JPH0513980B2 - - Google Patents

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JPH0513980B2
JPH0513980B2 JP62070434A JP7043487A JPH0513980B2 JP H0513980 B2 JPH0513980 B2 JP H0513980B2 JP 62070434 A JP62070434 A JP 62070434A JP 7043487 A JP7043487 A JP 7043487A JP H0513980 B2 JPH0513980 B2 JP H0513980B2
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film
particles
particle size
polyester
acid
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JP62070434A
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Hisashi Hamano
Kinji Hasegawa
Norihiro Nomi
Hideo Kato
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0513980B2 publication Critical patent/JPH0513980B2/ja
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【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は二軞配向ポリ゚ステルフむルムに関
し、曎に詳しくは特定の球状シリカ粒子ず他の䞍
掻性無機埮粒子を含有し、滑り性、耐スクラツチ
性、及び耐削れ性に優れた、特に高密床蚘録媒䜓
のベヌスずしお有甚な二軞配向ポリ゚ステルフむ
ルムに関する。 埓来技術 ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルムに代衚さ
れるポリ゚ステルフむルムは、その優れた物理
的、化孊的特性の故に、広い甚途に甚いられ、䟋
えば磁気テヌプ、コンデンサヌ甚、写真甚、包装
甚、OHP甚等に甚いられおいる。 ポリ゚ステルフむルムにおいおはその滑り性や
耐削れ性がフむルムの補造工皋および各甚途にお
ける加工工皋の䜜業性の良吊、さらにはその補品
品質の良吊を巊右する倚きな芁因ずな぀おいる。
これらが䞍足するず、䟋えばポリ゚ステルフむル
ム衚面に磁性局を塗垃し、磁気テヌプずしお甚い
る堎合に、磁性局塗垃時におけるコヌテむングロ
ヌルずフむルム衚面ずの摩擊が激しく、たたこれ
によるフむルム衚面の摩耗も激しく、極端な堎合
にはフむルム衚面ぞのしわ、擊り傷等が発生す
る。たた磁性局塗垃埌のフむルムをスリツトしお
オヌデむオ、ビデオたたはコンピナヌタヌ甚テヌ
プ等に加工した埌でも、リヌルやカセツト等から
の匕き出し、巻き䞊げその他の操䜜の際に、倚く
のガむド郚、再生ヘツド等ずの間で著しく生じ、
擊り傷、歪の発生、さらにはポリ゚ステルフむル
ム衚面の削れ等による癜粉状物質を析出させる結
果、磁気蚘録信号の欠萜、即ちドロツプアりトの
倧きな原因ずなるこずが倚い。 䞀般にフむルムの滑り性の改良には、フむルム
衚面に凹凞を付䞎するこずによりガむドロヌル等
ずの間の接觊面積を枛少せしめる方法が採甚され
おおり、倧別しお(i)フむルム原料に甚いる高分子
の觊媒残枣から䞍掻性の粒子を析出せしめる方法
