JPH05120209A - バスシステム - Google Patents
バスシステムInfo
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- JPH05120209A JPH05120209A JP3277509A JP27750991A JPH05120209A JP H05120209 A JPH05120209 A JP H05120209A JP 3277509 A JP3277509 A JP 3277509A JP 27750991 A JP27750991 A JP 27750991A JP H05120209 A JPH05120209 A JP H05120209A
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- circuit
- bus wiring
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- circuits
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
- G06F13/40—Bus structure
- G06F13/4004—Coupling between buses
- G06F13/4009—Coupling between buses with data restructuring
- G06F13/4018—Coupling between buses with data restructuring with data-width conversion
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Bus Control (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ビット幅が異なる複数の回路をバス配線に接続
する際にバス配線の負荷容量を均一化でき、バス配線を
介したデータ転送を高速に行い、クロックの動作周波数
を上げ、システムの性能を向上させ得るバスシステムを
提供する。 【構成】集積回路内部に設けられ、それぞれ等しいビッ
ト幅を有する複数の第1の回路121〜124が接続さ
れる第1のバス配線11と、この第1のバス配線よりも
少ないビット幅を有する複数の第2の回路151〜15
4が接続される第2のバス配線14と、上記第1のバス
配線の一部と第2のバス配線との間に接続されたバッフ
ァ回路および前記第1のバス配線の残りの部分に接続さ
れたダミー回路を有するバスインターフェース回路16
とを具備することを特徴とする。
する際にバス配線の負荷容量を均一化でき、バス配線を
介したデータ転送を高速に行い、クロックの動作周波数
を上げ、システムの性能を向上させ得るバスシステムを
提供する。 【構成】集積回路内部に設けられ、それぞれ等しいビッ
ト幅を有する複数の第1の回路121〜124が接続さ
れる第1のバス配線11と、この第1のバス配線よりも
少ないビット幅を有する複数の第2の回路151〜15
4が接続される第2のバス配線14と、上記第1のバス
配線の一部と第2のバス配線との間に接続されたバッフ
ァ回路および前記第1のバス配線の残りの部分に接続さ
れたダミー回路を有するバスインターフェース回路16
とを具備することを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSI(大規模集積回
路)内部に設けられるバスシステムに係り、特にビット
幅が異なる複数の回路が接続されるバスシステムのバス
インターフェース回路に関する。
路)内部に設けられるバスシステムに係り、特にビット
幅が異なる複数の回路が接続されるバスシステムのバス
インターフェース回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来のLSI内部に設けられた
バスシステムの一例を示すブロック図である。
バスシステムの一例を示すブロック図である。
【0003】71は16ビット幅を有するバス配線、7
21〜724は上記バス配線71にそれぞれ接続され、
それぞれバス配線と等しいビット幅を有する16ビット
レジスタ回路、73は上記バス配線71に接続され、バ
