JPH0513877A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0513877A JPH0513877A JP19262291A JP19262291A JPH0513877A JP H0513877 A JPH0513877 A JP H0513877A JP 19262291 A JP19262291 A JP 19262291A JP 19262291 A JP19262291 A JP 19262291A JP H0513877 A JPH0513877 A JP H0513877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inp
- semiconductor laser
- liquid phase
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩｎＰ系埋込型半導体レーザの漏れ電流を低
減し、高出力半導体レーザを得る。 【構成】 ＩｎＰ下クラッド層中にＡｌＧａＩｎＡｓ液
相成長ストッパ層を挿入する。 【効果】 電流ブロック層の精密な位置制御が可能とな
り、リークパスを狭くして漏れ電流を低減できる。
減し、高出力半導体レーザを得る。 【構成】 ＩｎＰ下クラッド層中にＡｌＧａＩｎＡｓ液
相成長ストッパ層を挿入する。 【効果】 電流ブロック層の精密な位置制御が可能とな
り、リークパスを狭くして漏れ電流を低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザおよびそ
の製造方法に関し、特に埋込型長波長半導体レーザの漏
れ電流制御に関するものである。
の製造方法に関し、特に埋込型長波長半導体レーザの漏
れ電流制御に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の埋込型長波長半導体レーザ
の構造を示す断面図であり、図において、１はｐ−Ｉｎ
Ｐ基板、２はｐ−ＩｎＰ下クラッド層で、厚みは２．０
μｍ、５はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層で、幅は
１．３μｍ，厚みは０．１３μｍ、６はｎ−ＩｎＰ上ク
ラッド層で、厚みは２．０μｍ、７はｎ−ＩｎＰ電流ブ
ロック層、８はｐ−ＩｎＰ電流ブロック層、９はｎ−Ｉ
ｎＰ層、１０はｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１１
はｐ側電極、１２はｎ側電極、１３はｐ−ＩｎＰ埋込
層、１４はリークパス（漏れ電流通路）である。なお、
図４において、該半導体レーザの幅は３００μｍ，厚み
は１１０μｍ，奥行きは９００μｍである。
の構造を示す断面図であり、図において、１はｐ−Ｉｎ
Ｐ基板、２はｐ−ＩｎＰ下クラッド層で、厚みは２．０
μｍ、５はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層で、幅は
１．３μｍ，厚みは０．１３μｍ、６はｎ−ＩｎＰ上ク
ラッド層で、厚みは２．０μｍ、７はｎ−ＩｎＰ電流ブ
ロック層、８はｐ−ＩｎＰ電流ブロック層、９はｎ−Ｉ
ｎＰ層、１０はｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１１
はｐ側電極、１２はｎ側電極、１３はｐ−ＩｎＰ埋込
層、１４はリークパス（漏れ電流通路）である。なお、
図４において、該半導体レーザの幅は３００μｍ，厚み
は１１０μｍ，奥行きは９００μｍである。
【０００３】次に、この半導体レーザの製造フローにつ
いて説明する。図５は図４に示した半導体レーザの製造
工程を示した断面図である。まず、図５(a)に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ基板１上へｐ−ＩｎＰ下クラッド層２，
アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５，ｎ−ＩｎＰ上クラ
ッド層６を結晶成長させる。この結晶成長方法は、液相
成長法（ＬＰＥ）でも有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）でも良い。続いて、レジストを塗布し、パターニン
グした後、レジストをマスクとしてブロムメタノールを
用いてエッチングを行い、その後、レジストを除去して
図５(b) に示すメサ構造を形成する。この時のアンドー
プＩｎＧａＡｓＰ活性層５の幅は１．３μｍ前後であ
る。次に、液相成長法によりｐ−ＩｎＰ埋込層１３，ｎ
−ＩｎＰ電流ブロック層７，ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層
８，ｎ−ＩｎＰ層９，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
１０を連続成長させる。この液相成長の際に、成長条件
をうまく選ぶと（実際には各層に対応する各融液の過飽
和度の調整，成長時間の調整）、図５(c) に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ埋込層１３，ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
７，ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層８はメサの側面にのみ成
長して、メサの上には成長せず、ｎ−ＩｎＰ層９，ｎ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０はメサの上に成長する
ようにできる。これは液相成長法のみによって可能で、
有機金属気相成長法等の他の結晶成長方法では不可能で
ある。次に、蒸着により、ｐ側電極１１，ｎ側電極１２
を形成して図５(d) に示した構造ができあがる。
いて説明する。図５は図４に示した半導体レーザの製造
工程を示した断面図である。まず、図５(a)に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ基板１上へｐ−ＩｎＰ下クラッド層２，
アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５，ｎ−ＩｎＰ上クラ
ッド層６を結晶成長させる。この結晶成長方法は、液相
成長法（ＬＰＥ）でも有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）でも良い。続いて、レジストを塗布し、パターニン
グした後、レジストをマスクとしてブロムメタノールを
用いてエッチングを行い、その後、レジストを除去して
図５(b) に示すメサ構造を形成する。この時のアンドー
プＩｎＧａＡｓＰ活性層５の幅は１．３μｍ前後であ
る。次に、液相成長法によりｐ−ＩｎＰ埋込層１３，ｎ
−ＩｎＰ電流ブロック層７，ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層
