JPH05121536A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPH05121536A JPH05121536A JP30836491A JP30836491A JPH05121536A JP H05121536 A JPH05121536 A JP H05121536A JP 30836491 A JP30836491 A JP 30836491A JP 30836491 A JP30836491 A JP 30836491A JP H05121536 A JPH05121536 A JP H05121536A
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- silicon
- oxide film
- silicon oxide
- nitride film
- silicon nitride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属配線の段切れが生じない高耐圧素子を含
む半導体集積回路の製造方法を提供すること。 【構成】 誘電体分離型半導体基板５の表面にシリコン
成長層２、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４を順次
形成し（工程Ａ）、次に、シリコン窒化膜４を選択エッ
チングし、シリコン酸化膜３を露出させた後（工程
Ｂ）、シリコン窒化膜４をマスクとして基板５表面を選
択酸化し、選択酸化された部分が分離シリコン酸化膜９
に達するようにする（工程Ｃ）。その後、シリコン窒化
膜４を全面除去し、不純物を選択拡散し、単結晶シリコ
ン島１内に不純物拡散層８の領域を形成した後、金属配
線７を設ける（工程Ｄ）。 【効果】 分離シリコン酸化膜３上にくぼみが生ぜず、
従って、金属配線の段切れが生じない効果が生ずる。ま
た、シリコン成長層２の不純物濃度を最初の単結晶シリ
コン島１の不純物濃度より高くすることによって、表面
リーク電流の少ない素子を形成することができる。
む半導体集積回路の製造方法を提供すること。 【構成】 誘電体分離型半導体基板５の表面にシリコン
成長層２、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４を順次
形成し（工程Ａ）、次に、シリコン窒化膜４を選択エッ
チングし、シリコン酸化膜３を露出させた後（工程
Ｂ）、シリコン窒化膜４をマスクとして基板５表面を選
択酸化し、選択酸化された部分が分離シリコン酸化膜９
に達するようにする（工程Ｃ）。その後、シリコン窒化
膜４を全面除去し、不純物を選択拡散し、単結晶シリコ
ン島１内に不純物拡散層８の領域を形成した後、金属配
線７を設ける（工程Ｄ）。 【効果】 分離シリコン酸化膜３上にくぼみが生ぜず、
従って、金属配線の段切れが生じない効果が生ずる。ま
た、シリコン成長層２の不純物濃度を最初の単結晶シリ
コン島１の不純物濃度より高くすることによって、表面
リーク電流の少ない素子を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体分離技術を用い
た高耐圧素子を含む半導体集積回路の製造方法に関し、
特に、金属配線の段切れが生じない高耐圧素子を含む半
導体集積回路の製造方法に関する。
た高耐圧素子を含む半導体集積回路の製造方法に関し、
特に、金属配線の段切れが生じない高耐圧素子を含む半
導体集積回路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種半導体集積回路の製造方法
を図２に基づいて説明する。図２は、従来例の工程順断
面図であって、従来の半導体集積回路は、工程Ａに示す
誘電体分離型半導体基板１５（これは、多結晶シリコン
１６中に分離シリコン酸化膜１９を介して単結晶シリコ
ン島１１が埋込まれ、この単結晶シリコン島１１の一部
が表面に露出した構造の誘電体分離型半導体基板１５で
ある。）を用い、工程Ｂに示すように、主表面を酸化
し、シリコン酸化膜１３を形成する。このシリコン酸化
膜１３は、高耐圧を実現するために十分な厚さを必要と
する。例えば、耐圧が４００Ｖ必要な場合、膜厚として
約３〜４μｍの厚さが必要となる。
を図２に基づいて説明する。図２は、従来例の工程順断
面図であって、従来の半導体集積回路は、工程Ａに示す
誘電体分離型半導体基板１５（これは、多結晶シリコン
１６中に分離シリコン酸化膜１９を介して単結晶シリコ
ン島１１が埋込まれ、この単結晶シリコン島１１の一部
が表面に露出した構造の誘電体分離型半導体基板１５で
ある。）を用い、工程Ｂに示すように、主表面を酸化
し、シリコン酸化膜１３を形成する。このシリコン酸化
膜１３は、高耐圧を実現するために十分な厚さを必要と
する。例えば、耐圧が４００Ｖ必要な場合、膜厚として
約３〜４μｍの厚さが必要となる。
【０００３】次に、工程Ｃに示すように、シリコン酸化
膜１３の一部をエッチングし、最後に、工程Ｄに示すよ
うに、単結晶シリコン島１１の露出面に選択拡散法によ
り不純物を拡散して不純物拡散層１８（回路素子）を形
成し、この不純物拡散層１８（回路素子）間に金属配線
１７を施して半導体集積回路を製造している。
膜１３の一部をエッチングし、最後に、工程Ｄに示すよ