ス配線と等しい16ビット幅を有する外部入出力用の双
方向バッファ回路、741〜744は上記バス配線71
の下位8ビット(A0〜A7)にそれぞれ接続され、そ
れぞれバス配線のビット幅の半分のビット幅を有する8
ビットレジスタ回路である。
21〜724は上記バス配線71にそれぞれ接続され、
それぞれバス配線と等しいビット幅を有する16ビット
レジスタ回路、73は上記バス配線71に接続され、バ
ス配線と等しい16ビット幅を有する外部入出力用の双
方向バッファ回路、741〜744は上記バス配線71
の下位8ビット(A0〜A7)にそれぞれ接続され、そ
れぞれバス配線のビット幅の半分のビット幅を有する8
ビットレジスタ回路である。
【0004】上記構成において、バス配線71に接続さ
れている各回路のファンイン数、ファンアウト数を比較
する。即ち、バス配線71の上位8ビット(A8〜A1
5)には、4個のレジスタ回路721〜724および1
個のバッファ回路73(合計5個の回路)が接続されて
いるが、バス配線71の下位8ビット(A0〜A7)に
は、上記5個の回路のほかにさらに4個のレジスタ回路
741〜744(合計9個の回路)が接続されている。
従って、バス配線71の上位8ビットと下位8ビットと
では負荷(配線容量および各回路のMOSトランジスタ
のゲート容量)が違うことになる。
れている各回路のファンイン数、ファンアウト数を比較
する。即ち、バス配線71の上位8ビット(A8〜A1
5)には、4個のレジスタ回路721〜724および1
個のバッファ回路73(合計5個の回路)が接続されて
いるが、バス配線71の下位8ビット(A0〜A7)に
は、上記5個の回路のほかにさらに4個のレジスタ回路
741〜744(合計9個の回路)が接続されている。
従って、バス配線71の上位8ビットと下位8ビットと
では負荷(配線容量および各回路のMOSトランジスタ
のゲート容量)が違うことになる。
【0005】このようにバス配線71の負荷がビット毎
にばらつきを持つと、バス配線71に接続されている各
レジスタ回路の構成を同一にし、例えばレジスタ回路間
のデータ転送を行った場合、バス配線の負荷のばらつき
によりデータ転送にかかる時間に差が発生する。
にばらつきを持つと、バス配線71に接続されている各
レジスタ回路の構成を同一にし、例えばレジスタ回路間
のデータ転送を行った場合、バス配線の負荷のばらつき
によりデータ転送にかかる時間に差が発生する。
【0006】図8は、例えばある16ビットレジスタ回
路721から他の16ビットレジスタ回路724へデー
タ転送を行った場合を想定した動作を示すタイミング図
である。
路721から他の16ビットレジスタ回路724へデー
タ転送を行った場合を想定した動作を示すタイミング図
である。
【0007】まず、16ビットレジスタ回路721に格
納されていたデータD1がクロックCLKの立上りt1
に同期してバス配線71へ出力される。この場合、バス
配線71の下位8ビットの負荷が上位8ビットの負荷よ
りも大きいので、16ビットレジスタ回路724の入り
口までデータが転送する速度に差Δtが生じる。結果的
には、バス配線71のデータ転送速度が遅い方の下位8
ビットに依存して、クロックCLKの立上りt2 に同期
して16ビットレジスタ回路724にデータD1が格納
される。もし、下位8ビット(A0〜A7)も上位8ビ
ット(A8〜A15)と同様の遅れであれば、クロック
CLKはクロックCLK′まで動作周期を上げることが
できる。即ち、クロックCLKの動作周期は、バス配線
71のなかで転送速度が最も遅いデータに依存して決定
されるので、クロックCLKの動作周波数を上げること
が不可能になる。その結果、システムの性能を左右する
動作周波数が制限される。
納されていたデータD1がクロックCLKの立上りt1
に同期してバス配線71へ出力される。この場合、バス
配線71の下位8ビットの負荷が上位8ビットの負荷よ
りも大きいので、16ビットレジスタ回路724の入り
口までデータが転送する速度に差Δtが生じる。結果的
には、バス配線71のデータ転送速度が遅い方の下位8
ビットに依存して、クロックCLKの立上りt2 に同期
して16ビットレジスタ回路724にデータD1が格納
される。もし、下位8ビット(A0〜A7)も上位8ビ
ット(A8〜A15)と同様の遅れであれば、クロック
