JP2015070104A - 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することを目的とする。【解決手段】少なくとも樹脂部３の開口内に露出するリードフレーム１，２の側面に鍔部１０を設けることにより、リードフレーム１，２と樹脂との密着力が向上し、リードフレーム１，２と樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することができる。【選択図】図１
Description
リードフレームを保持しながら半導体素子の搭載領域を形成する樹脂部内に封止樹脂が設けられる半導体装置とそれに用いる半導体装置用パッケージおよびその製造方法に関する。
従来の半導体装置用パッケージについて図５を用いて説明する。
図５は従来の半導体装置用パッケージの構成を示す概略図であり、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ’断面図、図５（ｃ）は従来の半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を示す概略図である。
図５は従来の半導体装置用パッケージの構成を示す概略図であり、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ’断面図、図５（ｃ）は従来の半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を示す概略図である。
従来の半導体装置用パッケージは、図５に示すように、インナーリードに半導体素子の搭載領域を備えるリードフレーム２１と、インナーリードに半導体装置との接続領域を備えるリードフレーム２２と、リードフレーム２１およびリードフレーム２２上面においてこれらを保持すると共に半導体素子の搭載領域を開口して形成される樹脂部２３と、リードフレーム２１およびリードフレーム２２の側面および底面に設けられてリードフレーム２１およびリードフレーム２２を保持する樹脂２４とからなる。また、光半導体装置用パッケージの場合には、光半導体素子の光反射を高めるためにリードフレーム２１、２２の表面に被膜処理が施される。
このような半導体装置用パッケージを用いる半導体装置は、半導体装置用パッケージの搭載領域に半導体素子２５を搭載し、半導体素子２５と接続領域をワイヤ２６で接続し、半導体素子２５とワイヤ２６を封止するように、樹脂部２３の開口内部に封止樹脂２７を充填することにより形成される。
しかしながら、従来の半導体装置用パッケージでは、リードフレーム２１，２２と樹脂２４または樹脂部２３との密着力が不足する場合がある。例えば、樹脂２４または樹脂部２３の形成時に、樹脂注入後の冷却工程における熱収縮により、リードフレーム２１，２２と樹脂２４または樹脂部２３との間に隙間２８が生じる場合がある。また、外力等の応力によりリードフレーム２１，２２と樹脂２４または樹脂部２３との間に隙間２８が生じる場合がある。このように、リードフレーム２１，２２と樹脂２４との間に隙間２８が生じると、基板実装時におけるはんだディップの際に、はんだが隙間２８から浸入して、リードフレーム２１、２２間が電気的に短絡し、通電不良を引き起こす問題があった。また、光半導体装置用パッケージでは、被膜処理が施されたリードフレームの表面へはんだが延在することになり、光反射が低下するという問題があった。
一方、半導体装置の形成時における封止樹脂２７のポッティングの際に封止樹脂２７が隙間２８から漏れ出し、外観不良や樹脂部２３の開口内部の封止樹脂２７不足、あるいは、漏れ出した封止樹脂２７が外部端子に付着して接続不良や実装不良を引き起こす問題点があった。また、隙間２８から外気や水分が封止樹脂２７に浸入し、封止樹脂２７の硬化前においては、封止樹脂２７に気泡が発生したり、封止樹脂２７の硬化後においては、耐湿性が低化したりする問題点もあった。
本発明は、上記問題点を解決するものであり、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置用パッケージは、主面に素子搭載領域を備える１または複数の第１のリードフレームと、主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される１または複数の第２のリードフレームと、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を露出する開口部を備えて形成される樹脂部と、少なくとも前記開口部内で前記樹脂部から露出する前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に形成される鍔部と、前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの側面の少なくとも一部および前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間隙に設けられる保持樹脂とを有することを特徴とする。
また、前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面の内、前記主面側に形成されても良い。
また、前記鍔部の表面に表面荒し加工が形成されても良い。
また、前記鍔部の表面に表面荒し加工が形成されても良い。
