JPH087351A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法及び光磁気記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 再生時に印加する磁界の大きさが多少変動し
てもあるいは印加磁界なしでも常に微小磁区を再生ビー
ムスポットの中心だけで再生する機能を発揮できる光磁
気媒体及び光磁気記録方法及び記録再生方法を提供す
る。 【構成】 透光性を有する基板上に少なくとも第３磁性
層、第１磁性層、第２磁性層とがこの順に積層され、か
つ各磁性層の保磁力、キュリー温度、膜厚、第１磁性温
度の補償、温度、第１、第２磁性層間及び第１、第３磁
性層間の界面磁壁エネルギーとの間の関係を示す特定の
８つの式を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体およ
び光磁気記録方法および光磁気記録の再生方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を用いて情報
の記録、再生、消去を行なう光磁気記録媒体及び光磁気
記録方法及び光磁気記録再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在行なわれている光磁気記録方法で
は、情報を記録するときに、消去、記録、照合の３工程
が必要であるために時間がかかるという問題がある。ま
たより高密度に情報を記録したいという要求があるが、
記録再生ビームは、波長の大きさ程にしかビーム径を絞
れないので、微小ピットを記録できてもピット信号の干
渉があり、再生できるピット径の大きさに制限がある。

【０００３】この問題を解決するために、本発明者は特
開平５−１９６２７７で次のようなオーバーライトと超
解像の記録再生を可能にする光磁気記録媒体および記録
再生方法を提案した。

【０００４】以下の特別な条件を満たす光磁気記録媒体
（ａ）を用いて、（ｂ）の記録再生方法により上記のオ
ーバーライトと超解像の可能な記録再生を行なうもので
ある。 （ａ）用いる光磁気記録媒体 透光性を有する基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁
性層とがこの順に積層され、かつ下記式（１）〜（４）
を満たす。

【０００５】

【数２４】

【０００６】

【数２５】

【０００７】

【数２６】

【０００８】

【数２７】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２はそれぞれ第１磁性層、第２
磁性層の保磁力をあらわす。Ｔｃ１，Ｔｃ２はそれぞれ
第１磁性層、第２磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の膜厚をあ
らわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１磁性層の補償温度をあらわ
す。σｗは、それぞれ第１、第２磁性層間の界面磁壁エ
ネルギーを表わす。

【０００９】ここで上記（１）式は、外部磁界Ｈｉによ
って第１磁性層だけを一方向に着磁できる条件を示す。

【００１０】また上記（２）式は、第１、第２磁性層の
界面磁壁が安定に存在する条件を示している。

【００１１】また上記（４）式は、第１磁性層が室温と
キュリー温度の間に補償温度を持ち、外部磁界と記録磁
界を同一方向にして、キュリー温度記録が可能な条件を
示す。（補償温度を越えて温度上昇、自発磁化が逆転し
た後、記録磁界によりキュリー温度付近で磁化反転＝記
録される。） （ｂ）用いる記録方法 （ａ）の光磁気記録媒体を用いて記録を行なう方法にお
いて外部の磁界により第１磁性層の磁気モーメントを一
定方向に揃えておき、この磁界と同一方向に記録バイア
ス磁界をかけながら、次のように２値にパワーを変調さ
せたレーザ光を記録信号に応じて照射する光磁気記録方
法。 （１）第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存在しない
状態を得る低パワーのレーザ光を照射する。 （２）第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存在する状
態を得る高パワーのレーザ光を照射する。

【００１２】上記の記録によって得られたピット列を再
生するには次の方法を行なう。

【００１３】すなわち第１磁性層の磁気モーメントの方
向とは逆方向の磁界をかけながら、再生ビームを照射し
ビームスポットの中心部分における第１磁性層の磁気モ
ーメントの方向を第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が
存在しない状態に変えながら記録情報を再生するもので
ある。

【００１４】この記録再生方式ではオーバーライトおよ
び微小磁区を再生ビームスポットの中心部のみで再生す
る（超解像）機能を有するが、再生時に印加する磁界の
大きさの変動あるいは照射する再生ビームのパワーの変
動などにより、第２磁性層の磁化が転写される第１磁性
層の領域（再生スポット内周辺のマスク領域に対してア
パーチャ領域と呼ぶ）の大きさが変動する。

【００１５】この結果再生信号のｃ／ｎ比あるいは隣接
トラック、隣接ピットからのクロストークが悪化するこ
ともある。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の問題点を解決するためのものであり、再生時
に印加する磁界の大きさが多少変動していても、あるい
は印加磁界なしでも常に微小磁区を再生ビームスポット
の中心だけで再生する（超解像）機能を発揮できる光磁
気記録媒体および光磁気記録方法および光磁気記録再生
方法を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】透光性を有する基板上に
少なくとも希土類−遷移金属合金からなる第１磁性層、
第２磁性層とがこの順に積層され、第１磁性層は膜厚方
向に組成あるいは磁気特性が変化しており、さらに下記
条件及び条件式（１）〜（８）を満たすことを特徴とす
る光磁気記録媒体及びこれを用いた光磁気記録方法及び
光磁気記録の再生方法。 （１）第１磁性層が希土類−遷移金属元素の非晶質合金
からなり副格子磁化は、希土類元素優位である。 （２）第１磁性層が希土類−遷移金属元素の非晶質合金
からなり、基板に近い側で遷移金属組成が大きくなる。

【００１８】

【数２８】

【００１９】

【数２９】

【００２０】

【数３０】

【００２１】

【数３１】

【００２２】

【数３２】

【００２３】

【数３３】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２はそれぞれ第１磁性層、第２
磁性層の保磁力をあらわす。Ｔｃ１，Ｔｃ２はそれぞれ
第１磁性層、第２磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の膜厚をあ
らわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１磁性層の補償温度をあらわ
す。σｗは、それぞれ第１、第２磁性層間の界面磁壁エ
ネルギーを表わす。

【００２４】ここで上記（３）式は外部磁界Ｈｉによっ
て第１磁性層を一方向に着磁し、第２磁性層の磁化は変
えない条件を示す。

【００２５】ここで上記（４）、（５）式は第１、第２
磁性層の界面磁壁が安定に存在する条件を示している。

【００２６】ここで上記（８）式は、第１、第２磁性層
間は、界面磁壁が安定に存在するマージン条件が室温よ
り超解像再生時の温度で小さくなることを示している。
（これは再生時に第２磁性層の磁化を第１磁性層に転写
可能な条件を示している。） 透光性を有する基板上に少なくとも第３磁性層、第１磁
性層、第２磁性層とがこの順に積層され、かつ下記式
（１）〜（８）を満たすことを特徴とする光磁気記録媒
体及びこれを用いた光磁気記録方法及び光磁気記録の再
生方法。