CLKはクロックCLK′まで動作周期を上げることが
できる。即ち、クロックCLKの動作周期は、バス配線
71のなかで転送速度が最も遅いデータに依存して決定
されるので、クロックCLKの動作周波数を上げること
が不可能になる。その結果、システムの性能を左右する
動作周波数が制限される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
バスシステムは、ビット幅が異なる複数の回路が接続さ
れると負荷容量にばらつきが生じ、バス配線を介したデ
ータ転送に際して、バス配線のなかで転送速度が最も遅
いデータに依存してクロックの動作周期が決定され、シ
ステムの性能を左右する動作周波数が制限されるという
問題があった。
バスシステムは、ビット幅が異なる複数の回路が接続さ
れると負荷容量にばらつきが生じ、バス配線を介したデ
ータ転送に際して、バス配線のなかで転送速度が最も遅
いデータに依存してクロックの動作周期が決定され、シ
ステムの性能を左右する動作周波数が制限されるという
問題があった。
【0009】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、ビット幅が異なる複数の回路を接続する際
に、バス配線の負荷容量を均一化でき、バス配線を介し
たデータ転送を高速に行い、クロックの動作周波数を上
げ、システムの性能を向上させ得るバスシステムを提供
することを目的とする。
たもので、ビット幅が異なる複数の回路を接続する際
に、バス配線の負荷容量を均一化でき、バス配線を介し
たデータ転送を高速に行い、クロックの動作周波数を上
げ、システムの性能を向上させ得るバスシステムを提供
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のバスシステム
は、半導体集積回路内部に設けられ、それぞれ等しいビ
ット幅を有する複数の第1の回路が接続される第1のバ
ス配線と、この第1のバス配線よりも少ないビット幅を
有する複数の第2の回路が接続される第2のバス配線
と、上記第1のバス配線の一部と第2のバス配線との間
に接続されたバッファ回路および前記第1のバス配線の
残りの部分に接続されたダミー回路を有するバスインタ
ーフェース回路とを具備することを特徴とする。
は、半導体集積回路内部に設けられ、それぞれ等しいビ
ット幅を有する複数の第1の回路が接続される第1のバ
ス配線と、この第1のバス配線よりも少ないビット幅を
有する複数の第2の回路が接続される第2のバス配線
と、上記第1のバス配線の一部と第2のバス配線との間
に接続されたバッファ回路および前記第1のバス配線の
残りの部分に接続されたダミー回路を有するバスインタ
ーフェース回路とを具備することを特徴とする。
【0011】
【作用】ビット幅が異なる複数の回路が接続されるバス
配線を、最大ビット数以外の回路に対して分割したバス
構成としているので、バス配線の負荷容量が均一にな
り、各ビットの転送時間が一定になる。即ち、第1のバ
ス配線(グローバルバス)、第2のバス配線(ローカル
バス)ともそれぞれ負荷が均一になり、かつ、従来に比
べてバス配線の負荷が低減されるので、バス配線を介し
たデータ転送の速度が向上する。これにより、バス配線
を介したデータ転送に際してクロックの動作周波数を上
げることが可能になり、システムの性能を向上させるこ
とが可能になる。
配線を、最大ビット数以外の回路に対して分割したバス
構成としているので、バス配線の負荷容量が均一にな
り、各ビットの転送時間が一定になる。即ち、第1のバ
ス配線(グローバルバス)、第2のバス配線(ローカル
バス)ともそれぞれ負荷が均一になり、かつ、従来に比
べてバス配線の負荷が低減されるので、バス配線を介し
たデータ転送の速度が向上する。これにより、バス配線
を介したデータ転送に際してクロックの動作周波数を上
げることが可能になり、システムの性能を向上させるこ
とが可能になる。
【0012】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳
細に説明する。図1は、例えばマイクロプロセッサ内部
に設けられているバスシステムを示している。
細に説明する。図1は、例えばマイクロプロセッサ内部
に設けられているバスシステムを示している。
【0013】ここで、11は16ビット幅を有する第1
