JPH05101469A - 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法Info
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- JPH05101469A JPH05101469A JP3259276A JP25927691A JPH05101469A JP H05101469 A JPH05101469 A JP H05101469A JP 3259276 A JP3259276 A JP 3259276A JP 25927691 A JP25927691 A JP 25927691A JP H05101469 A JPH05101469 A JP H05101469A
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザー照射場所以外で外部磁界を印加する必
要がなく、線記録密度とトラック記録密度と記録処理速
度とを向上できる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】第１の磁性層３は、周囲温度より高くかつ第２
の磁性層４のキュリー温度Ｔc2より低い温度範囲に補償
温度Ｔcomp1を有し、第２の磁性層４と相互に交換結合
している。第１の磁性層３は、適当な大きさの外部磁界
ＨEを印加した場合に、周囲温度では外部磁界ＨEに対し
て安定な方向に配向しかつ補償温度Ｔcom p1の近傍の温
度では第２の磁性層４との交換相互作用に関して安定な
方向に配向する組成のものとする。第２の磁性層４は、
周囲温度から第１の磁性層３の補償温度Ｔcomp1の近傍
の温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保持
する組成のものとする。
要がなく、線記録密度とトラック記録密度と記録処理速
度とを向上できる光磁気記録媒体を提供する。 【構成】第１の磁性層３は、周囲温度より高くかつ第２
の磁性層４のキュリー温度Ｔc2より低い温度範囲に補償
温度Ｔcomp1を有し、第２の磁性層４と相互に交換結合
している。第１の磁性層３は、適当な大きさの外部磁界
ＨEを印加した場合に、周囲温度では外部磁界ＨEに対し
て安定な方向に配向しかつ補償温度Ｔcom p1の近傍の温
度では第２の磁性層４との交換相互作用に関して安定な
方向に配向する組成のものとする。第２の磁性層４は、
周囲温度から第１の磁性層３の補償温度Ｔcomp1の近傍
の温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保持
する組成のものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体と光磁
気記録再生方法とに関し、特に、相互に交換結合してい
る第１の磁性層および第２の磁性層を少なくとも有する
光磁気記録媒体と、この光磁気記録媒体を用いた光磁気
記録再生方法とに関する。
気記録再生方法とに関し、特に、相互に交換結合してい
る第１の磁性層および第２の磁性層を少なくとも有する
光磁気記録媒体と、この光磁気記録媒体を用いた光磁気
記録再生方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度記録が可能な記録媒体として、レ
ーザー光を照射することによって記録や再生が行なわれ
る光磁気記録媒体が注目されている。現在、光磁気記録
媒体としては、磁性層を２層以上積層させて相互に磁気
的に結合するようにしたものが一般的である。この光磁
気記録媒体において、線記録密度とトラック密度とをさ
らに向上させ、より高記録密度での記録・再生を可能と
するような試みが盛んに行なわれている。
ーザー光を照射することによって記録や再生が行なわれ
る光磁気記録媒体が注目されている。現在、光磁気記録
媒体としては、磁性層を２層以上積層させて相互に磁気
的に結合するようにしたものが一般的である。この光磁
気記録媒体において、線記録密度とトラック密度とをさ
らに向上させ、より高記録密度での記録・再生を可能と
するような試みが盛んに行なわれている。
【０００３】レーザー光の照射領域の最小の大きさは、
レーザー光の回折限界によって規定され、すなわちレー
ザー光の波長λと光学系の開口数Ｎ.Ａ.とで自動的に定
まってしまうため、容易には小さくすることができな
い。ところで、光磁気記録媒体への記録過程は本質的に
熱過程であるから、レーザーの照射領域に比べ昇温領域
が小さいことにより、記録時に回折限界以下の周期（ピ
ット長）で記録を行なうことが可能である。しかし、再
生過程は磁気光学効果によるものなので、通常の方法で
は、レーザーの照射領域より小さい周期の信号を再生す
ることが困難である。したがって、再生時により小さい
周期の信号を再生できるようにすることが、光磁気記録
媒体の記録密度を向上させるために重要なこととなる。
そこで、光磁気記録媒体の構成や再生方法を工夫するこ
とにより、記録密度を向上させることが行なわれてい
る。
レーザー光の回折限界によって規定され、すなわちレー
ザー光の波長λと光学系の開口数Ｎ.Ａ.とで自動的に定
まってしまうため、容易には小さくすることができな
い。ところで、光磁気記録媒体への記録過程は本質的に
熱過程であるから、レーザーの照射領域に比べ昇温領域
が小さいことにより、記録時に回折限界以下の周期（ピ
ット長）で記録を行なうことが可能である。しかし、再
生過程は磁気光学効果によるものなので、通常の方法で
は、レーザーの照射領域より小さい周期の信号を再生す
ることが困難である。したがって、再生時により小さい
周期の信号を再生できるようにすることが、光磁気記録
媒体の記録密度を向上させるために重要なこととなる。
そこで、光磁気記録媒体の構成や再生方法を工夫するこ
とにより、記録密度を向上させることが行なわれてい
る。
【０００４】例えば、特開平３−９３０５８号公報に
は、磁気的に結合された再生層と記録保持層とを有した
多層膜を用い、記録保持層に信号の記録を行なうととも
に予め再生層は磁化の方向を揃えて消去状態としてお
き、そののち、レーザー光を照射して再生層を昇温さ
せ、記録保持層の磁化を再生層の昇温領域に転写しなが
らこの昇温領域から磁気光学効果を用いて信号を再生す
る方法が開示されている。この方法によれば、再生光学
系でのレーザーの照射領域の大きさに比べ、再生層のう
ち磁化が転写されるのに必要な温度にまで昇温される領
域の大きさが小さくなるから、昇温していない領域が消
去状態であることと合わせ、再生時の符号間干渉が減少
し、レーザー光の回折限界以下の周期の信号の再生が可
能になる。
は、磁気的に結合された再生層と記録保持層とを有した
多層膜を用い、記録保持層に信号の記録を行なうととも
に予め再生層は磁化の方向を揃えて消去状態としてお
き、そののち、レーザー光を照射して再生層を昇温さ
せ、記録保持層の磁化を再生層の昇温領域に転写しなが
らこの昇温領域から磁気光学効果を用いて信号を再生す
る方法が開示されている。この方法によれば、再生光学
系でのレーザーの照射領域の大きさに比べ、再生層のう
ち磁化が転写されるのに必要な温度にまで昇温される領
域の大きさが小さくなるから、昇温していない領域が消
去状態であることと合わせ、再生時の符号間干渉が減少
し、レーザー光の回折限界以下の周期の信号の再生が可
能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の、再生層を予め
消去状態にしておき、再生用のレーザー光を照射するこ
とにより記録保持層の磁化が再生層に転写されるような
再生方法では、信号の再生前に再生層の全面が消去状態