うに、単結晶シリコン島１１の露出面に選択拡散法によ
り不純物を拡散して不純物拡散層１８（回路素子）を形
成し、この不純物拡散層１８（回路素子）間に金属配線
１７を施して半導体集積回路を製造している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記半導体
集積回路の製造方法は、工程Ｂに示すように、熱酸化に
よって表面にシリコン酸化膜１３を形成する際、分離シ
リコン酸化膜１９の上に成長するシリコン酸化膜１３
は、他の部分に比べて非常に薄くなるため、表面のシリ
コン酸化膜１３にくぼみ２０が生じ、その結果、金属配
線１７の段切れが生じ易いという欠点があった。
集積回路の製造方法は、工程Ｂに示すように、熱酸化に
よって表面にシリコン酸化膜１３を形成する際、分離シ
リコン酸化膜１９の上に成長するシリコン酸化膜１３
は、他の部分に比べて非常に薄くなるため、表面のシリ
コン酸化膜１３にくぼみ２０が生じ、その結果、金属配
線１７の段切れが生じ易いという欠点があった。
【０００５】そこで、本発明は、上記欠点を解消する半
導体集積回路の製造方法を提供することを目的とし、詳
細には、分離シリコン酸化膜上にくぼみが生ぜず、金属
配線の段切れが生じない半導体集積回路の製造方法を提
供することを目的とする。
導体集積回路の製造方法を提供することを目的とし、詳
細には、分離シリコン酸化膜上にくぼみが生ぜず、金属
配線の段切れが生じない半導体集積回路の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、基板
表面にシリコン成長層を形成した後、シリコン窒化膜を
マスクとした選択酸化法を用いることを特徴とするもの
であり、これによって、上記目的とする半導体集積回路
の製造方法を提供するものである。
表面にシリコン成長層を形成した後、シリコン窒化膜を
マスクとした選択酸化法を用いることを特徴とするもの
であり、これによって、上記目的とする半導体集積回路
の製造方法を提供するものである。
【０００７】即ち、本発明は、複数個の単結晶シリコン
島が第１のシリコン酸化膜を介して該単結晶シリコン島
の一面が露出する状態で多結晶シリコン中に押込まれた
半導体基板を構成し、該単結晶シリコン島の一面が露出
する該半導体基板の主表面にシリコン成長層と第２のシ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜とを順次形成し、次に第
２のシリコン酸化膜の一部分が露出するように前記シリ
コン窒化膜をエッチングにより選択除去し、シリコン窒
化膜をマスクとして熱酸化法により半導体基板の主表面
を選択酸化した後、前記シリコン窒化膜を全面除去し、
次に、選択拡散法により半導体基板の主表面から不純物
を拡散して回路素子を形成することを特徴とする半導体
集積回路の製造方法である。
島が第１のシリコン酸化膜を介して該単結晶シリコン島
の一面が露出する状態で多結晶シリコン中に押込まれた
半導体基板を構成し、該単結晶シリコン島の一面が露出
する該半導体基板の主表面にシリコン成長層と第２のシ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜とを順次形成し、次に第
２のシリコン酸化膜の一部分が露出するように前記シリ
コン窒化膜をエッチングにより選択除去し、シリコン窒
化膜をマスクとして熱酸化法により半導体基板の主表面
を選択酸化した後、前記シリコン窒化膜を全面除去し、
次に、選択拡散法により半導体基板の主表面から不純物
を拡散して回路素子を形成することを特徴とする半導体
集積回路の製造方法である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１に基づいて詳細
に説明する。図１は、本発明の実施例である半導体集積
回路の製造方法をその工程順に示した断面図であって、
まず、工程Ａに示すように、多結晶シリコン６中に分離
シリコン酸化膜９を介して単結晶シリコン島１が埋込ま
れ、この単結晶シリコン島１の一部が表面に露出した誘
電体分離型半導体基板５を形成し、次に、この表面にシ
リコン成長層２、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４
を順次形成する。この場合のシリコン酸化膜３は、従来
例のシリコン酸化膜１３（図１参照）より薄く形成され
ている。
に説明する。図１は、本発明の実施例である半導体集積
回路の製造方法をその工程順に示した断面図であって、
まず、工程Ａに示すように、多結晶シリコン６中に分離
シリコン酸化膜９を介して単結晶シリコン島１が埋込ま
れ、この単結晶シリコン島１の一部が表面に露出した誘
電体分離型半導体基板５を形成し、次に、この表面にシ
リコン成長層２、シリコン酸化膜３、シリコン窒化膜４
を順次形成する。この場合のシリコン酸化膜３は、従来
例のシリコン酸化膜１３（図１参照）より薄く形成され
ている。
【０００９】次に、工程Ｂに示すように、シリコン窒化
膜４を選択エッチングし、シリコン酸化膜３を露出させ
た後、工程Ｃに示すように、シリコン窒化膜４をマスク
として基板表面を選択酸化し、選択酸化された部分が分
離シリコン酸化膜９に達するようにする。次に、シリコ
