JPH0511401B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は、不良品の発生率が極めて低い、セラ
ミツク基板を樹脂ケース内にインサートモールド
した電子部品の製造方法に関する。

（従来技術） 従来より、セラミツク基板を樹脂ケース内にイ
ンサートモールドした電子部品として、第４図Ａ
からＣに示す可変抵抗器がある。ただし、第４図
Ａは分解斜視図、第４図Ｂは平面図、第４図Ｃは
側断面図である。

この可変抵抗器において、１は中心部に孔１ａ
が形成されたセラミツク基板である。２は円弧状
の低抗体であり、セラミツク基板１の表面に形成
されている。３，４はセラミツク基板１の端面に
取り付けられたリード端子であり、リード端子３
は抵抗体２の一方の端部と、リード端子４は抵抗
体２の他方の端部とがそれぞれ電気的に接続され
ている。５はセラミツク基板１の底面側に配置さ
れたリード端子であり、セラミツク基板１の底面
部分に板状部５ａが形成され、さらに板状部５ａ
の中心部に孔５ｂが形成されている。

６は樹脂ケースであり、リード端子３，４，５
を外部に導出させて、セラミツク基板１を内部に
インサートモールドしている。樹脂ケース６から
導出されたリード端子３，４，５は、樹脂ケース
６の底面側に屈曲されている。

７は腕形状の摺動子であり、中心部に孔７ａが
形成され、外周部に低抗体２上を摺動する接点７
ｂが形成され、さらに上面にドライバー溝７ｃが
形成されている。８は金属性のビスであり、上面
に突起８ａが形成され、底面にドライバー溝８ｂ
が形成されている。ビス８は、リード端子５の孔
５ｂとセラミツク基板１の孔１ａに挿通されたの
ち、突起８ａが摺動子７の孔７ａにかしめられて
いる。この結果、摺動子７は、リード端子５と電
気的に接続されている。また、摺動子７とビス８
は、セラミツク基板１に対して共回りするように
なつている。

９は伸びが可能で、かつ一定以上の力が加わる
と容易に破断可能で、さらにフローソルダーによ
る半田付けや溶剤によるフラツクス洗浄に耐える
材料からなるカバーシートであり、樹脂ケース６
の上面に形成された開口部の周縁に接着され、開
口部を封止している。この可変抵抗器では、カバ
ーシート９として透明な材料を使用しているた
め、第４図Ｂでは、カバーシート９を透してセラ
ミツク基板１や摺動子７等が見えている。１０は
リング板状カバーシートであり、カバーシート９
と同一の材料からなり、樹脂ケース６の底面に露
出されたビス８と、樹脂ケース６の底面との間に
接着されている。

この可変抵抗器は、フローソルダーによつてプ
リント回路基板等に半田付けすることができ、ま
た半田付け後に溶剤によつてフラツクス洗浄をす
ることができる。そして、プリント回路基板等に
実装した際に、ドライバー等によつて、カバーシ
ート９を介して摺動子７のドライバー溝７ｃを、
あるいはビス８のドライバー溝８ｂを回動させ
て、抵抗値を調整することができる。この際カバ
ーシート９および１０は、一定の張力までは伸び
を示し、一定以上の張力が加わると容易に破断す
る。

たとえば、上述した可変抵抗器では、第５図に
示すように、セラミツク基板１とリード端子３，
４，５とを金型１１ａと１１ｂとの間に収容し、
さらにコア１２と金型１１ｂとの間に一定の金型
圧力（矢印Ｐで示す）を加えながら、ゲート１３
から溶融した樹脂を注入・硬化させて樹脂ケース
６をモールドしていた。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述した可変抵抗器に代表され
るセラミツク基板を樹脂ケース内にインサートモ
ールドした従来の電子部品の製造方法には、セラ
ミツク基板を樹脂ケース内にインサートモールド
する工程において、不良品が発生し易いという問
題があつた。

すなわち、セラミツク基板１上の抵抗体２は10
〜20μの膜であり、この膜の表面には凹凸（図示
せず）がある。このため、コア１２がセラミツク
基板とすき間（図示せず）なく密着できないた
め、第６図に示すように、前記すき間から樹脂が
流入して、セラミツク基板１上にバリ１４が発生
して、不良品にになつてしまうことがあつた。さ
らに、前記凹凸があるためコア１２とセラミツク
基板が部分的に接触し、圧力Ｐがセラミツク基板
１の一ケ所もしくは数ケ所に部分的に集中してし
まい、この集中荷重（図示せず）によつてセラミ
ツク基板１がカケたりワレたりして、不良品にな
つてしまうことがあつた。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、上述した従来の電子部品と製造方法
の有する問題点を解決するためになされたもので
ある。その手段として本発明の電子部品の製造方
法は、セラミツク基板の表面の、少なくとも、樹
脂ケースの内底面に露出されるべき部分と樹脂ケ
ースによつて埋設されるべき部分との境界部分の
近傍に、弾性体を連続して形成する工程と、弾性
体が形成されたセラミツク基板を金型内に収容す
る工程と、金型内のセラミツク基板に弾性体を介
して金型圧力を加えながら、金型内に樹脂を注入
して樹脂ケースを形成する工程を備えることを特
徴とする。