となるようにするために、レーザー照射場所とは別の場
所で再生層に外部磁界を印加する操作が必要となり、記
録再生装置が複雑化するという問題点がある。
消去状態にしておき、再生用のレーザー光を照射するこ
とにより記録保持層の磁化が再生層に転写されるような
再生方法では、信号の再生前に再生層の全面が消去状態
となるようにするために、レーザー照射場所とは別の場
所で再生層に外部磁界を印加する操作が必要となり、記
録再生装置が複雑化するという問題点がある。
【０００６】また、記録処理速度を向上させるために、
単一の光学系を用いてマルチビームダイレクトベリファ
イ（複数のレーザービームを使用し、記録動作と、記録
が正常に行なわれたかを確かめるために実際に記録を読
み出すベリファイ動作とをまとめて実行すること）を行
なう場合には、記録直後の領域にベリファイ用のレーザ
ー光を照射するが、記録ののちベリファイ動作を行なう
までの間にその領域の再生層を消去状態とすることが不
可能であり、したがって、ベリファイ動作時には、レー
ザー光の照射によって昇温領域となった部分からのみ信
号を読み出すという上述の方法を実施することができ
ず、結果として、線記録密度およびトラック密度を向上
させることができないという問題点がある。
単一の光学系を用いてマルチビームダイレクトベリファ
イ（複数のレーザービームを使用し、記録動作と、記録
が正常に行なわれたかを確かめるために実際に記録を読
み出すベリファイ動作とをまとめて実行すること）を行
なう場合には、記録直後の領域にベリファイ用のレーザ
ー光を照射するが、記録ののちベリファイ動作を行なう
までの間にその領域の再生層を消去状態とすることが不
可能であり、したがって、ベリファイ動作時には、レー
ザー光の照射によって昇温領域となった部分からのみ信
号を読み出すという上述の方法を実施することができ
ず、結果として、線記録密度およびトラック密度を向上
させることができないという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、レーザー照射場所とは別
の場所で外部磁界を印加して再生層を消去する操作が不
要である光磁気記録媒体を提供し、さらに、この光磁気
記録媒体を用いて線記録密度とトラック記録密度を向上
させ、かつマルチビームダイレクトベリファイを実行し
て記録処理速度を向上させることのできる光磁気記録再
生方法を提供することにある。
の場所で外部磁界を印加して再生層を消去する操作が不
要である光磁気記録媒体を提供し、さらに、この光磁気
記録媒体を用いて線記録密度とトラック記録密度を向上
させ、かつマルチビームダイレクトベリファイを実行し
て記録処理速度を向上させることのできる光磁気記録再
生方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、第１の磁性層が、周囲温度より高くかつ第２の磁性
層のキュリー温度Ｔc2より低い温度範囲に補償温度Ｔ
comp1を有し、適当な大きさの外部磁界ＨEを前記光磁気
記録媒体に印加した場合に、前記周囲温度では前記外部
磁界ＨEに対して安定な方向に配向しかつ前記補償温度
Ｔcomp1の近傍の温度では前記第２の磁性層との交換相
互作用に関して安定な方向に配向するものであり、前記
第２の磁性層が、前記外部磁界ＨEの存在の有無に関わ
らず、前記周囲温度から前記補償温度Ｔcomp1の近傍の
温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保持す
るものである。
は、第１の磁性層が、周囲温度より高くかつ第２の磁性
層のキュリー温度Ｔc2より低い温度範囲に補償温度Ｔ
comp1を有し、適当な大きさの外部磁界ＨEを前記光磁気
記録媒体に印加した場合に、前記周囲温度では前記外部
磁界ＨEに対して安定な方向に配向しかつ前記補償温度
Ｔcomp1の近傍の温度では前記第２の磁性層との交換相
互作用に関して安定な方向に配向するものであり、前記
第２の磁性層が、前記外部磁界ＨEの存在の有無に関わ
らず、前記周囲温度から前記補償温度Ｔcomp1の近傍の
温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保持す
るものである。
【０００９】本発明の第１の光磁気記録再生方法は、本
発明の光磁気記録媒体の第２の磁性層に予め信号を記録
し、そののち、外部磁界ＨEを前記光磁気記録媒体に印
加しながら前記光磁気記録媒体の第１の磁性層にレーザ
ー光を照射して照射領域の一部の前記第１の磁性層の温
度を前記第１の磁性層の補償温度Ｔcomp1の近傍まで昇
温させ、前記昇温した領域の磁化を読み取ることによっ
て前記信号の再生を行なう。
発明の光磁気記録媒体の第２の磁性層に予め信号を記録
し、そののち、外部磁界ＨEを前記光磁気記録媒体に印
加しながら前記光磁気記録媒体の第１の磁性層にレーザ
ー光を照射して照射領域の一部の前記第１の磁性層の温
度を前記第１の磁性層の補償温度Ｔcomp1の近傍まで昇
温させ、前記昇温した領域の磁化を読み取ることによっ
て前記信号の再生を行なう。
【００１０】本発明の第２の光磁気記録再生方法は、本
発明の光磁気記録媒体を使用し、外部磁場ＨEを前記光
磁気記録媒体に印加しながら、第２の磁性層に第１のレ
ーザー光を照射して前記第２の磁性層に信号の記録を行
ない、前記信号の記録の直後に、前記記録の行なわれた
領域に第２のレーザー光を照射して前記領域の第１の磁
性層をその補償温度Ｔcomp1の近傍まで昇温させ、前記
昇温した領域の磁化を読み取ることによって前記信号の
再生を行なう。
発明の光磁気記録媒体を使用し、外部磁場ＨEを前記光
磁気記録媒体に印加しながら、第２の磁性層に第１のレ
ーザー光を照射して前記第２の磁性層に信号の記録を行
ない、前記信号の記録の直後に、前記記録の行なわれた
領域に第２のレーザー光を照射して前記領域の第１の磁
性層をその補償温度Ｔcomp1の近傍まで昇温させ、前記
昇温した領域の磁化を読み取ることによって前記信号の
再生を行なう。
【００１１】
【作用】本発明の光磁気記録媒体は、第１の磁性層が、
適当な大きさの外部磁界ＨEを印加した場合に、周囲温
度では外部磁界ＨEに対して安定な方向に配向しかつそ
の補償温度Ｔcomp1の近傍の温度では第２の磁性層との
交換相互作用に関して安定な方向に配向し、第２の磁性
層が周囲温度から補償温度Ｔcomp1の近傍の温度に至る
任意の温度において所定の磁化状態を保持するから、記
録時および再生時にレーザー光の照射場所で外部磁界Ｈ
Eを印加しておくだけで、それぞれ記録直後および再生
直前の領域の第１の磁性層（再生層）を消去状態にでき
る。これは、記録直後および再生直前の領域では、第１
の磁性層が周囲温度の近傍の温度にあって、外部磁界Ｈ
Eに対して安定な方向に配向するからである。したがっ
て、レーザー光の照射場所以外のところで外部磁場ＨE
を印加する必要がなくなり、また、単一の光学系を用
い、高線記録密度かつ高トラック密度に記録された信号
を記録直後に読み出すことが可能となり、マルチビーム
ダイレクトベリファイが高記録密度の場合であっても可
能となる。なお、第２の磁性層（記録保持層）への信号
の記録は、通常の光磁気記録媒体の場合と同様の方式に
よって行なうことができる。
適当な大きさの外部磁界ＨEを印加した場合に、周囲温
度では外部磁界ＨEに対して安定な方向に配向しかつそ
の補償温度Ｔcomp1の近傍の温度では第２の磁性層との
交換相互作用に関して安定な方向に配向し、第２の磁性
層が周囲温度から補償温度Ｔcomp1の近傍の温度に至る
任意の温度において所定の磁化状態を保持するから、記
録時および再生時にレーザー光の照射場所で外部磁界Ｈ
Eを印加しておくだけで、それぞれ記録直後および再生