８，ｎ−ＩｎＰ層９，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
１０を連続成長させる。この液相成長の際に、成長条件
をうまく選ぶと（実際には各層に対応する各融液の過飽
和度の調整，成長時間の調整）、図５(c) に示すよう
に、ｐ−ＩｎＰ埋込層１３，ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
７，ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層８はメサの側面にのみ成
長して、メサの上には成長せず、ｎ−ＩｎＰ層９，ｎ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０はメサの上に成長する
ようにできる。これは液相成長法のみによって可能で、
有機金属気相成長法等の他の結晶成長方法では不可能で
ある。次に、蒸着により、ｐ側電極１１，ｎ側電極１２
を形成して図５(d) に示した構造ができあがる。
【０００４】次に、動作について説明する。ｐ側電極１
１とｎ側電極１２の間に順方向電圧を印加する。この
時、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７とｐ−ＩｎＰ電流ブロ
ック層８より形成されるｐｎ接合は逆バイアスとなるの
で、この接合部を通って流れる電流はほとんどない。従
って、電流の大部分はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
５とリークパス１４を流れる。アンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層５と上下クラッド層６，２はいわゆるダブルヘ
テロ接合をなしているので、アンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性層５に注入された電流は効率良く光に変換され、レ
ーザ発振が生じる。一方、リークパス１４を通る電流は
発光に寄与しない漏れ電流となる。半導体レーザの高出
力動作を可能とするにはリークパス１４の幅を狭くし、
このような漏れ電流を減らして電流をアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層５に集中させる必要があるが、リークパ
ス１４を狭くしすぎてｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７がｎ
−ＩｎＰ上クラッド層６に接してしまうと電流はｎ−Ｉ
ｎＰ上クラッド層６，アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
５，ｐ−ＩｎＰ下クラッド層２を通るよりも抵抗の小さ
いｎ−ＩｎＰ上クラッド層６，ｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層７，ｐ−ＩｎＰ埋込層１３を通りやすくなる。
１とｎ側電極１２の間に順方向電圧を印加する。この
時、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７とｐ−ＩｎＰ電流ブロ
ック層８より形成されるｐｎ接合は逆バイアスとなるの
で、この接合部を通って流れる電流はほとんどない。従
って、電流の大部分はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
５とリークパス１４を流れる。アンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層５と上下クラッド層６，２はいわゆるダブルヘ
テロ接合をなしているので、アンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性層５に注入された電流は効率良く光に変換され、レ
ーザ発振が生じる。一方、リークパス１４を通る電流は
発光に寄与しない漏れ電流となる。半導体レーザの高出
力動作を可能とするにはリークパス１４の幅を狭くし、
このような漏れ電流を減らして電流をアンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層５に集中させる必要があるが、リークパ
ス１４を狭くしすぎてｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７がｎ
−ＩｎＰ上クラッド層６に接してしまうと電流はｎ−Ｉ
ｎＰ上クラッド層６，アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
５，ｐ−ＩｎＰ下クラッド層２を通るよりも抵抗の小さ
いｎ−ＩｎＰ上クラッド層６，ｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層７，ｐ−ＩｎＰ埋込層１３を通りやすくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザは
以上のように構成されているので、高出力化を図るには
リークパス１４を狭くし、しかもｎ−ＩｎＰ上クラッド
層６とｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７が接しないようにす
る必要があった。しかし、液相成長法でリークパス１４
を精密に制御することは非常に難しく、ウェハ内でのバ
ラツキ，ウェハ間のバラツキが大きいので、歩留が良く
高出力動作の可能な半導体レーザを作製することは困難
であるという問題点があった。
以上のように構成されているので、高出力化を図るには
リークパス１４を狭くし、しかもｎ−ＩｎＰ上クラッド
層６とｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７が接しないようにす
る必要があった。しかし、液相成長法でリークパス１４
を精密に制御することは非常に難しく、ウェハ内でのバ
ラツキ，ウェハ間のバラツキが大きいので、歩留が良く
高出力動作の可能な半導体レーザを作製することは困難
であるという問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、歩留が良く高出力動作の可能な
半導体レーザを得ることを目的としており、さらにこの
半導体レーザに適した製造方法を提供することを目的と
する。
ためになされたもので、歩留が良く高出力動作の可能な
半導体レーザを得ることを目的としており、さらにこの
半導体レーザに適した製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザは、下クラッド層中にＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ス
トッパ層を設けたものである。
ーザは、下クラッド層中にＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ス
トッパ層を設けたものである。
【０００８】さらにこの発明に係る半導体レーザの製造