【００２７】

【数３４】

【００２８】

【数３５】

【００２９】

【数３６】

【００３０】

【数３７】

【００３１】

【数３８】

【００３２】

【数３９】

【００３３】

【数４０】

【００３４】

【数４１】 ここで上記（１）式は外部磁界Ｈｉによって第１、第３
磁性層を一方向に着磁し、第２磁性層の磁化は変えない
条件を示す。

【００３５】ここで上記（３）、（４）式は第１、第２
磁性層の界面磁壁が安定に存在する条件を示している。

【００３６】ここで上記（５）式は、第１、第３磁性層
間は、界面磁壁が安定に存在しない条件を示している。
上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２およびＨｃ３はそれぞれ第１
磁性層、第２磁性層、第３磁性層の保磁力をあらわす。
Ｔｃ１，Ｔｃ２およびＴｃ３はそれぞれ第１磁性層、第
２磁性層、第３磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２およびｈ３はそれぞれ第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層の膜厚をあらわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１
磁性層の補償温度をあらわす。σｗ１２，σｗ１３は、
それぞれ第１，第２磁性層間および第一、第三磁性層間
の界面磁壁エネルギーを表わす。

【００３７】ここで（７）式は、第１、第２磁性層間お
よび第１，第３磁性層間の界面磁壁が安定に存在するマ
ージン条件が室温より超解像再生時の温度で小さくなる
ことを示している。（これは再生時に第２磁性層の磁化
を第１磁性層に転写可能な条件を示している。）並びに
透光性を有する基板上に少なくとも第３磁性層、第１
磁性層、第２磁性層とがこの順に積層され、かつ下記式
（１）〜（９）を満たすことを特徴とする光磁気記録媒
体。

【００３８】

【数４２】

【００３９】

【数４３】

【００４０】

【数４４】

【００４１】

【数４５】

【００４２】

【数４６】

【００４３】

【数４７】

【００４４】

【数４８】

【００４５】

【数４９】

【００４６】

【数５０】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２およびＨｃ３はそれぞれ第１
磁性層、第２磁性層、第３磁性層の保持力をあらわす。
Ｔｃ１，Ｔｃ２およびＴｃ３はそれぞれ第１磁性層、第
２磁性層、第３磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２およびｈ３はそれぞれ第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層の膜厚をあらわす。Ｔｃｏｍｐ１、Ｔｃ
ｏｍｐ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の補償温度
をあらわす。σｗ１２，σｗ１３は、それぞれ第１，第
２磁性層間および第１、第３磁性層間の界面磁壁エネル
ギーを表わす。

【００４７】

【実施例】以下本発明を実施例により更に詳細に説明す
る。 実施例１ 図２は本発明に使用する光磁気記録媒体の層構成を例示
する模式的断面図である。この図に示す光磁気記録媒体
は、基板１上に第１磁性層２および第２磁性層３を順次
積層してなる。この記録媒体においては、記録再生用レ
ーザー光は基板１側から入射する。尚、各磁性層の間に
は、以下の条件が成り立っている。

【００４８】

【数５１】

【００４９】

【数５２】

【００５０】

【数５３】

【００５１】

【数５４】

【００５２】

【数５５】

【００５３】

【数５６】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２はそれぞれ第１磁性層、第２
磁性層の保磁力をあらわす。Ｔｃ１，Ｔｃ２はそれぞれ
第１磁性層、第２磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の膜厚をあ
らわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１磁性層の補償温度をあらわ
す。σｗは、それぞれ第１、第２磁性層間の界面磁壁エ
ネルギーを表わす。

【００５４】第１磁性層２、第２磁性層３は、それぞれ
希土類元素（Ｔｂ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｈｏ等）と鉄族
遷移金族（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等）との非晶質合金からな
る垂直磁化膜で構成され、各層間には交換結合が働いて
いる。

【００５５】基板１としては、ガラス、紫外線硬化樹脂
によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカーボネー
ト、 ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂など
公知の材料を制限無く用いることができる。

【００５６】図４は、本発明に使用する光磁気記録媒体
の層構成の他の例を示す模式的断面図である。この図に
示す光磁気記録媒体は、基板１上に、ガイドトラック層
５、保護層６、第１磁性層２、第２磁性層３、保護層
６、反射層７を順次積層してなる。

【００５７】また更に交換結合の調整機能を持つ中間層
を各磁性層間に設けてもよいし、さらに機能を付加する
磁性層を（例えば第１磁性層２より基板１側によりキュ
リー温度が高く、光磁気効果の大きい磁性層をもうける
など）設けてもよい。

【００５８】さらにこれらの構造のものを２枚貼り合わ
せて両面記録可能な媒体としてもよい。

【００５９】図６は、本発明中の光磁気記録方法を例示
する状態遷移図である。ここでは第１，第２磁性層とも
希土類元素の副格子磁化が優位のものとする。ここでは
各層の磁気モーメントが平行の場合界面磁壁は形成され
ないことになる。

【００６０】まず光磁気記録を行なう前に、２００〜５
０００ Ｏｅ程度の外部磁界Ｈｉを加え、第１磁性層の
磁気モーメントを一方向（ここでは上向き）に揃える。
これがいわゆる初期化処理である（図６（ａ））。

【００６１】ここで初期化に必要なＨｉの大きさが、例
えば５００ Ｏｅより小さい場合は外部磁界Ｈｉの代わ
りに記録磁界Ｈｂで兼用することも可能である。

【００６２】次に外部磁界と同一方向（上向き）に５０
〜５００ Ｏｅ程度の記録磁界Ｈｂを加えながら記録信
号に対応させレーザパワーを２値レベルで変化させて照
射することによって以下の様な記録を行なう。

【００６３】低レベルＰｂのレーザー光を照射すること
（以下Ｌプロセスと呼ぶ）により、磁性層の温度は第２
磁性層のキュリー温度Ｔｃ２以上まで上昇し、第２磁性
層３の磁気モーメントは消失した状態になる（図６
（ｃ））。

【００６４】そしてレーザースポットが移動し磁性層が
室温まで降温すれば図６（ａ）に示す状態に戻る。

【００６５】一方、高レベルＰａのレーザ光を照射する
こと（以下Ｈプロセスと呼ぶ）により、磁性層の温度は
第１磁性層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１以上まで上昇し、第
１磁性層２は遷移金属の副格子磁化が優位となり磁気モ
ーメントは逆転する。（図６（ｃ））このとき記録バイ
アスＨｂによって第１磁性層２は磁化反転する。（図６
（ｅ））そして、レーザスポットが移動し第１磁性層の
補償温度Ｔｃｏｍｐ１まで降温すると、再び第１磁性層
２は希土類元素の副格子磁化が優位となり磁気モーメン
トが逆転する（図６（ｆ））。

【００６６】さらに降温が進み、磁性層の温度が第２磁
性層にキュリー温度Ｔｃ２以下まで下がると、第１磁性
層の副格子磁化と同じ方向に（界面磁壁を形成しないよ
うに）第２磁性層の磁化が生ずる（図６（ｇ））。

