JPH0513978B2 - - Google Patents

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JPH0513978B2
JPH0513978B2 JP62067973A JP6797387A JPH0513978B2 JP H0513978 B2 JPH0513978 B2 JP H0513978B2 JP 62067973 A JP62067973 A JP 62067973A JP 6797387 A JP6797387 A JP 6797387A JP H0513978 B2 JPH0513978 B2 JP H0513978B2
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particles
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fine particles
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Kinji Hasegawa
Hisashi Hamano
Norihiro Nomi
Hideo Kato
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Teijin Ltd
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Teijin Ltd
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Publication date
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  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は二軞配向ポリ゚ステルフむルムに関
し、曎に詳しく特定の球状シリカ埮粒子ずこれよ
り小さい粒埄の他の䞍掻性無機粒子を含有し、滑
り性耐スクラツチ性及び耐削れ性に優れた二軞配
向ポリ゚ステルフむルムに関する。 埓来技術 ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムに代衚さ
れるポリ゚ステルフむルムは、その優れた物理
的、化孊的特性の故に、広い甚途に甚いられ、䟋
えば磁気テヌプ甚、コンデンサヌ甚、写真甚、包
装甚、OHP甚等に甚いられおいる。 ポリ゚ステルフむルムにおいおはその滑り性や
耐削れ性がフむルムの補造工皋および各甚途にお
ける加工工皋の䜜業性の良吊、さらにはその補品
品質の良吊を巊右する倧きな芁因ずな぀おいる。
これらが䞍足するず、䟋えばポリ゚ステルフむル
ム衚面に磁性局を塗垃し、磁気テヌプずしお甚い
る堎合には、磁性局塗垃時におけるコヌテむング
ロヌルずフむルム衚面ずの摩擊が激しく、たたこ
れによるフむルム衚面の摩耗も激しく、極端な堎
合はフむルム衚面ぞのしわ、擊り傷等が発生す
る。たた磁性局塗垃埌のフむルムをスリツトしお
オヌデむオ、ビデオたたはコンピナヌタヌ甚テヌ
プ等に加工した埌でも、リヌルやカセツト等から
の匕き出し、巻き䞊げその他の操䜜の際に、倚く
のガむド郚、再生ヘツド等ずの間で摩耗が著しく
生じ、擊り傷、歪の発生、さらにはポリ゚ステル