ン窒化膜４を全面除去し、工程Ｄに示すように、不純物
を選択拡散し、単結晶シリコン島１内に不純物拡散層８
の領域を形成した後、金属配線７を設ける。
膜４を選択エッチングし、シリコン酸化膜３を露出させ
た後、工程Ｃに示すように、シリコン窒化膜４をマスク
として基板表面を選択酸化し、選択酸化された部分が分
離シリコン酸化膜９に達するようにする。次に、シリコ
ン窒化膜４を全面除去し、工程Ｄに示すように、不純物
を選択拡散し、単結晶シリコン島１内に不純物拡散層８
の領域を形成した後、金属配線７を設ける。
【００１０】このように構成した半導体集積回路におい
て、分離シリコン酸化膜９の上に成長するシリコン酸化
膜３は、他の部分と同じ膜厚となるため、従来例のよう
にくぼみが生ぜず、金属配線７の段切れが生じない利点
を有する。また、最初に基板表面に形成したシリコン成
長層２の一部は、単結晶シリコン島１に組み込まれるこ
とになるが、このシリコン成長層２の不純物濃度を最初
の単結晶シリコン島１の不純物濃度と異なったものにす
ることができるメリットも有する。
て、分離シリコン酸化膜９の上に成長するシリコン酸化
膜３は、他の部分と同じ膜厚となるため、従来例のよう
にくぼみが生ぜず、金属配線７の段切れが生じない利点
を有する。また、最初に基板表面に形成したシリコン成
長層２の一部は、単結晶シリコン島１に組み込まれるこ
とになるが、このシリコン成長層２の不純物濃度を最初
の単結晶シリコン島１の不純物濃度と異なったものにす
ることができるメリットも有する。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、誘電体
分離型の半導体基板を用いた高耐圧素子を含む半導体集
積回路の製造方法において、基板表面にシリコン成長層
を形成した後、シリコン窒化膜をマスクとした選択酸化
法を用いることにより、分離シリコン酸化膜上にくぼみ
が生ぜず、従って、金属配線の段切れが生じないという
効果を有する。また、シリコン成長層の不純物濃度を最
初の単結晶シリコン島の不純物濃度より高くすることに
よって、表面リーク電流の少ない素子を形成することが
できるという効果を有する。
分離型の半導体基板を用いた高耐圧素子を含む半導体集
積回路の製造方法において、基板表面にシリコン成長層
を形成した後、シリコン窒化膜をマスクとした選択酸化
法を用いることにより、分離シリコン酸化膜上にくぼみ
が生ぜず、従って、金属配線の段切れが生じないという
効果を有する。また、シリコン成長層の不純物濃度を最
初の単結晶シリコン島の不純物濃度より高くすることに
よって、表面リーク電流の少ない素子を形成することが
できるという効果を有する。
【図１】本発明の実施例である半導体集積回路の製造方
法をその工程順に示した断面図である。
法をその工程順に示した断面図である。
【図２】従来の半導体集積回路の製造方法をその工程順
に示した断面図である。
に示した断面図である。
１，１１ 単結晶シリコン島 ２ シリコン成長層 ３，１３ シリコン酸化膜 ４ シリコン窒化膜 ５，１５ 誘電体分離型半導体基板 ６，１６ 多結晶シリコン ７，１７ 金属配線 ８，１８ 不純物拡散層 ９，１９ 分離シリコン酸化膜 ２０ くぼみ
Claims (1)
- 【請求項１】 複数個の単結晶シリコン島が第１のシリ
コン酸化膜を介して該単結晶シリコン島の一面が露出す
る状態で多結晶シリコン中に押込まれた半導体基板を構
成し、該単結晶シリコン島の一面が露出する該半導体基
板の主表面にシリコン成長層と第２のシリコン酸化膜と
シリコン窒化膜とを順次形成し、次に、第２のシリコン
酸化膜の一部分が露出するように前記シリコン窒化膜を
エッチングにより選択除去し、シリコン窒化膜をマスク
として熱酸化法により半導体基板の主表面を選択酸化し
た後、前記シリコン窒化膜を全面除去し、次に、選択拡
散法により半導体基板の主表面から不純物を拡散して回
路素子を形成することを特徴とする半導体集積回路の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30836491A JPH05121536A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30836491A JPH05121536A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121536A true JPH05121536A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17980178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30836491A Pending JPH05121536A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121536A (ja) |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP30836491A patent/JPH05121536A/ja active Pending
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