【００６７】さらに光磁気記録媒体は回転し、外部磁界
Ｈｉを通過すると、第１磁性層の磁化は上向きに揃えら
れて図６（ｈ）に示す状態となる。

【００６８】図８は、本発明の光磁気記録方法の他の例
を示す状態遷移図である。

【００６９】ここでは第１磁性層の副格子磁化は希土類
元素が優位、第２磁性層は遷移金属の副格子磁化が優位
の光磁気記録媒体を使用したこと以外は、図６に示した
方法と同じ記録操作を行なう。ここでは第１磁性層と第
２磁性層の磁気モーメントが反平行の場合に界面磁壁は
形成されないことになる。

【００７０】この図８に示す様に、Ｈプロセスにおいて
磁性層の温度が第２磁性層のキュリー温度Ｔｃ２から室
温に戻る過程の状態（図８（ｆ）〜（ｈ））が、図６に
示したものと異なる。

【００７１】これは、上述の様に第１磁性層の副格子磁
化は希土類元素が優位、第２磁性層は遷移金属の副格子
磁化が優位としたからである。

【００７２】そこでＨプロセスで記録した部分は、図８
（ｈ）に示す様に、第１，第２磁性層の磁気モーメント
が平行（ここでは上向き）で界面磁壁が形成された状態
となる。

【００７３】図１２は、本発明中の光磁気記録媒体（図
８による）の再生方法を例示する図である。

【００７４】上述の本発明の記録が終ると図１２（ａ）
に示す様に記録部分の第１磁性層の磁気モーメントが全
て上向きとなっており、再生ビームを照射しても第２磁
性層の記録情報の再生は難しい。

【００７５】そこで再生ビームを照射する際、図６，８
における記録磁界Ｈｂを下向きに反転し、かつ磁界の大
きさを

【００７６】

【数５７】 の条件を満たすように設定する。

【００７７】ここでＨｃ１（Ｒ）は再生温度Ｒにおける
第１磁性層の保磁力を表す。σｗ（Ｒ）は再生温度Ｒに
おける第１−第２磁性層間の界面磁壁エネルギーを表
す。Ｍｓ１（Ｒ）は再生温度Ｒにおける第１磁性層の飽
和磁化の大きさを表す。

【００７８】磁界Ｈｂの上記式の条件のうち、Ｈｃ１−
σｗ／２Ｍｓ１ｈ＞Ｈｂは、再生時に加えられる磁界だ
けで、第１磁性層の磁気モーメントが反転することがな
い様にするための条件である。

【００７９】また磁界Ｈｂの上記式の条件のうち、

【００８０】

【数５８】 の値の変化が小さい場合、第２磁性層に形成されたピッ
ト磁区が良好に転写されず、本発明の記録媒体では第１
磁性層は膜厚方向に組成が変化している。具体的には副
格子磁化は希土類元素優位で、第１−第２磁性層界面か
ら離れるに従って遷移金属元素の割合が増加する。磁気
特性では、第１−第２磁性層界面から離れ基板側の部分
では補償温度Ｔｃｏｍｐ１が低くなり室温に近くなる
（例えば５０〜１００℃）ので保磁力Ｈｃ１は大きくな
る（例えば２〜１０ＫＯｅ）。

【００８１】これに対して従来の組成を有する第１−第
２磁性層界面に近い部分では、２値の記録が安定に行な
える様に、補償温度は１００〜２００℃程に、初期化も
可能な様に保磁力は０．５〜２ＫＯｅ程度にする。

【００８２】第１磁性層膜内では、膜厚方向に強く交換
結合しているので１つの磁性膜としての特性を示す。

【００８３】この効果を図１０をもとに説明する。

【００８４】図６，８において状態（ａ）から（ｃ）ま
で、温度上昇と共に変化するときの各磁性層の保磁力の
変化を図１０に示す。

【００８５】図１０において実線は、第１，第２各磁性
層の単層膜サンプルの測定結果を示す。また点線は第１
磁性層が従来の均一膜状態（ただし膜組成は第１ー第２
磁性層界面に近い場所のもの）の測定結果を示す。

【００８６】これを見ると第１磁性層が従来の均一膜状
態の場合は、その保磁力Ｈｃ１は、補償温度Ｔｃｏｍｐ
１まで増加していき、第１−第２磁性層間の交換結合に
よるバイアス磁界σｗ（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１の大
きさも第２磁性層のキュリー温度でゼロになるように減
少していく。

【００８７】そこで上記の磁壁が安定に存在するための
マージンＨｃｌ（ｔ）−σｗ（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ
１は、再生ビームスポット内の温度分布などを考慮しな
いと温度上昇に従って大きくなることになる。これに対
して実線で示した、第１磁性層で膜厚方向に組成分布の
ある系では、その保磁力が室温からの温度上昇で急減す
る。

【００８８】実線で示される第１磁性層の保磁力は膜厚
方向で補償温度の異なる組成の合成で従来例の第１磁性
層の保磁力（点線で示す）Ｈｃ１（ｔ）より大きな値を
示すが、温度上昇で基板に近い膜部分の補償温度よりも
高くなると保磁力は急減し、図１０の様に極小値をとっ
てやがてＨｃ１（ｔ）（点線）の値に近づく。

【００８９】この場合は磁壁が安定に存在するためのマ
ージンＨｃ１（ｔ）−σｗ（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１
は実線で示される膜厚方向で組成分布を持つ系の保磁力
が極小になる温度ｔｍｉｎで、マージンも極小となる。
磁気超解像再生時の読みだし磁界をこの点でマージンが
マイナスの値になる様に（第２磁性層に形成されたピッ
トが第１磁性層に転写される様に）

【００９０】

【数５９】 に設定すれば良い。

【００９１】この様に本発明の第１，第２磁性層を有す
る記録媒体を用いて所定の条件、方法によりオーバーラ
イト記録と磁気超解像が可能になった。 実施例２ 図１は本発明に使用する光磁気記録媒体の層構成を例示
する模式的断面図である。この図に示す光磁気記録媒体
は、基板１上に第３磁性層４および第１磁性層２および
第２磁性層３を順次積層してなる。この記録媒体におい
ては、記録再生用レーザ光は基板１側から入射する。
尚、各磁性層の間には、以下の条件が成立している。

【００９２】

【数６０】

【００９３】

【数６１】

【００９４】

【数６２】

【００９５】

【数６３】

【００９６】

【数６４】

【００９７】

【数６５】

【００９８】

【数６６】

【００９９】

【数６７】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２およびＨｃ３はそれぞれ第１
磁性層、第２磁性層、第３磁性層の保持力をあらわす。
Ｔｃ１，Ｔｃ２およびＴｃ３はそれぞれ第１磁性層、第
２磁性層、第３磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２およびｈ３はそれぞれ第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層の膜厚をあらわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１
磁性層の補償温度をあらわす。σｗ１２，σｗ１３は、
それぞれ第１，第２磁性層間および第１，第３磁性層間
の界面磁壁エネルギーを表わす。 第１磁性層２、第２
磁性層３、第３磁性層４は、それぞれ希土類元素（Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｈｏ等）と鉄属遷移金属（Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等）との非晶質合金からなる垂直磁化膜
で構成され、各層間には交換結合が働いている。