また、前記鍔部の表面に、金属酸化物、樹脂、ガラスのうち少なくとも一つを含む絶縁材料からなる表面処理加工が形成されても良い。
また、前記鍔部の表面にＶ溝が形成されても良い。
また、前記鍔部の表面にＶ溝が形成されても良い。
また、複数の前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に断続的に形成されても良い。
また、前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に連続的に形成されても良い。
また、前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に連続的に形成されても良い。
また、前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いても良い。
さらに、本発明の半導体装置用パッケージの製造方法は、複数のリードフレームの主面に対する側面に鍔部を形成するリードフレーム加工工程と、前記リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を露出する開口部を備える樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂を形成する樹脂注入工程とを有し、前記鍔部が少なくとも前記開口部内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームの互いに向かい合う側面に形成されることを特徴とする。
さらに、本発明の半導体装置用パッケージの製造方法は、複数のリードフレームの主面に対する側面に鍔部を形成するリードフレーム加工工程と、前記リードフレームを金型内に載置する金型工程と、前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を露出する開口部を備える樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂を形成する樹脂注入工程とを有し、前記鍔部が少なくとも前記開口部内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームの互いに向かい合う側面に形成されることを特徴とする。
また、前記鍔部の表面に、表面荒し加工，表面処理加工、またはＶ溝を形成しても良い。
また、前記鍔部をコイニングにより形成しても良い。
また、前記鍔部をコイニングにより形成しても良い。
さらに、本発明の半導体装置は、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電性材料と、前記樹脂部の前記開口部の内部を封止する封止樹脂とを有することを特徴とする。
また、前記半導体装置用パッケージと、前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電性材料と、前記リフレクタの前記開口部の内部を封止する透光性樹脂とを有し、光半導体装置であっても良い。
以上により、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することができる。
少なくとも樹脂部の開口内に露出するリードフレームの側面に鍔部を設けることにより、リードフレームと樹脂との密着力が向上し、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することができる。
（実施の形態１）
まず、図１，図２を用いて実施の形態１における半導体装置用パッケージの構成および製造方法を説明する。
まず、図１，図２を用いて実施の形態１における半導体装置用パッケージの構成および製造方法を説明する。
図１は実施の形態１における半導体装置用パッケージの構成を示す図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＸ−Ｘ’断面図、図１（ｃ）は裏面図である。図２は本発明の半導体装置用パッケージの製造工程を示す工程断面図である。
図１において、１はインナーリードに半導体素子の搭載領域４を備えるリードフレーム、２はインナーリードに半導体装置との接続領域５を備えるリードフレーム、３はリードフレーム１およびリードフレーム２上に形成されてこれらを保持すると共に搭載領域４と接続領域５を開口するように囲んで形成され、搭載領域４と接続領域５とを保護する樹脂部、６はリードフレーム１、２の間隙、側面の少なくとも一部、必要に応じて裏面に設けられてリードフレーム１、２を保持する保持樹脂、１０はリードフレーム１、２の向かい合う側面それぞれに形成され、リードフレーム１、２の厚みを薄くした鍔部である。すなわち、リードフレーム１、２の向かい合う側面それぞれに段差を形成し、段差によりリードフレーム１、２の厚みが薄くなった部分が鍔部１０となる。鍔部１０は、樹脂部３が形成された領域にも形成して良いが、少なくともリードフレーム１、２が樹脂部３から露出する領域に形成する。鍔部１０は、樹脂部３から露出する領域において、リードフレーム１の搭載領域４が設けられた主面に対する側面、およびリードフレーム２の接続領域５が設けられた主面に対する側面の少なくとも一方、あるいは両方に形成される。また、鍔部１０は、リードフレーム１、２の先端部分の厚みを薄くすることにより形成され、厚みの薄くなった部分を鍔部１０と称する。本発明の半導体装置用パッケージは、樹脂部３から開口内部で露出するリードフレーム１，２の側面にリードフレーム厚を薄くする鍔部１０を設けることにより、リードフレーム１，２と保持樹脂６との密着力が向上し、隙間の発生を抑制することができる。