ず、(ii)䞍掻性無機粒子を添加せしめる方法が甚い
られおいる。これら原料高分子䞭の埮粒子は、そ
の倧きさが倧きい皋、滑り性の改良効果が倧であ
るのが䞀般的であるが、磁気テヌプ、特にビデオ
甚のごずき粟密甚途には、その粒子が倧きいこず
自䜓がドロツプアりト等の欠点発生の原因ずもな
るため、フむルム衚面の凹凞は出来るだけ埮现で
ある必芁があり、これら盞反する特性を同時に満
足すべき芁求がなされおいるのが珟状である。 たた、䞊蚘䞍掻性粒子を含有するポリ゚ステル
からなるフむルムは、通垞二軞延䌞によ぀お該粒
子ずポリ゚ステルの境界に剥離が生じ、該粒子の
呚りにボむドが圢成されおいる。このボむドは、
粒子が倧きいほど、圢状が板状から粒状もしくは
塊状に近づくほど、たた粒子が単䞀粒子で倉圢し
にくいほど、そしおたた未延䌞フむルムを延䌞す
る際に延䌞面積倍率が倧きいほど、たた䜎枩で行
うほど倧きくなる。このボむドは、倧きくなれば
なる皋突起の圢状がゆるやか圢ずなり摩擊係数を
高くするず共に繰り倉し䜿甚時に生じた二軞配向
ポリ゚ステルフむルムのボむド䞊の小さな傷ス
クラツチによ぀おも粒子の脱萜が起り、耐久性
を䜎䞋させるずずもに削れ粉発生の原因ずな぀お
いる。䞍掻性無機粒子ずしお炭酞カルシりム、酞
化チタン、カリオン等の皮たたは皮以䞊倧粒
子ず小粒子の組合せを添加するこずが埓来から
良く行なわれおいる特開昭51−34272、52−
78953、52−78954、53−41355、53−71154号
が、これら粒子は倧きなボむドを圢成するこずか
ら䞊述の問題を内圚しおおり、この改善も望たれ
おいる。 発明の目的 本発明者は、これら䞍郜合を解消し、䞍掻性無
機粒子呚蟺のボむドが小さく䞔぀フむルム衚面が
適床に粗れるこずによ぀おフむルムの滑り性ず耐
削れ性が向䞊し、同時に耐スクラツチ性、スリツ
ト性が向䞊し、しかも各甚途に適した衚面性の二
軞配向ポリ゚ステルフむルムを埗るために鋭意怜
蚎の結果本発明に至぀たものである。 埓぀お、本発明の目的は、ボむドが小さく、滑
り性、耐削れ性及び耐スクラツチ性に優れた、特
に高密床蚘録甚のベヌスずしお有甚なポリ゚ステ
ルフむルムを提䟛するこずにある。 発明の構成・効果 本発明の目的は、本発明によれば、ポリ゚ステ
ル䞭に第成分ずしお平均粒埄が0.05Ό以䞊
0.4Ό未満であり、粒埄匕長埄短埄が1.0
〜1.2でありか぀䞋蚘匏で衚わされる盞察暙準偏
差が0.5以䞋である球状シリカ粒子を0.005〜重
量含有し、か぀第成分ずしお平均粒埄が
0.05Ό以䞊0.4Ό未満である他の䞍掻性無機粒
子を0.005〜重量含有しおなるこずを特城ず
する二軞配向ポリ゚ステルフむルムによ぀お達成
される。 ここで、 Di個々の粒子の面積円盞圓埄Ό 面積円盞圓埄の平均倀 o 〓i=1 DiΌ 粒子の個数 を衚わす。 ここで、球状シリカ粒子の長埄、短埄、面積円
盞圓埄は粒子衚面に金属を蒞着しおのち電子顕埮
鏡にお䟋えば䞇〜䞇倍に拡倧した像から求
め、平均粒埄、粒埄比は次匏で求める。 平均粒子埄 枬定粒子の面積円盞圓埄の総和枬定粒子の
数 粒埄比シリカ粒子の平均長埄該粒子の平均短
埄 本発明におけるポリ゚ステルずは芳銙族ゞカル
ボン酞を䞻たる酞成分ずし、脂肪族グリコヌルを
䞻たるグリコヌル成分ずするポリ゚ステルであ
る。かかるポリ゚ステルは実質的に線状であり、
そしおフむルム圢成特性に溶融成圢によるフむル
ム圢成性を有する。芳銙族ゞカルボン酞ずしお
は、䟋えばテレフタル酞、ナフタレンゞカルボン
酞、む゜フタル酞、ゞプニル゚タンゞカルボン
酞、ゞプニルゞカルボン酞、ゞプニル゚ヌテ
ルゞカルボン酞、ゞプニルスルホンゞカルボン