方法は、前記ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ストッパ層を、
電流ブロック層の液相成長の際の液相成長ストッッパ層
として用いるものである。
方法は、前記ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ストッパ層を、
電流ブロック層の液相成長の際の液相成長ストッッパ層
として用いるものである。
【０００９】
【作用】この発明における液相成長ストッパ層はＡｌＧ
ａＩｎＡｓより構成され、液相成長工程において、ｎ−
ＩｎＰ電流ブロック層の成長をストップさせる。また、
この構造ではリークパスは活性層とＡｌＧａＩｎＡｓ液
相成長ストッパ層の間隔となるが、この間隔は１回目の
結晶成長時に精密に制御することが可能であり、歩留良
くリークパスの狭い高出力半導体レーザを得ることがで
きる。
ａＩｎＡｓより構成され、液相成長工程において、ｎ−
ＩｎＰ電流ブロック層の成長をストップさせる。また、
この構造ではリークパスは活性層とＡｌＧａＩｎＡｓ液
相成長ストッパ層の間隔となるが、この間隔は１回目の
結晶成長時に精密に制御することが可能であり、歩留良
くリークパスの狭い高出力半導体レーザを得ることがで
きる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による半導体レーザの
構造を示す断面図であり、図において、１はｐ−ＩｎＰ
基板、２はｐ−ＩｎＰ下クラッド層、３はｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ液相成長ストッパ層、４はｐ−ＩｎＰ第２下ク
ラッド層、５はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、６は
ｎ−ＩｎＰ上クラッド層、７はｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層、８はｐ−ＩｎＰ電流ブロック層、９はｎ−ＩｎＰ
層、１０はｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１１はｐ
側電極、１２はｎ側電極、１４はリークパスである。
する。図１はこの発明の一実施例による半導体レーザの
構造を示す断面図であり、図において、１はｐ−ＩｎＰ
基板、２はｐ−ＩｎＰ下クラッド層、３はｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＡｓ液相成長ストッパ層、４はｐ−ＩｎＰ第２下ク
ラッド層、５はアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層、６は
ｎ−ＩｎＰ上クラッド層、７はｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層、８はｐ−ＩｎＰ電流ブロック層、９はｎ−ＩｎＰ
層、１０はｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、１１はｐ
側電極、１２はｎ側電極、１４はリークパスである。
【００１１】次に、この半導体レーザの製造フローにつ
いて述べる。まず、図２(a) に示すように、ｐ−ＩｎＰ
基板１上にｐ−ＩｎＰ下クラッド層２，ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ液相成長ストッパ層３，ｐ−ＩｎＰ第２下クラッ
ド層４，アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５，ｎ−Ｉｎ
Ｐ上クラッド層６を連続して成長させる。なお、ＡｌＧ
ａＩｎＡｓは組成をうまく選ぶとＩｎＰと格子整合可能
である。続いて、ブロムメタノールを用いて図２(b) に
示すようなメサ構造を形成する。
いて述べる。まず、図２(a) に示すように、ｐ−ＩｎＰ
基板１上にｐ−ＩｎＰ下クラッド層２，ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ液相成長ストッパ層３，ｐ−ＩｎＰ第２下クラッ
ド層４，アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層５，ｎ−Ｉｎ
Ｐ上クラッド層６を連続して成長させる。なお、ＡｌＧ
ａＩｎＡｓは組成をうまく選ぶとＩｎＰと格子整合可能
である。続いて、ブロムメタノールを用いて図２(b) に
示すようなメサ構造を形成する。
【００１２】次に、図２（ｃ）に示すようにｎ−ＩｎＰ
電流ブロック層７，ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層８，ｎ−
ＩｎＰ層９，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０の各
層を液相成長させる。この際まず、ｎ−ＩｎＰ電流ブロ
ック層７を成長させるが、液相成長の特徴として、メサ
側面の上部、即ちｎ−ＩｎＰ上クラッド層６側面あたり
への成長速度は遅く、メサ側面の下部、即ちｐ−ＩｎＰ
下クラッド層２側面、及び平坦なｎ−ＩｎＰ基板１上へ
の成長速度は速い。従って、一般的には図３(a) に示す
ように成長初期ではメサ側面の上部にはｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層７が薄く成長するだけである。しかし、成長
時間を増しても図３(b) に示すように、ｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層７のメサ側面の上部での成長は進まず、メサ
側面の下部において成長しているｎ−ＩｎＰ電流ブロッ
ク層７の膜厚が増すだけである。さらに、成長条件を適
当に選ぶとｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７はメサ側面の上
部にはほとんど成長しない。
電流ブロック層７，ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層８，ｎ−
ＩｎＰ層９，ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０の各
層を液相成長させる。この際まず、ｎ−ＩｎＰ電流ブロ
ック層７を成長させるが、液相成長の特徴として、メサ
側面の上部、即ちｎ−ＩｎＰ上クラッド層６側面あたり
への成長速度は遅く、メサ側面の下部、即ちｐ−ＩｎＰ
下クラッド層２側面、及び平坦なｎ−ＩｎＰ基板１上へ
の成長速度は速い。従って、一般的には図３(a) に示す
ように成長初期ではメサ側面の上部にはｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層７が薄く成長するだけである。しかし、成長
時間を増しても図３(b) に示すように、ｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層７のメサ側面の上部での成長は進まず、メサ
側面の下部において成長しているｎ−ＩｎＰ電流ブロッ
ク層７の膜厚が増すだけである。さらに、成長条件を適