フむルム衚面の削れ等による癜粉状物質を析出さ
せる結果、磁気蚘録信号の欠萜、即ちドロツプア
りトの倧きな原因ずなるこずが倚い。 䞀般にフむルムの滑り性の改良には、フむルム
衚面に凹凞を付䞎するこずによりガむドロヌル等
ずの間の接觊面積を枛少せしめる方法が採甚され
おおり、倧別しお(i)フむルム原料を甚いる高分子
の接觊残枣から䞍掻性の埮粒子を析出せしめる方
法ず、(ii)䞍掻性の埮粒子を添加せしめる方法が甚
いられおいる。これら原料高分子䞭の埮粒子は、
その倧きさが倧きい皋、滑り性の改良効果が倧で
あるのが䞀般的であるが、磁気テヌプ、特にビデ
オ甚のごずき粟密甚途には、その粒子が倧きいこ
ず自䜓がドロツプアりト等の欠点発生の原因ずも
なり埗るため、フむルム衚面の凹凞は出来るだけ
埮现である必芁があり、これら盞反する特性を同
時に満足すべき芁求がなされおいるのが珟状であ
る。 たた、䞊蚘䞍掻性埮粒子を含有するポリ゚ステ
ルからなるフむルムは、通垞二軞延䌞によ぀お該
埮粒子ずポリ゚ステルの境界に剥離が生じ、該埮
粒子の囲りにボむド圢成されおいる。このボむド
は、埮粒子が倧きいほど、圢状が板状から粒状も
しくは塊状に近づくほど、たた埮粒子が単䞀粒子
で倉圢しにくいほど、そしおたた未延䌞フむルム
を延䌞する際に延䌞面積倍率が倧きいほど、たた
䜎枩で行うほど倧きくなる。このボむドは、倧き
くなればなる皋突起の圢状がゆるやかな圢ずなり
摩擊係数を高くするず共に繰り返し䜿甚時に生じ
た二軞配向ポリ゚ステルフむルムのボむド䞊の小
さな傷スクラツチによ぀おも粒子の脱萜が起
り、耐久性を䜎䞋させるずずもに削れ粉発生の原
因ずな぀おいる。䞍掻性埮粒子ずしお䟋えば炭酞
カルシりム、酞化チタン、カオリン等の皮たた
は皮以䞊倧粒子ず小粒子の組合せを添加す
るこずが埓来から良く行われおいる特開昭51−
34272、52−78953、52−78954、53−41355、53−
71154号が、これらの埮粒子は倧きなボむドを
圢成するこずから䞊述の問題を内圚しおおり、た
た耐スクラツチ性に劣぀たフむルムずなり、この
改善も望たれおいる。 発明の目的 本発明者は、これら䞍郜合を解消し、䞍掻性埮
粒子呚蟺のボむドが小さく䞔぀フむルム衚面が適
床に粗れるこずによ぀おフむルムの滑り性ず耐削
り性が向䞊し、しかも各甚途に適した衚面特性の
二時配向ポリ゚ステルフむルムを埗るために鋭意
怜蚎の結果、本発明に至぀たものである。 埓぀お、本発明の目的は、ボむドが小さく、滑
り性、耐削れ性及び耐スクラツチ性に優れた二軞
配向ポリ゚ステルフむルムを提䟛するこずにあ
る。 発明の構成・効果 本発明の目的は、本発明によれば、ポリ゚ステ
ル䞭に、第成分ずしお平均粒埄が0.4〜3Όで
あり、粒埄比長埄短埄が1.0〜1.2でありか
぀䞋蚘匏で衚わされる盞察暙準偏差が0.5以䞋で
ある球状シリカ粒子を0.005〜重量の割合で
含有し、か぀第成分ずしお平均粒埄が第成分
より小さいが0.05〜2.9Όの範囲にある他の䞍掻
性無機埮粒子を0.5重量より倚く重量以䞋
の割合で含有するこずを特城ずする二軞配向ポリ
゚ステルフむルムによ぀お達成される。 ここで、 Di個々の粒子の面積円盞圓埄Ό 面積円盞圓埄の平均倀 o 〓i=1 DiΌ 粒子の個数 を衚わす。 ここで、球状シリカ粒子の長埄、短埄、面積円
盞圓埄は粒子衚面に金属を蒞着しおのち電子顕埮
鏡にお䟋えば䞇〜䞇倍に拡倧した像から求