この結果、本発明の電子部品の製造方法はセラ
ミツク基板を樹脂ケース内にインサートモールド
する工程において、セラミツク基板の表面にバリ
が発生してしまうことがなく、またセラミツク基
板がカケたりワレたりしてしまうことがない。こ
れは、弾性体によつて前記境界部分のコアとセラ
ミツク基板とのすき間がなくなり、またコアと下
側の金型による金型圧力を弾性体が分散吸収する
からである。

（実施例） 以下、図面とともに本発明の電子部品の製造方
法の実施例を説明する。従来の技術の項で説明し
た部分と同一の部分には同一の番号を付し、その
説明を省略する。

第１図ＡおよびＢは、本発明により製造した電
子部品の一実施例にかかる可変抵抗器を示してい
る（ただし、これらの図においては、摺動子、ビ
ス、カバーシートを省略している）。第１図Ａは
平面図、第１図Ｂは側断面図である。

この可変抵抗器において、１５は弾性体であ
り、セラミツク基板１の表面であつて、樹脂ケー
ス６の内底面に露出された部分と、樹脂ケース６
によつて埋設された部分との境界部分に、ゴムを
リング状に印刷することによつて形成されてい
る。

この可変抵抗器は、第２図に示すように、セラ
ミツク基板１とリード端子３，４，５とを金型１
１ａと１１ｂとの間に収容し、さらにコア１２と
金型１１ｂとの間に一定の金型圧力（矢印Ｐで示
す）を加えながら、ゲート１３から溶融した樹脂
を注入・硬化させて樹脂ケース６をモールドする
が、この際コア１２は弾性体１５と接触し、セラ
ミツク基板１とは直接に接触しないため、コア１
２と金型１１ｂとの間にある程度大きい金型圧力
を加えても、セラミツク基板１がカケたりワレた
りしてしまうことがない。また、樹脂ケース６内
にインサートモールドされたセラミツク基板１の
表面に、バリが発生してしまうことがない。

この可変抵抗器の他の部分、たとえば摺動子、
ビス、カバーシート等は、第４図ＡからＣに示し
た従来の可変抵抗器と同一であるため、その説明
は省略する。

以上は、本発明の電子部品の製造を可変抵抗器
に用いた場合の一実施例であり、本発明の主旨を
損わない範囲内で変更をなしうることは言うまで
もない。たとえば、上記実施例では、セラミツク
基板１の表面であつて、樹脂ケース６の内底面に
露出された部分と樹脂ケース６によつて埋設され
た部分との境界部分に弾性体１５を形成している
が、第３図に示すように、境界部分の樹脂ケース
６の内底面に露出された例の近傍のみに弾性体１
５′を形成してもよく、この場合も同様の効果を
得ることができる。

また、樹脂ケース６の収容部分の形状等も任意
であり、上記実施例のような円柱形状のほかに、
角柱形状等も採用できる。なお、樹脂ケース６の
収容部分の形状にしがたい、セラミツク基板１の
表面に形成される弾性体１５の形状を変更する必
要がある。

また、弾性体１５の形成方法等も任意であり、
上記実施例のように、ゴムを印刷したものに限定
されることはない。

さらに、上記実施例では、可変抵抗器を例にと
つて本発明の電子部品の製造方法を説明したが、
本発明が可変抵抗器の製造方法に限定されること
はなく、本発明はセラミツク基板を樹脂ケース内
にインサートモールドしてなるあらゆる種類の電
子部品の製造方法を含む。

（発明の効果） 以上の説明からも明らかなように、本発明の電
子部品と製造方法は、セラミツク基板の表面の、
少なくとも、樹脂ケースの内底面に露出されるべ
き部分と樹脂ケースによつて埋設されるべき部分
との境界部分の近傍に、弾性体を連続して形成す
る工程と、弾性体が形成されたセラミツク基板を
金型内に収容する工程と、金型内のセラミツク基
板に前記弾性体を介して金型圧力を加えながら、
金型内に樹脂を注入して樹脂ケースを形成する工
程を備えるものである。

この結果、本発明の電子部品の製造方法によれ
ば、セラミツク基板を樹脂ケース内にインサート
モールドする工程において、セラミツク基板がカ
ケたりワレたりしてしまうことがなく、またセラ
ミツク基板の表面にバリが発生してしまうことが
ない。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａは本発明の電子部品の一実施例にかか
る可変抵抗器の要部を示す平面図、第１図Ｂはそ
の側断面図、第２図はその製造方法の一例を示す
側断面図、第３図は他の実施例にかかる可変抵抗
器の要部を示す側断面図、第４図Ａは従来の可変
抵抗器を示す分解斜視図、第４図Ｂはその平面
図、第４図Ｃはその側断面図、第５図はその製造
方法の一例を示す側断面図、第６図は従来の不良
品の可変抵抗器の要部を示す側断面図である。 １……セラミツク基板、６……樹脂ケース、１
５，１５′……弾性体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板を樹脂ケース内にインサート
   モールドしてなる電子部品の製造方法において、 セラミツク基板の表面の、少なくとも、樹脂ケ
   ースの内底面に露出されるべき部分と樹脂ケース
   によつて埋設されるべき部分との境界部分の近傍
   に、弾性体を連続して形成する工程と、 弾性体が形成されたセラミツク基板を金型内に
   収容する工程と、 金型内のセラミツク基板に前記弾性体を介して
   金型圧力を加えながら、金型内に樹脂を注入して
   樹脂ケースを形成する工程を備えることを特徴と
   する電子部品の製造方法。