図１では、リードフレーム２を１本備える２端子の半導体装置用パッケージを示しているが、リードフレーム２を複数備える構成であってもかまわない。その場合、鍔部１０を、少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する領域における、リードフレーム１、２の互いに対向する側面の他に、隣接するリードフレーム２間の互いに対向する側面にも形成することが望ましい。
このように、開口部以外の領域はリードフレーム１，２上に樹脂部３が囲んで保護されており隙間の発生を抑制している。さらに、リードフレーム１、２の互いに対向する側面の内の少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する部分に段差（鍔部）を形成することにより、少なくとも封止樹脂が注入される部分のリードフレーム１，２と保持樹脂６との密着力が向上し、隙間の発生を抑制することができるため、樹脂部３の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れを抑制し、開口内への外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することができる。
さらに、鍔部１０は、リードフレーム１，２の対向する辺と平行に連続的に形成しても良いが（図１（ｃ））、鍔部１０を、リードフレーム１，２の対向する辺と平行に断続的に複数個並べた構成とすることもできる（図１（ｄ））。このように、鍔部１０を断続的に形成することにより、鍔部１０の間にも保持樹脂６が充填され、さらに密着力および保持力を向上することができる。
次に、図２を用いて本発明の光半導体装置用パッケージの製造方法を説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、リードフレーム１，２の対向する側面の内、少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する部分に鍔部１０を形成する。これらの鍔部１０の形成は、コイニングによって形成しても良いし、エッチングによって形成しても良く、形成方法は任意である。
まず、図２（ａ）に示すように、リードフレーム１，２の対向する側面の内、少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する部分に鍔部１０を形成する。これらの鍔部１０の形成は、コイニングによって形成しても良いし、エッチングによって形成しても良く、形成方法は任意である。
次に、図２（ｂ）に示すように、樹脂部３を形成するための金型７内にリードフレーム１，２を載置する。この状態で、金型７の樹脂注入口８から樹脂を注入する。注入された樹脂は、金型７内の空間に充填され、樹脂部３および保持樹脂６を形成する。
最後に、図２（ｃ）に示すように、樹脂を硬化させた後、金型７を外すことにより、リードフレーム１，２上に樹脂部３を設け、少なくともリードフレーム１，２の側面および間隙の保持樹脂６と樹脂部３とでリードフレーム１，２を保持する半導体装置用パッケージが完成する。
このように、リードフレーム１、２の互いに対向する側面の内の少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する部分に段差（鍔部）を形成することにより、少なくとも封止樹脂が注入される部分のリードフレーム１，２と保持樹脂６との密着力が向上し、隙間の発生を抑制することができるため、樹脂部３の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れや、開口内への外気あるいは水分の侵入や、はんだの浸入を抑制することができる。
以上の製造方法の説明では、リードフレーム１，２の素子搭載面に対する裏面にも保持樹脂６を設けていたが、リードフレーム１，２を十分保持することができれば、図１に示したように半導体装置用パッケージの薄型化のために、リードフレーム１，２の裏面には保持樹脂６を設けない構成とすることもできる。
この場合、図２（ｂ）に示す金型７に代わり、図２（ｄ）に示すような金型９を用いることにより、裏面に保持樹脂を設けない半導体装置用パッケージを形成することができる。
（実施の形態２）
次に、図３を用いて実施の形態２における半導体装置用パッケージの構成を説明する。
（実施の形態２）
次に、図３を用いて実施の形態２における半導体装置用パッケージの構成を説明する。
図３は実施の形態２における半導体装置用パッケージの鍔部の構成を示す図であり、段差（鍔部）の構成例を示す図である。