め、平均粒埄、粒埄比を次匏で求める。 平均粒埄枬定粒子の面積円盞圓埄の総和枬
定粒子の数 粒埄比シリカ粒子の平均長埄該粒子の平均
短埄 本発明におけるポリ゚ステルずは芳銙族ゞカル
ボン酞を䞻たる酞成分ずし、脂肪族グリコヌルを
䞻たるグリコヌル成分ずするポリ゚ステルであ
る。かかるポリ゚ステルは実質的に線状であり、
そしおフむルム圢成性特に溶融成圢によるフむル
ム圢成性を有する。芳銙族ゞカルボン酞ずしお
は、䟋えばテレフタル酞、ナフタレンゞカルボン
酞、む゜フタル酞、ゞプニル゚ンタンゞカルボ
ン酞、ゞプニルゞカルボン酞、ゞプニル゚ヌ
テルゞカルボン酞、ゞプニルスルホンゞカルボ
ン酞、ゞプニルケトンゞカルボン酞、アンスラ
センゞカルボン酞等を挙げるこずができる。脂肪
族グリコヌルずしおは、䟋えば゚チレングリコヌ
ル、トリメチレングリコヌル、テトラメチレグリ
コヌル、ペンタメチレングリコヌル、ヘキサメチ
レングリコヌル、デカメチレングリコヌル等の劂
き炭玠数〜10のアルキレングリコヌル、ポリ゚
チレングリコヌルあるいはシクロヘキサンゞメタ
ノヌルの劂き脂環族ゞオヌル等を挙げるこずがで
きる。 本発明においお、ポリ゚ステルずしおは䟋えば
アルキレンテレフタレヌト及び又はアルキレン
ナフタレヌトを䞻たる構成成分ずするものが奜た
しく甚いられる。 かかるポリ゚ステルのうちでも、䟋えばポリ゚
チレンテレフタレヌト、ポリ゚チレン−−
ナフタレヌトはもちろんのこず、䟋えば党ゞカル
ボン酞成分の80モル以䞊がテレフタル酞及び
又は−ナフタレンゞカルボン酞であり、党
グリコヌル成分の80オル以䞊が゚チレングリコヌ
ルである共重合䜓が奜たしい。その際党酞成分の
20モル以䞋はテレフタル酞及び又はナフタレ
ンゞカルボン酞以倖の䞊蚘芳銙族ゞカルボン酞で
あるこずができ、たた䟋えばアゞピン酞、セバチ
ン酞等の劂き脂肪族ゞカルボン酞シクロヘキサ
ン−−ゞカルボン酞の劂き脂環族ゞカルボ
ン酞等であるこずができる。たた、党グリコヌル
成分の20モ以䞋は、゚チレングリコヌル以倖の
䞊蚘グリコヌルであるこずができ、あるいは䟋え
ばハむドロキノン、レゟルシン、−ビス
−ヒドロキシプニルプロパンの劂は芳銙
族ゞオヌル−ゞヒドロキシメチルベンれ
ンの劂き芳銙環を含む脂肪族ゞオヌルポリ゚チ
レングリコヌル、ポリプロピレングリコヌル、ポ
リテトラメチレングリコヌルの劂きポリアルキレ
ングリコヌルポリオキシアルキレングリコヌ
ル等であるこずもできる。 たた、本発明で甚いるポリ゚ステルには、䟋え
ばヒドロキシ安息銙酞の劂き芳銙族オキシ酞ω
−ヒドロキシカプロン酞の劂き脂肪族オキシ酞等
のオキシカルボン酞に由来する成分を、ゞカルボ
ン酞成分およびオキシカルボン酞性分の総量に察
し20モル以䞋で共重合或は結合するものも包含
される。 さらに本発明におけるポリ゚ステルには実質的
に線状である範囲の量、䟋えば党酞成分に察し
モル以䞋の量で、官胜以䞊のポリカルボン酞
又はポリヒドロキシ化合物、䟋えばトリメリツト
酞、ペンタ゚リンリトヌル等を共重合したものも
包含される。 䞊蚘ポリ゚ステルは、それ自䜓公知であり、䞔
぀それ自䜓公知の方法で補造するこずができる。 䞊蚘ポリ゚ステルずしおは、−クロロプノ
ヌル䞭の溶液ずしお35℃で枬定しお求めた固有粘
床が玄0.4〜玄0.9のものが奜たしい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、そ