直前の領域の第１の磁性層（再生層）を消去状態にでき
る。これは、記録直後および再生直前の領域では、第１
の磁性層が周囲温度の近傍の温度にあって、外部磁界Ｈ
Eに対して安定な方向に配向するからである。したがっ
て、レーザー光の照射場所以外のところで外部磁場ＨE
を印加する必要がなくなり、また、単一の光学系を用
い、高線記録密度かつ高トラック密度に記録された信号
を記録直後に読み出すことが可能となり、マルチビーム
ダイレクトベリファイが高記録密度の場合であっても可
能となる。なお、第２の磁性層（記録保持層）への信号
の記録は、通常の光磁気記録媒体の場合と同様の方式に
よって行なうことができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例の光磁気記録媒体
の構成を示す概略断面図である。ポリカーボネートやガ
ラスなどからなる透明な基板１上に、誘電体層２を介し
て、第１の磁性層３、第２の磁性層４の順に積層形成
し、最後に保護膜として再び誘電体層５を形成した構成
である。誘電体層２,５としては、例えばＳｉ3Ｎ4,Ａｌ
Ｎ,ＳｉＯ2,ＳｉＯ,ＺｎＳ,ＭｇＦ2などの透明誘電材料
が使用可能である。これら各磁性層３,４と誘電体層２,
５は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパ
ッタリング、あるいは連続蒸着などによって被着形成さ
れる。特に各磁性層３,４は、真空を破ることなく連続
成膜されることで、相互に交換結合をするようになる。
の構成を示す概略断面図である。ポリカーボネートやガ
ラスなどからなる透明な基板１上に、誘電体層２を介し
て、第１の磁性層３、第２の磁性層４の順に積層形成
し、最後に保護膜として再び誘電体層５を形成した構成
である。誘電体層２,５としては、例えばＳｉ3Ｎ4,Ａｌ
Ｎ,ＳｉＯ2,ＳｉＯ,ＺｎＳ,ＭｇＦ2などの透明誘電材料
が使用可能である。これら各磁性層３,４と誘電体層２,
５は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパ
ッタリング、あるいは連続蒸着などによって被着形成さ
れる。特に各磁性層３,４は、真空を破ることなく連続
成膜されることで、相互に交換結合をするようになる。
【００１４】上記の光磁気磁気媒体において、各磁性層
３,４は種々の磁性材料によって構成することが考えら
れるが、例えば、Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ
などの希土類金属元素の１種類あるいは２種類以上が１
０〜４０原子％と、Ｆｅ,Ｃｏ,Ｎｉなどの鉄族元素の１
種類あるいは２種類以上が９０〜６０原子％とで構成さ
れる希土類−鉄族非晶質合金によって構成することがで
きる。また、耐食性の向上などのために、これにＣｒ,
Ｍｎ,Ｃｕ,Ｔｉ,Ａｌ,Ｓｉ,Ｐｔ,Ｉｎなどの元素を少量
添加してもよい。ただし、第１の磁性層３は、補償温度
Ｔcomp1を有する必要があるので、希土類元素としてＧ
ｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏなどの重希土類元素を主成分に選ぶ
とよい。重希土類元素の磁気モーメントと鉄族元素の磁
気モーメントとは互いに反平行に結合し、これらの合金
はいわゆるフェリ磁性を示す。この場合、正味の磁化は
両方の元素の副格子磁化の差として現われるが、磁気モ
ーメントの温度依存性が希土類元素と鉄族元素とで異な
っているので、副格子磁化の差が０となる温度（補償温
度）を、両者の組成比を調整することにより自由に制御
することができる。
３,４は種々の磁性材料によって構成することが考えら
れるが、例えば、Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ
などの希土類金属元素の１種類あるいは２種類以上が１
０〜４０原子％と、Ｆｅ,Ｃｏ,Ｎｉなどの鉄族元素の１
種類あるいは２種類以上が９０〜６０原子％とで構成さ
れる希土類−鉄族非晶質合金によって構成することがで
きる。また、耐食性の向上などのために、これにＣｒ,
Ｍｎ,Ｃｕ,Ｔｉ,Ａｌ,Ｓｉ,Ｐｔ,Ｉｎなどの元素を少量
添加してもよい。ただし、第１の磁性層３は、補償温度
Ｔcomp1を有する必要があるので、希土類元素としてＧ
ｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏなどの重希土類元素を主成分に選ぶ
とよい。重希土類元素の磁気モーメントと鉄族元素の磁
気モーメントとは互いに反平行に結合し、これらの合金
はいわゆるフェリ磁性を示す。この場合、正味の磁化は
両方の元素の副格子磁化の差として現われるが、磁気モ
ーメントの温度依存性が希土類元素と鉄族元素とで異な
っているので、副格子磁化の差が０となる温度（補償温
度）を、両者の組成比を調整することにより自由に制御
することができる。
【００１５】キュリー温度についても、希土類元素と鉄
族元素との組成比により制御することが可能であるが、
飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素としてＦ
ｅを主成分としその一部をＣｏで置き換えたものを用
い、その置換量を制御する方法がより好ましく利用でき
る。すなわち、Ｆｅの１原子％をＣｏで置換することに
より、６℃程度のキュリー温度の上昇が見込めるので、
この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏ
の添加量を調整する。また、Ｃｒ,Ｔｉなどの非磁性元
素を微量添加することにより、逆にキュリー温度を低下
させることも可能である。あるいはまた希土類元素とし
て２種類以上の元素を用いてそれらの組成比を調整する
ことでもキュリー温度を制御できる。
族元素との組成比により制御することが可能であるが、
飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素としてＦ
ｅを主成分としその一部をＣｏで置き換えたものを用
い、その置換量を制御する方法がより好ましく利用でき
る。すなわち、Ｆｅの１原子％をＣｏで置換することに
より、６℃程度のキュリー温度の上昇が見込めるので、
この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏ
の添加量を調整する。また、Ｃｒ,Ｔｉなどの非磁性元
素を微量添加することにより、逆にキュリー温度を低下
させることも可能である。あるいはまた希土類元素とし
て２種類以上の元素を用いてそれらの組成比を調整する
ことでもキュリー温度を制御できる。
【００１６】ここで、動作環境温度や記録感度、再生信
号品質などを考慮すると、第１の磁性層３のキュリー温
度Ｔc1は１８０℃以上、補償温度Ｔcomp1は８０℃以
上、また第２の磁性層４のキュリー温度Ｔc2は１５０〜
２５０℃の範囲とすることが適当である。また、第１の
磁性層３の膜厚は、レーザー光が透過しない程度に厚く
する必要があり、使用するレーザーの波長が８００ｎｍ
程度のときには、３００Å以上であるのが望ましい。
号品質などを考慮すると、第１の磁性層３のキュリー温
度Ｔc1は１８０℃以上、補償温度Ｔcomp1は８０℃以
上、また第２の磁性層４のキュリー温度Ｔc2は１５０〜
２５０℃の範囲とすることが適当である。また、第１の
磁性層３の膜厚は、レーザー光が透過しない程度に厚く
する必要があり、使用するレーザーの波長が８００ｎｍ
程度のときには、３００Å以上であるのが望ましい。
【００１７】実施例１ ５元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、幅０.