実施の形態１では、リードフレーム１，２の半導体素子の搭載面である主面に対する裏面側にリードフレーム厚の薄い部分を残して鍔部１０を形成したが、鍔部１０は、リードフレーム１、２の側面に形成されれば良く、搭載領域４および接続領域５が設けられる主面側に形成されても良いし（図３（ｄ））、主面に対する裏面側に形成されても良い（図１（ｂ）参照）。また、リードフレーム１、２の側面のうち、主面と裏面との間に鍔部１０を形成し、断面凸形状の鍔部１０を形成しても良い（図３（ｅ））。また、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、リードフレーム１、２の互いに対向する側面の内の少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する部分におけるリードフレーム１，２の上面、すなわち少なくとも樹脂部３と接する鍔部１０の表面に表面荒らし加工１１ａや、Ｖ溝加工１１ｂや、はんだと馴染みにくい表面処理加工１１ｃを設ける構成にすることもできる。図では、リードフレーム１、２の主面側に鍔部１０が形成された場合を例に示しているが、図３（ｄ）や図３（ｅ）で示す位置に形成された鍔部１０の表面に、表面荒らし加工１１ａや、Ｖ溝１１ｂや、表面処理加工１１ｃを設けても良い。
実施の形態１では、リードフレーム１，２の半導体素子の搭載面である主面に対する裏面側にリードフレーム厚の薄い部分を残して鍔部１０を形成したが、鍔部１０は、リードフレーム１、２の側面に形成されれば良く、搭載領域４および接続領域５が設けられる主面側に形成されても良いし（図３（ｄ））、主面に対する裏面側に形成されても良い（図１（ｂ）参照）。また、リードフレーム１、２の側面のうち、主面と裏面との間に鍔部１０を形成し、断面凸形状の鍔部１０を形成しても良い（図３（ｅ））。また、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、リードフレーム１、２の互いに対向する側面の内の少なくとも樹脂部３から開口内部で露出する部分におけるリードフレーム１，２の上面、すなわち少なくとも樹脂部３と接する鍔部１０の表面に表面荒らし加工１１ａや、Ｖ溝加工１１ｂや、はんだと馴染みにくい表面処理加工１１ｃを設ける構成にすることもできる。図では、リードフレーム１、２の主面側に鍔部１０が形成された場合を例に示しているが、図３（ｄ）や図３（ｅ）で示す位置に形成された鍔部１０の表面に、表面荒らし加工１１ａや、Ｖ溝１１ｂや、表面処理加工１１ｃを設けても良い。
表面荒らし加工１１ａは、鍔部１０の表面に微細な凹凸を形成するものであり、プレス金型により形成される。表面荒らし加工１１ａの表面の荒さは、荒さが大きい方が好ましく、例えば、Ｒａ：０．１〜１００μｍ程度である。表面荒らし加工を施すとリードフレーム１，２と保護樹脂６との密着性がさらに向上し、隙間の発生を抑制することができるため、樹脂部３の開口内に封止樹脂が注入されても封止樹脂漏れを抑制し、開口内への外気あるいは水分、はんだ等の異物の浸入を抑制することができる。
また、図３（ｂ）に示すように、リードフレーム１，２の表面に鍔部１０およびＶ溝１１ｂを形成することもできる。Ｖ溝１１ｂとしては、プレス金型により形成され、幅は広く深さが深い方が好ましいが、例えば幅０ｍｍより大きく１ｍｍ以下であり、深さ０ｍｍより大きく０．３ｍｍ以下とすることができる。Ｖ溝１１ｂを施すとリードフレームと樹脂との密着性が向上し、隙間の発生を抑制することができるため、はんだの侵入を抑制できる。また、はんだ工程の際、リードフレーム裏面から開口部へ漏洩しようとするはんだはＶ溝１１ｂ内に流れ込む。この際、Ｖ溝１１ｂの幅が縮小している奥端部において毛細管現象がより顕著に起こり、この毛細管現象によって、はんだは、Ｖ溝１１ｂへ誘導され溜まり、開口部への侵入を防止することができる。
また、図３（ｃ）に示すように、はんだと馴染み難い表面処理１１ｃとしては、金属酸化物、樹脂やガラスなどの絶縁コーティングなどが好ましい。例えば、金属酸化物としては酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化鉄（II）、酸化鉄（III）、酸化ニッケル、酸化銅（I）、酸化銅（II）、樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂、ガラスとしては、酸化ケイ素を含む化合物などが好ましい。
上記のような金属酸化物、樹脂やガラスなどの内、少なくとも１つを含む絶縁材料からなる絶縁コーティングが形成されると、溶融されたはんだが進入しても、はんだ中の錫、鉛などの成分とリードフレーム１，２の表面とが金属結合できない為、はんだが馴染み難くなり、たとえ、リードフレーム１，２と保持樹脂との間に隙間が生じたとしても、はんだの進入を抑制できるという利点がある。
なお、Ｖ溝１１ｂを、表面荒らし加工１１ａまたは表面処理１１ｃが施された鍔部１０の表面に形成しても良い。
これにより、少なくとも封止樹脂が注入される部分のリードフレーム１，２と保持樹脂６との密着力がより向上し、隙間の発生を抑制することができるため、封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入の抑制をより確実にすることができる。また、アンカー効果が向上し保持樹脂６によるリードフレーム１，２の保持力がさらに向上するため、より容易にリードフレーム１，２裏面の保持樹脂６を形成しない構成とすることができる。
これにより、少なくとも封止樹脂が注入される部分のリードフレーム１，２と保持樹脂６との密着力がより向上し、隙間の発生を抑制することができるため、封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入の抑制をより確実にすることができる。また、アンカー効果が向上し保持樹脂６によるリードフレーム１，２の保持力がさらに向上するため、より容易にリードフレーム１，２裏面の保持樹脂６を形成しない構成とすることができる。