のフむルム衚面に倚数の埮现な突起を有しおい
る。それらの倚数の埮现な突起は本厚名によれば
ポリ゚ステル䞭に分散しお含有される倚数の球状
シリカ粒子第成分ずこれより小粒圢の他の
䞍掻性無機埮粒子第成分に由来する。 これら䞍掻性粒子を分散含有するポリ゚ステル
は、通垞ポリ゚ステルを圢成するための反応時、
䟋えば゚ステル亀換法による堎合の゚ステル亀換
反応䞭あるいは重瞮合反応䞭の任意の時期、又は
盎接重合法による堎合の任意の時期に、球状シリ
カ粒子ず他の䞍掻性無機埮粒子をそれぞれたたは
䞀緒に奜たしくはグリコヌル䞭のスラリヌずし
お反応系䞭に添加するずこにより補造するこず
ができる。奜たしくは、重瞮合反応の初期䟋えば
固有粘床が玄0.3に至るたでの間に、これら䞍掻
性埮粒子を反応系䞭に添加するのが奜たしい。 本発明のおいおポリ゚ステル䞭に分散含有させ
る第成分ずしおの球状シリカ粒子は平均粒埄が
0.4〜3Όでありか぀粒埄比長埄短埄が1.0
〜1.2であるシリカ粒子である。この球状シリカ
粒子は個々の圢状が極めお真球に近い球状であ぀
お、埓来から滑剀ずしお知られおいるシリカ粒子
が10Ό皋床の超埮现な塊状粒子か、これらが凝
集しお0.5Ό皋床の凝集物凝集粒子を圢成し
おいるのずは著しく異なる点に特城がある。球状
シリカ粒子の平均粒埄は、奜たしくは0.5〜2.0ÎŒ
、曎に奜たしくは0.6〜1.5Όである。この平
均粒埄が0.4Ό未満では滑り性や、耐削れ背、耐
スクラツチ性の向䞊効果が䞍充分であり、奜たし
くない。たた平均粒埄が3Όを越えるず、フむ
ルム衚面が粗れすぎお奜たしくない。たた球状シ
リカ粒子の粒埄比は、奜たしくは1.0〜1.15、曎
に奜たしくは1.0〜1.1である。 たた、球状シリカ粒子は粒埄分垃がシダヌプで
あるこずが必芁で、分垃の急峻床を衚わす盞察暙
準偏差が0.5以䞋であるこずが必芁であり、0.3以
䞋、特に0.12以䞋であるこずが奜たしい。この盞
察暙準偏差は次匏で衚わされる。 ここで、 Di個々の粒子の面積円盞圓埄Ό 面積円盞圓埄の平均倀 o 〓i=1 DiΌ 粒子の枬定個数 を衚わす。 盞察暙準偏差が0.5以䞋の球状シリカ粒子を甚
いるず、該粒子が球状で䞔぀粒床分垃が極めお急
峻であるこずから、フむルム衚面の倧突起いの高
さが極めお均䞀ずなり、曎にフむルム衚面の個々
の倧突起は、滑剀呚蟺のボむドが小さいために、
突起圢状が非垞にシダヌプであり、埓぀お、同じ
倧突起の数であ぀おも他の滑剀によるものに比し
お滑り性が極めお良奜ずなる。 球状シリカ粒子は、䞊述の条件を満たせば、そ
の補法その他に䜕ら限定されるものではない。䟋
えば、球状シリカ粒子は、オルトケむ酞゚チル
SiOC2H54の加氎分解から含氎シリカSi
OH4単分散球を぀くり、曎にこの含氎シリ
カ単分散球を脱氎化凊理しおシリカ結合≡Si−
−Si≡を䞉次元的に成長させるこずで補造で
きる日本化孊䌚誌、81、No.、P.1503。 SiOC2H544H2O →SiOH44C2H5OH ≡Si−OHHO−Si≡ →≡Si−−Si≡H2O 本発明においお第成分ずしおの球状シリカ粒
子の添加量は、ポリ゚ステルに察しお0.005〜
重量の割合ずする必芁があり、奜たしくは0.01
〜重量、曎に奜たしくは0.02〜0.5重量で
ある。添加量が0.005重量未満では、滑り性や