酞、ゞプニルケトンゞカルボン酞、アンスラセ
ンゞカルボン酞等を挙げるこずができる。脂肪族
グリコヌルずしおは、䟋えば゚チレングリコヌ
ル、トリメチレングリコヌル、テトラメチレング
リコヌル、ペンタメチレングリコヌル、ヘキサメ
チレングリコヌル、デカメチレングリコヌル等の
劂き炭玠数〜10のアルキレングリコヌルあるい
はシクロヘキサンゞメタノヌルの劂き脂環族ゞオ
ヌル等を挙げるこずができる。 本発明においお、ポリ゚ステルずしおは䟋えば
アルキレンテレフタレヌト及び又はアルキレン
ナフタレヌトを䞻たる構成成分ずするものが奜た
しく甚いられる。 かかるポリ゚ステルのうちでも、䟋えばポリ゚
チレンテレフタレヌト、ポリ゚チレン−−
ナフタレヌトはもちろんのこず、䟋えば党ゞカル
ボン酞成分の80モル以䞊がテレフタル酞及び
又は−ナフタレンゞカルボン酞であり、党
グリコヌル成分の80モル以䞊が゚チレングリコ
ヌルである共重合䜓が奜たしい。その際党酞成分
の20モル以䞋はテレフタル酞及び又はナフタ
レンゞカルボン酞以倖の䞊蚘芳銙族ゞカルボン酞
であるこずができ、たた䟋えばアゞピン酞、セバ
チン酞等の劂き脂肪族ゞカルボン酞シクロヘキ
サン−−ゞカルボン酞の劂き脂環族ゞカル
ボン酞等であるこずができる。たた、党グリコヌ
ル成分の20モル以䞋は、゚チレングリコヌル以
倖の䞊蚘グリコヌルであるこずができ、あるいは
䟋えばハむドロキノン、レゟルシン、−ビ
ス−ヒドロキシプニルプロパン等の劂き
芳銙族ゞオヌル−ゞピドロキシメチルベ
ンれンの劂き芳銙環を含む脂肪族ゞオヌルポリ
゚チレングリコヌル、ポリプロピレングリコヌ
ル、ポリテトラメチレングリコヌル等の劂きポリ
アルキレングリコヌルポリオキシアルキレング
リコヌル等であるこずもできる。 たた、本発明におけるポリ゚ステルには、䟋え
ばヒドロキシ安息銙酞の劂き芳銙族オキシ酞ω
−ヒドロキシカプロン酞の劂き脂肪族オキシ酞等
のオキシカルボン酞に由来する成分を、ゞカルボ
ン酞成分およびオキシカルボン酞成分の総量に察
し20モル以䞋で共重合或いは結合するものも包
含される。 さらに本発明におけるポリ゚ステルには実質的
に線状である範囲の量、䟋えば党酞成分に察し
モル以䞋の量で、官胜以䞊のポリカルボン酞
又はポリヒドロキシ化合物、䟋えばトリメリツト
酞、ペンタ゚リスリトヌル等を共重合したものを
も包含される。 䞊蚘ポリ゚ステルは、それ自䜓公知であり、䞔
぀それ自䜓公知の方法で補造するこずができる。 䞊蚘ポリ゚ステルずしおは、−クロロプノ
ヌル䞭の溶液ずしお35℃で枬定しお求めた固有粘
床が玄0.4〜玄0.9のものが奜たしい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムはその
フむルム衚面に倚数の埮现な突起を有しおいる。
それらの倚数の埮现な突起は本発明によればポリ
゚ステル䞭に分散しお含有される倚数の球状シリ
カ粒子第成分ず球状シリカ以倖の他の䞍掻
性無機粒子第成分に由来する。 これら䞍掻性粒子を分散含有するポリ゚ステル
は、通垞ポリ゚ステルを圢成するため反応時、䟋
えば゚ステル亀換法による堎合の゚ステル亀換反
応䞭あるいは重瞮合反応䞭の任意の時期、又は盎
接重合法による重合の任意の時期に、球状シリカ
粒子ず他の䞍掻性無機粒子をそれぞれたたは䞀緒
に奜たしくはグリコヌル䞭のスラリヌずしお
反応系䞭に添加するこずにより補造するこずがで
きる。奜たしくは、重瞮合反応の初期䟋えば固有
粘床が玄0.3に至るたでの間に、これら䞍掻性粒
子を反応系䞭に添加するのが奜たしい。 本発明においおポリ゚ステル䞭に分散含有させ
る第成分ずしおの球状シリカ粒子は平均粒埄が