また、半導体装置用パッケージの製造工程は、実施の形態１の図２を用いた説明と同様である。
上記実施の形態１および実施の形態２の半導体装置用パッケージにおいて、リードフレーム１，２の上面の樹脂部３をリフレクタとすることにより、光半導体装置用パッケージとすることもできる。この場合、リフレクタの材料となる樹脂を光の反射率の高い樹脂を用いるか、リフレクタの素子搭載面側の表面を光の反射率の高い材料でコーティングすることが、発光効率の向上のために好ましい。また、リフレクタの素子搭載面側の表面に素子搭載面側に向かう傾斜を設けることが、発光効率の向上のために好ましい。
（実施の形態３）
次に、図４を用いて実施の形態１および実施の形態２における半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を説明する。
上記実施の形態１および実施の形態２の半導体装置用パッケージにおいて、リードフレーム１，２の上面の樹脂部３をリフレクタとすることにより、光半導体装置用パッケージとすることもできる。この場合、リフレクタの材料となる樹脂を光の反射率の高い樹脂を用いるか、リフレクタの素子搭載面側の表面を光の反射率の高い材料でコーティングすることが、発光効率の向上のために好ましい。また、リフレクタの素子搭載面側の表面に素子搭載面側に向かう傾斜を設けることが、発光効率の向上のために好ましい。
（実施の形態３）
次に、図４を用いて実施の形態１および実施の形態２における半導体装置用パッケージを用いた半導体装置の構成を説明する。
図４は実施の形態３における半導体装置の構成を示す図であり、図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ’断面図である。
実施の形態３における半導体装置は、図４に示すように、実施の形態１および実施の形態２における半導体装置用パッケージの搭載領域４上に導電性接着剤等で半導体素子１３を固着し、半導体素子１３と接続領域５とをワイヤ１４等の導電性材料で電気的に接続し、半導体素子１３とワイヤ１４とを封止するように、樹脂部３とリードフレーム１，２とで囲まれた開口部に封止樹脂１５を形成することにより形成される。この時、リードフレーム１，２の裏面に樹脂を設けない半導体装置用パッケージを用いた場合には、半導体素子１３の動作時に発生する熱を素早く放出することができる。また、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。
実施の形態３における半導体装置は、図４に示すように、実施の形態１および実施の形態２における半導体装置用パッケージの搭載領域４上に導電性接着剤等で半導体素子１３を固着し、半導体素子１３と接続領域５とをワイヤ１４等の導電性材料で電気的に接続し、半導体素子１３とワイヤ１４とを封止するように、樹脂部３とリードフレーム１，２とで囲まれた開口部に封止樹脂１５を形成することにより形成される。この時、リードフレーム１，２の裏面に樹脂を設けない半導体装置用パッケージを用いた場合には、半導体素子１３の動作時に発生する熱を素早く放出することができる。また、半導体装置の薄型化を図ることが可能となる。
ここで、上述の光半導体装置用パッケージを用い、半導体素子１３として光半導体素子を搭載し、封止樹脂１５として透光性樹脂を用いることにより、光半導体装置を形成することもできる。
なお、本光半導体装置用パッケージは、樹脂部３および保持樹脂６として熱硬化性樹脂を用いて熱硬化性樹脂パッケージとしても良い。また、リードフレーム材厚は０．２ｍｍ以上で３．０ｍｍ以下のパッケージサイズが好ましい。
本発明は、リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入や、はんだの浸入を抑制することができ、リードフレームを保持しながら半導体素子の搭載領域を形成する樹脂部内に封止樹脂が設けられる半導体装置とそれに用いる半導体装置用パッケージ等に有用である。
１ リードフレーム
２ リードフレーム
３ 樹脂部
４ 搭載領域
５ 接続領域
６ 保持樹脂
７ 金型
８ 注入口
９ 金型
１０ 鍔部
１１ａ 表面荒らし加工
１１ｂ Ｖ溝
１１ｃ 表面処理加工
１３ 半導体素子
１４ ワイヤ
１５ 封止樹脂
２１ リードフレーム
２２ リードフレーム
２３ 樹脂部
２４ 樹脂
２５ 半導体素子
２６ ワイヤ
２７ 封止樹脂
２８ 隙間
２ リードフレーム
３ 樹脂部
４ 搭載領域
５ 接続領域
６ 保持樹脂
７ 金型
８ 注入口
９ 金型
１０ 鍔部
１１ａ 表面荒らし加工
１１ｂ Ｖ溝
１１ｃ 表面処理加工
１３ 半導体素子
１４ ワイヤ
１５ 封止樹脂
２１ リードフレーム
２２ リードフレーム
２３ 樹脂部
２４ 樹脂
２５ 半導体素子
２６ ワイヤ
２７ 封止樹脂
２８ 隙間
Claims (13)
- 主面に素子搭載領域を備える１または複数の第１のリードフレームと、
主面に接続領域を備えて電気的に独立して形成される１または複数の第２のリードフレームと、
前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの前記主面上に前記素子搭載領域および前記接続領域を露出する開口部を備えて形成される樹脂部と、