のバス配線(グローバルバス)、121〜124は上記
第1のバス配線11にそれぞれ接続され、それぞれ上記
バス配線と等しい16ビット幅を有する第1のレジスタ
回路である。13は上記第1のバス配線11に接続さ
れ、このバス配線と等しい16ビット幅を有する外部入
出力用の双方向バッファ回路である。
のバス配線(グローバルバス)、121〜124は上記
第1のバス配線11にそれぞれ接続され、それぞれ上記
バス配線と等しい16ビット幅を有する第1のレジスタ
回路である。13は上記第1のバス配線11に接続さ
れ、このバス配線と等しい16ビット幅を有する外部入
出力用の双方向バッファ回路である。
【0014】14は上記第1のバス配線11とは別に設
けられた8ビット幅を有する第2のバス配線(ローカル
バス)、151〜154は上記第2のバス配線14にそ
れぞれ接続され、それぞれ上記バス配線と等しい8ビッ
ト幅を有する第2のレジスタ回路である。16はバスイ
ンターフェース回路であり、上記第1のバス配線11の
下位8ビット(A0〜A7)と第2のバス配線14の8
ビット(C0〜C7)との間に接続された双方向バッフ
ァ回路および上記第1のバス配線11の上位8ビット
(A8〜A15)に接続されたダミー用バッファ回路を
有する。
けられた8ビット幅を有する第2のバス配線(ローカル
バス)、151〜154は上記第2のバス配線14にそ
れぞれ接続され、それぞれ上記バス配線と等しい8ビッ
ト幅を有する第2のレジスタ回路である。16はバスイ
ンターフェース回路であり、上記第1のバス配線11の
下位8ビット(A0〜A7)と第2のバス配線14の8
ビット(C0〜C7)との間に接続された双方向バッフ
ァ回路および上記第1のバス配線11の上位8ビット
(A8〜A15)に接続されたダミー用バッファ回路を
有する。
【0015】図2は、図1中のバスインターフェース回
路16の一例を示している。ここで、31はイネーブル
信号Cおよびリードライト信号R/Wが入力するアンド
回路である。32は上記信号R/Wが入力するインバー
タ回路である。33は前記イネーブル信号Cおよび上記
インバータ回路の出力信号が入力するアンド回路であ
る。17は8ビット双方向バッファ回路であり、上記ア
ンド回路31および33の出力信号により信号伝達方向
が切換え制御される3ステートバッファ回路34…から
なる。18は8ビットダミーバッファ回路であり、入力
ノードが接地電位Vss(“0”レベル)に接続され、出
力ノードが第1のバス配線11の上位8ビット(A8〜
A15)に接続され、前記アンド回路33の出力信号に
より活性/非活性状態が制御される3ステートバッファ
回路35…からなる。図3は、図1中の16ビット双方
向バッファ回路13の一例を示してい。
路16の一例を示している。ここで、31はイネーブル
信号Cおよびリードライト信号R/Wが入力するアンド
回路である。32は上記信号R/Wが入力するインバー
タ回路である。33は前記イネーブル信号Cおよび上記
インバータ回路の出力信号が入力するアンド回路であ
る。17は8ビット双方向バッファ回路であり、上記ア
ンド回路31および33の出力信号により信号伝達方向
が切換え制御される3ステートバッファ回路34…から
なる。18は8ビットダミーバッファ回路であり、入力
ノードが接地電位Vss(“0”レベル)に接続され、出
力ノードが第1のバス配線11の上位8ビット(A8〜
A15)に接続され、前記アンド回路33の出力信号に
より活性/非活性状態が制御される3ステートバッファ
回路35…からなる。図3は、図1中の16ビット双方
向バッファ回路13の一例を示してい。
【0016】この16ビット双方向バッファ回路は、周
知のように、3ステートバッファ回路21…と、インバ
ータ回路22…とからなる。ここで、(B0〜B15)
は外部入出力用バス配線の16ビットのバス信号、R/
Wはリードライト信号であり、リードモードの時に
“1”レベル、ライトモードの時に“0”レベルにな
る。図4は、図1中の16ビットレジスタ回路121〜
124の一例を示す回路図である。
知のように、3ステートバッファ回路21…と、インバ
ータ回路22…とからなる。ここで、(B0〜B15)
は外部入出力用バス配線の16ビットのバス信号、R/
Wはリードライト信号であり、リードモードの時に
“1”レベル、ライトモードの時に“0”レベルにな