【０１００】基板１としては、ガラス、紫外線硬化樹脂
によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカーボネイ
ト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂など公
知の材料を制限無く用いることができる。

【０１０１】図３は、本発明に使用する光磁気記録媒体
の層構成の他の例を示す模式的断面図である。この図に
示す光磁気記録媒体は、基板１上に、ガイドトラック層
５、保護層６、第３磁性層４、第１磁性層２、第２磁性
層３、保護層６、反射層７を順次積層してなる。

【０１０２】また更に交換結合の調整機能を持つ中間層
を各磁性層間に設けてもよいし、さらに機能を付加する
磁性層を（例えば第３磁性層４より基板１側によりキュ
リー温度が高く、光磁気効果の大きい磁性層をもうける
など）設けてもよい。

【０１０３】さらにこれらの構造のものを２枚貼り合わ
せて両面記録可能な媒体としてもよい。

【０１０４】図５は、本発明中の光磁気記録方法を例示
する状態遷移図である。ここでは第１，第２，第３磁性
層とも希土類元素の副格子磁化が優位のものとする。こ
こでは各層の磁気モーメントが平行な場合界面磁壁は形
成されないことになる。

【０１０５】まず光磁気記録を行なう前に、２００〜５
０００ Ｏｅ程度の外部磁界Ｈｉを加え、第１磁性層の
磁気モーメントを一方向（ここでは上向き）に揃える。

【０１０６】このとき第１磁性層に強く交換結合してい
る第３磁性層の磁気モーメントも一方向に揃う。これが
いわゆる初期化処理である（図５（ａ））。

【０１０７】ここで初期化に必要なＨｉの大きさが、例
えば５００ Ｏｅより小さい場合は外部磁界Ｈｉの代わ
りに記録磁界Ｈｂで兼用することも可能である。

【０１０８】次に外部磁界と同一方向（上向き）に５０
〜５００ Ｏｅ程度の記録磁界Ｈｂを加えながら記録信
号に対応させレーザパワーを２値レベルで変化させて照
射することによって以下の様な記録を行なう。

【０１０９】低レベルＰｂのレーザ光を照射すること
（以下Ｌプロセスと呼ぶ）により、磁性層の温度は第２
磁性層のキュリー温度Ｔｃ２以上まで上昇し、第２磁性
層３の磁気モーメントは消失した状態になる。このとき
第３磁性層は図３では、第２磁性層３よりも低いキュリ
ー温度を有するので、温度Ｔｃ２よりも低温ですでに磁
気モーメントは消失している（図５（ｃ））。

【０１１０】そしてレーザスポットが移動し磁性層が室
温まで降温すれば図５（ａ）に示す状態に戻る。

【０１１１】一方、高レベルＰａのレーザ光を照射する
こと（以下Ｈプロセスと呼ぶ）により、磁性層の温度は
第１磁性層の補償温度Ｔｃｏｍｐ１以上まで上昇し、第
１磁性層２は遷移金属の副格子磁化が優位となり磁気モ
ーメントは逆転する。（図５（ｄ））このとき記録バイ
アスＨｂによって第１磁性層２は磁化反転する。（図５
（ｅ））そして、レーザスポットが移動し第１磁性層の
補償温度Ｔｃｏｍｐ１まで降温すると、再び第１磁性層
２は希土類元素の副格子磁化が優位となり磁気モーメン
トが逆転する（図５（ｆ））。

【０１１２】さらに降温が進み、磁性層の温度が第２磁
性層のキュリー温度Ｔｃ２以下まで下がると、第１磁性
層の副格子磁化と同じ方向に（界面磁壁を形成しないよ
うに）第２，第３磁性層の磁化が生じる（図５
（ｇ））。

【０１１３】さらに光磁気記録媒体は回転し、外部磁界
Ｈｉを通過すると、第１、第３磁性層の磁化は上向きに
揃えられて図５（ｈ）に示す状態となる。

【０１１４】図７は、本発明の光磁気記録方法の他の例
を示す状態遷移図である。

【０１１５】ここでは第１，第３磁性層の副格子磁化は
希土類元素が優位、第２磁性層は遷移金属の副格子磁化
が優位の光磁気記録媒体を使用したこと以外は、図５に
示した方法と同じ記録操作を行なう。ここでは第１，第
３磁性層と第２磁性層の磁気モーメントが反平行の場合
に界面磁壁は形成されないことになる。

【０１１６】この図７に示す様に、Ｈプロセスにおいて
磁性層の温度が第２磁性層のキュリー温度Ｔｃ２から室
温に戻る過程の状態（図７（ｆ）〜（ｈ））が、図５に
示したものと異なる。

【０１１７】これは、上述の様に第１，第３磁性層の副
格子磁化は希土類元素が優位、第２磁性層は遷移金属の
副格子磁化が優位としたからである。

【０１１８】そこでＨプロセスで記録した部分は、図７
（ｈ）に示す様に、第１，第２磁性層の磁気モーメント
が平行（ここでは上向き）で界面磁壁が形成された状態
となる。

【０１１９】図１１は、本発明中の光磁気記録（図７に
よる）の再生方法を例示する図である。

【０１２０】上述の本発明の記録が終ると図１１（ａ）
に示す様に記録部分の第３，第１磁性層の磁気モーメン
トが全て上向きとなっており、再生ビームを照射しても
第２磁性層の記録情報の再生は難しい。

【０１２１】そこで再生ビームを照射する際、図５，図
７における記録磁界Ｈｂを下向きに反転し、かつ磁界の
大きさを

【０１２２】

【数６８】 の条件を満たすように設定する。

【０１２３】同じに

【０１２４】

【数６９】 が成り立つことも条件になる。

【０１２５】ここでＨｃ１（ｔ），Ｈｃ３（ｔ）は再生
温度ｔにおける第１磁性層と第３磁性層の保磁力を表わ
す。σｗ１２（ｔ），σｗ１３（ｔ）は再生温度ｔにお
ける第１−第２磁性層間、第１−第３磁性層間の界面磁
壁エネルギーを表す。Ｍｓ１（ｔ），Ｍｓ３（ｔ）は再
生温度ｔにおける第１磁性層と第３磁性層の飽和磁化の
大きさを表す。

【０１２６】磁界Ｈｂの上記式の条件のうち、Ｈｃ１−
σｗ１２／２Ｍｓ１ｈ１＞Ｈｂは、再生時に加えられる
磁界だけで、第１磁性層の磁気モーメントが反転するこ
とがない様にするための条件である。