少なくとも前記開口部内で前記樹脂部から露出する前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に形成される鍔部と、
前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの側面の少なくとも一部および前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとの間隙に設けられる保持樹脂と
を有することを特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面の内、前記主面側に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記鍔部の表面に表面荒し加工が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記鍔部の表面に、金属酸化物、樹脂、ガラスのうち少なくとも一つを含む絶縁材料からなる表面処理加工が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記鍔部の表面にＶ溝が形成されることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置用パッケージ。
- 複数の前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に断続的に形成されることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記鍔部が、前記第１のリードフレームおよび前記第２のリードフレームの向かい合う側面に連続的に形成されることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記樹脂部がリフレクタであり、光半導体装置用パッケージとして用いることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置用パッケージ。
- 複数のリードフレームの主面に対する側面に鍔部を形成するリードフレーム加工工程と、
前記リードフレームを金型内に載置する金型工程と、
前記金型内に樹脂を注入して素子搭載領域を露出する開口部を備える樹脂部および前記リードフレームを保持する保持樹脂を形成する樹脂注入工程と
を有し、前記鍔部が少なくとも前記開口部内で前記樹脂部から露出する前記リードフレームの互いに向かい合う側面に形成されることを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。 - 前記リードフレーム加工工程において、前記鍔部の表面に、表面荒し加工，表面処理加工、またはＶ溝を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
- 前記鍔部をコイニングにより形成することを特徴とする請求項９または請求項１０のいずれかに記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
- 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置用パッケージと、
前記素子搭載領域に搭載される半導体素子と、
前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電性材料と、
前記樹脂部の前記開口部の内部を封止する封止樹脂と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項８記載の半導体装置用パッケージと、
前記素子搭載領域に搭載される光半導体素子と、
前記半導体素子と前記接続領域とを電気的に接続する導電性材料と、
前記リフレクタの前記開口部の内部を封止する透光性樹脂と
を有し、光半導体装置であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013202858A JP2015070104A (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2013202858A JP2015070104A (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015070104A true JP2015070104A (ja) | 2015-04-13 |
Family
ID=52836514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013202858A Pending JP2015070104A (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2015070104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019096675A (ja) * | 2017-11-20 | 2019-06-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013202858A patent/JP2015070104A/ja active Pending
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