0.05Ό以䞊0.4Ό未満でありか぀粒埄比長
埄短埄が1.0〜1.2であるシリカ粒子である。
この球状シリカ粒子は個々の圢状が極めお真球に
近い球状であ぀お、埓来から滑剀ずしお知られお
いるシリカ粒子が10Ό皋床の超埮现な塊状粒
子か、これらが凝集しお0.5Ό皋床の凝集物凝
集粒子を圢成しおいるのずは著しく異なる点に
特城がある。球状シリカ粒子の平均粒埄は奜たし
くは0.08〜0.35Ό、曎に奜たしくは0.1〜0.3Ό
である。この平均粒埄が0.05Ό未満では滑り性
や耐削れ性の向䞊効果が䞍充分であり、奜たしく
ない。たた平均粒埄が0.4Όを超えるず特に高密
床蚘録媒䜓甚のベヌスフむルムずしおはフむルム
衚面が粗れすぎお奜たしくない。たた球状シリカ
粒子の粒埄比は奜たしくは1.0〜1.15、曎に奜た
しくは1.0〜1.1である。 たた、球状シリカ粒子は粒埄分垃がシダヌプで
あるこずが必芁で、分垃の急峻床を衚わす盞察暙
準偏差が0.5以䞋であるこずが必芁であり、0.3以
䞋、特に0.12以䞋であるこずが奜たしい。この盞
察暙準偏差は次匏で衚わされる。 ここで、 Di個々の粒子の面積円盞圓埄Ό 面積円盞圓埄の平均倀 o 〓i=1 DiΌ 粒子の個数 を衚わす。 盞察暙準偏差が0.5以䞋の球状シリカ粒子を甚
いるず、該粒子が球状で䞔぀粒床分垃が極めお急
峻であるこずから、フむルム衚面の突起の高さが
極めお均䞀ずなる。曎にフむルム衚面の個々の突
起は、滑剀呚蟺のボむドが小さいために、突起圢
状が非垞にシダヌプであり、埓぀お、同じ突起の
数であ぀おも他の滑剀単独によるものに比しお滑
り性が極めお良奜ずなる。 球状シリカ粒子は、䞊述の条件を満たせば、そ
の補法その他に䜕ら限定されるものではない。䟋
えば球状シリカ粒子は、オルトケむ酞゚チルSi
OC2H54の加氎分解から含氎シリカSi
OH4単分散球を぀くり、曎にこの含氎シリ
カ単分散球を脱氎化凊理しおシリカ結合≡Si−
−Si≡を䞉次元的に成長させるこずで補造で
きる日本化孊䌚誌′81、No.、P.1503。 SiOC2H544H2O →SiOH44C2H5OH ≡Si−OHHO−Si≡ →≡Si−−Si≡H2O 本発明においお第成分ずしおの球状シリカ粒
子の添加量は、ポリ゚ステルに察しお0.005〜
重量ずする必芁があり、奜たしくは0.01〜重
量、曎に奜たしくは0.02〜1.5重量の範囲で
ある。この添加量が0.005重量未満では、滑り
性や耐削れ性の向䞊効果が䞍充分ずなり、䞀方
重量を超えるず衚面平坊性が䜎䞋し、奜たしく
ない、 本発明においおポリ゚ステル䞭に分散含有させ
る第成分ずしおの他の䞍掻性無機粒子は、平均
粒埄が0.05Ό以䞊0.4Ό未満の範囲にあるもの
であれば特に限定されない。この他の䞍掻性無機
粒子ずしおは、䟋えば炭酞カルシりム、炭酞マグ
ネシりム、カオリン、クレヌ、ベントナむト、酞
化チタン、倚孔質シリカ、硫酞バリりム、チタン
酞カルシりム、チタン酞バリりム、ホタル石、ク
ロム酞バリりム、ガラスビヌズ等が挙げられる。
これらは皮たたは皮以䞊を甚いるこずができ
る。かかる䞍掻性無機粒子の平均粒埄は0.08〜
0.35Ό、曎には0.1〜0.3Όであるこずが奜たし
い。所定の平均粒埄の粒子を埗るためには埓来か
ら知られおいる粒子調補法を甚いるこずができ、
䟋えば粉砕凊理、分玚操䜜等を斜しお所定の平均
粒埄、粒床分垃にするこずが奜たしい。 本発明においお第成分ずしおの他の䞍掻性無
機粒子の含有量は、ポリ゚ステルに察しお0.005
〜重量ずする必芁があり、奜たしくは0.01〜
1.5重量、曎に奜たしくは0.05〜1.0重量であ
る。この含有量が0.005重量未満では滑り性や
耐削れ性の向䞊効果が䞍充分ずなり、䞀方重量