【０１２７】また磁界Ｈｂの上記式の条件のうち、

【０１２８】

【数７０】 の条件は、次のことを示す。

【０１２９】後に詳述する再生ビームによると、ビーム
スポットの中心部分が一番高い温度になり、スポット周
辺では温度上昇が小さい。

【０１３０】再生ビームのパワーをだんだんと大きくし
て記録層の温度を上げていく。記録層の温度ｔが室温の
場合は、Ｈｃ１（ｔ）−σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１
（ｔ）ｈ１は、Ｈｃ１−σｗ１２／２Ｍｓ１ｈ１で、こ
れは室温で磁壁が安定に存在するためのマージンを意味
する。これは通常正の値である。（例えば２００〜５０
０ Ｏｅ）そこで室温の場合の記録層の温度ｔが上昇し
て、Ｈｃ１（ｔ）−σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ
１の値がわずかでも減少すると、Ｈｂ＞Ｈｃ１（ｔ）−
σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１となり、加えられ
る磁界Ｈｂで第１磁性層の磁気モーメントは反転、第２
磁性層の記録情報が、第１磁性層（同時に第３磁性層）
に転写されることが可能になる。

【０１３１】上記の磁壁が安定に存在するためのマージ
ンの項、Ｈｃ１（ｔ）−σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１
（ｔ）ｈ１の値が、室温で比較的大きく、しかも昇温と
ともに大きく変化する場合は適当な再生磁界の大きさと
再生レーザーパワーに設定すれば、再生時に昇温したビ
ームスポットの中心部だけで第２磁性層の記録情報が、
第１磁性層に転写され磁気超解像が可能になる。

【０１３２】しかし上記のマージンＨｃ１（ｔ）−σｗ
１２（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１の値の変化が小さい場
合、第２磁性層に形成されたピット磁区が良好に転写さ
れず、この磁気超解像は不可能になる。

【０１３３】本発明の記録媒体では第１磁性層に隣接し
て、室温では第１磁性層より保磁力が大きくキュリー温
度が小さい第３磁性層が設けられる。

【０１３４】この効果を図７をもとに説明する。

【０１３５】図５，図７において状態８（ａ）から
（ｃ）まで、温度上昇と共に変化するときの各磁性層の
保磁力の変化を図９に示す。

【０１３６】ここで第１磁性層と第３磁性層は強く結合
しているので（両層の保磁力の差よりも交換結合による
バイアス磁界の方が大きい）、磁化曲線の測定では両層
の磁化は同時反転する。

【０１３７】図９において実線は、第１．第２，第３各
磁性層の単層膜サンプルの測定結果を示す。また点線
は、第３，第１磁性層積層状態の測定結果を示す。

【０１３８】これを見ると第１磁性層単層の場合は、そ
の保磁力Ｈｃ１は、補償温度Ｔｃｏｍｐ１まで増加して
いき、第１−第２磁性層間の交換結合によるバイアス磁
界σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１の大きさも第２
磁性層のキューリ温度でゼロになるように減少してい
く。

【０１３９】そこで上記の磁壁が安定に存在するための
マージンＨｃ１（ｔ）−σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１
（ｔ）ｈ１は、再生ビームスポット内の温度分布などを
考慮しないと温度上昇で小さくなることは考えにくい。

【０１４０】これに対して点線で示した第３，第１磁性
層積層系では、第３磁性層の保磁力、磁化が室温からの
温度上昇で急減する。点線で示される見かけの保磁力は
Ｈｃ１（ｔ）＋σ１３（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１で、
交換力によるバイアス分だけＨｃ１（ｔ）より大きな値
を示すが、温度上昇でσｗ１３（ｔ）は急減し、点線で
示される積層系の保磁力も図１の様に最小限をとってや
がてＨｃｌ（ｔ）の値に近付く。

【０１４１】この場合は磁壁が安定に存在するためのマ
ージンＨｃ１（ｔ）−σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）
ｈ１は点線で示される積層系の保磁力が極小になる温度
ｔｍｉｎでマージンも極小となる。磁気超解像再生時の
読みだし磁界をこの点でマージンがマイナスの値になる
様に（第２磁性層に形成されたピットが第１磁性層に転
写される様に） Ｈｂ＞Ｈｃ１（ｔｍｉｎ）−σｗ１２（ｔｍｉｎ）／２
Ｍｓ１（Ｔｍｉｎ）ｈ１ に設定すれば良い。

【０１４２】この様に本発明の第１，第２，第３磁性層
を有する記録媒体を用いて所定の条件、方法によりオー
バーライト記録と磁気超解像が可能になった。 実施例３ 本発明に使用する光磁気記録媒体の層構成は基板上に第
三磁性層４および第一磁性層２および第二磁性層３を順
次積層してなる。この記録媒体においては、記録再生用
レーザー光は基板１側から入射する。尚、磁性層の間に
は以下の条件が成り立っている。

【０１４３】

【数７１】

【０１４４】

【数７２】

【０１４５】

【数７３】

【０１４６】

【数７４】

【０１４７】

【数７５】

【０１４８】

【数７６】

【０１４９】

【数７７】

【０１５０】

【数７８】

【０１５１】

【数７９】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２およびＨｃ３はそれぞれ第１
磁性層、第２磁性層、第３磁性層の保持力をあらわす。
Ｔｃ１，Ｔｃ２およびＴｃ３はそれぞれ第１磁性層、第
２磁性層、第３磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
１，ｈ２およびｈ３はそれぞれ第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層の膜厚をあらわす。Ｔｃｏｍｐ１、Ｔｃ
ｏｍｐ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の補償温度
をあらわす。σｗ１２，σｗ１３は、それぞれ第１，第
２磁性層間および第１、第３磁性層間の界面磁壁エネル
ギーを表わす。