当に選ぶとｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７はメサ側面の上
部にはほとんど成長しない。
【００１３】ところで、ｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長
ストッパ層３の側面は、メサ形成終了後、空気にさらさ
れて表面が酸化されている（Ａｌを含む材料は極めて酸
化されやすく、空中に放置させるだけで表面が酸化す
る）。酸化された表面にはｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７
は極めて成長しにくく、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７が
メサ下部から成長してきてｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成
長ストッパ層３に達すると、このｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ
液相成長ストッパ層３より上へは伸びないで、メサから
離れた平坦なｎ−ＩｎＰ基板１から成長してきた層の厚
みのみが増す。成長時間が長くなると、ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ液相成長ストッパ層３の側面より上部にもｎ−Ｉ
ｎＰ電流ブロック層７が成長して、時間とともにその成
長は伸びる。しかし、ある一定の時間はｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層７の位置は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長
ストッパ層３の側面より下部の位置に固定される。この
ようなストッパ層の効果によって、ｎ−ＩｎＰ電流ブロ
ック層７の成長時間を適度な値に設定すると、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上から成長してきたｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
７の位置は再現性良くｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ス
トッパ層３を挟んで上部および下部にもってこれる。次
に蒸着によりｐ側電極１１，ｎ側電極１２を形成する
と、図２（ｄ）に示した半導体レーザが完成する。
ストッパ層３の側面は、メサ形成終了後、空気にさらさ
れて表面が酸化されている（Ａｌを含む材料は極めて酸
化されやすく、空中に放置させるだけで表面が酸化す
る）。酸化された表面にはｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７
は極めて成長しにくく、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層７が
メサ下部から成長してきてｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成
長ストッパ層３に達すると、このｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ
液相成長ストッパ層３より上へは伸びないで、メサから
離れた平坦なｎ−ＩｎＰ基板１から成長してきた層の厚
みのみが増す。成長時間が長くなると、ｐ−ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ液相成長ストッパ層３の側面より上部にもｎ−Ｉ
ｎＰ電流ブロック層７が成長して、時間とともにその成
長は伸びる。しかし、ある一定の時間はｎ−ＩｎＰ電流
ブロック層７の位置は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長
ストッパ層３の側面より下部の位置に固定される。この
ようなストッパ層の効果によって、ｎ−ＩｎＰ電流ブロ
ック層７の成長時間を適度な値に設定すると、ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上から成長してきたｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
７の位置は再現性良くｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ス
トッパ層３を挟んで上部および下部にもってこれる。次
に蒸着によりｐ側電極１１，ｎ側電極１２を形成する
と、図２（ｄ）に示した半導体レーザが完成する。
【００１４】次に動作について説明する。電極１１，１
２間に順方向電圧をかけると、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層７とｐ−ＩｎＰ電流ブロック層８より構成されるｐｎ
接合は逆バイアスとなり、電流は流れず、アンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層５及びリークパス１４を通る。この
場合のリークパス１４の膜厚はｐ−ＩｎＰ第２下クラッ
ド層４の厚みに相当し、有機金属気相成長法を用いれ
ば、このリークパス１４の膜厚を精密に制御できる。従
って、ｐ−ＩｎＰ第２下クラッド層厚を狭くすることに
より、リーク電流を減らして半導体レーザの高出力化が
図れる。
２間に順方向電圧をかけると、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック
層７とｐ−ＩｎＰ電流ブロック層８より構成されるｐｎ
接合は逆バイアスとなり、電流は流れず、アンドープＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層５及びリークパス１４を通る。この
場合のリークパス１４の膜厚はｐ−ＩｎＰ第２下クラッ
ド層４の厚みに相当し、有機金属気相成長法を用いれ
ば、このリークパス１４の膜厚を精密に制御できる。従
って、ｐ−ＩｎＰ第２下クラッド層厚を狭くすることに
より、リーク電流を減らして半導体レーザの高出力化が
図れる。
【００１５】なお、上記実施例では、ｐ−ＩｎＰを基板
とした半導体レーザを例にあげて説明したが、ｎ−Ｉｎ
Ｐを基板とした埋込型半導体レーザでも同様の効果が期
待できる。
とした半導体レーザを例にあげて説明したが、ｎ−Ｉｎ
Ｐを基板とした埋込型半導体レーザでも同様の効果が期
待できる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
レーザおよびその製造方法によれば、ＡｌＧａＩｎＡｓ
液相成長ストッパ層を下クラッド層中に挿入したことに
より、液相成長の際の電流ブロック層の液相成長を制御
するようにしたので、リークパス幅の精密な制御が可能
となり、漏れ電流を減らして高出力化が図れるという効
果がある。
レーザおよびその製造方法によれば、ＡｌＧａＩｎＡｓ
液相成長ストッパ層を下クラッド層中に挿入したことに
