JPS6249755B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6249755B2 JPS6249755B2 JP9530777A JP9530777A JPS6249755B2 JP S6249755 B2 JPS6249755 B2 JP S6249755B2 JP 9530777 A JP9530777 A JP 9530777A JP 9530777 A JP9530777 A JP 9530777A JP S6249755 B2 JPS6249755 B2 JP S6249755B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- light emitting
- lead frame
- insulating plate
- molded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はモールド型電気部品に関し、とくに発
光ダイオードと、数字や記号等を表わす表示板と
を埋設し、射出成型した全モールド型の発光ダイ
オード表示装置の製造方法に関する。
光ダイオードと、数字や記号等を表わす表示板と
を埋設し、射出成型した全モールド型の発光ダイ
オード表示装置の製造方法に関する。
従来のモールド型電気部品、例えば発光ダイオ
ード表示装置の製造方法は箱型の表示板や、また
は表示板を入れた金型等に液状樹脂を注入硬化さ
せて成型したものが多く、これでは樹脂密度が低
いので耐湿性などに弱く不良を起こしやすい。ま
た樹脂の硬化時間が長いので作業性が悪い等の欠
点がある。
ード表示装置の製造方法は箱型の表示板や、また
は表示板を入れた金型等に液状樹脂を注入硬化さ
せて成型したものが多く、これでは樹脂密度が低
いので耐湿性などに弱く不良を起こしやすい。ま
た樹脂の硬化時間が長いので作業性が悪い等の欠
点がある。
本発明は樹脂密度が高く耐湿性に優れ、さらに
製造作業能率の向上を実現するモールド型電気部
品を提供することにある。
製造作業能率の向上を実現するモールド型電気部
品を提供することにある。
本発明によれば、孔または凹部を有する部材を
モールド部材で覆つて構成されるモールド型電気
部品において、部材のリード側に突出部を設ける
ことを特徴とするモールド型電気部品が得られ
る。とくに本発明によれば、所定の形状の孔また
は凹部を有する絶縁体内に発光素子等の半導体素
子を設けてモールドした半導体装置において、絶
縁体のリードの露出側端面の少くとも一方が突出
部を有することを特徴とする半導体装置が得られ
る。さらに、上記突出部とのモールド体側表面と
の距離が上記絶縁体上面とモールド体上面との距
離にほぼ等しいか、または小さいことをも特徴と
する半導体装置が得られる。
モールド部材で覆つて構成されるモールド型電気
部品において、部材のリード側に突出部を設ける
ことを特徴とするモールド型電気部品が得られ
る。とくに本発明によれば、所定の形状の孔また
は凹部を有する絶縁体内に発光素子等の半導体素
子を設けてモールドした半導体装置において、絶
縁体のリードの露出側端面の少くとも一方が突出
部を有することを特徴とする半導体装置が得られ
る。さらに、上記突出部とのモールド体側表面と
の距離が上記絶縁体上面とモールド体上面との距
離にほぼ等しいか、または小さいことをも特徴と
する半導体装置が得られる。
以下、モールド型の半導体発光装置を例にと
り、図面を参照して本発明を詳述する。
り、図面を参照して本発明を詳述する。
第１図ａは本発明の対象のひとつである半導体
発光装置の概略斜視図を示し、第１図ｂに従来の
構造例として、第１図ａのＡ−Ａ線に沿つた断面
図を示す。すなわち、１個または複数個の
GaAsPまたはGaP等からなる発光ダイオードペレ
ツト６を使用し、フレーム状リード３の上に銀ペ
ースト等を用いてマウントし、金線７でもう一方
のリードにボンデイングし、外部へ取り出す。こ
の外部リードに電圧を印加することにより発光ダ
イオードペレツト６を発光させ表示部１を点灯す
る。絶縁体で成型された表示板５は表示したい形
状の孔５０を有しており、この孔５０の中心が発
光ダイオードペレツト６が位置するようにする。
この表示板５は不透明で孔５０の中で光が反射し
やすいように白色等の樹脂２で成型し表面は輪郭
がはつきりするように光を吸収する黒色のインク
等を塗つて仕上げる。この表示板５を表示したい
形状に作ることにより各種の表示装置を簡単に作
ることができる。この表示板５と発光ダイオード
ペレツト６をとりつけたフレーム状リードを第２
図に拡大断面図として示すように上下の金型８お
よび９に固定し光散乱性の樹脂２を射出成型し
て、さらにリードを加工することにより第１図ｂ
の表示装置を作ることができる。この表示装置で
は黒塗りを裏面と側面下部４に実施することによ
り周囲への光漏れがなくなり表示部をよりはつき
りとさせることができる。ところで第１図ｂに示
すような構造に射出成型をする際、表示板５が中
にあるため、注入される樹脂２の流れが第２図に
示された矢印のようになり、表面で乱流を起こ
し、気泡をまき込み、商品としての見ばえが悪く
なり、商品価値を低下させる。表示板の上部の透
光散乱性樹脂２の厚みを増すと、表示板５で表示
したものがボヤけてしまうため、これを薄くしな
ければならないので、リードの裏側の厚みのある
方へ樹脂が早く流れ、結果として第２図の矢印の
ような流れになる。この実施例では表面の薄い部
分は0.3mm程度以下が良いことが確認されてい
る。そこで樹脂の表面での乱流を妨げるため第３
図に示すように表示板５１の樹脂注入口１０と反
対側に位置する部分を大きくして金型１８との間
隙１１を狭くすることにより間隙１１におけるリ
ード３の裏側からの樹脂の流れを減少させ、表示
板５１の孔５０から表面への樹脂の流れ込みを増
して表面の樹脂流が一様に空気逃げ口１２まで流
れるようにし、気泡が全て逃げ口１２から逃げる
ようにする。このようにして成型することはでき
たが、これでは、発光ダイオード６を周囲の環境
から保護する高密度の樹脂２の厚みが薄くなつて
しまいリード部３を通つて湿気が入り、耐湿性の
面でも完全ではない。そこで第４図に示すよう