【０１５２】第一磁性層２、第二磁性層３第三磁性層４
は、それぞれ希土類元素（Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｈ
ｏ等）と鉄族遷移元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等）との非晶
質合金からなる垂直磁化膜で構成され、各層間には交換
結合が働いている。基板１としては、ガラス、紫外線硬
化樹脂によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカー
ボネイト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂
等公知の材料を制限なく用いることができる。本発明に
使用する光磁気記録媒体の層構成の他の例としては、基
板１上に、ガイドトラック層５、保護層６、第三磁性層
４、第一磁性層２、第二磁性層３、保護層７、反射層７
を順次積層してなるもの等が考えられる。また更に交換
結合の調整機能を持つ中間層を各磁性層間に設けてもよ
いし、更に機能を付加する磁性層を（例えば第三磁性層
４より基板１側よりキュリー温度が高く、光磁気効果の
大きい磁性層を設けるなど）設けても良い。更にこれら
の構造のものを二枚貼り合わせて両面記録可能な媒体と
してもよい。本実施例の前述の実施例２に対する相違は
第三磁性層が室温では第一磁性層より保磁力が大きく、
補償温度が第一磁性層より低いということである。（Ｔ
ｃｏｍｐ３＜Ｔｃｏｍｐ１） 本実施例の効果を図１３をもとに説明する。図１３で
は、各磁性層の保磁力の温度変化を示す。ここで第一磁
性層と第三磁性層は強く結合しているので（両層の保磁
力の差よりも交換結合によるバイアス磁界の方が大き
い）、磁化曲線の測定では両層の磁化は同時反転する。
図１３において実線は、第一、第二、第三各磁性層の単
層膜サンプルの測定結果を示す。また点線は、第三、第
一両磁性層積層状態の測定結果を示す。これをみると第
一磁性層単層の場合は、その保磁力Ｈｃｌは、補償温度
Ｔｃｏｍｐ１まで増加していき、第一ー第二磁性層間の
交換結合によるバイアス磁界σｗ１２（ｔ）／２Ｍｓ１
（ｔ）ｈ１の大きさも第二磁性層のキュリー温度でゼロ
になるように減少していく。そこで上記の磁壁が安定に
存在するためのマージンＨｃ１（ｔ）−σｗ１２（ｔ）
／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１は、再生ビームスポット内の温度
分布などを考慮しないと温度上昇で小さくなることは考
えにくい。これに対して点線で示した、第３，第１磁性
層積層系では、第３磁性層の保磁力，磁化が室温からの
温度上昇で急減する。点線で示される見かけの保磁力は
Ｈｃ１（ｔ）＋σ１３（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１で、
交換力によるバイアス分だけＨｃ１（ｔ）より大きな値
を示すが、温度上昇でＨｃ３（ｔ）は急減し、点線で示
される積層系の保磁力も図６のように極小値をとってや
がてＨｃ１（ｔ）の値に近ずく。この場合は磁壁が安定
に存在するためのマージンＨｃ１（ｔ）−σｗ１２
（ｔ）／２Ｍｓ１（ｔ）ｈ１は点線で示される積層系の
保磁力が極小になる温度ｔｍｉｎで、マージンも極小と
なる。磁気超解像再生時の読み出し磁界をこの点でマー
ジンがマイナスの値になるように（第２磁性層に形成さ
れたピットが第１磁性層に転写されるように）Ｈｂ＞Ｈ
ｃ１（ｔｍｉｎ）−σｗ１２（ｔｍｉｎ）／２Ｍｓ１
（ｔｍｉｎ）ｈ１に設定すればよい。記録中の磁化状態
は、図６、図８、に示される実施例１と同じである。記
録ピットの磁気超解像再生は、図１１に示される実施例
１と同じである。このように本発明の第１，第２，第３
磁性層を有する記録媒体を用いて所定の条件，方法によ
りオーバーライト記録と磁気超解像が可能となった。 実験例１ 次に本発明を具体的に実験した例を詳述する。

【０１５３】厚さ１．２ｍｍ，直径１３０ｍｍのポリカ
ーボネイト基板上に、スパッタリング法によって厚さ約
６０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘導体保護膜を設け、次
に厚さ約５０ｎｍのＧｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏの第１磁性
層を設け、次に厚さ約２０ｎｍのＤｙ₁₂Ｔｂ₁₀Ｆｅ₇₀Ｃ
ｏ₈ （ａｔ％）の第２磁性層を設け、更に厚さ約４０ｎ
ｍのＡｌからなるヒートシンク層を設け、更に厚さ約６
０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘導体保護膜を設けスパッ
タリングを終了した。最後にスピンコートにより、アク
リレート系樹脂保護層を設け、光磁気記録媒体を得た。

【０１５４】第１磁性層組成はＳｉ₃ Ｎ₄ 膜界面で（Ｇ
ｄ₅₀Ｄｙ₅₀）₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₈₀（ａｔ％）であり、
第２磁性層界面で（Ｇｄ₅₀Ｄｙ₅₀）₂₄（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）
₇₆（ａｔ％）であった。

【０１５５】この媒体の特性等はは、以下の通りであ
る。

【０１５６】 第１磁性層／第２磁性層の膜特性（（Ｇｄ₅₀Ｄｙ₅₀）₂₄（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₆（ ａｔ％）膜の磁性特性） 保磁力（Ｈｃ１） ： ５００ Ｏｅ キュリー温度（Ｔｃ１） ： ２３０ ℃ 飽和磁化（Ｍｓ１） ： ２２０ ｅｍｕ／ｃｃ 補償温度（Ｔｃｏｍｐ１） ： １８０ ℃ 第１磁性層／Ｓｉ₃ Ｎ₄ 層界面の膜特性（（Ｇｄ₅₀Ｄｙ₅₀）₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀ ）₈₀（ａｔ％）膜の磁気特性） 保磁力（Ｈｃ１） ：４０００ Ｏｅ キュリー温度（Ｔｃ１） ： ２５０ ℃ 飽和磁化（Ｍｓ１） ： １５０ ｅｍｕ／ｃｃ 補償温度（Ｔｃｏｍｐ１） ： ５０ ℃ 第１磁性層／全体の膜特性 保磁力（Ｈｃ１） ：１０００ Ｏｅ キュリー温度（Ｔｃ１） ： ２４０ ℃ 飽和磁化（Ｍｓ１） ： １９０ ｅｍｕ／ｃｃ 補償温度（Ｔｃｏｍｐ１） ： １８０ 第２磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ：１５０００ Ｏｅ 第２磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： １６０ ℃ 第２磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： ４０ ｅｍｕ／ｃｃ 第２磁性層の膜厚（ｈ１） ： ２０ ｎｍ 第１−第２磁性層の界面磁壁エネルギー（σｗ１２）：２．２ｅｒｇ／ｃｍ＾２ この光磁気記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半径
３５ｍｍの位置で７８０ｎｍ波長レーザで、２値記録パ
ワー（Ｐｂ：６ｍｗ，Ｐａ：１２ｍｗ）で、上向きに２
００ Ｏｅの磁界を加えながら記録を行なった。ここで
第１磁性層を上向きに着磁（初期化）させる外部磁界の
大きさは３ＫＯｅである。

【０１５７】なお第１磁性層積層膜の見かけの保磁力は
約１ＫＯｅであった。記録に際して、記録信号の周波数
は１．８ＭＨｚから７．４ＭＨｚまで変化させた。

【０１５８】次に記録信号の再生に当り再生ビームの出
力を１ｍｗから３ｍｗまで変化させ、再生ビームスポッ
トで下向きに磁界を０から５００Ｏｅまで変化させて印
加した。

【０１５９】この結果印加磁界７０〜２２０ Ｏｅ、再
生レーザーパワー１．０〜２．０ｍｗの広い範囲で、例
えば７．４ＭＨｚ（マーク長約０．４ミクロン）の記録
信号もｃ／ｎ比４０ｄＢ以上の良好な再生信号品質を示
した。

【０１６０】なお第１磁性層を第２磁性層界面での組成
で均一にし厚さを５０ｎｍにして、同様に作製したサン
プルディスクについて、同様の記録／再生の実験を行な
うと良好な再生ｃ／ｎ比が得られるのは印加磁界１５０
Ｏｅ、再生パワー１．０〜２．０ｍｗの狭い範囲に限
られることが分かった。 実験例２ 次に本発明を具体的に実験した例を詳述する。