８μｍのグルーブ（溝）を０.８μｍ間隔でスパイラル
状に形成した直径８６ｍｍのディスク状のポリカーボネ
ート製の基板１を、ターゲットからの距離２０ｃｍのと
ころにセットし回転させた。アルゴン雰囲気中で、まず
最初に、Ｓｉ3Ｎ4のターゲットを用いてスパッタを行
い、６００Åの厚さのＳｉＮからなる誘電体層２を基板
上に堆積させた。
８μｍのグルーブ（溝）を０.８μｍ間隔でスパイラル
状に形成した直径８６ｍｍのディスク状のポリカーボネ
ート製の基板１を、ターゲットからの距離２０ｃｍのと
ころにセットし回転させた。アルゴン雰囲気中で、まず
最初に、Ｓｉ3Ｎ4のターゲットを用いてスパッタを行
い、６００Åの厚さのＳｉＮからなる誘電体層２を基板
上に堆積させた。
【００１８】次に、Ｇｄ,Ｆｅ,Ｃｏの３個のターゲット
を用いて同時スパッタを行い、膜厚６００ÅのＧｄ副格
子磁化優勢のＧｄ0.26（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.74の第１
の磁性層３を形成した。Ｇｄ-Ｆｅ-Ｃｏの組成の制御は
Ｇｄ,Ｆｅ,Ｃｏのそれぞれのターゲットに加える電力を
調整して行なった。第１の磁性層３のキュリー温度Ｔ c1
は３００℃以上であり、補償温度Ｔcomp1は１４０℃で
あった。
を用いて同時スパッタを行い、膜厚６００ÅのＧｄ副格
子磁化優勢のＧｄ0.26（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.74の第１
の磁性層３を形成した。Ｇｄ-Ｆｅ-Ｃｏの組成の制御は
Ｇｄ,Ｆｅ,Ｃｏのそれぞれのターゲットに加える電力を
調整して行なった。第１の磁性層３のキュリー温度Ｔ c1
は３００℃以上であり、補償温度Ｔcomp1は１４０℃で
あった。
【００１９】引き続き、Ｔｂ,Ｆｅ,Ｃｏの３個のターゲ
ットを用いて同時スパッタを行い、膜厚４００ÅのＦ
ｅ,Ｃｏ副格子磁化優勢のＴｂ0.21（Ｆｅ0.88Ｃ
ｏ0.12）0.79の第２の磁性層４を形成した。この第２の
磁性層４のキュリー温度Ｔc2は２００℃であった。
ットを用いて同時スパッタを行い、膜厚４００ÅのＦ
ｅ,Ｃｏ副格子磁化優勢のＴｂ0.21（Ｆｅ0.88Ｃ
ｏ0.12）0.79の第２の磁性層４を形成した。この第２の
磁性層４のキュリー温度Ｔc2は２００℃であった。
【００２０】この第２の磁性層４の上に、Ｓｉ3Ｎ4のタ
ーゲットを用いて、６００Åの厚さのＳｉＮの誘電体層
５を設けた。そして、この基板１をスパッタ装置から取
り出し、膜面すなわち各磁性層３,４側に紫外線硬化性
樹脂をスピンコートした後硬化させ、厚さ約８μｍの保
護コート層を形成して、単板の光磁気ディスクを作製し
た。
ーゲットを用いて、６００Åの厚さのＳｉＮの誘電体層
５を設けた。そして、この基板１をスパッタ装置から取
り出し、膜面すなわち各磁性層３,４側に紫外線硬化性
樹脂をスピンコートした後硬化させ、厚さ約８μｍの保
護コート層を形成して、単板の光磁気ディスクを作製し
た。
【００２１】第１および第２の磁性層３,４の、各単層
膜としての飽和磁化Ｍs1,Ｍs2および保磁力Ｈc1,Ｈc2の
温度依存性を図２に示す。また、各磁性層３,４間の界
面磁壁エネルギー密度σwの温度依存性を図３に示す。
膜としての飽和磁化Ｍs1,Ｍs2および保磁力Ｈc1,Ｈc2の
温度依存性を図２に示す。また、各磁性層３,４間の界
面磁壁エネルギー密度σwの温度依存性を図３に示す。
【００２２】このような磁性二層膜の磁化状態は、一般
的には、図４に示した状態Ａ〜Ｄの４つの状態をとり得
る。図４においては、第１および第２の磁性層３,４の
ＴＭスピン（鉄族元素のスピン）の向きを実線矢印をも
って模式的に示している。各磁化状態間の状態遷移に
は、図中,で示したような第１の磁性層３のみの単
独の磁化反転によるものと、,で示したような第２
の磁性層４のみの単独の磁化反転によるものと、,
で示したような第１および第２の磁性層３,４の同時磁
化反転によるものとの、３種の態様がある。（ただし、
で示した状態遷移は実際には起こらない。） 今、この光磁気ディスクに、１.０ｋＯｅの外部磁界ＨE
を膜面垂直方向に、図４中に白抜き矢印で示した向きに
印加することにする。このとき、それぞれの磁化状態か
ら、第１の磁性層３のみが単独で磁化反転することによ
って得られる単位面積当たりの全磁気エネルギー（ここ
ではゼーマンエネルギーと界面磁壁エネルギーの和のみ
を考える。）を、図２および図３に基づいて各温度につ
いて算出した結果を図５に示す。また、第１の磁性層３
の単層膜としての保磁力エネルギーを算出した結果も合
わせて同図中に太線で示す。同様に、第２の磁性層４の
みが単独で磁化反転することによって得られる単位面積
当たりの全磁気エネルギー、ならびに第２の磁性層４の
単層膜としての保磁力エネルギーを算出した結果を図６
に示す。さらにまた、第１および第２の磁性層３,４が
同時に磁化反転することによって得られる全磁気エネル
ギー、ならびに第１の磁性層３と第２の磁性層４のトー
タルの保磁力エネルギーを算出した結果を図７に示す。
図６、図７においても保磁力エネルギーは太線で示され
ている。
的には、図４に示した状態Ａ〜Ｄの４つの状態をとり得
る。図４においては、第１および第２の磁性層３,４の
ＴＭスピン（鉄族元素のスピン）の向きを実線矢印をも
って模式的に示している。各磁化状態間の状態遷移に
は、図中,で示したような第１の磁性層３のみの単
独の磁化反転によるものと、,で示したような第２
の磁性層４のみの単独の磁化反転によるものと、,
で示したような第１および第２の磁性層３,４の同時磁
化反転によるものとの、３種の態様がある。（ただし、
で示した状態遷移は実際には起こらない。） 今、この光磁気ディスクに、１.０ｋＯｅの外部磁界ＨE
を膜面垂直方向に、図４中に白抜き矢印で示した向きに
印加することにする。このとき、それぞれの磁化状態か
ら、第１の磁性層３のみが単独で磁化反転することによ
って得られる単位面積当たりの全磁気エネルギー（ここ
ではゼーマンエネルギーと界面磁壁エネルギーの和のみ
を考える。）を、図２および図３に基づいて各温度につ
いて算出した結果を図５に示す。また、第１の磁性層３
の単層膜としての保磁力エネルギーを算出した結果も合
わせて同図中に太線で示す。同様に、第２の磁性層４の
みが単独で磁化反転することによって得られる単位面積
当たりの全磁気エネルギー、ならびに第２の磁性層４の
単層膜としての保磁力エネルギーを算出した結果を図６
に示す。さらにまた、第１および第２の磁性層３,４が
同時に磁化反転することによって得られる全磁気エネル
ギー、ならびに第１の磁性層３と第２の磁性層４のトー
タルの保磁力エネルギーを算出した結果を図７に示す。
図６、図７においても保磁力エネルギーは太線で示され
ている。
【００２３】ある磁化状態からいずれかの層が磁化反転
をすることによって得られる全磁気エネルギーが、その
磁化反転に要する保磁力エネルギーを越えたとき、実際
のその磁化反転が起こり磁化状態が遷移する。したがっ
て、状態Ａ〜Ｄの各状態は、図５〜７の全ての図につい
て、それぞれの状態に対応する全磁気エネルギーの線が
保磁力エネルギーの線（図示太線）を越えていない温度
においてのみ存在し得る。
をすることによって得られる全磁気エネルギーが、その
磁化反転に要する保磁力エネルギーを越えたとき、実際
のその磁化反転が起こり磁化状態が遷移する。したがっ
て、状態Ａ〜Ｄの各状態は、図５〜７の全ての図につい
て、それぞれの状態に対応する全磁気エネルギーの線が
保磁力エネルギーの線（図示太線）を越えていない温度
においてのみ存在し得る。
【００２４】図５より、周囲温度すなわち室温近傍の温
度においては、状態ＡおよびＢは存在し得ず、状態Ｃお
よびＤのみが存在する。すなわち第１の磁性層３はＴＭ
スピンが下向き（このとき希土類元素副格子磁化優勢な
ので正味の磁化は上向き）に揃っており、上向きの外部
磁界ＨEに対して安定な状態をとっている。
度においては、状態ＡおよびＢは存在し得ず、状態Ｃお
よびＤのみが存在する。すなわち第１の磁性層３はＴＭ
スピンが下向き（このとき希土類元素副格子磁化優勢な