る。図4は、図1中の16ビットレジスタ回路121〜
124の一例を示す回路図である。
【0017】この16ビットレジスタ回路は、周知のよ
うに、イネーブル端子(E)付きD型フリップフロップ
(F/F)回路41、インバータ回路42、3ステート
バッファ回路43…、バッファ回路44…、アンド回路
45…からなる。ここで、R/Wはリードライト信号、
CLKはクロック信号、Eはイネーブル信号である。
うに、イネーブル端子(E)付きD型フリップフロップ
(F/F)回路41、インバータ回路42、3ステート
バッファ回路43…、バッファ回路44…、アンド回路
45…からなる。ここで、R/Wはリードライト信号、
CLKはクロック信号、Eはイネーブル信号である。
【0018】なお、図1中の8ビットレジスタ回路15
1〜154は、上記16ビットレジスタ回路121〜1
24に準じて構成された8ビット分のレジスタ回路から
なる。
1〜154は、上記16ビットレジスタ回路121〜1
24に準じて構成された8ビット分のレジスタ回路から
なる。
【0019】図5は、図4中のイネーブル端子付きD型
F/F回路41の一例を示している。このイネーブル端
子付きD型F/F回路は、周知のように、データ入力部
のマルチプレクサ61を形成するクロックドインバータ
回路62…およびインバータ回路63…と、通常のD型
(マスタースレーブ型)F/F回路64とからなる。
F/F回路41の一例を示している。このイネーブル端
子付きD型F/F回路は、周知のように、データ入力部
のマルチプレクサ61を形成するクロックドインバータ
回路62…およびインバータ回路63…と、通常のD型
(マスタースレーブ型)F/F回路64とからなる。
【0020】上記イネーブル端子付きD型F/F回路6
4は、イネーブル信号Eがアクティブ(“1”レベル)
になった時、第1のバス配線11からの入力データをデ
ータ入力部61に取り込み、それ以外の時は、D型F/
F回路64の出力データQをフィードバックした値を取
り込んで内部のデータを保持する。
4は、イネーブル信号Eがアクティブ(“1”レベル)
になった時、第1のバス配線11からの入力データをデ
ータ入力部61に取り込み、それ以外の時は、D型F/
F回路64の出力データQをフィードバックした値を取
り込んで内部のデータを保持する。
【0021】図6は、図1中の各レジスタ回路121〜
124、151〜154に割り当てられた例えば3ビッ
トのアドレス信号AD0〜AD2の内容と、このアドレ
ス信号をデコードした信号により選択されるレジスタ回
路との対応関係を示す図である。
124、151〜154に割り当てられた例えば3ビッ
トのアドレス信号AD0〜AD2の内容と、このアドレ
ス信号をデコードした信号により選択されるレジスタ回
路との対応関係を示す図である。
【0022】図1の構成において、バス配線に接続され
ている各回路のフゥンイン数、ファンアウト数を比較す
る。即ち、第1のバス配線11の上位8ビット(A8〜
A15)および下位8ビット(A0〜A7)には、それ
ぞれ4個の第1のレジスタ回路12…および1個の双方
向バッファ回路13および1個のバスインターフェース
回路16の合計6個の回路が接続されている。第2のバ
ス配線14には、4個の第2のレジスタ回路151〜1
54が接続されている。
ている各回路のフゥンイン数、ファンアウト数を比較す
る。即ち、第1のバス配線11の上位8ビット(A8〜
A15)および下位8ビット(A0〜A7)には、それ
ぞれ4個の第1のレジスタ回路12…および1個の双方
向バッファ回路13および1個のバスインターフェース
回路16の合計6個の回路が接続されている。第2のバ
ス配線14には、4個の第2のレジスタ回路151〜1
54が接続されている。
【0023】いま、ある8ビットレジスタ回路151の
アドレスが指定された場合、指定された8ビットレジス
タ回路151が選択されると共に、図3中のイネーブル
信号Cが“1”レベルになる。この場合、図3のバスイ
ンターフェース回路において、リードライト信号R/W
が“1”レベル(リードモード)の時には、アンド回路
31の出力が“1”レベルになり、8ビット双方向バッ
ファ回路17は第1のバス配線11の下位8ビット(A
0〜A7)を第2のバス配線14に転送する。これによ