【０１６１】厚さ１．２ｍｍ，直径１３０ｍｍのポリカ
ーボネイト基板上に、スパッタリング法によって厚さ約
６０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘導体保護膜を設け、次
に厚さ約１０ｎｍのＤｙ₂₅Ｆｅ₇₀Ｃｏ₅ （ａｔ％）の第
３磁性層を設け、次に厚さ約２５ｎｍのＧｄ₂₀Ｄｙ₅ Ｆ
ｅ₇₀Ｃｏ₅ （ａｔ％）の第１磁性層を設け、次に厚さ約
２０ｎｍのＤｙ₁₂Ｔｂ₁₀Ｆｅ₇₀Ｃｏ₈ の第２磁性層を設
け、更に厚さ４０ｎｍのＡｌからなるヒートシンク層を
設け、更に厚さ約６０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘導体
保護膜を設け、光磁気記録媒体を得た。

【０１６２】この記録媒体の特性等は、以下の通りであ
る。

【０１６３】 第１磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ： ５００ Ｏｅ 第１磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： ２３０ ℃ 第１磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： ２２０ ｅｍｕ／ｃｃ 第１磁性層の膜厚（ｈ１） ： ２５ ｎｍ 第１磁性層の補償温度（Ｔｃｏｍｐ１） ： １８０ ℃ 第２磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ：１５０００ Ｏｅ 第２磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： １６０ ℃ 第２磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： ４０ ｅｍｕ／ｃｃ 第２磁性層の膜厚（ｈ１） ： ２０ ｎｍ 第３磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ：８０００ Ｏｅ 第３磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： １４０ ℃ 第３磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： １２０ ｅｍｕ／ｃｃ 第３磁性層の膜厚（ｈ１） ： １０ ｎｍ 第３−第１磁性層の界面磁壁エネルギー（σｗ１３）：２．５ｅｒｇ／ｃｍ＾２ 第１−第２磁性層の界面磁壁エネルギー（σｗ１２）：２．２ｅｒｇ／ｃｍ＾２ この光磁気記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半径
３５ｍｍの位置で７８０ｎｍ波長レーザで、２値記録パ
ワー（Ｐｂ：５ｍｗＰａ：１２ｍｗ）で、上向きに２０
０ Ｏｅの磁界を加えながら記録を行なった。ここで第
３，第１磁性層を上向きに着磁（初期化）させる外部磁
界の大きさは２ＫＯｅである。

【０１６４】なお第３−第１磁性層積層膜の見かけの保
磁力は約１ＫＯｅであった。（これはおおよそＨｃ１
（５００ Ｏｅ）＋σｗ１３／２Ｍｓ１ｈ１（５００
Ｏｅ）に等しい。）

【０１６５】また第３−第１磁性層積層膜に対する第２
磁性層界面からの交換結合によるバイアスも約３００
Ｏｅであった。（これはおおよそσｗ１２／（２Ｍｓ１
ｈ１＋２Ｍｓ３ｈ３）に等しい。）記録に際して、記録
信号の周波数は１．８ＭＨｚから７．４ＭＨｚまで変化
させた。次に記録信号の再生に当り再生ビームの出力を
１ｍｗから３ｍｗまで変化させた。再生ビームスポット
で下向きに磁界を０から５００ Ｏｅまで変化させて印
加した。

【０１６６】この結果印加磁界５０〜２００ Ｏｅ、再
生レーザーパワー１．０〜２．０ｍｗの広い範囲で、例
えば７．４ＭＨｚ（マーク長約０．４ミクロン）の記録
信号もｃ／ｎ比４０ｄＢ以上の良好な再生信号品質を示
した。

【０１６７】なお第３磁性層を設けず、第１磁性層の厚
さを５０ｎｍにして、同様に作製したサンプルディスク
について、同様の記録／再生の実験を行なうと良好な再
生ｃ／ｎ比が得られるのは印加磁界１５０ Ｏｅ、再生
パワー１．０〜２．０ｍｗの狭い範囲に限られることが
分かった。 実験例３ 次に本発明を具体的に実験した例を詳述する。

【０１６８】厚さ１．２ｍｍ，直径１３０ｍｍのポリカ
ーボネイト基板上に、スパッタリング法によって厚さ約
６０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘導体保護膜を設け、次
に厚さ約１０ｎｍのＧｄ₂₅Ｆｅ₆₀Ｃb₁₅ （ａｔ％）の第
３磁性層を設け、次に厚さ約２５ｎｍのＧｄ₂₀Ｄｙ₅ Ｆ
ｅ₇₀Ｃｏ₅ （ａｔ％）の第１磁性層を設け、次に厚さ約
２０ｎｍのＤｙ₁₂Ｔｂ₁₀Ｆｅ₇₀Ｃｏ₈ の第２磁性層を設
け、更に厚さ４０ｎｍのＡｌからなるヒートシンク層を
設け、更に厚さ約６０ｎｍのＳｉ₃ Ｎ₄ からなる誘導体
保護膜を設け、光磁気記録媒体を得た。

【０１６９】この記録媒体の特性等は、以下の通りであ
る。

【０１７０】 第１磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ： ５００ Ｏｅ 第１磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： ２３０ ℃ 第１磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： ２２０ ｅｍｕ／ｃｃ 第１磁性層の膜厚（ｈ１） ： ２５ ｎｍ 第１磁性層の補償温度（Ｔｃｏｍｐ１） ： １８０ ℃ 第２磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ：１５０００ Ｏｅ 第２磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： １６０ ℃ 第２磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： ４０ ｅｍｕ／ｃｃ 第２磁性層の膜厚（ｈ１） ： ２０ ｎｍ 第３磁性層の保磁力（Ｈｃ１） ：８０００ Ｏｅ 第３磁性層のキュリー温度（Ｔｃ１） ： １６５ ℃ 第３磁性層の飽和磁化（Ｍｓ１） ： １０ ｅｍｕ／ｃｃ 第３磁性層の補償温度（Ｔｃｏｍｐ３） : １０℃ 第３磁性層の膜厚（ｈ１） ： １０ ｎｍ 第３−第１磁性層の界面磁壁エネルギー（σｗ１３）：２．０ｅｒｇ／ｃｍ＾２ 第１−第２磁性層の界面磁壁エネルギー（σｗ１２）：２．２ｅｒｇ／ｃｍ＾２ この光磁気記録媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半径
３５ｍｍの位置で７８０ｎｍ波長レーザで、２値記録パ
ワー（Ｐｂ：５ｍｗ、Ｐａ：１２ｍｗ）で、上向きに２
００ Ｏｅの磁界を加えながら記録を行なった。ここで
第３，第１磁性層を上向きに着磁（初期化）させる外部
磁界の大きさは２ＫＯｅである。

【０１７１】なお第３−第１磁性層積層膜の見かけの保
磁力は約１ＫＯｅであった。（これはおおよそＨｃ１
（５００ Ｏｅ）＋σｗ１３／２Ｍｓ１ｈ１（４００
Ｏｅ）に等しい。）