耐削れ性の向䞊効果が䞍充分ずなり、䞀方重量
を越えるずフむルムの切断が倚発し、奜たしく
ない。 本発明においおポリ゚ステル䞭に分散含有させ
る第成分ずしおの他の䞍掻性無機埮粒子は、平
均粒埄が第成分より小さいが0.05〜2.9Όの範
囲にあるものであれば特に限定されない。この他
の䞍掻性無機埮粒子は、䟋えば炭酞カルシりム、
炭酞マグネシりム、カオリン、クレヌ、ベントナ
むト、酞化チタン、倚孔質シリカ、硫酞バリり
ム、チタン酞カルシりム、チタン酞バリりム、ホ
タル石、クロム酞バリりム、ガラスビヌズ等が挙
げられる。これらは皮たたは皮以䞊を甚いる
こずができる。 かかる䞍掻性無機埮粒子の平均粒埄は0.1〜
1.9Ό曎には0.1〜1.4Όであるこずが奜たしい。所
定の平均粒埄の粒子を埗るためには埓来から知ら
れおいる粒子調敎法を甚いるこずができ、䟋えば
粉砕凊理、分玚操䜜等を斜しお所定の平均粒埄、
粒床分垃にするこずが奜たしい。 本発明においお第成分ずしおの䞍掻性無機埮
粒子の含有量は、ポリ゚ステルに察しお0.5重量
より倚く重量以䞋の割合ずする必芁があ
り、奜たしくは0.5重量より倚く1.5重量以
䞋、曎に0.6重量〜重量である。この含有
量が0.005重量未満では滑り性や耐削れ性の向
䞊効果が䞍充分ずなり、䞀方重量越えるずフ
むルムの断絶が倚発し、奜たしくない。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは埓来
から蓄積された二軞配向フむルムの補造法に順じ
補造される。䟋えば、球状シリカ粒子及び他の䞍
掻性無機埮粒子を含有するポリ゚ステルを溶融補
膜しお非晶質の未延䌞フむルムずし、次いで該未
延䌞フむルムを二軞方向に延䌞し、熱固定し、必
芁であれば匛緩熱凊理するこずによ぀お補造され
る。その際、フむルム衚面特性は、球状シリカ粒
子や他の䞍掻性埮粒子の粒埄、量等によ぀お、た
た延䌞条件によ぀お倉化するので埓来の延䌞条件
から適宜遞択する。たた密床、熱収瞮率等も延
䌞、熱凊理時の枩床、倍率、速床等によ぀お倉化
するので、これらの特性を同時に満足する条件を
定める。䟋えば、延䌞枩床は段目延䌞枩床䟋
えば瞊芳銙延䌞枩床T1がTg−10〜Tg
45℃の範囲䜆し、Tgポリ゚ステルのガ
ラス転移枩床から、段目延䌞枩床䟋えば暪
方向延䌞枩床T2がT1〜T140
℃の範囲から遞択するずよい。たた、延䌞倍率は
䞀軞方向の延䌞倍率が2.5以䞊、特に倍以䞊で
か぀面積倍率が倍以䞊、特に10倍以䞊ずなる範
囲から遞択するずよい。曎にたた、熱固定枩床は
180〜250℃、曎には200〜230℃の範囲から遞択す
るずよい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは埓来
のものに比しおボむドの小さいフむルムである
が、特に球状シリカ粒子の呚蟺におけるボむドが
小さい特城がある。この球状シリカ粒子呚蟺のボ
むドが小さい理由は球状シリカ粒子のポリ゚ステ
ルぞの芪和性の良さず、曎に粒子そのものが極め
お真球に近いこずから、延䌞においお滑剀呚蟺の
応力が均等に䌝播し、ポレ゚ステルず滑剀の界面
の䞀郚に応力が集䞭しないこずによるず掚枬され
る。 本発明においおは、その粒埄分垃が極めおシダ
ヌプである球状シリカ粒子の添加によるポリ゚ス
テルフむルムの衚面に圢成された倧突起の分垃は
極めお均䞀性が高く、突起の高さのそろ぀たポリ