より、液相成長の際の電流ブロック層の液相成長を制御
するようにしたので、リークパス幅の精密な制御が可能
となり、漏れ電流を減らして高出力化が図れるという効
果がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザの断面構
造図である。
造図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体レーザの製造フ
ロー図である。
ロー図である。
【図３】電流ブロック層の成長過程を示す図である。
【図４】従来の半導体レーザの断面構造図である。
【図５】従来の半導体レーザの製造フロー図である。
１ ｐ−ＩｎＰ基板
２ ｐ−ＩｎＰ下クラッド層
３ ｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓ液相成長ストッパ層
４ ｐ−ＩｎＰ第２下クラッド層
５ アンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
６ ｎ−ＩｎＰ上クラッド層
７ ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層
８ ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層
９ ｎ−ＩｎＰ層
１０ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層
１１ ｐ側電極
１２ ｎ側電極
１４ リークパス
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩｎＰを基板とし、ＩｎＰをクラッド層
とする埋込型半導体レーザにおいて、 下クラッド層は、ＩｎＰと格子整合するＡｌＧａＩｎＡ
ｓ層をその層中に有することを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項２】 ＩｎＰを基板とし、ＩｎＰをクラッド層
とし、かつ下クラッド層はＡｌＧａＩｎＡｓ層をその層
中に有する埋込型半導体レーザを製造する方法におい
て、 ＡｌＧａＩｎＡｓ層を電流ブロック層の液相成長の際の
液相成長ストッパ層として用いることを特徴とする半導
体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19262291A JPH0513877A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19262291A JPH0513877A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513877A true JPH0513877A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16294320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19262291A Pending JPH0513877A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513877A (ja) |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP19262291A patent/JPH0513877A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61190993A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| US5748659A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS58216486A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JP2001210911A (ja) | 半導体レーザとその製造方法及び半導体レーザを用いた光モジュール及び光通信システム | |
| JPH08250801A (ja) | 半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JPH0513877A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0945999A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| JP2629678B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPS63124484A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0513876A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2932690B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH05226774A (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JP2860207B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH07131110A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS5956783A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH07120836B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05190970A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0936475A (ja) | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 | |
| JPS63220588A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH05226767A (ja) | 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH05235477A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH088482A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS60163489A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05136525A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 |