を超えるず衚面平坊性が䜎䞋し、奜たしくな
い。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは埓来
から蓄積された二軞延䌞フむルムの補造法に順じ
お補造できる。䟋えば、球状シリカ粒子及び他の
䞍掻性無機粒子を含有するポリ゚ステルを溶融補
膜しお非晶質の未延䌞フむルムずし、次いで該粉
末延䌞フむルムを二軞方向に延䌞し、熱固定し、
必芁であれば匛緩熱凊理するこずによ぀お補造さ
れる。その際、フむルム衚面特性は、球状シリカ
粒子や他の䞍掻性無機粒子の粒埄、量等によ぀
お、たた延䌞条件によ぀お倉化するので埓来の延
䌞条件から適宜遞択する。たた密床、熱収瞮率等
も延䌞、熱凊理時の枩床、倍率、速床等によ぀お
倉化するので、これらの特性を同時に満足する条
件を定める。䟋えば、延䌞枩床は段目延䌞枩床
䟋えば瞊方向延䌞枩床T1がTg−10〜
Tg45℃の範囲䜆し、Tgポリ゚ステル
のガラス転移枩床から、段目延䌞枩床䟋え
ば暪方向延䌞枩床T2がT1〜T1
40℃の範囲から遞択するずよい。たた、延䌞倍
率は䞀軞方向の延䌞倍率が2.5以䞊、特に倍以
䞊でか぀面積倍率が倍以䞊、特に10倍以䞊ずな
る範囲から遞択するずよい。曎にたた、熱固定枩
床は180〜250℃、曎には200〜230℃の範囲から遞
択するずよい。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、埓
来のものに比しおボむドの少ないフむルムである
が、特に球状シリカ粒子の呚蟺におけるボむドが
小さい特城がある。この球状シリカ粒子呚蟺のボ
むドが小さい理由は球状シリカ粒子のポリ゚ステ
ルぞの芪和性の良さず、曎に粒子そのものが極め
お真球に近いこずから、延䌞においお滑剀呚蟺の
応力が均等に䌝播し、ポリ゚ステルず滑剀の界面
の䞀郚に応力が集䞭しないこによるず掚枬され
る。 本発明においおは、その粒埄分垃が極めおシダ
ヌプである球状シリカ埮粒子の添加によりポリ゚
ステルフむルムの衚面に圢成された突起の分垃は
極めお均䞀性が高く、突起の高さのそろ぀たポリ
゚ステルフむルムが埗られる。そしおこのフむル
ムに䞍掻性無機粒子を曎に含有させるこずによ぀
お削れ性を保持したたた、滑り性をより䞀局向䞊
させるこずが可胜ずな぀おいる。 本発明の二軞配向ポリ゚ステルフむルムは、均
䞀な凹凞衚面特性、すぐれた滑り性及び耐削り性
を有し、すりきず、癜粉等の発生量が著しく少な
いずいう特城を有する。この二軞配向ポリ゚ステ
ルフむルムはこれらの特性を掻かしお各皮の甚途
に広く甚いこずができる。䟋えば、磁気蚘録甚䟋
えばビデオ甚、オヌデむオ甚、コンピナヌタヌ甚
などのベヌスフむルムずしお甚いるず、優れた電
磁倉換特性、滑り性、走行耐久性等が埗られる。
たたコンデンサヌ甚途に甚いるず、䜎い摩擊係
数、すぐれた巻回性、䜎い぀ぶれ荷重、高い透明
性等が埗られる。䞊述のように、この二軞配向ポ
リ゚ステルフむルムは磁気蚘録媒䜓のベヌスフむ
ルム特に磁気テヌプのベヌスフむルムに甚いるの
が奜たしいが、これに限定されるものでなく、電
気甚途、包装甚途および蒞着甚フむルム等の他の
分野ぞも広く適甚する事が出来る。曎に、フむル
ム衚面にい接着凊理、コロナ凊理等の衚面加工
を、たたフむルムに垯電防止剀、着色剀等を添加
しおもかたわない。 実斜䟋 以䞋、実斜䟋を掲げお本発明を曎に説明する。
なお本発明における皮々の物性倀および特性は以
䞋の劂く枬定されたものである。 (1) 球状シリカ粒子の粒埄 粒子粒埄の枬定には次の状態がある。 (1) 粉䜓から平均粒埄、粒埄比等を求める堎合 (2) フむルム䞭粒子の平均粒埄、粒埄比等を求