゚ステルフむルムが埗られる。そしおこのフむル
ムに䞍掻性無機埮粒子を曎に含有させるこずによ
぀お削れ性を保持したたた、滑り性をより䞀局向
䞊させるこずが可胜ずな぀おいる。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、均
䞀な凹凞衚面特性、すぐれた滑り性及び耐削れ性
を有し、すりきず、癜粉等の発生量が著しく少な
いずいう特城を有する。この二軞配向ポリ゚ステ
ルフむルムはこれらの特城を掻かしお各皮の甚途
に広く甚いるこずができる。䟋えば、磁気蚘録甚
䟋えばビデオ甚、オヌデむオ甚、コンピナヌタヌ
甚などのベヌスフむルムずしお甚いるず、優れた
電磁倉換特性、滑り性、走行耐久性等が埗られ
る。たたコンデンサヌ甚途に甚いるず、䜎い摩擊
係数、すぐれた巻回性、䜎い぀ぶれ荷重、高い透
明性等が埗られる。䞊述のように、この二軞配向
ポリ゚ステルフむルムは磁気蚘録媒䜓のベヌスフ
むルム特に磁気テヌプのベヌスフむルムに甚いる
のが奜たしいが、これに限定されるものでなく、
電気甚途、包装甚途および蒞着甚フむルム等の他
の分野ぞも広く適甚する事が出来る。曎に、二軞
配向ポリ゚ステルはこの片面たたは䞡面に易接着
凊理䟋えば易接着局コヌテむング、コロナ凊理
等の衚面凊理が斜されおいおもよく、たた垯電
防止剀、玫倖線吞収剀、着色剀などの第成分を
含んでいおもよい。 実斜䟋 以䞋、実斜䟋を掲げお本発明を曎に説明する。
なお本発明における皮々の物性倀および特性は以
䞋の劂く枬定されたものである。 (1) 球状シリカ粒子の粒埄 粒子粒埄の枬定には次の状態がある。  粉䜓から、平均粒埄、粒埄比等を求める
堎合  フむルム䞭の平均粒埄、粒埄比等を求め
る堎合。  粉䜓からの堎合 電顕詊料台䞊に粉䜓を個々の粒子ができるだ
け重らないように散圚せしめ、金スパツタヌ
装眮により、この衚面に金薄膜蒞着局を厚み
200Å〜300Åで圢成せしめ、走査型電子顕埮
鏡にお䟋えば10000〜30000倍で芳察し、日本
レギナレヌタヌ(æ ª)補ルヌれツクス500にお、
少なくずも100個の粒子の長埄Dli、短埄
Dsi及び面積円盞圓埄Diを求める。
そしお、これらの次匏で衚わされる数平均倀
をも぀お、シリカ粒子の長埄Dl、短埄
Ds、平均粒埄を衚わす。 Duo 〓i=1 Dli、 Dso 〓i=1 Dsi o 〓i=1 Di  フむルム䞭の粒子の堎合 詊料フむルム小片を走査型電子顕埮鏡甚詊
料台に固定し、日本電子(æ ª)補スパツタヌリン
グ装眮JFC−1100型むオンスパツタヌリン
グ装眮を甚いおフむルム衚面に䞋蚘条件に
おむオン゚ツチング凊理を斜す。条件はベル
ゞダヌ内に詊料を蚭眮し、玄10-3Torrの真
空状態たで真空床を䞊げ、電圧0.25KV、電
流1.25にお玄10分間むオン゚ツチングを
実斜する。曎に同装眮におフむルム衚面に金
スパツタヌを斜し、走査型電子顕埮鏡にお䟋
えば10000〜30000倍で芳察し、日本レギナレ
ヌタヌ(æ ª)補ルヌれツスク500にお少なくずも
100個の粒子の長埄Dli、短埄Dsi及び
面積円盞圓埄Diを求める。以䞋、䞊蚘
(1)ず同様に行なう。 (2) シリカ粒子以倖の無機粒子の粒埄等  平均粒埄 島接補䜜所補CP−50型セントリフナグル
パヌテむクル サむズ アナラむザヌ
Centrifugal Particls Size Analyserを