【０１７２】また第３−第１磁性層積層膜に対する第２
磁性層界面からの交換結合によるバイアスも約３００
Ｏｅであった。（これはおおよそσｗ１２／（２Ｍｓ１
ｈ１＋２Ｍｓ３ｈ３）に等しい。） 記録に際して、記録信号の周波数は１．８ＭＨｚから
７．４ＭＨｚまで変化させた。次に記録信号の再生に当
り再生ビームの出力を１ｍｗから３ｍｗまで変化させ、
同時に再生ビームスポットで下向きに磁界を０から５０
０ Ｏｅまで変化させて印加した。この結果印加磁界
の広い範囲で、例えば７．４ＭＨｚ（マーク長約０．４
ミクロン）の記録信号もｃ／ｎ比４０ｄＢ以上の良好な
再生信号品質を示した。

【０１７３】なお第３磁性層を設けず、第１磁性層の厚
さを５０ｎｍにして、同様に作製したサンプルディスク
について、同様の記録／再生の実験を行なうと良好な再
生ｃ／ｎ比が得られるのは印加磁界１５０ Ｏｅ、再生
パワー１．０〜２．０ｍｗの狭い範囲に限られることが
分かった。

【０１７４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば再生
時に印加する磁界の大きさが多少変動してもあるいは印
加磁界なしでも常に微小磁区を再生ビームスポットの中
心だけで再生する機能を発揮し得ると共に再生時の印加
磁界再生パワーの設定に広いマージンを持てるようにな
った。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の層構成の一例を示す
模式的断面図

【図２】本発明の光磁気記録媒体の層構成の他の例を示
す模式的断面図

【図３】本発明の光磁気記録媒体の層構成の他の例を示
す模式的断面図

【図４】本発明の光磁気記録媒体の層構成の他の例を示
す模式的断面図

【図５】本発明の光磁気記録方法を例示する状態遷移図

【図６】本発明の光磁気記録方法の他の例を示す状態遷
移図

【図７】本発明の光磁気記録方法の他の例を示す状態遷
移図

【図８】本発明の光磁気記録方法の他の例を示す状態遷
移図

【図９】本発明の光磁気記録層の保磁力の温度特性を例
示する図

【図１０】本発明の光磁気記録層の保磁力の温度特性を
例示する図

【図１１】本発明の光磁気記録の再生方法を例示する図

【図１２】本発明の光磁気記録の再生方法の別の例を示
す図

【図１３】各磁性層の保磁力の温度変化を示す図

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第１磁性層 ３ 第２磁性層 ４ 第３磁性層 ５ ガイドトラック層 ６ 保護層 ７ 反射層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透光性を有する基板上に少なくとも希土
   類−遷移金属合金からなる第１磁性層、第２磁性層とが
   この順に積層され、第１磁性層は膜厚方向に組成あるい
   は磁気特性が変化しており、さらに下記条件及び条件式
   （１）〜（８）を満たすことを特徴とする光磁気記録媒
   体。 （１）第１磁性層が希土類−遷移金属元素の非晶質合金
   からなり副格子磁化は、希土類元素優位である。 （２）第１磁性層が希土類−遷移金属元素の非晶質合金
   からなり、基板に近い側で遷移金属組成が大きくなる。 【数１】 【数２】 【数３】 【数４】 【数５】 【数６】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２はそれぞれ第１磁性層、第２
   磁性層の保磁力をあらわす。Ｔｃ１，Ｔｃ２はそれぞれ
   第１磁性層、第２磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
   １，ｈ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の膜厚をあ
   らわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１磁性層の補償温度をあらわ
   す。σｗは、それぞれ第１、第２磁性層間の界面磁壁エ
   ネルギーを表わす。
2. 【請求項２】 透光性を有する基板上に少なくとも第３
   磁性層、第１磁性層、第２磁性層とがこの順に積層さ
   れ、かつ下記式（１）〜（８）を満たすことを特徴とす
   る光磁気記録媒体。 【数７】 【数８】 【数９】 【数１０】 【数１１】 【数１２】 【数１３】 【数１４】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２およびＨｃ３はそれぞれ第１
   磁性層、第２磁性層、第３磁性層の保持力をあらわす。
   Ｔｃ１，Ｔｃ２およびＴｃ３はそれぞれ第１磁性層、第
   ２磁性層、第３磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
   １，ｈ２およびｈ３はそれぞれ第１磁性層、第２磁性
   層、第３磁性層の膜厚をあらわす。Ｔｃｏｍｐ１は第１
   磁性層の補償温度をあらわす。σｗ１２，σｗ１３は、
   それぞれ第１，第２磁性層間および第１，第３磁性層間
   の界面磁壁エネルギーを表わす。
3. 【請求項３】 透光性を有する基板上に少なくとも第３
   磁性層、第１磁性層、第２磁性層とがこの順に積層さ
   れ、かつ下記式（１）〜（９）を満たすことを特徴とす
   る光磁気記録媒体。 【数１５】 【数１６】 【数１７】 【数１８】 【数１９】 【数２０】 【数２１】 【数２２】 【数２３】 上記式中、Ｈｃ１，Ｈｃ２およびＨｃ３はそれぞれ第１
   磁性層、第２磁性層、第３磁性層の保持力をあらわす。
   Ｔｃ１，Ｔｃ２およびＴｃ３はそれぞれ第１磁性層、第
   ２磁性層、第３磁性層のキュリー温度をあらわす。ｈ
   １，ｈ２およびｈ３はそれぞれ第１磁性層、第２磁性
   層、第３磁性層の膜厚をあらわす。Ｔｃｏｍｐ１、Ｔｃ
   ｏｍｐ２はそれぞれ第１磁性層、第２磁性層の補償温度
   をあらわす。σｗ１２，σｗ１３は、それぞれ第１，第
   ２磁性層間および第１、第３磁性層間の界面磁壁エネル
   ギーを表わす。
4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載の光磁気記録
   媒体を用いて記録を行なう方法において外部の磁界によ
   り第１、第３磁性層の磁気モーメントを一定方向に揃え
   ておき、この磁界と同一方向に記録バイアス磁界をかけ
   ながら、次のように２値にパワーを変調させたレーザ光
   を記録信号に応じて照射することを特徴とする光磁気記
   録方法。 （１）第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存在しない
   状態を得る低パワーのレーザ光を照射する。 （２）第１磁性層と第２磁性層の間に磁壁が存在する状
   態を得る高パワーのレーザ光を照射する。
5. 【請求項５】 請求項１乃至３のうちいずれか１項記載
   の光磁気記録媒体の記録情報を再生する方法において、
   第１磁性層の磁気モーメントの方向とは逆方向の磁界を
   かけながら再生レーザビームを照射し、そのビームスポ
   ットの中心部において、第１磁性層の磁気モーメントの
   方向を第１磁性層と第２磁性層との間に磁壁が存在しな
   い状態に変えながら記録情報を再生することを特徴とす
   る光磁気記録再生方法。