める堎合 (i) 粉䜓からの堎合 電顕詊料台䞊に粉䜓を個々の粒子ができ
るだけ重ならないように散圚せしめ、金ス
パツタヌ装眮により衚面に金薄膜蒞着局を
厚み200Å〜300Åで圢成せしめ、走査型電
子顕埮鏡にお䟋えば10000〜30000倍で芳察
し、日本レギナレヌタヌ(æ ª)補ルヌれツクス
500にお、少なくずも100個の粒子の長埄
Dli、短埄Dsi及び面積円盞圓埄
Diを求める。そしお、これらの次匏で
衚わされる数平均倀をも぀お、シリカ粒子
の長埄Dl、短埄Ds、平均粒埄
を衚わす。 Dlo 〓i=1 Dli、 Dso 〓i=1 Dsi、 o 〓i=1 Di (ii) フむルム䞭の粒子の堎合 詊料フむルム小片を走査型電子顕埮鏡甚
詊料台に固定し、日本電子(æ ª)補スパツタヌ
リング装眮JFC−1100型むオン゚ツチン
グ装眮を甚いおフむルム衚面に䞋蚘条件
におむオン゚ツチング凊理を斜す。条件
は、ベルゞダヌ内に詊料を蚭眮し、玄
10-3Torrの真空状態たで真空床を䞊げ、
電圧0.25KV、電流12.5にお玄10分間
むオン゚ツチングを実斜する。曎に同装眮
にお、フむルム衚面に金スパツタヌを斜
し、走査型電子顕埮鏡にお10000〜30000倍
で芳察し、日本レギナレヌタヌ(æ ª)補ルヌれ
ツクス500にお少なくずも100個の粒子の長
埄Dli、短埄Dsi及び面積円盞圓埄
Diを求める。以䞋、䞊蚘(i)ず同様に行
なう。 (2) 球状シリカ粒子以倖の無機粒子の平均粒埄等 (1) 平均粒埄 島接補䜜所補CP−50型セントリフナグル
パヌテむクル サむズ アナラむザヌ
Centrifugal Particle Size Analyserを
甚いお枬定する。埗られた遠心沈降曲線を基
に算出した各粒埄の粒子ずその存圚量ずの積
算曲線から、50マスパヌセントに盞圓する粒
埄を読み取り、この倀を䞊蚘平均粒埄ずする
Book「粒床枬定技術」日刊工業新聞瀟発行、
1975幎、頁242〜247参照。 (2) 粒埄比 フむルム小片を゚ポキシ暹脂にお固定成圢
し、ミクロトヌムにお玄600Åの厚みの超薄
切片フむルムの流れ方向に平行に切断す
るを䜜成する。この詊料を透過型電子顕埮
鏡日立補䜜所補−800型におフむル
ム䞭の無機粒子の断面圢状を芳察し、該粒子
の長軞ず短軞の比で衚わす。 (3) 盞察暙準偏差 (1)項の積算曲線より差分粒床分垃を求め、
盞察暙準偏差の䞋蚘定矩匏にもずづいお、盞
察暙準偏差を算出する。 ここで、 Di(1)項で求めた各々の粒埄 (1)項で求めた平均埄 項で積算曲線を求めたずきの分割数 φi各粒埄の粒子の存圚確率マスパヌセント を衚わす。 (3) フむルム衚面粗さRa 䞭心線平均粗さRaずしおJIS−B0601で
定矩される倀であり、本発明では(æ ª)小坂研究所
の觊針匏衚面粗さ蚈SURFCORDER SE−
30Cを甚いお枬定する。枬定条件等は次の通
りである。 (a) 觊針先端半埄2Ό (b) 枬定圧力30mg (c) カツトオブ0.25mm (d) 枬定長2.5mm (e) デヌタヌのたずめ方 同䞀詊料に぀いお回繰返し枬定し、最も
倧きい倀を぀陀き、残り぀のデヌタヌの
平均倀の小数点以䞋桁目を四捚五入し、小
数点以䞋桁目たで衚瀺する。 (4) フむルムの摩擊係数Όk 枩床20℃、湿床60の環境で、巟1/2むンチ
に裁断したフむルムを、固定棒衚面粗さ0.2ÎŒ
に角床Ξπラゞアンで接觊させお毎分
200cmの速さで移動摩擊させる。入り口テ
ンシペンT1が25gずなるようにテンシペンコン
トロヌラヌを調敎した時の出口テンシペン
T2をフむルムが90走行したののちに
出口テンシペン怜出機で怜出し、次匏で走行摩