ので正味の磁化は上向き）に揃っており、上向きの外部
磁界ＨEに対して安定な状態をとっている。
【００２５】これらの状態から温度を上昇させていく
と、図５において温度Ｔ1のときに、状態Ｃに対応する
全磁気エネルギーの線が保磁力エネルギーの線を越え、
第１の磁性層３単独の磁化反転が起こり、状態Ｃから状
態Ａに遷移する。すなわち、この温度において状態Ａお
よびＤのみが存在し、各磁性層３,４のＴＭスピンは平
行に揃っているので、第１の磁性層３は、第２の磁性層
４との交換相互作用による結合状態が安定な状態に配向
している。さらに温度を上昇させると、図５において温
度Ｔ2のときに、状態Ｄに対応する全磁気エネルギーの
線が保磁力エネルギーの線を越え、第１の磁性層３の単
独の磁化反転が起こり、状態Ｄから状態Ｂに遷移する。
さらに温度を上昇させると、図６において温度Ｔ3のと
きに、状態Ｂに対応する全磁気エネルギーの線が保磁力
エネルギーの線を越え、第２の磁性層４の単独の磁化反
転が起こり、状態Ｂから状態Ａに遷移する。これ以上温
度を上昇させても、第２の磁性層４はそのキュリー温度
Ｔc2以上となって磁化が消失するだけで、磁化状態に変
化はない。この状態から温度を降下させていくと、図５
において温度Ｔ0のときに、状態Ａに対応する全磁気エ
ネルギーの線が保磁力エネルギーの線を越え、第１の磁
性層３の単独の磁化反転が起こり、状態Ａから状態Ｃに
遷移する。
と、図５において温度Ｔ1のときに、状態Ｃに対応する
全磁気エネルギーの線が保磁力エネルギーの線を越え、
第１の磁性層３単独の磁化反転が起こり、状態Ｃから状
態Ａに遷移する。すなわち、この温度において状態Ａお
よびＤのみが存在し、各磁性層３,４のＴＭスピンは平
行に揃っているので、第１の磁性層３は、第２の磁性層
４との交換相互作用による結合状態が安定な状態に配向
している。さらに温度を上昇させると、図５において温
度Ｔ2のときに、状態Ｄに対応する全磁気エネルギーの
線が保磁力エネルギーの線を越え、第１の磁性層３の単
独の磁化反転が起こり、状態Ｄから状態Ｂに遷移する。
さらに温度を上昇させると、図６において温度Ｔ3のと
きに、状態Ｂに対応する全磁気エネルギーの線が保磁力
エネルギーの線を越え、第２の磁性層４の単独の磁化反
転が起こり、状態Ｂから状態Ａに遷移する。これ以上温
度を上昇させても、第２の磁性層４はそのキュリー温度
Ｔc2以上となって磁化が消失するだけで、磁化状態に変
化はない。この状態から温度を降下させていくと、図５
において温度Ｔ0のときに、状態Ａに対応する全磁気エ
ネルギーの線が保磁力エネルギーの線を越え、第１の磁
性層３の単独の磁化反転が起こり、状態Ａから状態Ｃに
遷移する。
【００２６】以上の過程において、周囲温度から温度Ｔ
2に至る温度範囲において、第２の磁性層４の単独の磁
化反転、ないしは第１および第２の磁性層３,４の同時
磁化反転は起こらず、第２の磁性層４は所定の磁化状態
を保持している。
2に至る温度範囲において、第２の磁性層４の単独の磁
化反転、ないしは第１および第２の磁性層３,４の同時
磁化反転は起こらず、第２の磁性層４は所定の磁化状態
を保持している。
【００２７】このように、第１の磁性層３の補償温度Ｔ
comp1を、第２の磁性層４のキュリー温度Ｔc2よりも低
くかつ周囲温度よりも高い範囲に設定することにより、
第１の磁性層３の磁化を、周囲温度においては外部磁界
ＨEにしたがって配向させ、周囲温度よりも高い適当な
温度範囲においては第２の磁性層４の磁化の向きにした
がって配向させることができる。なお、実際の磁化過程
においては、ブロッホ磁壁エネルギーや反磁界エネルギ
ーの影響も考慮する必要があるが、ここでは簡単のため
省略した。
comp1を、第２の磁性層４のキュリー温度Ｔc2よりも低
くかつ周囲温度よりも高い範囲に設定することにより、
第１の磁性層３の磁化を、周囲温度においては外部磁界
ＨEにしたがって配向させ、周囲温度よりも高い適当な
温度範囲においては第２の磁性層４の磁化の向きにした
がって配向させることができる。なお、実際の磁化過程
においては、ブロッホ磁壁エネルギーや反磁界エネルギ
ーの影響も考慮する必要があるが、ここでは簡単のため
省略した。
【００２８】この光磁気ディスクに、線速度５ｍ／ｓｅ
ｃで５ＭＨｚのキャリア信号を書き込み、１.０ｋＯｅ
の再生用外部磁界ＨEを印加して、キャリアおよびノイ
ズの再生出力のレーザー出力依存性を調べた。同時にク
ロストークについても測定した。クロストークは、ラン
ド部に５ＭＨｚのキャリア信号を書込んだ後、両側のグ
ループ部に３.８ＭＨｚのキャリア信号を書き込み、ラ
ンド部を再生しながら、３.８ＭＨｚの信号のスペクト
ル強度を観測することにより測定した。記録再生に用い
たレーザーの波長は７８０ｎｍであり、対物レンズの開
口数Ｎ.Ａ.は０.５５である。
ｃで５ＭＨｚのキャリア信号を書き込み、１.０ｋＯｅ
の再生用外部磁界ＨEを印加して、キャリアおよびノイ
ズの再生出力のレーザー出力依存性を調べた。同時にク
ロストークについても測定した。クロストークは、ラン
ド部に５ＭＨｚのキャリア信号を書込んだ後、両側のグ
ループ部に３.８ＭＨｚのキャリア信号を書き込み、ラ
ンド部を再生しながら、３.８ＭＨｚの信号のスペクト
ル強度を観測することにより測定した。記録再生に用い
たレーザーの波長は７８０ｎｍであり、対物レンズの開
口数Ｎ.Ａ.は０.５５である。
【００２９】この結果、レーザー出力１.６ｍＷ以下で
はキャリアが観測されず１.７ｍＷからキャリアが立ち
上がるのが観測された。これはレーザー出力１.７ｍＷ
以上で、レーザー照射領域の一部がＴ1以上の温度に達
し、第２の磁性層４に記録された信号が第１の磁性層３
に転写されることを示している。Ｃ／Ｎは、レーザー出
力２.０ｍＷ以上で４５ｄＢとなってほぼ飽和した。レ
ーザー出力３.４ｍＷ以上では、レーザー照射領域の一
部がＴ2あるいはＴ3以上の温度に達し、第１の磁性層３
が再反転したり第２の磁性層４に保持されている磁区が
劣化したりするなどの影響を受けて、Ｃ／Ｎの低下が観
測された。クロストークはレーザー出力２.５ｍＷ以下
ではほとんど検出されなかった。これは、レーザー出力
２.５ｍＷ以下では転写領域の幅が０.８μｍ以下であ
り、隣接するグループ部に及んでいないことを示唆して
いる。以上から、このサンプルの光磁気ディスクでは、
レーザー出力を２.０ｍＷ以上２.５ｍＷ以下とすること
で、クロストークがなく高Ｃ／Ｎでの信号再生が可能で
ある。
はキャリアが観測されず１.７ｍＷからキャリアが立ち
上がるのが観測された。これはレーザー出力１.７ｍＷ
以上で、レーザー照射領域の一部がＴ1以上の温度に達
し、第２の磁性層４に記録された信号が第１の磁性層３
に転写されることを示している。Ｃ／Ｎは、レーザー出
力２.０ｍＷ以上で４５ｄＢとなってほぼ飽和した。レ
ーザー出力３.４ｍＷ以上では、レーザー照射領域の一
部がＴ2あるいはＴ3以上の温度に達し、第１の磁性層３
が再反転したり第２の磁性層４に保持されている磁区が
劣化したりするなどの影響を受けて、Ｃ／Ｎの低下が観
測された。クロストークはレーザー出力２.５ｍＷ以下
ではほとんど検出されなかった。これは、レーザー出力
２.５ｍＷ以下では転写領域の幅が０.８μｍ以下であ
り、隣接するグループ部に及んでいないことを示唆して
いる。以上から、このサンプルの光磁気ディスクでは、
レーザー出力を２.０ｍＷ以上２.５ｍＷ以下とすること
で、クロストークがなく高Ｃ／Ｎでの信号再生が可能で
ある。
【００３０】実施例２ 実施例１と同様にして、スパッタ装置内に基板をセット
し、ＳｉＮの誘電体層を堆積させた後、Ｇｄ副格子磁化
優勢のＧｄ0.26（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.74からなる第１
の磁性層を３００Åの膜厚に形成した。この第１の磁性
層のキュリー温度Ｔc1は３００℃以上であり、補償温度
Ｔcomp1は１４０℃である。
し、ＳｉＮの誘電体層を堆積させた後、Ｇｄ副格子磁化
優勢のＧｄ0.26（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.74からなる第１