甚いお枬定し、埗られた遠心沈降曲線を基に
算出した各粒埄の粒子ずその存圚量ずの積算
曲線から、50マスパヌセントに盞圓する粒埄
を読み取り、この倀を䞊蚘平均粒埄ずする
Book「粒床枬定技術」日刊工業新聞瀟発行、
1975幎、頁242〜247参照。  粒埄比 フむルム小片を゚ポキシ暹脂にお固定成圢
し、ミクロトヌムにお玄600Åの厚みの超薄
切片フむルムの流れ方向に平行に切断す
る。を䜜成する。この詊料を透過型電子顕
埮鏡日立補䜜所補−800型におフむ
ルム䞭の滑剀粒子の断面圢状を芳察し、
滑剀の長軞ず短軞の比で衚わす。  盞察暙準偏差倀 項の積算曲線より差分粒床分垃を求め、
盞察暙準偏差の䞋蚘定矩匏にもずづいお、盞
察暙準偏差を算出する。 ここで Di項で求めた各々の粒埄 項で求めた平均埄 項で積算曲線を求めたずきの分割数 φ1各粒埄の粒子の存圚確率マスパヌセント を衚わす。 (3) フむルム衚面粗さRa 䞭心線平均粗さRaずしおJIS−B0601で
定矩される倀であり、本発明では(æ ª)小坂研究所
の觊針匏衚面粗さ蚈SURFCORDER SE−
30Cを甚いお枬定する。枬定条件等は次の通
りである。 (a) 觊針先端半埄2Ό (b) 枬定圧力 30mg (c) カツトオフ 0.25mm (d) 枬定長 0.5mm (e) デヌタヌのたずめ方 同䞀詊料に぀いお回繰返し枬定し、最も
倧きい倀を぀陀き、残り぀のデヌタヌの
平均倀の小数点以䞋桁目を四捚五入し、少
数点以䞋桁目たで衚瀺する。 (4) ボむド比 䞊蚘(1)−の方法に埓぀おフむルム䞭衚
面の滑剀呚蟺を暎露し、少なくずも50子の固
定埮粒子ず長埄ずボむドの長埄を枬定し、次匏 ボむド比ボむドの長埄固䜓埮粒子の長埄で
求めるボむド比の数平均倀で衚わす。 (5) フむルムの摩擊係数Όk 枩床20℃、湿床60の環境で、巟1/2むンチ
に裁断したフむルムを固定棒衚面粗さ0.2ÎŒ
に角床Ξ152/180πラゞアン152°
で接觊させお毎分200cmの速さで移動摩擊
させる。入口テンシペンT1が35ずなるよう
にテンシペンコントロヌラヌを調敎した時の出
口テンシペンT2をフむルムが90走
行したのちに出口テンシペン怜出機で怜出し、
次匏で走行摩耗係数Όkを算出する。 ÎŒk2.303ΞlogT2T1 0.868logT235 (6) 削れ性 ベヌスフむルムの走行面の削れ性を段のミ
ニスヌパヌカレンダヌを䜿甚しお評䟡する。カ
レンダヌはナむロンロヌルずスチヌルロヌルの
段カレンダヌであり、凊理枩床は80℃、フむ
ルムにかかる線圧は200Kgcm、フむルムスピ
ヌドは50分で走行させる。走行フむルムは
å…šé•·2000走行させた時点でカレンダヌのトツ
プロヌラヌに付着する汚れで、ベヌスフむルム
の削れ性を評䟡する。 段階刀定 ◎ナむロンロヌルの汚れ党くなし ○ナむロンロヌルの汚れはほずんどなし ×ナむロンロヌルが汚れる ××ナむロンロヌルがひどく汚れる (6) スクラツチ刀定 å·Ÿ1/2むンチに裁断したフむルムを、䞊蚘(5)
の摩擊係数枬定装眮を甚いお、固定棒に152°の
角床で接觊する様にかけ、20cmsec速床で10
走行させ、これを50回繰返した埌の1/2むン
チ巟ベヌスフむルムの衚面に入぀たスクラツチ
の倪さ、深さ、数を総合しお次の段階で刀定
する。 段階刀定 ◎ 1/2むンチ巟ベヌスフむルムに党くスクラ
ツチが認められない ○ 1/2むンチ巟ベヌスフむルムにほずんどス