に、表示板５２の樹脂注入口１０と反対側に帯状
の突起５３を設けることにより第３図の構成と同
じ効果をもたらし、さらに上記で問題であつた周
囲の環境から発光ダイオード６を保護するのに充
分な量の樹脂でリード部３を覆うことができる。
本実施例ではモールド樹脂部２のリード露出側の
厚い方を１mm程度、突起５３をつけ薄くなつた方
を0.3mm程度にすることにより実現できた。さら
に第５図に拡大断面図として示したように表示板
５４の両側に第４図のような突起５５を設けても
良いことが確認できた。このようにして製造した
表示装置を周囲が60℃90％の高温高湿中で電流を
流し加速試験を行なつた結果、従来の製法で作つ
たものに比べて３〜５倍程度の長寿命であること
が確認された。
発光装置の概略斜視図を示し、第１図ｂに従来の
構造例として、第１図ａのＡ−Ａ線に沿つた断面
図を示す。すなわち、１個または複数個の
GaAsPまたはGaP等からなる発光ダイオードペレ
ツト６を使用し、フレーム状リード３の上に銀ペ
ースト等を用いてマウントし、金線７でもう一方
のリードにボンデイングし、外部へ取り出す。こ
の外部リードに電圧を印加することにより発光ダ
イオードペレツト６を発光させ表示部１を点灯す
る。絶縁体で成型された表示板５は表示したい形
状の孔５０を有しており、この孔５０の中心が発
光ダイオードペレツト６が位置するようにする。
この表示板５は不透明で孔５０の中で光が反射し
やすいように白色等の樹脂２で成型し表面は輪郭
がはつきりするように光を吸収する黒色のインク
等を塗つて仕上げる。この表示板５を表示したい
形状に作ることにより各種の表示装置を簡単に作
ることができる。この表示板５と発光ダイオード
ペレツト６をとりつけたフレーム状リードを第２
図に拡大断面図として示すように上下の金型８お
よび９に固定し光散乱性の樹脂２を射出成型し
て、さらにリードを加工することにより第１図ｂ
の表示装置を作ることができる。この表示装置で
は黒塗りを裏面と側面下部４に実施することによ
り周囲への光漏れがなくなり表示部をよりはつき
りとさせることができる。ところで第１図ｂに示
すような構造に射出成型をする際、表示板５が中
にあるため、注入される樹脂２の流れが第２図に
示された矢印のようになり、表面で乱流を起こ
し、気泡をまき込み、商品としての見ばえが悪く
なり、商品価値を低下させる。表示板の上部の透
光散乱性樹脂２の厚みを増すと、表示板５で表示
したものがボヤけてしまうため、これを薄くしな
ければならないので、リードの裏側の厚みのある
方へ樹脂が早く流れ、結果として第２図の矢印の
ような流れになる。この実施例では表面の薄い部
分は0.3mm程度以下が良いことが確認されてい
る。そこで樹脂の表面での乱流を妨げるため第３
図に示すように表示板５１の樹脂注入口１０と反
対側に位置する部分を大きくして金型１８との間
隙１１を狭くすることにより間隙１１におけるリ
ード３の裏側からの樹脂の流れを減少させ、表示
板５１の孔５０から表面への樹脂の流れ込みを増
して表面の樹脂流が一様に空気逃げ口１２まで流
れるようにし、気泡が全て逃げ口１２から逃げる
ようにする。このようにして成型することはでき
たが、これでは、発光ダイオード６を周囲の環境
から保護する高密度の樹脂２の厚みが薄くなつて
しまいリード部３を通つて湿気が入り、耐湿性の
面でも完全ではない。そこで第４図に示すよう
に、表示板５２の樹脂注入口１０と反対側に帯状
の突起５３を設けることにより第３図の構成と同
じ効果をもたらし、さらに上記で問題であつた周
囲の環境から発光ダイオード６を保護するのに充
分な量の樹脂でリード部３を覆うことができる。
本実施例ではモールド樹脂部２のリード露出側の
厚い方を１mm程度、突起５３をつけ薄くなつた方
を0.3mm程度にすることにより実現できた。さら
に第５図に拡大断面図として示したように表示板
５４の両側に第４図のような突起５５を設けても
良いことが確認できた。このようにして製造した
表示装置を周囲が60℃90％の高温高湿中で電流を
流し加速試験を行なつた結果、従来の製法で作つ
たものに比べて３〜５倍程度の長寿命であること
が確認された。
以上詳細に述べたように、本発明によれば発光
ダイオード・ペレツトが射出成型された高密度の
樹脂で充分に保護されるので耐湿性にすぐれた品
質をもつ低価格の表示装置の製造が可能である。
また本発明が表示装置や半導体装置に限られず、
孔または凹部を有する部材をモールド体で覆つた
構造の電気部品一般に応用できることは明らかで
ある。
ダイオード・ペレツトが射出成型された高密度の
樹脂で充分に保護されるので耐湿性にすぐれた品
質をもつ低価格の表示装置の製造が可能である。
また本発明が表示装置や半導体装置に限られず、
孔または凹部を有する部材をモールド体で覆つた
構造の電気部品一般に応用できることは明らかで
ある。
第１図ａは一般的半導体発光装置の一例を示す
斜視図。第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面図で従
来の構造を示す。第２図は第１図ｂの装置の樹脂
封入作業を説明する断面図。第３図は本発明の原
理を説明するための断面図。第４図は本発明の第
１の実施例を説明するための断面図。第５図は本
発明の第２の実施例の断面図。 １……発光素子部、２……樹脂モールド部、３
……リード、４……裏面及び側面の黒塗装部、
５，５１，５２，５４……表示板、６……発光ダ
イオード（GaPまたはGaAsP等）、７……金線、
８，９……金型、１０……樹脂注入口、１２……
空気逃げ口、５０……孔、５３，５５……突起。
斜視図。第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面図で従
来の構造を示す。第２図は第１図ｂの装置の樹脂
封入作業を説明する断面図。第３図は本発明の原
理を説明するための断面図。第４図は本発明の第
１の実施例を説明するための断面図。第５図は本
発明の第２の実施例の断面図。 １……発光素子部、２……樹脂モールド部、３
……リード、４……裏面及び側面の黒塗装部、
５，５１，５２，５４……表示板、６……発光ダ
イオード（GaPまたはGaAsP等）、７……金線、