の磁性層を３００Åの膜厚に形成した。この第１の磁性
層のキュリー温度Ｔc1は３００℃以上であり、補償温度
Ｔcomp1は１４０℃である。
【００３１】次に、第１および第２の磁性層の界面磁壁
エネルギー密度σwを調整するために、Ｇｄ,Ｃｏの２個
のターゲットを用いて同時スパッタを行い、Ｇｄ副格子
磁化優勢のＧｄ0.34Ｃｏ0.66からなる中間層を１００Å
の膜厚で形成した。この中間層のキュリー温度は３００
℃以上であり、補償温度は存在しない。
エネルギー密度σwを調整するために、Ｇｄ,Ｃｏの２個
のターゲットを用いて同時スパッタを行い、Ｇｄ副格子
磁化優勢のＧｄ0.34Ｃｏ0.66からなる中間層を１００Å
の膜厚で形成した。この中間層のキュリー温度は３００
℃以上であり、補償温度は存在しない。
【００３２】引き続き、Ｄｙ,Ｆｅ,Ｃｏの３個のターゲ
ットを用いて同時スパッタを行い、Ｄｙ副格子磁化優勢
のＤｙ0.24（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.76からなる第２の磁
性層を４００Åの膜厚に形成した。この層のキュリー温
度Ｔc2は１９０℃であり、補償温度Ｔcomp1は７０℃で
あった。
ットを用いて同時スパッタを行い、Ｄｙ副格子磁化優勢
のＤｙ0.24（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.76からなる第２の磁
性層を４００Åの膜厚に形成した。この層のキュリー温
度Ｔc2は１９０℃であり、補償温度Ｔcomp1は７０℃で
あった。
【００３３】この後ＳｉＮの誘電体層を３００Åの膜厚
に形成し、さらに、レーザー照射時の温度プロファイル
を調整するために４５０Åの膜厚のＡｌの熱拡散層を設
けた。以下、実施例１と全く同様にして、単板の光磁気
ディスクを作製した。
に形成し、さらに、レーザー照射時の温度プロファイル
を調整するために４５０Åの膜厚のＡｌの熱拡散層を設
けた。以下、実施例１と全く同様にして、単板の光磁気
ディスクを作製した。
【００３４】第１および第２の磁性層の、各単層膜とし
ての飽和磁化Ｍs1,Ｍs2および保磁力Ｈc1,Ｈc2の温度依
存性を図８に示す。また第１および第２の磁性層間の界
面磁壁エネルギー密度σwの温度依存性を図９に示す。
このような磁性多層膜の磁化状態も、第１および第２の
磁性層のみに着目すると、図４に示した状態Ａ〜Ｄの４
つの状態のみをとり得る。
ての飽和磁化Ｍs1,Ｍs2および保磁力Ｈc1,Ｈc2の温度依
存性を図８に示す。また第１および第２の磁性層間の界
面磁壁エネルギー密度σwの温度依存性を図９に示す。
このような磁性多層膜の磁化状態も、第１および第２の
磁性層のみに着目すると、図４に示した状態Ａ〜Ｄの４
つの状態のみをとり得る。
【００３５】今、この光磁気ディスクに、６００Ｏｅの
外部磁界ＨEを膜面垂直方向に、図４中に白抜き矢印で
示した向きに印加することにする。このとき、それぞれ
の磁化状態から第１の磁性層のみが単独で磁化反転する
ことによって得られる単位面積当たりの全磁気エネルギ
ーを、図８と図９に基づいて各温度について算出した結
果、ならびに第１の磁性層の単層膜としての保磁力エネ
ルギーを算出した結果を図１０に示す。同様に、第２の
磁性層のみが単独で磁化反転することによって得られる
単位面積当たりの全磁気エネルギー、ならびに第２の磁
性層の単層膜としての保磁力エネルギーを算出した結果
を図１１に示す。さらにまた、第１および第２の磁性層
が同時に磁化反転することによって得られる全磁気エネ
ルギー、ならびに第１の磁性層と第２の磁性層のトータ
ルの保磁力エネルギーを算出した結果を図１２に示す。
これら図１０〜１２において、保磁力エネルギーは太線
で表わされている。
外部磁界ＨEを膜面垂直方向に、図４中に白抜き矢印で
示した向きに印加することにする。このとき、それぞれ
の磁化状態から第１の磁性層のみが単独で磁化反転する
ことによって得られる単位面積当たりの全磁気エネルギ
ーを、図８と図９に基づいて各温度について算出した結
果、ならびに第１の磁性層の単層膜としての保磁力エネ
ルギーを算出した結果を図１０に示す。同様に、第２の
磁性層のみが単独で磁化反転することによって得られる
単位面積当たりの全磁気エネルギー、ならびに第２の磁
性層の単層膜としての保磁力エネルギーを算出した結果
を図１１に示す。さらにまた、第１および第２の磁性層
が同時に磁化反転することによって得られる全磁気エネ
ルギー、ならびに第１の磁性層と第２の磁性層のトータ
ルの保磁力エネルギーを算出した結果を図１２に示す。
これら図１０〜１２において、保磁力エネルギーは太線
で表わされている。
【００３６】図１０より、周囲温度においては、状態Ａ
およびＢは存在し得ず、状態ＣおよびＤのみが存在す
る。すなわち、第１の磁性層は外部磁界ＨEに対して安
定な状態をとっている。
およびＢは存在し得ず、状態ＣおよびＤのみが存在す
る。すなわち、第１の磁性層は外部磁界ＨEに対して安
定な状態をとっている。
【００３７】これらの状態から温度を上昇させていく
と、図１０において温度Ｔ1のときに、状態Ｃに対応す
る全磁気エネルギーの線が保磁力エネルギーの線を越
え、第１の磁性層の単独の磁化反転が起こり、状態Ｃか
ら状態Ａに遷移する。すなわち、この温度Ｔ1において
は状態ＡおよびＤのみが存在し、第１の磁性層は、第２
の磁性層との交換相互作用による結合状態が安定な状態
に配向している。さらに温度を上昇させると、図１２に
おいて温度Ｔ2のときに、状態Ｄに対応する全磁気エネ
ルギーの線が保磁力エネルギーの線を越えるので、第１
の磁性層と第２の磁性層とが同時に磁化反転し、状態Ｄ
から状態Ａに遷移する。これ以上温度を上昇させても、
第２の磁性層はそのキュリー温度Ｔc2以上となって磁化
が消失するだけで、磁化状態に変化はない。この状態か
ら温度を降下させていくと、図１０において温度Ｔ0の
ときに、状態Ａに対応する全磁気エネルギーの線が保磁
力エネルギーの線を越え、第１の磁性層の単独の磁化反
転が起こり、状態Ａから状態Ｃに遷移する。
と、図１０において温度Ｔ1のときに、状態Ｃに対応す
る全磁気エネルギーの線が保磁力エネルギーの線を越
え、第１の磁性層の単独の磁化反転が起こり、状態Ｃか
ら状態Ａに遷移する。すなわち、この温度Ｔ1において
は状態ＡおよびＤのみが存在し、第１の磁性層は、第２
の磁性層との交換相互作用による結合状態が安定な状態
に配向している。さらに温度を上昇させると、図１２に
おいて温度Ｔ2のときに、状態Ｄに対応する全磁気エネ
ルギーの線が保磁力エネルギーの線を越えるので、第１
の磁性層と第２の磁性層とが同時に磁化反転し、状態Ｄ
から状態Ａに遷移する。これ以上温度を上昇させても、
第２の磁性層はそのキュリー温度Ｔc2以上となって磁化
が消失するだけで、磁化状態に変化はない。この状態か
ら温度を降下させていくと、図１０において温度Ｔ0の
ときに、状態Ａに対応する全磁気エネルギーの線が保磁
力エネルギーの線を越え、第１の磁性層の単独の磁化反
転が起こり、状態Ａから状態Ｃに遷移する。
【００３８】以上の過程において、周囲温度から温度Ｔ
2に至る温度範囲において、第２の磁性層の単独の磁化
反転、ないしは第１および第２の磁性層の同時磁化反転
は起こらず、第２の磁性層は所定の磁化状態を保持して
いる。したがって第１の磁性層は、周囲温度においては
消去状態であり、Ｔ1以上Ｔ2以下の温度範囲においては
第２の磁性層の磁化状態が転写される。
2に至る温度範囲において、第２の磁性層の単独の磁化
反転、ないしは第１および第２の磁性層の同時磁化反転
は起こらず、第２の磁性層は所定の磁化状態を保持して
いる。したがって第１の磁性層は、周囲温度においては
消去状態であり、Ｔ1以上Ｔ2以下の温度範囲においては
第２の磁性層の磁化状態が転写される。
【００３９】この光磁気ディスクへの記録再生を、単一
の光学系に複数のレーザー素子が搭載されており各レー
ザー素子からのビームをトラック方向に２０μｍ離れた
位置に集光することが可能な光ヘッドを用いて行った。
６００Ｏｅの記録再生用外部磁界ＨEを印加して、線速