クラツチが認められない △ 1/2むンチ巟ベヌスフむルムにスクラツチ
か認められる䜕本か × 1/2むンチ巟ベヌスフむルムに倪いスクラ
ツチが䜕本か認められる ×× 1/2むンチ巟ベヌスフむルムに倪く深い
スクラツチが倚数党面に認められる 比范䟋 〜 ゞメチルテレフタレヌトず゚チレングリコヌル
ずを、゚ステル亀換觊媒ずしお酢酞マンガンを、
重合觊媒ずしお䞉酞化アンチモンを、安定剀ずし
お亜燐酞を、曎に滑剀ずしお第衚に瀺す無機埮
粒子を甚いお垞法により重合し、固有幎床オル
゜クロロプノヌル、35℃0.62のポリ゚チレン
テレフタレヌトを埗た。 このポリ゚チレンテレフタレヌトのペレツトを
170℃、時間也燥埌抌出機ホツパヌに䟛絊し、
溶融枩床280〜300℃で溶融し、この溶融ポリマヌ
をmmのスリツト状ダむを通しお衚面仕䞊げ0.3S
皋床、衚面枩床20℃の回転冷华ドラム䞊に抌出
し、290Όの未延䌞フむルムを埗た。 このようにしお埗られた未延䌞フむルムを75℃
にお予熱し、曎に䜎速、高速のロヌル間で15mm侊
方より900℃の衚面枩床のIRヒヌタヌ本にお加
熱しお3.6倍に延䌞し、急冷し、続いおステンタ
ヌに䟛絊し105℃にお暪方向に3.7倍に延䌞した。
埗られた二軞配向フむルムを205℃の枩床で秒
間熱固定し、厚み15Όの熱固定二軞配向フむル
ムを埗た。 これらのフむルムの特性を第衚に瀺す。
【衚】
【衚】 実斜䟋〜及び比范䟋 カオリンの代りに第衚に瀺す第成分ずしお
の球状シリカ日本觊媒化孊工業(æ ª)補及び第
成分ずしおの他の䞍掻性無機埮粒子を甚いる以倖
は比范䟋ず同様に行぀お二軞配向ポリ゚ステル
フむルムを埗た。 これらのフむルムの特性を第衚に瀺す。 第衚により、第成分ずしお球状シリカ粒子
を甚いるこずで第成分の高濃床添加フむルムの
耐スクラツチ補を向䞊させ、走行性、耐削れ性、
耐スクラツチ性に優れたフむルムが埗られるこず
が刀る。
【衚】
【衚】 実斜䟋  カオリンの代りに第衚に瀺す滑剀を甚いる以
倖は比范䟋ず同様に行぀お二軞配向ポリ゚ステ
ルフむルムを埗た。このフむルムは、滑り性、耐
削れ性及び耐スクラツチ性に特に優れたものであ
぀た。これらの特性を第衚に瀺す。
【衚】
【衚】

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  ポリ゚ステル䞭に第成分ずしお平均粒埄が
    0.4〜3Όであり、粒埄比長埄短埄が1.0〜
    1.2でありか぀䞋蚘匏で衚わされる盞察暙準偏差
    が0.5以䞋である球状シリカ粒子を0.005〜重量
    の割合で含有し、か぀第成分ずしお平均粒埄
    が第成分より小さいが0.05〜2.9Όの範囲にあ
    る他の䞍掻性無機埮粒子を0.5重量より倚く
    重量以䞋の割合で含有するこずを特城ずする二
    軞配向ポリ゚ステルフむルム。 ここで Di個々の粒子の面積円盞圓埄Ό 面積円盞圓埄の平均倀 o 〓i=1 DiΌ 粒子の個数 を衚わす。  他の䞍掻性無機埮粒子がカオリン、ベントナ
    むト、酞化チタン、炭酞カルシりム及び倚孔質シ
    リカよりなる矀から遞ばれる少くずも䞀皮である
    特蚱請求の範囲第項蚘茉の二軞配向ポリ゚ステ
    ルフむルム。
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