８，９……金型、１０……樹脂注入口、１２……
空気逃げ口、５０……孔、５３，５５……突起。
Claims (1)
- １ リードフレームの表面に半導体素子と選択的
に孔が形成された絶縁板とを取り付けた中間品を
形成し、樹脂注入口および空気逃げ口を有するキ
ヤビテイ内に前記中間品を挿入し、前記樹脂注入
口から樹脂を注入して前記絶縁板、前記半導体素
子および前記リードフレームの一部を樹脂で封止
するモールド型電気部品の製造方法であつて、前
記絶縁板の前記空気逃げ口側に位置する部分に前
記絶縁板と前記リードフレームとの接触面から離
れて突起を設け、この突記により前記リードフレ
ームの裏面から前記空気逃げ口側への前記樹脂の
流れを抑えたことを特徴とするモールド型電気部
品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9530777A JPS5429566A (en) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | Mo lded type electric component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9530777A JPS5429566A (en) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | Mo lded type electric component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5429566A JPS5429566A (en) | 1979-03-05 |
| JPS6249755B2 true JPS6249755B2 (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=14134098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9530777A Granted JPS5429566A (en) | 1977-08-08 | 1977-08-08 | Mo lded type electric component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5429566A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61237485A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Takiron Co Ltd | 発光表示体の製法 |
| KR101349605B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2014-01-09 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조방법 |
-
1977
- 1977-08-08 JP JP9530777A patent/JPS5429566A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5429566A (en) | 1979-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6181720B1 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing same | |
| US9476788B2 (en) | Semiconductor sensor with gel filled cavity | |
| US4390810A (en) | Semiconductor light-emitting display device | |
| JPS6249755B2 (ja) | ||
| JP2001217464A (ja) | 発光表示装置およびその製法 | |
| JPH03255970A (ja) | 磁気検出センサーとその製造法 | |
| JP2001215899A (ja) | 発光表示装置およびその製法 | |
| JP4620303B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS591253Y2 (ja) | 半導体発光表示装置 | |
| JPH0511401B2 (ja) | ||
| JPH11224063A (ja) | 樹脂モールド型表示装置およびその製法 | |
| JPS642399A (en) | Semiconductor device | |
| JPH05291320A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP4003862B2 (ja) | 成形体 | |
| JPH0331384B2 (ja) | ||
| JPH10144822A (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JPH06163950A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62122198A (ja) | 樹脂封止形小形電気機器の製造方法 | |
| JPH0452997Y2 (ja) | ||
| JP2015070104A (ja) | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 | |
| JPS55107252A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH06845Y2 (ja) | ピン端子ｌｅｄ | |
| JPH09130024A (ja) | モールド部品とその製造方法 | |
| JPH0636590Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3290874B2 (ja) | 電子スイッチ用基板、電子スイッチの製造方法 |