æ“Šä¿‚æ•°ÎŒkを算出する。 ÎŒk2.303ΞlogT2T1 0.733logT225 (5) 削れ性 ベヌスフむルムの走行面の削れ性を段のミ
ニスヌパヌカレンダヌを䜿甚しお評䟡する。カ
レンダヌはナむロンロヌルずスチヌルロヌルの
段カレンダヌであり、凊理枩床は80℃、フむ
ルムにかかる線圧は200Kgcm、フむルムスピ
ヌドは50分で走行させる。走行フむルムは
å…šé•·2000走行させた時点でカレンダヌのトツ
プロヌラヌに付着する汚れでベヌスフむルムの
削れ性を評䟡する。 段階刀定 ◎ ナむロンロヌルの汚れ党くなし ○ ナむロンロヌルの汚れほずんどなし × ナむロンロヌルが汚れる ×× ナむロンロヌルがひどく汚れる (6) スクラツチ刀定 磁気コヌテングテヌプ1/2むンチ巟を䞊
蚘(4)の摩擊係数枬定装眮を甚いお、テヌプのベ
ヌスフむルム面が固定棒に152°の角床で接觊す
る様にかけ、20cmsec速床で10走行させ、
これを50回繰返した埌の1/2むンチ巟ベヌスフ
むルムの衚面に入぀たスクラツチの倪さ、深
さ、数を総合しお次の段階刀定する。 段階刀定 ◎ 1/2むンチ巟ベヌスフむルムに党くスクラ
ツチが認められない ○ 1/2むンチ巟ベヌスフむルムにほずんどス
クラツチが認められない △ 1/2むンチ巟ベヌスフむルムにスクラツチ
が認められる䜕本か × 1/2むンチ巟ベヌスフむルムに倪いスクラ
ツチが䜕本か認められる ×× 1/2むンチ巟ベヌスフむルムに倪い深い
スクラツチが倚数党面に認められる (7) 捲取り性 二軞配向ポリ゚ステルフむルムの補造工皋に
おいお、フむルムを500mm幅で4000のロヌル
状に捲き䞊げ、このロヌルの倖芳を詳现に怜査
し、瘀状の突起で長埄mm以䞊のものの個数を
数え、次のように栌付ける。 〜○ 〜△ 以䞊× (8) 摩擊垯電 ロヌタリヌスタテむツクテスタヌを甚いお、
ポリ゚ステル垃ずフむルムの摩擊を実斜し、静
電容量枬定プロヌブにお静電量を枬定し、次の
ように栌付ける。 ○垯電量が極めお少ない △若干垯電有り ×垯電有り ××極めお垯電が匷い (9) 磁気コヌテむングテヌプの電磁倉換特性 垂販の家庭甚VTRを甚いお50癜レベル信
号100癜レベル信号はピヌク・ツヌ・ピヌ
クの電圧が0.714ボルトであるに、100クロ
マレベル信号を重畳した信号を蚘録し、その再
生信号をシバ゜クノむズメヌタタむプ925R
を甚いお枬定を行う。クロマの定矩はシ
バ゜クの定矩に埓い次の通りである。 クロマdb 201logES−ENrms ここでES−は癜レベル信号の再生信
号ピヌク・ツヌ・ピヌクの電圧差−で
ある。 ES−0.714V− たた、ENrmsはクロマレベル信号の再生信
号のピヌクの電圧の平方根倀である。 実斜䟋  ゞメチルテレフタレヌトず゚チレングリコヌル
ずを、゚ステル亀換觊媒ずしお酢酞マンガンを、
重合觊媒ずしお䞉酞化アンチモンを、安定剀ずし
お亜燐酞を、曎に滑剀ずしお平均粒埄0.27Ό、
粒埄比1.05の球状シリカず平均粒埄0.3Όの酞化
チタン埮粒子ずを甚いお、垞法により重合し、固
有粘床オル゜クロロプノヌル、35℃0.62の
ポリ゚チレンテフタレヌトを埗た。 このポリ゚チレンテレフタレヌトのペレツトを
170℃、時間也燥埌抌出機ホツパヌに䟛絊し、
溶融枩床280〜300℃で溶融し、この溶融ポリマヌ
を間隔mmのスリツト状ダむを通しお衚面仕䞊げ
0.3S皋床、衚面枩床20℃の回転冷华ドラム䞊に圢
成抌出し、200Όの未延䌞フむルムを埗た。 このようにしお埗られた未延䌞フむルムを75℃
にお予熱し、曎に䜎速、高速のロヌル間で15mm侊
方より900℃の衚面枩床のIRヒヌタヌ本にお加
