の金属よりなる金
属層を形成し、該第１の金属層上に第２の金属層を形成
後、さらに該第２の金属層上に該第１の金属層を形成す
ることを特徴とするものであり、さらに該第１の金属層
上に該第２の金属を形成する工程、または該第２の金属
層上に該第１の金属層を形成する工程を少なくとも一回
以上繰り返し、該第１の金属層と該第２の金属層を交互
に形成することを特徴とするものである。
めの本発明の２層ＴＡＢ製造方法は、絶縁性樹脂フィル
ム上に形成された下地金属層上に第１の金属よりなる金
属層を形成し、該第１の金属層上に第２の金属層を形成
後、さらに該第２の金属層上に該第１の金属層を形成す
ることを特徴とするものであり、さらに該第１の金属層
上に該第２の金属を形成する工程、または該第２の金属
層上に該第１の金属層を形成する工程を少なくとも一回
以上繰り返し、該第１の金属層と該第２の金属層を交互
に形成することを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明において第１の金属層が銅で
ある場合には、第２の金属層がニッケルであることが好
ましく、また第１の金属層をニッケルによって形成した
場合には第２の金属層は銅が用いられる。
ある場合には、第２の金属層がニッケルであることが好
ましく、また第１の金属層をニッケルによって形成した
場合には第２の金属層は銅が用いられる。
【００１４】
【作用】各金属層の形成方法には電気めっき法が適用さ
れる。
れる。
【００１５】電気銅めっきに用いられるめっき浴は、硫
酸銅浴、ほう弗化銅浴等の酸性浴、ピロリン酸銅、シア
ン化銅等のアルカリ性浴が用いられ、電気ニッケルめっ
きに用いられるめっき浴は、ワット浴、スルファミン酸
浴、全塩化物浴等が用いられる。しかし、本発明におい
ては、用いられる各めっき浴の浴組成、電気めっき条件
等に特に制限はなく、電解によって所望の金属層を形成
することが可能であればよい。但し、本発明においては
上記の電気めっきは感光性有機樹脂（以下、レジストと
いう）の存在のもとで行なわれる場合もあるので、レジ
ストに対して有害な影響を有する成分または浴の使用は
避けた方がよい。
酸銅浴、ほう弗化銅浴等の酸性浴、ピロリン酸銅、シア
ン化銅等のアルカリ性浴が用いられ、電気ニッケルめっ
きに用いられるめっき浴は、ワット浴、スルファミン酸
浴、全塩化物浴等が用いられる。しかし、本発明におい
ては、用いられる各めっき浴の浴組成、電気めっき条件
等に特に制限はなく、電解によって所望の金属層を形成
することが可能であればよい。但し、本発明においては
上記の電気めっきは感光性有機樹脂（以下、レジストと
いう）の存在のもとで行なわれる場合もあるので、レジ
ストに対して有害な影響を有する成分または浴の使用は
避けた方がよい。
【００１６】一般的に２層ＴＡＢにおけるリードの形成
方法は、先ず、予め片面に下地金属層を有するポリイミ
ド樹脂等のプラスチックフィルム基体における下地金属
層上にレジストを所望の厚みに塗布し、続いて所望のパ
ターンを有するファトマスクを介してレジストに部分的
に光を照射後、現像工程において露光部あるいは非露光
部を選択的に溶解除去して、下地金属層上に所望のレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンの形成に
より露出した下地金属層上に電気めっきによりリード前
形体を形成した後、下地金属層上に残留するレジストを
除去し、さらにリード前形体間に存在する下地金属層を
溶解除去してリードを電気的に独立した状態にして形成
する方法が採られる。
方法は、先ず、予め片面に下地金属層を有するポリイミ
ド樹脂等のプラスチックフィルム基体における下地金属
層上にレジストを所望の厚みに塗布し、続いて所望のパ
ターンを有するファトマスクを介してレジストに部分的
に光を照射後、現像工程において露光部あるいは非露光
部を選択的に溶解除去して、下地金属層上に所望のレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンの形成に
より露出した下地金属層上に電気めっきによりリード前
形体を形成した後、下地金属層上に残留するレジストを
除去し、さらにリード前形体間に存在する下地金属層を
溶解除去してリードを電気的に独立した状態にして形成
する方法が採られる。
【００１７】プラスチックの片側に形成される下地金属
層は銅が一般的であり、その形成法はスパッタ法、真空
蒸着法、無電解めっき法等が採用されている。下地金属
層の厚みはリード独立のための下地金属層の部分的な溶
解工程を考慮すると１μｍ以下であることが望ましく、
また、下地金属層とプラスチックフィルム界面に該下地
金属層以外の金属層、例えば、クロム、ニッケル等があ
っても本発明の２層ＴＡＢの製造方法には何等の支障も
ない。
層は銅が一般的であり、その形成法はスパッタ法、真空
蒸着法、無電解めっき法等が採用されている。下地金属
層の厚みはリード独立のための下地金属層の部分的な溶
解工程を考慮すると１μｍ以下であることが望ましく、
また、下地金属層とプラスチックフィルム界面に該下地
金属層以外の金属層、例えば、クロム、ニッケル等があ
っても本発明の２層ＴＡＢの製造方法には何等の支障も
ない。
【００１８】レジストパターン形成後に行なうリード前
形体形成のための電気めっきは下地金属層にニッケルあ
るいは銅を交互に積層して行なうが、両金属の各々の厚
み、積層の回数には特に制限はない。但し両金属を積層
することによって形成された金属層全体の厚みは形成し