り、前記指定された8ビットレジスタ回路151に第1
のバス配線11の下位8ビット(A0〜A7)の値が書
き込まれる。これに対して、上記リードライト信号R/
Wが“0”レベル(ライトモード)の時には、アンド回
路33の出力が“1”レベルになり、8ビット双方向バ
ッファ回路17は第2のバス配線14の8ビット(C0
〜C7)を第1のバス配線11の下位8ビット(A0〜
A7)に転送する。これにより、前記指定された8ビッ
トレジスタ回路151の値が第1のバス配線11の下位
8ビット(A0〜A7)に転送される。
アドレスが指定された場合、指定された8ビットレジス
タ回路151が選択されると共に、図3中のイネーブル
信号Cが“1”レベルになる。この場合、図3のバスイ
ンターフェース回路において、リードライト信号R/W
が“1”レベル(リードモード)の時には、アンド回路
31の出力が“1”レベルになり、8ビット双方向バッ
ファ回路17は第1のバス配線11の下位8ビット(A
0〜A7)を第2のバス配線14に転送する。これによ
り、前記指定された8ビットレジスタ回路151に第1
のバス配線11の下位8ビット(A0〜A7)の値が書
き込まれる。これに対して、上記リードライト信号R/
Wが“0”レベル(ライトモード)の時には、アンド回
路33の出力が“1”レベルになり、8ビット双方向バ
ッファ回路17は第2のバス配線14の8ビット(C0
〜C7)を第1のバス配線11の下位8ビット(A0〜
A7)に転送する。これにより、前記指定された8ビッ
トレジスタ回路151の値が第1のバス配線11の下位
8ビット(A0〜A7)に転送される。
【0024】この際、第1のバス配線11の上位8ビッ
ト(A8〜A15)がハイインピーダンス状態になるこ
とを防止するために、前記8ビットダミーバッファ回路
18の3ステートバッファ回路35…の各出力(“0”
レベル)が第1のバス配線11の上位8ビット(A8〜
A15)に与えられている。
ト(A8〜A15)がハイインピーダンス状態になるこ
とを防止するために、前記8ビットダミーバッファ回路
18の3ステートバッファ回路35…の各出力(“0”
レベル)が第1のバス配線11の上位8ビット(A8〜
A15)に与えられている。
【0025】その結果、第1のバス配線11の16ビッ
トの負荷容量が均一になり、各ビットの転送時間が一定
になる。即ち、ビット幅が異なる複数の回路が接続され
るバス配線を、最大ビット数以外の回路に対して分割し
たバス構成としているので、グローバルバス11、ロー
カルバス14ともそれぞれ負荷が均一になり、かつ、従
来に比べてバス配線の負荷が低減されるので、バス配線
を介したデータ転送の速度が向上する。これにより、バ
ス配線を介したデータ転送に際してクロックの動作周波
数を上げることが可能になり、システムの性能を向上さ
せることが可能になる。
トの負荷容量が均一になり、各ビットの転送時間が一定
になる。即ち、ビット幅が異なる複数の回路が接続され
るバス配線を、最大ビット数以外の回路に対して分割し
たバス構成としているので、グローバルバス11、ロー
カルバス14ともそれぞれ負荷が均一になり、かつ、従
来に比べてバス配線の負荷が低減されるので、バス配線
を介したデータ転送の速度が向上する。これにより、バ
ス配線を介したデータ転送に際してクロックの動作周波
数を上げることが可能になり、システムの性能を向上さ
せることが可能になる。
【0026】また、グローバルバス11の上位8ビット
(A8〜A15)に8ビットダミーバッファ回路18が
接続されているので、グローバルバス11の負荷が均一
になり、各レジスタ回路のF/F回路のセットアップ時
間、ホールド時間のばらつきに対する制御精度が向上す
る。
(A8〜A15)に8ビットダミーバッファ回路18が
接続されているので、グローバルバス11の負荷が均一
になり、各レジスタ回路のF/F回路のセットアップ時
間、ホールド時間のばらつきに対する制御精度が向上す
る。
【0027】
【発明の効果】上述したように本発明のバスシステムに
よれば、ビット幅が異なる複数の回路をバス配線に接続
する際にバス配線の負荷容量を均一化でき、バス配線を
介したデータ転送を高速に行い、クロックの動作周波数
を上げ、システムの性能を向上させることができる。従
って、特に動作周波数が高いマイクロプロセッサやシス
テムLSIに採用して好適である。