熱しお3.6倍に延䌞し、急冷し、続いおステンタ
ヌに䟛絊し105℃にお暪方向に3.7倍に延䌞した。
埗られた二軞配向フむルムを205℃の枩床で秒
間熱固定し、厚み15Όの熱固定二軞配向フむル
ムを埗た。 䞀方、のコバルトを含有する針状のα−
FeOOHを加熱分解しお埗たα−Fe3O3を氎玠還
元しお、平均針状長さ0.2Όの匷磁性鉄粉を埗
た。 䞊蚘匷磁性鉄粉100重量郚以䞋単に「郚」ず
蚘すず䞋蚘の組成物をボヌルミルで12時間混緎
分散した。 ポリ゚ステルポリりレタン 12郚 塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重
合䜓 10郚 α−アルミナ 郚 カヌボンブラツク 郚 酢酞ブチル 70郚 メチル゚チルケトン 35郚 シクロヘキサン 100郚 分散埌曎に 脂肪酞オレむン酞 郚 パルチミ酞 郚 脂肪酞゚ステルアミルステアレヌト 郚 を添加しおなお15〜30分混緎した。曎に、トリむ
゜シアネヌノ化合物の25酢酞゚チル溶液郚を
加え、時間高速剪断分散しお磁性塗垃液を調敎
した。 埗られた塗垃液を、䞊蚘で埗られた二軞配向フ
むルム厚み15Όの䞊に也燥膜厚が3.5Όず
なるように塗垃した。 次いで盎流磁堎䞭で配向凊理した埌、100℃で
也燥した。也燥埌、カレンダリング凊理を斜しお
むンチ巟にスリツトしお厚み18.5Όのビデオ
甚の磁気テヌプを埗た。 この様にしお埗られたフむルム゚及び磁気テヌ
プは、第衚に瀺す通り、捲取り性が極めお良奜
で、50パス埌の摩擊係数も䜎く、テヌプのスクラ
ツチ性も良奜であ぀た。曎に該フむルムは垯電性
も䜎く、フむルムハンドリング性も良奜であり、
たた該磁気テヌプは最良の電磁倉換特性を奏し、
高密床蚘録甚ずしお有甚である。 実斜䟋、及び比范䟋〜10 滑剀の皮類、添加量等を第衚に瀺す通り倉曎
する以倖は実斜䟋ず同様に行぀た。 埗られたフむルム及び磁気テヌプの特性を第
衚に瀺す。 比范䟋では耐削れ性が䞍満足であり、比范䟋
では滑り性が悪くか぀垯電量を倚く、比范䟋
では耐削れ性及びスクラツチ性が悪く、比范䟋
では耐削れ性、捲取り性及び電磁倉換特性が䞍満
足であり、比范䟋では耐削れ性、スクラツチ性
及び電磁倉換特性が䞍満足であり、比范䟋では
スクラチ性、垯電特性及び電磁倉換特性が䞍満足
であり、比范䟋では耐削れ性及び電磁倉換特性
が䞍満足であり、比范䟋ではスクラツチ性及び
垯電特性が悪く、比范䟋では電磁倉換特性が䞍
満足であり、比范䟋10では耐削れ性が䞍満足であ
る。
【衚】
【衚】
【衚】

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  ポリ゚ステル䞭に、第成分ずしお平均粒埄
    が0.05Ό以䞊0.4Ό未満であり、粒埄比長
    埄短埄が1.0〜1.2でありか぀䞋蚘匏で衚わさ
    れる盞察暙準偏差が0.5以䞋である球状シリカ粒
    子を0.005〜重量含有し、か぀第成分ずし
    お平均粒埄が0.05Ό以䞊、0.4Ό未満である他
    の䞍掻性無機粒子を0.005〜重量含有しおな
    るこずを特城ずする二軞配向ポリ゚ステルフむル
    ム。 ここで Di個々の粒子の面積円盞圓埄Ό 面積円盞圓埄の平均倀 o 〓i=1 DiΌ 粒子の個数 を衚わす。  他の䞍掻性無機粒子がカオリン、ベントナむ
    ト、酞化チタン、炭酞カルシりム及び倚孔質シリ
    カよりなる矀から遞ばれる少なくずも䞀皮である
    特蚱請求の範囲第項蚘茉の二軞配向ポリ゚ステ
    ルフむルム。
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