度５ｍ／ｓｅｃでディスクを移動させ、先行ビームで５
ＭＨｚのキャリア信号を書き込みながら、後方のビーム
で記録直後の領域を読み出した。このときのキャリアお
よびノイズの再生出力の、後方のレーザーの出力に対す
る依存性を調べ、同時に実施例１と同様にしてクロスト
ークについても測定した。
の光学系に複数のレーザー素子が搭載されており各レー
ザー素子からのビームをトラック方向に２０μｍ離れた
位置に集光することが可能な光ヘッドを用いて行った。
６００Ｏｅの記録再生用外部磁界ＨEを印加して、線速
度５ｍ／ｓｅｃでディスクを移動させ、先行ビームで５
ＭＨｚのキャリア信号を書き込みながら、後方のビーム
で記録直後の領域を読み出した。このときのキャリアお
よびノイズの再生出力の、後方のレーザーの出力に対す
る依存性を調べ、同時に実施例１と同様にしてクロスト
ークについても測定した。
【００４０】この結果、後方のレーザーの出力を１.８
ｍＷ以上２.６ｍＷ以下とすることで、クロストークが
なく高Ｃ／Ｎでの信号再生が可能であった。
ｍＷ以上２.６ｍＷ以下とすることで、クロストークが
なく高Ｃ／Ｎでの信号再生が可能であった。
【００４１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明は、適
当な大きさの外部磁界ＨEを印加した場合に、第１の磁
性層が周囲温度では外部磁界ＨEに対して安定な方向に
配向しかつその補償温度Ｔcomp1の近傍の温度では第２
の磁性層との交換相互作用に関して安定な方向に配向
し、第２の磁性層が周囲温度から補償温度Ｔcomp1の近
傍の温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保
持するように、第１および第２の磁性層を構成すること
により、レーザー照射領域と別の場所での消去操作なし
で、光の回折限界以下の周期の信号を読み出すことが可
能となり、また、単一の光学系で高線記録密度かつ高ト
ラック密度の信号を記録直後に読み出すことが可能とな
る。
当な大きさの外部磁界ＨEを印加した場合に、第１の磁
性層が周囲温度では外部磁界ＨEに対して安定な方向に
配向しかつその補償温度Ｔcomp1の近傍の温度では第２
の磁性層との交換相互作用に関して安定な方向に配向
し、第２の磁性層が周囲温度から補償温度Ｔcomp1の近
傍の温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保
持するように、第１および第２の磁性層を構成すること
により、レーザー照射領域と別の場所での消去操作なし
で、光の回折限界以下の周期の信号を読み出すことが可
能となり、また、単一の光学系で高線記録密度かつ高ト
ラック密度の信号を記録直後に読み出すことが可能とな
る。
【００４２】これにより、簡略な記録再生装置によって
情報を高密度化し、かつ情報処理速度を高速化すること
ができるという効果がある。
情報を高密度化し、かつ情報処理速度を高速化すること
ができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の光磁気記録媒体の構成を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】実施例１における各磁性層の飽和磁化および保
磁力の温度依存性を示す特性図である。
磁力の温度依存性を示す特性図である。
【図３】実施例１における第１および第２の磁性層間の
界面磁壁エネルギー密度の温度依存性を示す特性図であ
る。
界面磁壁エネルギー密度の温度依存性を示す特性図であ
る。
【図４】第１および第２の磁性層のとり得る磁化状態間
の遷移を説明する図である。
の遷移を説明する図である。
【図５】実施例１における磁化状態の遷移と温度との関
係を説明する特性図である。
係を説明する特性図である。
【図６】実施例１における磁化状態の遷移と温度との関
係を説明する特性図である。
係を説明する特性図である。
【図７】実施例１における磁化状態の遷移と温度との関
係を説明する特性図である。
係を説明する特性図である。
【図８】実施例２における各磁性層の飽和磁化および保
磁力の温度依存性を示す特性図である。
磁力の温度依存性を示す特性図である。
【図９】実施例２における第１および第２の磁性層間の
界面磁壁エネルギー密度の温度依存性を示す特性図であ
る。
界面磁壁エネルギー密度の温度依存性を示す特性図であ
る。
【図１０】実施例２における磁化状態の遷移と温度との
関係を説明する特性図である。
関係を説明する特性図である。
【図１１】実施例２における磁化状態の遷移と温度との
関係を説明する特性図である。
関係を説明する特性図である。
【図１２】実施例２における磁化状態の遷移と温度との
関係を説明する特性図である。
関係を説明する特性図である。
１ 基板 ２，５ 誘電体層 ３ 第１の磁性層 ４ 第２の磁性層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (3)
- 【請求項１】 相互に交換結合している第１の磁性層お
よび第２の磁性層を少なくとも有する光磁気記録媒体に
おいて、 前記第１の磁性層が、周囲温度より高くかつ前記第２の
磁性層のキュリー温度Ｔc2より低い温度範囲に補償温度
Ｔcomp1を有し、適当な大きさの外部磁界ＨEを前記光磁
気記録媒体に印加した場合に、前記周囲温度では前記外
部磁界ＨEに対して安定な方向に配向しかつ前記補償温
度Ｔcomp1の近傍の温度では前記第２の磁性層との交換
相互作用に関して安定な方向に配向するものであり、 前記第２の磁性層が、前記外部磁界ＨEの存在の有無に
関わらず、前記周囲温度から前記補償温度Ｔcomp1の近
傍の温度に至る任意の温度において所定の磁化状態を保
持するものであることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体の第２
の磁性層に予め信号を記録し、 そののち、外部磁界ＨEを前記光磁気記録媒体に印加し
ながら前記光磁気記録媒体の第１の磁性層にレーザー光
を照射して照射領域の一部の前記第１の磁性層の温度を
前記第１の磁性層の補償温度Ｔcomp1の近傍まで昇温さ
せ、前記昇温した領域の磁化を読み取ることによって前
記信号の再生を行なう光磁気記録再生方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光磁気記録媒体を使用
し、外部磁場ＨEを前記光磁気記録媒体に印加しなが
ら、 第２の磁性層に第１のレーザー光を照射して前記第２の
磁性層に信号の記録を行ない、前記信号の記録の直後
に、前記記録の行なわれた領域に第２のレーザー光を照
射して前記領域の第１の磁性層をその補償温度Ｔcomp1
の近傍まで昇温させ、前記昇温した領域の磁化を読み取
ることによって前記信号の再生を行なう光磁気記録再生
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25927691A JP3159742B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 光磁気記録再生方法 |
| EP92308916A EP0536938B1 (en) | 1991-10-07 | 1992-09-30 | Magnetooptical recording medium and magnetooptical record/reproducing method |
| DE69224502T DE69224502T2 (de) | 1991-10-07 | 1992-09-30 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und magnetooptisches Aufzeichnungs-/Wiedergabeverfahren |