よれば、ビット幅が異なる複数の回路をバス配線に接続
する際にバス配線の負荷容量を均一化でき、バス配線を
介したデータ転送を高速に行い、クロックの動作周波数
を上げ、システムの性能を向上させることができる。従
って、特に動作周波数が高いマイクロプロセッサやシス
テムLSIに採用して好適である。
【図1】本発明の一実施例に係るバスシステムを示すブ
ロック図。
ロック図。
【図2】図1中のバスインターフェース回路の一例を示
す回路図。
す回路図。
【図3】図1中の16ビット双方向バッファ回路の一例
を示す回路図。
を示す回路図。
【図4】図1中の16ビットレジスタ回路の一例を示す
回路図。
回路図。
【図5】図4中のイネーブル端子付きD型F/F回路の
一例を示す回路図。
一例を示す回路図。
【図6】図1中の各レジスタ回路に割り当てられたアド
レス信号の内容とこれにより指定されるレジスタ回路と
の対応関係を示す図。
レス信号の内容とこれにより指定されるレジスタ回路と
の対応関係を示す図。
【図7】従来のバスシステムを示すブロック図。
【図8】図7の回路の動作例を示すタイミング波形図。
11…第1のバス配線(グローバルバス)、121〜1
24…第1のレジスタ回路、13…外部入出力用の双方
向バッファ回路、14…第2のバス配線(ローカルバ
ス)、151〜154…第2のレジスタ回路、16…バ
スインターフェース回路、17…双方向バッファ回路、
18…ダミー用バッファ回路、31、33…アンド回
路、32…インバータ回路、34、35…3ステートバ
ッファ回路。
24…第1のレジスタ回路、13…外部入出力用の双方
向バッファ回路、14…第2のバス配線(ローカルバ
ス)、151〜154…第2のレジスタ回路、16…バ
スインターフェース回路、17…双方向バッファ回路、
18…ダミー用バッファ回路、31、33…アンド回
路、32…インバータ回路、34、35…3ステートバ
ッファ回路。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体集積回路内部に設けられ、それぞ
れ等しいビット幅を有する複数の第1の回路が接続され
る第1のバス配線と、 この第1のバス配線よりも少ないビット幅を有する複数
の第2の回路が接続される第2のバス配線と、 上記第1のバス配線の一部と第2のバス配線との間に接
続されたバッファ回路および前記第1のバス配線の残り
の部分に接続されたダミー回路を有するバスインターフ
ェース回路とを具備することを特徴とするバスシステ
ム。 - 【請求項2】 請求項1記載のバスシステムにおいて、
前記バスインターフェースのバッファ回路は双方向バッ
ファ回路であることを特徴とするバスシステム。 - 【請求項3】 請求項1または2記載のバスシステムに
おいて、前記半導体集積回路はマイクロプロセッサであ
ることを特徴とするバスシステム。
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---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3277509A JP2744154B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | バスシステム |
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---|---|
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JP2744154B2 JP2744154B2 (ja) | 1998-04-28 |
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- 1991-10-24 JP JP3277509A patent/JP2744154B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1992-10-22 US US07/964,886 patent/US5363494A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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