たレジストパターンの高さ以下でなければならないこと
はいうまでもない。
形体形成のための電気めっきは下地金属層にニッケルあ
るいは銅を交互に積層して行なうが、両金属の各々の厚
み、積層の回数には特に制限はない。但し両金属を積層
することによって形成された金属層全体の厚みは形成し
たレジストパターンの高さ以下でなければならないこと
はいうまでもない。
【００１９】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 実施例１工程１ 大きさ１５×１５ｃｍ、厚さ５０μｍのポリイ
ミド樹脂フィルム（カプトン２００Ｖ、東レ・デュポン
社製）の片面に常法により１μｍの下地銅層を形成した
ものを基体とし、下地銅層上にＰＭＥＲ・ＮＨＣ−６０
０（東京応化社製、ネガ型）をバーコーダーにより塗布
し膜厚約４０μｍのレジスト層を形成した。次に線幅１
０ｍｍ、長さ５０ｍｍの引っ張り試験用サンプルを８列
配列したフォトマスクを介して紫外線を１０００ｍＪ照
射し、ＰＭＥＲ現像液（東京応化社製）を用いて、２５
℃で５分間処理して、下地金属層を露出させた。
ミド樹脂フィルム（カプトン２００Ｖ、東レ・デュポン
社製）の片面に常法により１μｍの下地銅層を形成した
ものを基体とし、下地銅層上にＰＭＥＲ・ＮＨＣ−６０
０（東京応化社製、ネガ型）をバーコーダーにより塗布
し膜厚約４０μｍのレジスト層を形成した。次に線幅１
０ｍｍ、長さ５０ｍｍの引っ張り試験用サンプルを８列
配列したフォトマスクを介して紫外線を１０００ｍＪ照
射し、ＰＭＥＲ現像液（東京応化社製）を用いて、２５
℃で５分間処理して、下地金属層を露出させた。
【００２０】工程２ 得られた基体の露出下地銅層に常
法によるめっき前処理を施した後、硫酸銅５水和物２１
０ｇ／ｌ、硫酸６５ｇ／ｌ、塩化物イオン５０ｍｇ／ｌ
からなるめっき浴を使用して、浴温２５℃、電流密度２
Ａ／ｄｍ２で電解処理し、約１５μｍの銅層を形成し
た。
法によるめっき前処理を施した後、硫酸銅５水和物２１
０ｇ／ｌ、硫酸６５ｇ／ｌ、塩化物イオン５０ｍｇ／ｌ
からなるめっき浴を使用して、浴温２５℃、電流密度２
Ａ／ｄｍ２で電解処理し、約１５μｍの銅層を形成し
た。
【００２１】次に、塩化ニッケル３００ｇ／ｌ、硫酸ニ
ッケル５０ｇ／ｌ、ほう酸３５ｇ／ｌからなるワット浴
を用いて浴温４５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２で電解処理
を行ない、さきに形成した銅層上に約１μｍのニッケル
層を形成した。
ッケル５０ｇ／ｌ、ほう酸３５ｇ／ｌからなるワット浴
を用いて浴温４５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２で電解処理
を行ない、さきに形成した銅層上に約１μｍのニッケル
層を形成した。
【００２２】続いてニッケル層上に前述した硫酸銅めっ
き浴を用いて約１５μｍの銅層を形成した。
き浴を用いて約１５μｍの銅層を形成した。
【００２３】工程３ リード前形体を形成した基体を水
酸化ナトリウム４％溶液を用いて、５０℃で１分間の浸
漬処理を行ない、下地銅層上に残存するＰＭＥＲを溶解
除去後、塩化鉄４００ｇ／ｌ溶液を用いて４０℃で３０
分間処理してリード間の下地銅層を溶解除去し、リード
を形成した。
酸化ナトリウム４％溶液を用いて、５０℃で１分間の浸
漬処理を行ない、下地銅層上に残存するＰＭＥＲを溶解
除去後、塩化鉄４００ｇ／ｌ溶液を用いて４０℃で３０
分間処理してリード間の下地銅層を溶解除去し、リード
を形成した。
【００２４】続いて、ポリイミド樹脂フィルムをエチル
アルコールと水酸化カリウム４Ｎ溶液を用いて５０℃で
３分間処理して、５０ｍｍ×１０ｍｍのテストサンプル
を得た。
アルコールと水酸化カリウム４Ｎ溶液を用いて５０℃で
３分間処理して、５０ｍｍ×１０ｍｍのテストサンプル
を得た。
【００２５】得られたテストサンプルをインストロンテ
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で７０．５ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値が得られた。 実施例２ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約１
５μｍの銅層を形成後、実施例１で用いたワット浴を用
いて、実施例１と同様なめっき条件で銅層上に約２μｍ
のニッケル層を形成し、続いて実施例１で用いた硫酸銅
めっき浴を用いて、実施例１と同様のめっき条件でニッ
ケル層上に約１５μｍの銅層を形成した。次にポリイミ
ド樹脂フィルムの溶解を実施例１の工程３と同様の手順
で行ない、引っ張りテストサンプルを作成した。
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で７０．５ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値が得られた。 実施例２ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約１
５μｍの銅層を形成後、実施例１で用いたワット浴を用
いて、実施例１と同様なめっき条件で銅層上に約２μｍ
のニッケル層を形成し、続いて実施例１で用いた硫酸銅
めっき浴を用いて、実施例１と同様のめっき条件でニッ
ケル層上に約１５μｍの銅層を形成した。次にポリイミ
ド樹脂フィルムの溶解を実施例１の工程３と同様の手順
で行ない、引っ張りテストサンプルを作成した。
【００２６】得られたテストサンプルをインストロンテ
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で６７．０ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 実施例３ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約１
５μｍの銅層を形成後、実施例１で用いたワット浴を用
いて、実施例１と同様なめっき条件で銅層上に約３μｍ
のニッケル層を形成し、続いて実施例１で用いた硫酸銅
めっき浴を用いて、実施例１と同様のめっき条件でニッ
ケル層上に約１５μｍの銅層を形成した。次にポリイミ
ド樹脂フィルムの溶解を実施例１の工程３と同様の手順
で行ない、引っ張りテストサンプルを作成した。
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で６７．０ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 実施例３ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約１
５μｍの銅層を形成後、実施例１で用いたワット浴を用
いて、実施例１と同様なめっき条件で銅層上に約３μｍ
のニッケル層を形成し、続いて実施例１で用いた硫酸銅
めっき浴を用いて、実施例１と同様のめっき条件でニッ
ケル層上に約１５μｍの銅層を形成した。次にポリイミ
ド樹脂フィルムの溶解を実施例１の工程３と同様の手順
で行ない、引っ張りテストサンプルを作成した。
【００２７】得られたテストサンプルをインストロンテ
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で６５．０ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 実施例４ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約１
０μｍの銅層を形成後、実施例１で用いたワット浴を用
いて、実施例１と同様なめっき条件で銅層上に約１μｍ
のニッケル層を形成し、続いて上記と同様の硫酸銅めっ
き浴を用いて、上記と同様のめっき条件でニッケル層上
に約１０μｍの銅層を形成し、さらに引き続いて、それ
ぞれ上記と同様の手順で銅層上への約１μｍのニッケル
層の形成とニッケル層上への約１０μｍの銅層の形成を
行なった。次にポリイミド樹脂フィルムの溶解を実施例
１の工程３と同様の手順で行ない、引っ張りテストサン
プルを作成した。
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で６５．０ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 実施例４ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約１
０μｍの銅層を形成後、実施例１で用いたワット浴を用
いて、実施例１と同様なめっき条件で銅層上に約１μｍ
のニッケル層を形成し、続いて上記と同様の硫酸銅めっ
き浴を用いて、上記と同様のめっき条件でニッケル層上
に約１０μｍの銅層を形成し、さらに引き続いて、それ
ぞれ上記と同様の手順で銅層上への約１μｍのニッケル
層の形成とニッケル層上への約１０μｍの銅層の形成を
行なった。次にポリイミド樹脂フィルムの溶解を実施例
１の工程３と同様の手順で行ない、引っ張りテストサン
プルを作成した。
【００２８】得られたテストサンプルをインストロンテ
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で７０．５ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 実施例５ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いたワット浴を用いて、実施例
１と同様なめっき条件にて下地銅層上に電気ニッケルめ
っきを施して約１μｍのニッケル層を形成後、実施例１
で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、実施例１と同様なめ
っき条件でニッケル層上に約１０μｍの銅層を形成し、
続いて、それぞれ上記と同様の手順で銅層上への約１μ
ｍのニッケル層の形成とニッケル層上への約１０μｍの
銅層の形成を行なった。次にポリイミド樹脂フィルムの
溶解を実施例１の工程３と同様の手順で行ない、引っ張
りテストサンプルを作成した。
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で７０．５ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 実施例５ リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いたワット浴を用いて、実施例
１と同様なめっき条件にて下地銅層上に電気ニッケルめ
っきを施して約１μｍのニッケル層を形成後、実施例１
で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、実施例１と同様なめ
っき条件でニッケル層上に約１０μｍの銅層を形成し、
続いて、それぞれ上記と同様の手順で銅層上への約１μ
ｍのニッケル層の形成とニッケル層上への約１０μｍの
銅層の形成を行なった。次にポリイミド樹脂フィルムの
溶解を実施例１の工程３と同様の手順で行ない、引っ張
りテストサンプルを作成した。
【００２９】得られたテストサンプルをインストロンテ
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で７１．５ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 比較例 リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約３
５μｍの銅層を形成後、ポリイミド樹脂フィルムの溶解
を実施例１の工程３と同様の手順で行ない、引っ張りテ
ストサンプルを作成した。
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で７１．５ｋｇｆ／ｍｍ２の高い値を得た。 比較例 リード前形体形成前までを実施例１の工程と同様な手順
で処理し、実施例１で用いた硫酸銅めっき浴を用いて、
実施例１と同様なめっき条件にて電気銅めっきして約３
５μｍの銅層を形成後、ポリイミド樹脂フィルムの溶解
を実施例１の工程３と同様の手順で行ない、引っ張りテ
ストサンプルを作成した。
【００３０】得られたテストサンプルをインストロンテ
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で４９．０ｋｇｆ／ｍｍ２の値を得た。
スターを用いて抗張力を測定した結果、８サンプルの平
均値で４９．０ｋｇｆ／ｍｍ２の値を得た。
【００３１】この値から、本発明によるものは従来のも
のに比べて遥かに高い強度を示すものであることが判か
る。
のに比べて遥かに高い強度を示すものであることが判か
る。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように本発明による２層ＴＡ
Ｂの製造方法によるときは、従来の銅のみによって構成
されたリードに対して、リードを銅−ニッケルの積層構
造にしたことによって、銅のみの場合に比べて高強度を
有するリードを形成することが可能となり、今後のファ
インピッチ化に対応する２層ＴＡＢの製造方法として優
れた利点を有するものであるということができる。
Ｂの製造方法によるときは、従来の銅のみによって構成
されたリードに対して、リードを銅−ニッケルの積層構
造にしたことによって、銅のみの場合に比べて高強度を
有するリードを形成することが可能となり、今後のファ
インピッチ化に対応する２層ＴＡＢの製造方法として優
れた利点を有するものであるということができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 リソグラフィー法と電気めっき法とを併
用してセミアディティブ法で導通回路を形成する２層Ｔ
ＡＢの製造方法において、絶縁性樹脂フィルム上に形成
された下地金属層上に第１の金属よりなる金属層を形成
し、該第１の金属層上に第２の金属層を形成後、さらに
該第２の金属層上に該第１の金属層を形成することを特
徴とする２層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項２】 第１の金属層上に第２の金属を形成する
工程、または該第２の金属層上に該第１の金属層を形成
する工程を少なくとも一回以上繰り返し、該第１の金属
層と該第２の金属層を交互に形成することを特徴とする
請求項１記載の２層ＴＡＢの製造方法。 - 【請求項３】 第１の金属層が銅であり、第２の金属層
がニッケルである請求項１記載の２層ＴＡＢの製造方
法。 - 【請求項４】 第１の金属層がニッケルであり、第２の
金属層が銅である請求項１記載の２層ＴＡＢの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33445591A JPH05144884A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | ２層ｔａｂの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33445591A JPH05144884A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | ２層ｔａｂの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144884A true JPH05144884A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18277580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33445591A Pending JPH05144884A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | ２層ｔａｂの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144884A (ja) |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33445591A patent/JPH05144884A/ja active Pending
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