| US08/232,581 US5450382A (en) | 1991-10-07 | 1994-04-25 | Magneto-optical recording medium having a layer that retains its state of magnetization regardless of the presence of an external magnetic field, and a recording/reproducing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25927691A JP3159742B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 光磁気記録再生方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05101469A true JPH05101469A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3159742B2 JP3159742B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08106670A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-04-23 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の再生方法及びその光磁気記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH06195784A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-15 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報記録方法 |
| US5637394A (en) * | 1993-12-17 | 1997-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and method of reproducing magneto-optical information using thereof |
| JPH07192335A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2809991B2 (ja) | 1994-01-14 | 1998-10-15 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| DE19535994C2 (de) * | 1994-10-14 | 1998-07-16 | Sharp Kk | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Herstellverfahren für dieses |
| JP3091099B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2000-09-25 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方法 |
| JP3277245B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2002-04-22 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| JPH09270156A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| US9153249B1 (en) * | 2014-04-21 | 2015-10-06 | Lsi Corporation | Cross-talk measurement in array reader magnetic recording system |
| BR112018017328B1 (pt) * | 2016-02-23 | 2023-02-14 | Schlumberger Technology B.V. | Método e sistema para caracterização de uma formação subterrânea |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0695404B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-11-24 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| US5187694A (en) * | 1987-08-21 | 1993-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and thermal bias layer, and method for recording, erasing and overwriting on the medium |
| EP0318925B1 (en) * | 1987-11-30 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Method for optically reproducing a signal from magneto-optical recording medium |
| US5168482A (en) * | 1989-08-31 | 1992-12-01 | Sony Corporation | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer |
| JP2910084B2 (ja) * | 1989-09-06 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| JP2567996B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1996-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 光磁気記録方法及び装置 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP25927691A patent/JP3159742B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-09-30 EP EP92308916A patent/EP0536938B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-30 DE DE69224502T patent/DE69224502T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-25 US US08/232,581 patent/US5450382A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08106670A (ja) * | 1994-08-09 | 1996-04-23 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の再生方法及びその光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5450382A (en) | 1995-09-12 |
| EP0536938A2 (en) | 1993-04-14 |
| EP0536938A3 (en) | 1993-07-07 |
| DE69224502T2 (de) | 1998-07-09 |
| DE69224502D1 (de) | 1998-04-02 |
| JP3159742B2 (ja) | 2001-04-23 |
| EP0536938B1 (en) | 1998-02-25 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |